JPH06331455A - 半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置Info
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- JPH06331455A JPH06331455A JP11965093A JP11965093A JPH06331455A JP H06331455 A JPH06331455 A JP H06331455A JP 11965093 A JP11965093 A JP 11965093A JP 11965093 A JP11965093 A JP 11965093A JP H06331455 A JPH06331455 A JP H06331455A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハの履歴に影響されず常に正確に基
板の温度計測が可能になり、さらに、ウエハ上に形成さ
れている各種膜の温度をモニターすることも可能になる
半導体装置の温度計測方法および温度計測装置を提供す
る。 【構成】半導体ウエハ２の基板あるいは基板上に形成さ
れた膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回折
法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上記測
定物質の温度を計測することを特徴とする。
板の温度計測が可能になり、さらに、ウエハ上に形成さ
れている各種膜の温度をモニターすることも可能になる
半導体装置の温度計測方法および温度計測装置を提供す
る。 【構成】半導体ウエハ２の基板あるいは基板上に形成さ
れた膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回折
法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上記測
定物質の温度を計測することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の温度計測
方法およびこの温度計測方法を採用した温度計測装置な
らびに半導体製造装置半導体製造装置に係り、特に半導
体装置の製造工程でランプ加熱などによる加熱処理の対
象となる半導体ウエハの温度計測技術に関する。
方法およびこの温度計測方法を採用した温度計測装置な
らびに半導体製造装置半導体製造装置に係り、特に半導
体装置の製造工程でランプ加熱などによる加熱処理の対
象となる半導体ウエハの温度計測技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程で使用され
るランプアニール装置などのＲＴＰ（ Rapid Thermal P
rocess）装置や化学気相成長（ＣＶＤ）装置、エピタキ
シャル気相成長装置では、半導体ウエハのランプ加熱処
理を行っている。
るランプアニール装置などのＲＴＰ（ Rapid Thermal P
rocess）装置や化学気相成長（ＣＶＤ）装置、エピタキ
シャル気相成長装置では、半導体ウエハのランプ加熱処
理を行っている。
【０００３】ＲＴＰ装置は、ランプ光の吸収により物質
自体が発熱することを利用してウエハ自体の加熱処理を
行うものであり、ウエハの温度を正確に計測することは
非常に重要であるが困難でもある。
自体が発熱することを利用してウエハ自体の加熱処理を
行うものであり、ウエハの温度を正確に計測することは
非常に重要であるが困難でもある。
【０００４】従来、ウエハの温度計測の最も一般的な方
法は、ウエハ裏面から放射される赤外線をパイロメータ
により計測し、その出力を温度に換算する方法である。
しかし、この方法は、ウエハの赤外線放出効率に強く依
存する。ウエハの赤外線放出効率は、ウエハ裏面のラフ
ネス、ドーピング、異種物質の付着等の裏面状態の変化
により大きく変動し、さらには、ウエハ表面のパターン
変化によっても変動する。このような要因により温度計
測誤差は数十〜２００℃にも及ぶ。
法は、ウエハ裏面から放射される赤外線をパイロメータ
により計測し、その出力を温度に換算する方法である。
しかし、この方法は、ウエハの赤外線放出効率に強く依
存する。ウエハの赤外線放出効率は、ウエハ裏面のラフ
ネス、ドーピング、異種物質の付着等の裏面状態の変化
により大きく変動し、さらには、ウエハ表面のパターン
変化によっても変動する。このような要因により温度計
測誤差は数十〜２００℃にも及ぶ。
【０００５】このため、上記方法は様々な温度校正を頻
繁に行う必要があり、ウエハ裏面状態を一定とするべく
半導体製造プロセス自体を改良する必要があった。しか
し、このような努力をもってしても、ロット間、ウエハ
間のウエハ履歴の僅かな変動により温度計測誤差が生
じ、計測値の再現性が悪い。
繁に行う必要があり、ウエハ裏面状態を一定とするべく
半導体製造プロセス自体を改良する必要があった。しか
し、このような努力をもってしても、ロット間、ウエハ
間のウエハ履歴の僅かな変動により温度計測誤差が生
じ、計測値の再現性が悪い。
【０００６】また、ウエハの温度計測の他の方法とし
て、熱電対をウエハに接触させて温度計測する方法があ
る。この方法は、ウエハ状態に依存せず比較的正確な温
度を計測可能であるが、熱電対の熱容量が大きいので、
ウエハの急速な温度上昇／下降に対する追従性が悪く、
急速な温度変化には対応できない。ＲＴＰ装置は２５０
℃／秒程度の昇温特性を持っているが、熱電対は、上記
ＲＴＰ装置内のウエハの急速な温度上昇に追従できず、
温度誤差を生じる。
て、熱電対をウエハに接触させて温度計測する方法があ
る。この方法は、ウエハ状態に依存せず比較的正確な温
度を計測可能であるが、熱電対の熱容量が大きいので、
ウエハの急速な温度上昇／下降に対する追従性が悪く、
急速な温度変化には対応できない。ＲＴＰ装置は２５０
℃／秒程度の昇温特性を持っているが、熱電対は、上記
ＲＴＰ装置内のウエハの急速な温度上昇に追従できず、
温度誤差を生じる。
【０００７】また、極く最近、ウエハの温度計測のさら
に他の方法として、ウエハの熱膨張によりウエハ外径が
変化するのをレーザで読み取って温度計測する方法が実
用化されようとしている。
に他の方法として、ウエハの熱膨張によりウエハ外径が
変化するのをレーザで読み取って温度計測する方法が実
用化されようとしている。
【０００８】この方法は、前記したような２つの方法の
ような問題点は存在しないが、ウエハ面内の温度バラツ
キの影響を受け易くなる。特に、ウエハの昇温／降温時
にはウエハエッジの温度が大きく変化し、この影響を受
けて計測誤差が生じる。
ような問題点は存在しないが、ウエハ面内の温度バラツ
キの影響を受け易くなる。特に、ウエハの昇温／降温時
にはウエハエッジの温度が大きく変化し、この影響を受
けて計測誤差が生じる。
【０００９】さらに、ＲＴＰ装置はランプ光の吸収によ
り物質自体が発熱することを利用しているので、ＲＴＰ
による処理に際して、ウエハの基板と基板上に形成され
てい各種膜とは過渡的に温度差を生じる。しかし、前記
した３つの方法は、いずれも、ウエハの基板自体の温度
計測を行うことは可能であるが、基板上に形成された各
種膜の温度計測は不能である。
り物質自体が発熱することを利用しているので、ＲＴＰ
による処理に際して、ウエハの基板と基板上に形成され
てい各種膜とは過渡的に温度差を生じる。しかし、前記
した３つの方法は、いずれも、ウエハの基板自体の温度
計測を行うことは可能であるが、基板上に形成された各
種膜の温度計測は不能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
半導体装置の温度計測方法は、温度計測の精度、再現性
が必ずしも十分には得られず、しかも、基板上に形成さ
れた各種膜の温度計測が不能であるという問題があっ
た。
半導体装置の温度計測方法は、温度計測の精度、再現性
が必ずしも十分には得られず、しかも、基板上に形成さ
れた各種膜の温度計測が不能であるという問題があっ
た。
【００１１】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、半導体ウエハの履歴に影響されず常に正確に
基板の温度計測が可能になり、さらに、ウエハ上に形成
されている各種膜の温度をモニターすることも可能にな
る半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならび
に半導体製造装置を提供することを目的とする。
たもので、半導体ウエハの履歴に影響されず常に正確に
基板の温度計測が可能になり、さらに、ウエハ上に形成
されている各種膜の温度をモニターすることも可能にな
る半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならび
に半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の温
度計測方法は、半導体装置の基板あるいは基板上に形成
された膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回
折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上記
測定物質の温度を計測することを特徴とする。
度計測方法は、半導体装置の基板あるいは基板上に形成
された膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回
折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上記
測定物質の温度を計測することを特徴とする。
【００１３】また、本発明の半導体装置の温度計測装置
は、半導体装置の基板あるいは基板上に形成された膜の
所望の測定箇所に所望の入射角でＸ線を入射させるＸ線
源と、上記測定箇所で回折されたＸ線を検出するＸ線検
出器と、前記測定箇所の物質の結晶面のＸ線回折角度に
依存する特定の結晶面回折波ピーク位置に合わせるよう
に上記Ｘ線検出器を移動させる制御装置と、前記Ｘ線検
出器の位置に基づいて前記測定物質の特定結晶面間隔を
算出してその温度に換算する演算装置とを具備すること
を特徴とする。
は、半導体装置の基板あるいは基板上に形成された膜の
所望の測定箇所に所望の入射角でＸ線を入射させるＸ線
源と、上記測定箇所で回折されたＸ線を検出するＸ線検
出器と、前記測定箇所の物質の結晶面のＸ線回折角度に
依存する特定の結晶面回折波ピーク位置に合わせるよう
に上記Ｘ線検出器を移動させる制御装置と、前記Ｘ線検
出器の位置に基づいて前記測定物質の特定結晶面間隔を
算出してその温度に換算する演算装置とを具備すること
を特徴とする。
【００１４】また、本発明の半導体製造装置は、加熱処
理の対象となる半導体装置を収容する容器と、上記半導
体装置の基板あるいは基板上に形成された膜の所望の測
定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回折法を利用して計測
し、この結晶面間隔に基づいて上記測定物質の温度を計
測する手段とを具備することを特徴とする。
理の対象となる半導体装置を収容する容器と、上記半導
体装置の基板あるいは基板上に形成された膜の所望の測
定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回折法を利用して計測
し、この結晶面間隔に基づいて上記測定物質の温度を計
測する手段とを具備することを特徴とする。
【００１５】
【作用】半導体ウエハの基板あるいは基板上に形成され
た膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔は、物質が決
まれば温度のみの関数となることに着目し、上記測定箇
所の物質の結晶面間隔をＸ線回折法を利用して計測し、
この結晶面間隔に基づいて上記測定物質の温度を計測す
ることが可能になる。
た膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔は、物質が決
まれば温度のみの関数となることに着目し、上記測定箇
所の物質の結晶面間隔をＸ線回折法を利用して計測し、
この結晶面間隔に基づいて上記測定物質の温度を計測す
ることが可能になる。
【００１６】例えばＲＴＰ装置のチャンバ内にウエハを
配置し、このウエハ上の所望の測定箇所にＸ線を入射さ
せ、上記測定箇所（Ｘ線回折位置）の物質の結晶面のＸ
線回折角度に依存する特定の結晶面回折波ピーク位置に
合わせるようにＸ線検出器を配置する。そして、この検
出器の位置に基づいてＸ線の回折角を求め、前記測定物
質の特定結晶面間隔を算出し、これを温度に換算するこ
とにより、ウエハ温度を計測することが可能になる。
配置し、このウエハ上の所望の測定箇所にＸ線を入射さ
せ、上記測定箇所（Ｘ線回折位置）の物質の結晶面のＸ
線回折角度に依存する特定の結晶面回折波ピーク位置に
合わせるようにＸ線検出器を配置する。そして、この検
出器の位置に基づいてＸ線の回折角を求め、前記測定物
質の特定結晶面間隔を算出し、これを温度に換算するこ
とにより、ウエハ温度を計測することが可能になる。
【００１７】この結晶面間隔は、温度のみの関数となる
ので、ウエハ履歴による影響をうけず再現性ある温度制
御が可能となる。また、測定箇所の物質（測定物質）の
熱膨張係数を入力しておくことにより、基板の温度のみ
ではなく、基板上に形成されている各種膜の温度計測が
可能になる。
ので、ウエハ履歴による影響をうけず再現性ある温度制
御が可能となる。また、測定箇所の物質（測定物質）の
熱膨張係数を入力しておくことにより、基板の温度のみ
ではなく、基板上に形成されている各種膜の温度計測が
可能になる。
【００１８】また、ウエハの温度変化に同期して移動す
るピーク位置に合わせて検出器出力が最大になるよう
に、検出器をＸ線回折位置から等距離の円周上を移動さ
せる（つまり、検出器の感度を一定に保持しつつ検出器
位置を制御する）ことにより、ウエハの温度変化を計測
することが可能になる。
るピーク位置に合わせて検出器出力が最大になるよう
に、検出器をＸ線回折位置から等距離の円周上を移動さ
せる（つまり、検出器の感度を一定に保持しつつ検出器
位置を制御する）ことにより、ウエハの温度変化を計測
することが可能になる。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の半導体装置の温度計測方
法一実施例で使用される温度計測装置の一例とＲＴＰ装
置の一例を示している。
に説明する。図１は、本発明の半導体装置の温度計測方
法一実施例で使用される温度計測装置の一例とＲＴＰ装
置の一例を示している。
【００２０】１はＲＴＰ装置のチャンバ（ウエハ収容容
器）、２はチャンバ１内に配置されたウエハである。３
はＲＴＰ装置外部に設置されたＸ線源、４は上記Ｘ線源
からのＸ線が前記ウエハ上の測定希望箇所に所望の入射
角で入射する経路に該当するチャンバ側壁部に設けられ
たＸ線入射口である。５は上記測定箇所で回折するＸ線
が通過する経路に該当するチャンバ側壁部（上記入射口
４の対面側）に設けられたＸ線検出口、６は上記Ｘ線検
出口５を通過するＸ線を受けて検出するようにＲＴＰ装
置外部に設置されたＸ線検出器である。７はＲＴＰ装置
の加熱源であるランプ、８はランプ光をウエハ２側に反
射させるための反射板である。
器）、２はチャンバ１内に配置されたウエハである。３
はＲＴＰ装置外部に設置されたＸ線源、４は上記Ｘ線源
からのＸ線が前記ウエハ上の測定希望箇所に所望の入射
角で入射する経路に該当するチャンバ側壁部に設けられ
たＸ線入射口である。５は上記測定箇所で回折するＸ線
が通過する経路に該当するチャンバ側壁部（上記入射口
４の対面側）に設けられたＸ線検出口、６は上記Ｘ線検
出口５を通過するＸ線を受けて検出するようにＲＴＰ装
置外部に設置されたＸ線検出器である。７はＲＴＰ装置
の加熱源であるランプ、８はランプ光をウエハ２側に反
射させるための反射板である。
【００２１】また、ウエハ２の温度変化に同期して移動
するピーク位置に合わせて検出器出力が最大になるよう
に、検出器６をＸ線回折位置から等距離の円周上を移動
させる（つまり、検出器位置を制御する）ための制御装
置１１を設けている。
するピーク位置に合わせて検出器出力が最大になるよう
に、検出器６をＸ線回折位置から等距離の円周上を移動
させる（つまり、検出器位置を制御する）ための制御装
置１１を設けている。
【００２２】さらに、上記制御装置１１により制御され
るＸ線検出器６の位置情報に基づいて測定物質の特定結
晶面間隔を算出してその温度に換算する演算装置１２を
設けている。
るＸ線検出器６の位置情報に基づいて測定物質の特定結
晶面間隔を算出してその温度に換算する演算装置１２を
設けている。
【００２３】上記したように検出器６をＸ線回折位置か
ら等距離の円周上を移動させる制御装置１１の一例とし
ては、例えば図２に示すように、Ｘ線経路を含む平面に
おける前記測定箇所（Ｘ線回折位置）を中心軸Ｏとして
回動自在なアーム２１上に前記検出器６を固定するよう
な機構を設ければよい。
ら等距離の円周上を移動させる制御装置１１の一例とし
ては、例えば図２に示すように、Ｘ線経路を含む平面に
おける前記測定箇所（Ｘ線回折位置）を中心軸Ｏとして
回動自在なアーム２１上に前記検出器６を固定するよう
な機構を設ければよい。
【００２４】前記Ｘ線源３、Ｘ線検出器６、制御装置１
１および演算装置１２は、温度計測装置を構成してい
る。次に、上記温度計測装置によるウエハの温度計測方
法について説明する。
１および演算装置１２は、温度計測装置を構成してい
る。次に、上記温度計測装置によるウエハの温度計測方
法について説明する。
【００２５】本発明の温度計測方法は、半導体ウエハの
基板あるいは基板上に形成された膜の所望の測定箇所の
物質の結晶面間隔は、物質が決まれば温度のみの関数と
なることに着目し、上記測定箇所の物質の結晶面間隔を
Ｘ線回折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づい
て上記測定物質の温度を計測するものである。
基板あるいは基板上に形成された膜の所望の測定箇所の
物質の結晶面間隔は、物質が決まれば温度のみの関数と
なることに着目し、上記測定箇所の物質の結晶面間隔を
Ｘ線回折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づい
て上記測定物質の温度を計測するものである。
【００２６】即ち、上記したように例えばＲＴＰ装置の
チャンバ１内にウエハ２を配置し、このウエハの裏面の
所望の測定箇所にＸ線を入射させ、上記測定箇所（Ｘ線
回折位置）の物質の結晶面のＸ線回折角度θに依存する
特定の結晶面回折波ピーク位置に合わせるようにＸ線検
出器６の位置を制御装置１１により制御する。
チャンバ１内にウエハ２を配置し、このウエハの裏面の
所望の測定箇所にＸ線を入射させ、上記測定箇所（Ｘ線
回折位置）の物質の結晶面のＸ線回折角度θに依存する
特定の結晶面回折波ピーク位置に合わせるようにＸ線検
出器６の位置を制御装置１１により制御する。
【００２７】そして、上記検出器６の位置情報（制御装
置１１により判明している）に基づいてＸ線の回折角θ
を演算装置１２により求め、前記測定物質の特定結晶面
間隔を算出し、これを温度に換算することにより、ウエ
ハ温度を計測することが可能になる。
置１１により判明している）に基づいてＸ線の回折角θ
を演算装置１２により求め、前記測定物質の特定結晶面
間隔を算出し、これを温度に換算することにより、ウエ
ハ温度を計測することが可能になる。
【００２８】この結晶面間隔は、温度のみの関数となる
ので、ウエハ履歴による影響をうけず再現性ある温度制
御が可能となる。また、ウエハ２の温度変化に同期して
移動するピーク位置に合わせて検出器出力が最大になる
ように、検出器６をＸ線回折位置から等距離の円周上を
移動させる（つまり、検出器６の感度を一定に保持しつ
つ検出器位置を制御装置１１により制御する）ことによ
り、ウエハ２の温度変化を計測することが可能になる。
ので、ウエハ履歴による影響をうけず再現性ある温度制
御が可能となる。また、ウエハ２の温度変化に同期して
移動するピーク位置に合わせて検出器出力が最大になる
ように、検出器６をＸ線回折位置から等距離の円周上を
移動させる（つまり、検出器６の感度を一定に保持しつ
つ検出器位置を制御装置１１により制御する）ことによ
り、ウエハ２の温度変化を計測することが可能になる。
【００２９】なお、前記ウエハ２上の測定箇所を変更さ
せる際には、温度計測装置を固定したままでチャンバ１
を移動させることによりウエハ２の位置をずらせばよ
い。なお、ウエハ表面側にもその温度計測を行うために
上記したような温度計測装置を設けておき、ウエハ表面
上に形成されている各種膜（測定物質）の熱膨張係数を
演算装置に入力しておき、この熱膨張係数を考慮した演
算処理を行うことにより、各種膜の温度計測が可能にな
る。
せる際には、温度計測装置を固定したままでチャンバ１
を移動させることによりウエハ２の位置をずらせばよ
い。なお、ウエハ表面側にもその温度計測を行うために
上記したような温度計測装置を設けておき、ウエハ表面
上に形成されている各種膜（測定物質）の熱膨張係数を
演算装置に入力しておき、この熱膨張係数を考慮した演
算処理を行うことにより、各種膜の温度計測が可能にな
る。
【００３０】また、本発明は、上記したようなＸ線回折
法を利用するウエハ温度計測方法を採用した半導体製造
装置を実現することも可能である。即ち、本発明の半導
体製造装置は、加熱処理の対象となる半導体装置を収容
する容器と、上記半導体装置の基板あるいは基板上に形
成された膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線
回折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上
記測定物質の温度を計測する手段とを具備することを特
徴とする。
法を利用するウエハ温度計測方法を採用した半導体製造
装置を実現することも可能である。即ち、本発明の半導
体製造装置は、加熱処理の対象となる半導体装置を収容
する容器と、上記半導体装置の基板あるいは基板上に形
成された膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線
回折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上
記測定物質の温度を計測する手段とを具備することを特
徴とする。
【００３１】この半導体製造装置の具体例としては、ラ
ンプアニール装置、あるいはランプ加熱を用いる枚葉式
のＣＶＤ装置、あるいはランプ加熱を用いる枚葉式のエ
ピタキシャル気相成長装置などが挙げられる。
ンプアニール装置、あるいはランプ加熱を用いる枚葉式
のＣＶＤ装置、あるいはランプ加熱を用いる枚葉式のエ
ピタキシャル気相成長装置などが挙げられる。
【００３２】
【発明の効果】上述したように本発明の半導体装置の温
度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置
によれば、半導体ウエハの履歴に影響されず常に正確に
基板の温度計測が可能になり、従来のような煩雑な温度
校正をする必要がなく、温度計測の再現性を向上させる
ことができる。さらに、ウエハ上に形成されている各種
膜の温度をモニターすることも可能になる。
度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置
によれば、半導体ウエハの履歴に影響されず常に正確に
基板の温度計測が可能になり、従来のような煩雑な温度
校正をする必要がなく、温度計測の再現性を向上させる
ことができる。さらに、ウエハ上に形成されている各種
膜の温度をモニターすることも可能になる。
【図１】本発明の半導体装置の温度計測方法の一実施例
で使用される温度計測装置の一例とＲＴＰ装置の一例を
示す構成説明図。
で使用される温度計測装置の一例とＲＴＰ装置の一例を
示す構成説明図。
【図２】図１中のＸ線検出器をＸ線回折位置から等距離
の円周上を移動させる制御装置の一例を示す構成説明
図。
の円周上を移動させる制御装置の一例を示す構成説明
図。
１…ＲＴＰ装置のチャンバ、２…ウエハ、３…Ｘ線源、
４…チャンバ側壁部の入射口、５…チャンバ側壁部のＸ
線検出口、６…Ｘ線検出器、７…ランプ、８…反射板、
１１…制御装置、１２…演算装置、２１…アーム。
４…チャンバ側壁部の入射口、５…チャンバ側壁部のＸ
線検出口、６…Ｘ線検出器、７…ランプ、８…反射板、
１１…制御装置、１２…演算装置、２１…アーム。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｚ 8617−4Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体装置の基板あるいは基板上に形成
された膜の所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回
折法を利用して計測し、この結晶面間隔に基づいて上記
測定物質の温度を計測することを特徴とする半導体装置
の温度計測方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の温度計測方
法において、 前記半導体装置上の所望の測定箇所に所望の入射角でＸ
線を入射させ、上記測定箇所の物質の結晶面のＸ線回折
角度に依存する特定の結晶面回折波ピーク位置に合わせ
るようにＸ線検出器を移動させ、このＸ線検出器の位置
に基づいて前記測定物質の特定結晶面間隔を算出してそ
の温度に換算することを特徴とする半導体装置の温度計
測方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の温度計測方
法において、 前記測定物質の温度変化に同期して移動する前記結晶面
回折波ピーク位置に合わせるようにＸ線検出器を前記測
定箇所におけるＸ線回折位置から等距離の円周上を移動
させることを特徴とする半導体装置の温度計測方法。 - 【請求項４】 半導体装置の基板あるいは基板上に形成
された膜の所望の測定箇所に所望の入射角でＸ線を入射
させるＸ線源と、 上記測定箇所で回折されたＸ線を検出するＸ線検出器
と、 前記測定箇所の物質の結晶面のＸ線回折角度に依存する
特定の結晶面回折波ピーク位置に合わせるように上記Ｘ
線検出器を移動させる制御装置と、 前記Ｘ線検出器の位置に基づいて前記測定物質の特定結
晶面間隔を算出してその温度に換算する演算装置とを具
備することを特徴とする半導体装置の温度計測装置。 - 【請求項５】 加熱処理の対象となる半導体装置を収容
する容器と、 上記半導体装置の基板あるいは基板上に形成された膜の
所望の測定箇所の物質の結晶面間隔をＸ線回折法を利用
して計測し、この結晶面間隔に基づいて上記測定物質の
温度を計測する手段とを具備することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体製造装置は、 ランプアニール装置、あるいはランプ加熱を用いる枚葉
式の化学気相成長装置、あるいはランプ加熱を用いる枚
葉式のエピタキシャル気相成長装置であることを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11965093A JPH06331455A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11965093A JPH06331455A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06331455A true JPH06331455A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14766698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11965093A Pending JPH06331455A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体装置の温度計測方法および温度計測装置ならびに半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06331455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0772032A2 (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-07 | Siemens Aktiengesellschaft | In-situ temperature measurement using X-ray diffraction |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP11965093A patent/JPH06331455A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0772032A2 (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-07 | Siemens Aktiengesellschaft | In-situ temperature measurement using X-ray diffraction |
| JPH09189622A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-07-22 | Siemens Ag | Ｘ線拡散を使用した原位置温度測定装置 |
| EP0772032A3 (en) * | 1995-10-24 | 1998-09-23 | Siemens Aktiengesellschaft | In-situ temperature measurement using X-ray diffraction |
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