JPH0637022A - 気相成長装置の温度測定方法 - Google Patents
気相成長装置の温度測定方法Info
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- JPH0637022A JPH0637022A JP19118792A JP19118792A JPH0637022A JP H0637022 A JPH0637022 A JP H0637022A JP 19118792 A JP19118792 A JP 19118792A JP 19118792 A JP19118792 A JP 19118792A JP H0637022 A JPH0637022 A JP H0637022A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反応ガスが水平に流れる反応容器内で、基板が
水平に取り付けられて抵抗加熱ヒータとともに鉛直軸ま
わりに回転するサセプタの基板加熱面の温度分布を成膜
時と同一条件で短時間に測定可能な温度測定方法を提供
する。 【構成】サセプタ１１の基板加熱面から所定の間隔を保
つように配された放射温度計１４により、サセプタ１１
を回転させながら加熱面の温度を測定する方法とし、サ
セプタ１１の加熱回数１回で基板加熱面全面の温度分布
測定を可能にする。
水平に取り付けられて抵抗加熱ヒータとともに鉛直軸ま
わりに回転するサセプタの基板加熱面の温度分布を成膜
時と同一条件で短時間に測定可能な温度測定方法を提供
する。 【構成】サセプタ１１の基板加熱面から所定の間隔を保
つように配された放射温度計１４により、サセプタ１１
を回転させながら加熱面の温度を測定する方法とし、サ
セプタ１１の加熱回数１回で基板加熱面全面の温度分布
測定を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主に化合物半導体を
被成膜基板に成長させる有機金属気相成長装置を対象と
したものであり、反応ガスが内部を水平に流れる反応容
器と、被成膜基板が水平に取り付けられる構造のサセプ
タと、サセプタに取り付けられた被成膜基板を被成膜面
と反対の側からサセプタを介して加熱する抵抗加熱ヒー
タとを備え、反応ガスを水平に流しかつサセプタを抵抗
加熱ヒータとともに反応ガスの流れに垂直なサセプタ軸
を中心に回転させつつ加熱することにより被成膜基板に
薄膜を形成する気相成長装置において、サセプタの被成
膜基板加熱面の温度分布を測定する方法に関する。
被成膜基板に成長させる有機金属気相成長装置を対象と
したものであり、反応ガスが内部を水平に流れる反応容
器と、被成膜基板が水平に取り付けられる構造のサセプ
タと、サセプタに取り付けられた被成膜基板を被成膜面
と反対の側からサセプタを介して加熱する抵抗加熱ヒー
タとを備え、反応ガスを水平に流しかつサセプタを抵抗
加熱ヒータとともに反応ガスの流れに垂直なサセプタ軸
を中心に回転させつつ加熱することにより被成膜基板に
薄膜を形成する気相成長装置において、サセプタの被成
膜基板加熱面の温度分布を測定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に本発明が対象とする前記構成の気
相成長装置の一例を示す。ここに例示した気相成長装置
は、それぞれ石英ガラスからなる外容器３Ａと内容器３
Ｂとで構成された反応容器３と、中間板９をヒータ容器
の上端面に備えた抵抗加熱ヒータ８と、中間板９に密着
状態に載置され周縁が中間板９の周縁に固定されて中間
板９から抵抗加熱ヒータ８の熱が伝達されるサセプタ２
と、反応容器３の内容器３Ｂ内を水平に流れる反応ガス
を外部へ導出するための排気フランジ５とを装置本体の
主要構成要素として形成されている。成膜時には反応容
器３の反応ガス導入口６から反応ガスを導入して内容器
３Ｂ内を水平に流すとともに、サセプタ２を、反応ガス
の流れに垂直な，ヒータ容器に固定された回転軸を介し
て回転させながら抵抗加熱ヒータ８で加熱する。サセプ
タ２上の被成膜基板１の上面 (被成膜基板) に薄膜を形
成した残りの反応ガスは、排気フランジ５に形成された
排気口７から外部へ導出される。
相成長装置の一例を示す。ここに例示した気相成長装置
は、それぞれ石英ガラスからなる外容器３Ａと内容器３
Ｂとで構成された反応容器３と、中間板９をヒータ容器
の上端面に備えた抵抗加熱ヒータ８と、中間板９に密着
状態に載置され周縁が中間板９の周縁に固定されて中間
板９から抵抗加熱ヒータ８の熱が伝達されるサセプタ２
と、反応容器３の内容器３Ｂ内を水平に流れる反応ガス
を外部へ導出するための排気フランジ５とを装置本体の
主要構成要素として形成されている。成膜時には反応容
器３の反応ガス導入口６から反応ガスを導入して内容器
３Ｂ内を水平に流すとともに、サセプタ２を、反応ガス
の流れに垂直な，ヒータ容器に固定された回転軸を介し
て回転させながら抵抗加熱ヒータ８で加熱する。サセプ
タ２上の被成膜基板１の上面 (被成膜基板) に薄膜を形
成した残りの反応ガスは、排気フランジ５に形成された
排気口７から外部へ導出される。
【０００３】気相成長装置では、成膜技術上、被成膜基
板の被成膜面に成長する薄膜の膜厚分布の均一化が１つ
の重要な課題である。膜厚分布は被成膜基板を加熱する
サセプタの温度分布、従ってまた、上述の例では中間板
９の温度分布への依存性が極めて高い。従来、サセプタ
の温度分布を測定するにあたり、サセプタの被成膜基板
加熱面に熱電対取付け用の穴 (径約１mm) を数個所設け
てこの穴に熱電対を取り付け、サセプタ, ヒータともに
停止させた状態でサセプタの表面温度を直接測定してい
た。
板の被成膜面に成長する薄膜の膜厚分布の均一化が１つ
の重要な課題である。膜厚分布は被成膜基板を加熱する
サセプタの温度分布、従ってまた、上述の例では中間板
９の温度分布への依存性が極めて高い。従来、サセプタ
の温度分布を測定するにあたり、サセプタの被成膜基板
加熱面に熱電対取付け用の穴 (径約１mm) を数個所設け
てこの穴に熱電対を取り付け、サセプタ, ヒータともに
停止させた状態でサセプタの表面温度を直接測定してい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この測定方法
では、以下のような点から測定結果の信頼性に欠け、か
つ測定作業上にも問題があった。 (1) サセプタと一体のヒータを回転できない。 (2) サセプタの被成膜基板加熱面の熱電対取付け用穴へ
の熱電対の取付けは、熱電対の測温部を穴に押し込んで
行っているが、穴から測温部への熱伝導接触抵抗のばら
つきが避けられず、測定値の信頼性に欠ける。
では、以下のような点から測定結果の信頼性に欠け、か
つ測定作業上にも問題があった。 (1) サセプタと一体のヒータを回転できない。 (2) サセプタの被成膜基板加熱面の熱電対取付け用穴へ
の熱電対の取付けは、熱電対の測温部を穴に押し込んで
行っているが、穴から測温部への熱伝導接触抵抗のばら
つきが避けられず、測定値の信頼性に欠ける。
【０００５】(3) 測定点を多くしてサセプタの加熱回数
を１回ですませようとすると、熱電対の数が増し、熱電
対自身の放熱作用でサセプタに温度変化を生じ、このた
め測定点を多くとれず、現状１点づつ熱電対を付け替え
ながら測定している。このためにサセプタの加熱回数が
増し、測定時間が長くなる (１回の測定に２〜３時間を
要する) 。
を１回ですませようとすると、熱電対の数が増し、熱電
対自身の放熱作用でサセプタに温度変化を生じ、このた
め測定点を多くとれず、現状１点づつ熱電対を付け替え
ながら測定している。このためにサセプタの加熱回数が
増し、測定時間が長くなる (１回の測定に２〜３時間を
要する) 。
【０００６】(4) 反応ガスの流れが一方向であるため、
測定点で熱電対の下流側に流れの乱れが生じ、正確な温
度測定ができない。 この発明の目的は、冒頭記載の構成による気相成長装置
において、サセプタの被成膜基板加熱面全面の温度分布
を成膜時の条件で信頼性高くかつ短時間に測定可能な温
度測定方法を提供することである。
測定点で熱電対の下流側に流れの乱れが生じ、正確な温
度測定ができない。 この発明の目的は、冒頭記載の構成による気相成長装置
において、サセプタの被成膜基板加熱面全面の温度分布
を成膜時の条件で信頼性高くかつ短時間に測定可能な温
度測定方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、被成膜基板加熱面から所定の間
隔をもつように配された放射温度計により、サセプタを
回転させつつ測定する測定方法をとるものとする。ここ
で、サセプタの被成膜基板加熱面から所定の間隔をもつ
ように配される放射温度計は、該被成膜基板加熱面と平
行に移動するＸ−Ｙ移動装置に取り付けるようにすれば
好適である。
に、本発明においては、被成膜基板加熱面から所定の間
隔をもつように配された放射温度計により、サセプタを
回転させつつ測定する測定方法をとるものとする。ここ
で、サセプタの被成膜基板加熱面から所定の間隔をもつ
ように配される放射温度計は、該被成膜基板加熱面と平
行に移動するＸ−Ｙ移動装置に取り付けるようにすれば
好適である。
【０００８】この場合、サセプタ軸にサセプタ軸の１回
転ごとを検出する回転検出器の可動部を取り付け、１回
転ごとの検出信号によりＸ−Ｙ移動装置を放射温度計の
次の測温位置へ移動させるようにするとよい。そして、
サセプタの１回転ごとのＸ−Ｙ移動装置の移動はサセプ
タの被成膜基板加熱面の半径方向および周方向にそれぞ
れ所定のピッチで行われるようにすれば好適である。
転ごとを検出する回転検出器の可動部を取り付け、１回
転ごとの検出信号によりＸ−Ｙ移動装置を放射温度計の
次の測温位置へ移動させるようにするとよい。そして、
サセプタの１回転ごとのＸ−Ｙ移動装置の移動はサセプ
タの被成膜基板加熱面の半径方向および周方向にそれぞ
れ所定のピッチで行われるようにすれば好適である。
【０００９】
【作用】このように、サセプタの全加熱面の温度分布
を、被成膜基板加熱面から所定の間隔をもつように配さ
れた放射温度計により、サセプタを回転させつつ測定す
るようにすることにより、成膜時と同一条件で、かつサ
セプタの加熱回数１回でサセプタの全加熱面の温度分布
を測定することができる。また、放射温度計は物体の放
射輝度を測定するものであり、放射温度計直下の測温点
に位置した加熱面上の位置の温度を時間おくれなく計測
して出力することができ、放射温度計の測温点を通過す
る加熱面上周方向の各点の温度を正確に測定することが
できる。
を、被成膜基板加熱面から所定の間隔をもつように配さ
れた放射温度計により、サセプタを回転させつつ測定す
るようにすることにより、成膜時と同一条件で、かつサ
セプタの加熱回数１回でサセプタの全加熱面の温度分布
を測定することができる。また、放射温度計は物体の放
射輝度を測定するものであり、放射温度計直下の測温点
に位置した加熱面上の位置の温度を時間おくれなく計測
して出力することができ、放射温度計の測温点を通過す
る加熱面上周方向の各点の温度を正確に測定することが
できる。
【００１０】従って、放射温度計をサセプタの加熱面と
平行に移動するＸ−Ｙ移動装置に取り付けることによ
り、任意半径の円周上各点の放射温度計測温点での温度
を時々刻々に測定することができ、また、Ｘ−Ｙ移動装
置の移動を１つの半径上のみで行わせるだけでなく、方
向の異なる半径上を移動させるようにすることにより、
サセプタの加熱面のある半径方向の温度が１回転の間に
どのような温度範囲内で変動するかを知ることができ
る。また、Ｘ−Ｙ移動装置は測温点の位置を±0.５mm程
度の精度で設定できるので、測定された温度分布の精度
が高くなる。
平行に移動するＸ−Ｙ移動装置に取り付けることによ
り、任意半径の円周上各点の放射温度計測温点での温度
を時々刻々に測定することができ、また、Ｘ−Ｙ移動装
置の移動を１つの半径上のみで行わせるだけでなく、方
向の異なる半径上を移動させるようにすることにより、
サセプタの加熱面のある半径方向の温度が１回転の間に
どのような温度範囲内で変動するかを知ることができ
る。また、Ｘ−Ｙ移動装置は測温点の位置を±0.５mm程
度の精度で設定できるので、測定された温度分布の精度
が高くなる。
【００１１】そこで、サセプタ軸にサセプタ軸の１回転
ごとを検出する回転検出器の可動部を取り付け、１回転
ごとの検出信号によりＸ−Ｙ移動装置を放射温度計の次
の測温位置へ移動させるようにすると、サセプタの加熱
面上各半径方向各点の１回転の間の温度範囲、従って全
加熱面の１回転中の温度範囲を自動的に知ることがで
き、サセプタの全加熱面の温度分布を短時間に測定する
ことができる。
ごとを検出する回転検出器の可動部を取り付け、１回転
ごとの検出信号によりＸ−Ｙ移動装置を放射温度計の次
の測温位置へ移動させるようにすると、サセプタの加熱
面上各半径方向各点の１回転の間の温度範囲、従って全
加熱面の１回転中の温度範囲を自動的に知ることがで
き、サセプタの全加熱面の温度分布を短時間に測定する
ことができる。
【００１２】以上のことから、温度分布の測定系を、サ
セプタの１回転ごとのＸ−Ｙ移動装置の移動がサセプタ
の半径方向および周方向にそれぞれ所定のピッチで行わ
れるように構成することにより、コンピュータを用いて
Ｘ−Ｙ移動装置の移動を制御しつつサセプタの全加熱面
の温度分布を容易に測定することができる。
セプタの１回転ごとのＸ−Ｙ移動装置の移動がサセプタ
の半径方向および周方向にそれぞれ所定のピッチで行わ
れるように構成することにより、コンピュータを用いて
Ｘ−Ｙ移動装置の移動を制御しつつサセプタの全加熱面
の温度分布を容易に測定することができる。
【００１３】
【実施例】サセプタの被成膜基板加熱面の温度分布測定
のための測定系全体構成の一実施例を図１に示す。反応
容器１２内を紙面に垂直方向に流れる反応ガスの流れと
平行に被成膜基板を支持するサセプタ１１の回転軸に、
サセプタの１回転ごとに検出信号を発生する回転検出器
１３の可動部として例えば発光ダイオード１３ａを取り
付け、発光ダイオード１３ａの射出光の入射を検出した
固定部１３ｂから検出信号が記録計１８に送られ、サセ
プタ回転１周期の始点と終点とが記録される。一方、サ
セプタ１１の被成膜基板加熱面の温度を測定する温度計
には市販の放射温度計１４を使用し、これをサセプタ１
１の加熱面と平行に移動するＸ−Ｙ移動装置１５に取り
付ける。なお、一平面内のみを移動するＸ−Ｙ移動装置
の代わりにＸ−Ｙ−Ｚ移動装置を用い、放射温度計とサ
セプタとの間隔を可変として測温点位置設定の精度およ
び放射温度計の感度を上げることができるようにすれば
さらに好適である。なお、図中の符号１６はＸ−Ｙ移動
装置を所望の位置へ移動させる制御器であり、移動位置
の信号はコンピュータ１７から送られる。また、符号１
９はサセプタ１１を回転駆動するための駆動モータであ
る。
のための測定系全体構成の一実施例を図１に示す。反応
容器１２内を紙面に垂直方向に流れる反応ガスの流れと
平行に被成膜基板を支持するサセプタ１１の回転軸に、
サセプタの１回転ごとに検出信号を発生する回転検出器
１３の可動部として例えば発光ダイオード１３ａを取り
付け、発光ダイオード１３ａの射出光の入射を検出した
固定部１３ｂから検出信号が記録計１８に送られ、サセ
プタ回転１周期の始点と終点とが記録される。一方、サ
セプタ１１の被成膜基板加熱面の温度を測定する温度計
には市販の放射温度計１４を使用し、これをサセプタ１
１の加熱面と平行に移動するＸ−Ｙ移動装置１５に取り
付ける。なお、一平面内のみを移動するＸ−Ｙ移動装置
の代わりにＸ−Ｙ−Ｚ移動装置を用い、放射温度計とサ
セプタとの間隔を可変として測温点位置設定の精度およ
び放射温度計の感度を上げることができるようにすれば
さらに好適である。なお、図中の符号１６はＸ−Ｙ移動
装置を所望の位置へ移動させる制御器であり、移動位置
の信号はコンピュータ１７から送られる。また、符号１
９はサセプタ１１を回転駆動するための駆動モータであ
る。
【００１４】このように構成された温度測定系によるサ
セプタの被成膜基板加熱面の温度分布の測定は以下のよ
うに行われる。まず、サセプタ１１を成膜時と同一温度
に上昇させた後、成膜時と同一速度で回転させる。次に
放射温度計１４の測温点を、コンピュータ１７からの位
置信号により、Ｘ−Ｙ移動装置１５を制御器１６で制御
して図２の点Ｒ11に設定し、設定位置のアナログ信号を
記録計８で記録する。また、サセプタ回転の１周期すな
わち１回転の始点および終点の回転検出器１３による信
号と、放射温度計が計測した温度のアナログ信号とを図
３のように同時に記録させる。１周期内の温度を等間隔
でサンプリングし、かつこのサンプリングを、回転検出
器１３の終点信号によりコンピュータ１７が指示した新
たな測温点Ｒ12, Ｒ13, ─でも順次行い、かつ測温点を
コンピュータ１７の指示により、さらに別の半径上に移
して同様のサンプリングを行い、これらのデータをコン
ピュータを使用し、予め作成した解析ソフトにより解析
することにより、サセプタ１１の被成膜基板加熱面全面
にわたる，サセプタ１回転時の温度分布が図４のように
求められる。なお、図４に示した温度分布は、反応容器
内を水平に流す反応ガスの代わりにＨ2 ガスを用いてそ
の流量を１０l/min とするとともに反応容器内の圧力を
１００Torrとし、またサセプタ１１は３mm厚の平坦な円
板を用い回転数３rpm にて求めたものである。
セプタの被成膜基板加熱面の温度分布の測定は以下のよ
うに行われる。まず、サセプタ１１を成膜時と同一温度
に上昇させた後、成膜時と同一速度で回転させる。次に
放射温度計１４の測温点を、コンピュータ１７からの位
置信号により、Ｘ−Ｙ移動装置１５を制御器１６で制御
して図２の点Ｒ11に設定し、設定位置のアナログ信号を
記録計８で記録する。また、サセプタ回転の１周期すな
わち１回転の始点および終点の回転検出器１３による信
号と、放射温度計が計測した温度のアナログ信号とを図
３のように同時に記録させる。１周期内の温度を等間隔
でサンプリングし、かつこのサンプリングを、回転検出
器１３の終点信号によりコンピュータ１７が指示した新
たな測温点Ｒ12, Ｒ13, ─でも順次行い、かつ測温点を
コンピュータ１７の指示により、さらに別の半径上に移
して同様のサンプリングを行い、これらのデータをコン
ピュータを使用し、予め作成した解析ソフトにより解析
することにより、サセプタ１１の被成膜基板加熱面全面
にわたる，サセプタ１回転時の温度分布が図４のように
求められる。なお、図４に示した温度分布は、反応容器
内を水平に流す反応ガスの代わりにＨ2 ガスを用いてそ
の流量を１０l/min とするとともに反応容器内の圧力を
１００Torrとし、またサセプタ１１は３mm厚の平坦な円
板を用い回転数３rpm にて求めたものである。
【００１５】
【発明の効果】本発明においては、冒頭記載の構成によ
る気相成長装置におけるサセプタの被成膜基板加熱面の
温度分布の測定方法を以上のような方法としたので、以
下に記載する効果が得られる。請求項１の方法では、サ
セプタの加熱回数１回でサセプタの被成膜基板加熱面全
面の温度分布を、成膜時と同一条件で、かつ測温の時間
おくれなく正確に測定することができる請求項２の方法
では、測温点の移動が容易となり、かつ測温点の位置設
定の精度が高いので、サセプタの被成膜基板加熱面全面
にわたる温度分布を容易にしかも温度分布の位置精度高
く求めることができる請求項３の方法では、上記加熱面
全面にわたる温度分布を自動的に求めることができ、温
度分布を短時間に測定することができる。
る気相成長装置におけるサセプタの被成膜基板加熱面の
温度分布の測定方法を以上のような方法としたので、以
下に記載する効果が得られる。請求項１の方法では、サ
セプタの加熱回数１回でサセプタの被成膜基板加熱面全
面の温度分布を、成膜時と同一条件で、かつ測温の時間
おくれなく正確に測定することができる請求項２の方法
では、測温点の移動が容易となり、かつ測温点の位置設
定の精度が高いので、サセプタの被成膜基板加熱面全面
にわたる温度分布を容易にしかも温度分布の位置精度高
く求めることができる請求項３の方法では、上記加熱面
全面にわたる温度分布を自動的に求めることができ、温
度分布を短時間に測定することができる。
【００１６】請求項４の方法では、コンピュータを用い
て測温点の移動を容易に行うことができ、成膜時と同一
条件下の温度分布を簡易にかつ短時間に測定することが
できる。
て測温点の移動を容易に行うことができ、成膜時と同一
条件下の温度分布を簡易にかつ短時間に測定することが
できる。
【図１】本発明の方法によるサセプタの被成膜基板加熱
面温度分布測定のための温度測定系全体構成の一実施例
を示す測定系構成図
面温度分布測定のための温度測定系全体構成の一実施例
を示す測定系構成図
【図２】本発明の方法によるサセプタの被成膜基板加熱
面温度分布測定のための測温点位置設定の一実施例を示
す測温点図
面温度分布測定のための測温点位置設定の一実施例を示
す測温点図
【図３】本発明の方法によるサセプタの被成膜基板加熱
面温度分布測定のための温度測定系の記録計による，同
一測温点を通過するサセプタ加熱面上同一周上各点の温
度記録をサセプタ１周期の区間とともに示す温度チャー
ト図
面温度分布測定のための温度測定系の記録計による，同
一測温点を通過するサセプタ加熱面上同一周上各点の温
度記録をサセプタ１周期の区間とともに示す温度チャー
ト図
【図４】本発明の方法により測定したサセプタの被成膜
基板加熱面の温度分布の一例を示す温度分布図
基板加熱面の温度分布の一例を示す温度分布図
【図５】本発明が対象とする気相成長装置構成の一例を
示す図であって、同図(a) は平面断面図、同図(b) は側
面断面図
示す図であって、同図(a) は平面断面図、同図(b) は側
面断面図
１ 基板（被成膜基板） ２ サセプタ ３ 反応容器 １１ サセプタ １２ 反応容器 １３ 回転検出器 １３ａ 可動部 １３ｂ 固定部 １４ 放射温度計 １５ Ｘ−Ｙ移動装置 １６ 制御器 １７ コンピュータ １８ 記録計
Claims (4)
- 【請求項１】反応ガスが内部を水平に流れる反応容器
と、被成膜基板が水平に取り付けられる構造のサセプタ
と、サセプタに取り付けられた被成膜基板を被成膜面と
反対の側からサセプタを介して加熱する抵抗加熱ヒータ
とを備え、反応ガスを水平に流しかつサセプタを抵抗加
熱ヒータとともに反応ガスの流れに垂直なサセプタ軸を
中心に回転させつつ加熱することにより被成膜基板に薄
膜を形成する気相成長装置において、サセプタの被成膜
基板加熱面の温度分布を、該被成膜基板加熱面から所定
の間隔をもつように配された放射温度計により、サセプ
タを回転させつつ測定することを特徴とする気相成長装
置の温度測定方法。 - 【請求項２】請求項第１項に記載の温度測定方法におい
て、サセプタの被成膜基板加熱面から所定の間隔をもつ
ように配される放射温度計は、該被成膜基板加熱面と平
行に移動するＸ−Ｙ移動装置に取り付けられることを特
徴とする気相成長装置の温度測定方法。 - 【請求項３】請求項第２項に記載の温度測定方法におい
て、サセプタ軸にサセプタ軸の１回転ごとを検出する回
転検出器の可動部を取り付け、１回転ごとの検出信号に
よりＸ−Ｙ移動装置を放射温度計の次の測温位置へ移動
させることを特徴とする気相成長装置の温度測定方法。 - 【請求項４】請求項第３項に記載の温度測定方法におい
て、サセプタの１回転ごとのＸ−Ｙ移動装置の移動はサ
セプタの被成膜基板加熱面の半径方向および周方向にそ
れぞれ所定のピッチで行われることを特徴とする気相成
長装置の温度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19118792A JPH0637022A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 気相成長装置の温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19118792A JPH0637022A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 気相成長装置の温度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637022A true JPH0637022A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16270352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19118792A Pending JPH0637022A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 気相成長装置の温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637022A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6152393A (en) * | 1996-11-06 | 2000-11-28 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Webbing winding device |
| JP2012248631A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置 |
| JP2012248634A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19118792A patent/JPH0637022A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6152393A (en) * | 1996-11-06 | 2000-11-28 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Webbing winding device |
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| TWI603412B (zh) * | 2011-05-26 | 2017-10-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 溫度測量裝置、溫度測量方法、記憶媒體及熱處理裝置 |
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