JPH0637015A - セレン化亜鉛結晶の製造方法 - Google Patents
セレン化亜鉛結晶の製造方法Info
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- JPH0637015A JPH0637015A JP19254992A JP19254992A JPH0637015A JP H0637015 A JPH0637015 A JP H0637015A JP 19254992 A JP19254992 A JP 19254992A JP 19254992 A JP19254992 A JP 19254992A JP H0637015 A JPH0637015 A JP H0637015A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗でｐ型伝導性のＺｎＳｅ単結晶及び欠
陥密度や残留不純物濃度の極めて低い超高品質不純物無
添加ＺｎＳｅ単結晶の製造方法を提供する。 【構成】 超高真空チャンバ１内に設けられたヒータ付
基板ホルダー２にＧａＡｓ基板３を保持し、ソースセル
４，５，６より原料を供給すると同時に、電子銃７より
電子線を基板に照射する。
陥密度や残留不純物濃度の極めて低い超高品質不純物無
添加ＺｎＳｅ単結晶の製造方法を提供する。 【構成】 超高真空チャンバ１内に設けられたヒータ付
基板ホルダー２にＧａＡｓ基板３を保持し、ソースセル
４，５，６より原料を供給すると同時に、電子銃７より
電子線を基板に照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）は青色
領域の発光材料として期待されているII−VI族化合物半
導体であるが、不純物無添加でも高い電子濃度を示し、
自己補償効果や残留不純物の影響で安定な低抵抗ｐ型伝
導結晶の製造が困難な材料である。近年、有機金属気相
成長（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈ
ａｓｅＥｐｉｔａｘｙ；ＭＯＶＰＥ）法、分子線エピタ
キシー（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ；ＭＢＥ）法等により比較的高品質な単結晶が得られ
るようになり、リチウム（Ｌｉ），窒素（Ｎ），酸素
（Ｏ）等のアクセプター不純物を添加物としたｐ型単結
晶作製の研究が盛んに行われている。さらにＺｎＳｅ結
晶の電子デバイス，受光デバイスへの応用を考えた場
合、不純物無添加単結晶の高純度化，高品質化が重要な
問題となってくる。本発明は、このようなＺｎＳｅ単結
晶を製造する方法に関するものである。
領域の発光材料として期待されているII−VI族化合物半
導体であるが、不純物無添加でも高い電子濃度を示し、
自己補償効果や残留不純物の影響で安定な低抵抗ｐ型伝
導結晶の製造が困難な材料である。近年、有機金属気相
成長（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈ
ａｓｅＥｐｉｔａｘｙ；ＭＯＶＰＥ）法、分子線エピタ
キシー（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ Ｅｐｉｔａｘ
ｙ；ＭＢＥ）法等により比較的高品質な単結晶が得られ
るようになり、リチウム（Ｌｉ），窒素（Ｎ），酸素
（Ｏ）等のアクセプター不純物を添加物としたｐ型単結
晶作製の研究が盛んに行われている。さらにＺｎＳｅ結
晶の電子デバイス，受光デバイスへの応用を考えた場
合、不純物無添加単結晶の高純度化，高品質化が重要な
問題となってくる。本発明は、このようなＺｎＳｅ単結
晶を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＺｎＳｅ結晶は故意に不純物を添
加しない場合でも１×１０17ｃｍ-3以上の高い電子濃度
のｎ型伝導性を示すため、その電子濃度の制御は難し
く、またアクセプター不純物を添加してもｐ型伝導性と
はなり難い結晶である。
加しない場合でも１×１０17ｃｍ-3以上の高い電子濃度
のｎ型伝導性を示すため、その電子濃度の制御は難し
く、またアクセプター不純物を添加してもｐ型伝導性と
はなり難い結晶である。
【０００３】ＺｎＳｅの価電子制御の難しい理由とし
て、一般的には次のような２つの要因によるものである
といわれている。 （１）ＺｎＳｅ結晶は、原子間結合がIII −Ｖ族化合物
よりもイオン性が強い。このため結晶成長中に空孔など
の固有欠陥が生じやすく、不純物を添加してもその電荷
を補償するような空孔が発生する、いわゆる自己補償効
果が強いためである。 （２）原料あるいは成長系から混入する残留不純物のた
め、故意に添加した不純物が補償されてしまい、伝導に
寄与するキャリアの生成を阻むためである。
て、一般的には次のような２つの要因によるものである
といわれている。 （１）ＺｎＳｅ結晶は、原子間結合がIII −Ｖ族化合物
よりもイオン性が強い。このため結晶成長中に空孔など
の固有欠陥が生じやすく、不純物を添加してもその電荷
を補償するような空孔が発生する、いわゆる自己補償効
果が強いためである。 （２）原料あるいは成長系から混入する残留不純物のた
め、故意に添加した不純物が補償されてしまい、伝導に
寄与するキャリアの生成を阻むためである。
【０００４】旧来の高圧溶融法，昇華法，液相成長法と
いった成長法では、ＺｎＳｅ単結晶を得るには８００〜
１０００℃という高温で成長を行う必要があったが、上
述の現象は高温になるほど顕著になり、膜中に欠陥が容
易に誘起されたり、膜中の残留不純物濃度が上がってし
まい、添加した不純物の電荷を補償してしまうことが価
電子制御を困難にしていると考えられていた。
いった成長法では、ＺｎＳｅ単結晶を得るには８００〜
１０００℃という高温で成長を行う必要があったが、上
述の現象は高温になるほど顕著になり、膜中に欠陥が容
易に誘起されたり、膜中の残留不純物濃度が上がってし
まい、添加した不純物の電荷を補償してしまうことが価
電子制御を困難にしていると考えられていた。
【０００５】近年、ＭＯＶＰＥ法，ＭＢＥ法などの新し
い成長法が開発され、これにより比較的低温でも良質な
単結晶が得られるようになったため、ガリウム（Ｇ
ａ），塩素（Ｃｌ），沃素（Ｉ）等のドナー不純物を添
加してｎ型結晶を、リチウム（Ｌｉ），窒素（Ｎ），酸
素（Ｏ）等のアクセプター不純物を添加してｐ型単結晶
を作製する試みが盛んに行われている。現在までのとこ
ろ、原料の高純度化等により不純物無添加のＺｎＳｅの
電子濃度は６×１０15ｃｍ-3程度まで下げることが可能
となり（例えばＪ．Ｍ．ＤｅＰｕｙｄｔ 他 Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．６２，４７５６（１９８７））、これ
にＣｌ等のドナー不純物を添加することにより、ｎ型結
晶の電子濃度は１×１０19ｃｍ-3程度までの制御が可能
となっている（例えばＨ．Ｃｈｅｎｇ 他 Ｊ．Ｃｒｙ
ｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ ９５，５１２（１９８９））。し
かし、ｐ型結晶については、正孔濃度にして１×１０17
ｃｍ-3以上の低抵抗のｐ型結晶が得られたという報告は
少ない。また、ＺｎＳｅの受光デバイスへの応用を考え
た場合、不純物無添加ＺｎＳｅの電子濃度はさらに下げ
る必要がある。
い成長法が開発され、これにより比較的低温でも良質な
単結晶が得られるようになったため、ガリウム（Ｇ
ａ），塩素（Ｃｌ），沃素（Ｉ）等のドナー不純物を添
加してｎ型結晶を、リチウム（Ｌｉ），窒素（Ｎ），酸
素（Ｏ）等のアクセプター不純物を添加してｐ型単結晶
を作製する試みが盛んに行われている。現在までのとこ
ろ、原料の高純度化等により不純物無添加のＺｎＳｅの
電子濃度は６×１０15ｃｍ-3程度まで下げることが可能
となり（例えばＪ．Ｍ．ＤｅＰｕｙｄｔ 他 Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．６２，４７５６（１９８７））、これ
にＣｌ等のドナー不純物を添加することにより、ｎ型結
晶の電子濃度は１×１０19ｃｍ-3程度までの制御が可能
となっている（例えばＨ．Ｃｈｅｎｇ 他 Ｊ．Ｃｒｙ
ｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ ９５，５１２（１９８９））。し
かし、ｐ型結晶については、正孔濃度にして１×１０17
ｃｍ-3以上の低抵抗のｐ型結晶が得られたという報告は
少ない。また、ＺｎＳｅの受光デバイスへの応用を考え
た場合、不純物無添加ＺｎＳｅの電子濃度はさらに下げ
る必要がある。
【０００６】ｐ型ＺｎＳｅ単結晶の製造法の従来例をつ
ぎに示す。
ぎに示す。
【０００７】図２は、II族原料に金属Ｚｎ、VI族原料に
金属Ｓｅ、アクセプター不純物原料にリチウム（Ｌｉ）
を用いたＭＢＥ装置の概略図である。図２において、１
１は１×１０-7ｔｏｒｒ以下に排気された超高真空チャ
ンバ、１２はヒータ付きの基板ホルダー、１３はＧａＡ
ｓ基板、１４は金属Ｚｎのソースセル、１５は金属リチ
ウムのソースセル、１６は金属Ｓｅのソースセルであ
る。ヒータ付き基板ホルダー１２は、基板面内で均一な
ＺｎＳｅ膜を作製するために自転するようになってい
る。またソースセル１４，１５，１６はヒータにより供
給分子線量を制御できるようになっており、原料供給の
開始及び停止はセルの前に設けられているシャッター１
８，１９，２０の開閉により行う。
金属Ｓｅ、アクセプター不純物原料にリチウム（Ｌｉ）
を用いたＭＢＥ装置の概略図である。図２において、１
１は１×１０-7ｔｏｒｒ以下に排気された超高真空チャ
ンバ、１２はヒータ付きの基板ホルダー、１３はＧａＡ
ｓ基板、１４は金属Ｚｎのソースセル、１５は金属リチ
ウムのソースセル、１６は金属Ｓｅのソースセルであ
る。ヒータ付き基板ホルダー１２は、基板面内で均一な
ＺｎＳｅ膜を作製するために自転するようになってい
る。またソースセル１４，１５，１６はヒータにより供
給分子線量を制御できるようになっており、原料供給の
開始及び停止はセルの前に設けられているシャッター１
８，１９，２０の開閉により行う。
【０００８】製膜の手順は、まず１×１０-7ｔｏｒｒ以
下に排気された高真空チャンバ１１内のＧａＡｓ基板１
３をヒータにより２５０〜３００℃程度に昇温した後、
Ｚｎ，Ｓｅ及びＬｉのソースセル１４，１５，１６の前
のシャッター１８，１９，２０をあけて原料の供給を開
始すると、ＧａＡｓ基板上にｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜が成
長する。成長膜中の正孔濃度は、Ｌｉの供給量、基板温
度等を適当な条件を選んでやれば、正孔濃度が１０16ｃ
ｍ-3台までのｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜の作製が可能であ
る。
下に排気された高真空チャンバ１１内のＧａＡｓ基板１
３をヒータにより２５０〜３００℃程度に昇温した後、
Ｚｎ，Ｓｅ及びＬｉのソースセル１４，１５，１６の前
のシャッター１８，１９，２０をあけて原料の供給を開
始すると、ＧａＡｓ基板上にｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜が成
長する。成長膜中の正孔濃度は、Ｌｉの供給量、基板温
度等を適当な条件を選んでやれば、正孔濃度が１０16ｃ
ｍ-3台までのｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜の作製が可能であ
る。
【０００９】また不純物無添加ＺｎＳｅ単結晶の製造法
の従来例については、上述のｐ型ＺｎＳｅ単結晶の製造
法の例において、Ｌｉの基板への供給を行わないこと以
外はすべて同じである。
の従来例については、上述のｐ型ＺｎＳｅ単結晶の製造
法の例において、Ｌｉの基板への供給を行わないこと以
外はすべて同じである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】正孔濃度１×１０17ｃ
ｍ-3以上の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単結晶の作製を困難にし
ている原因としては、（１）ＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法の
採用や原料の高純度化により結晶の品質が向上したとは
いえ、依然としてＺｎＳｅ結晶内の欠陥密度や残留不純
物濃度は高く、そのために故意に添加したアクセプター
不純物の活性化率が低くなってしまっていること、
（２）自己補償効果により、添加したアクセプター不純
物の正の電荷を補償するために、新たに負の電荷を生成
するような欠陥が発生してアクセプター不純物の活性化
率が低くなってしまっていること、（３）添加するアク
セプター不純物原料の濃度がＺｎやＳｅ程高くなく、原
料中の残留不純物の影響でアクセプター不純物の活性化
率が下がってしまうこと、等が考えられる。
ｍ-3以上の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単結晶の作製を困難にし
ている原因としては、（１）ＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法の
採用や原料の高純度化により結晶の品質が向上したとは
いえ、依然としてＺｎＳｅ結晶内の欠陥密度や残留不純
物濃度は高く、そのために故意に添加したアクセプター
不純物の活性化率が低くなってしまっていること、
（２）自己補償効果により、添加したアクセプター不純
物の正の電荷を補償するために、新たに負の電荷を生成
するような欠陥が発生してアクセプター不純物の活性化
率が低くなってしまっていること、（３）添加するアク
セプター不純物原料の濃度がＺｎやＳｅ程高くなく、原
料中の残留不純物の影響でアクセプター不純物の活性化
率が下がってしまうこと、等が考えられる。
【００１１】また、不純物無添加のＺｎＳｅ単結晶の電
子濃度をさらに下げるためには、残留不純物の結晶中へ
の取り込み率を下げ、結晶欠陥の発生を抑制する必要が
ある。
子濃度をさらに下げるためには、残留不純物の結晶中へ
の取り込み率を下げ、結晶欠陥の発生を抑制する必要が
ある。
【００１２】本発明の第１の目的は、正孔濃度１×１０
17ｃｍ-3以上の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単結晶を作成する方
法を提供することである。
17ｃｍ-3以上の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単結晶を作成する方
法を提供することである。
【００１３】本発明の第２の目的は、欠陥密度や残留不
純物濃度の極めて低い超高品質な不純物無添加ＺｎＳｅ
単結晶の製造法を提供することである。
純物濃度の極めて低い超高品質な不純物無添加ＺｎＳｅ
単結晶の製造法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】第１の発明の低抵抗ｐ型
伝導ＺｎＳｅ結晶の製造法においては、アクセプター不
純物添加ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる際、電子線を照
射して負の電荷を与えながら膜の育成を行うことを特徴
とする。
伝導ＺｎＳｅ結晶の製造法においては、アクセプター不
純物添加ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる際、電子線を照
射して負の電荷を与えながら膜の育成を行うことを特徴
とする。
【００１５】第２の発明の超高品質無添加ＺｎＳｅ結晶
の製造法においては、不純物無添加ＺｎＳｅ単結晶膜を
成長させる際、電子線を照射して負の電荷を与えながら
膜の育成を行うことを特徴とする。
の製造法においては、不純物無添加ＺｎＳｅ単結晶膜を
成長させる際、電子線を照射して負の電荷を与えながら
膜の育成を行うことを特徴とする。
【００１６】
【作用】第１の発明においては、アクセプター不純物添
加ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる際、電子線を照射して
負の電荷を与えながら膜の育成を行うと、成長中のＺｎ
Ｓｅ結晶膜は負に帯電するため、負の電荷を帯びた原料
または雰囲気中の残留不純物は結晶中に取り込まれ難
く、また負の電荷を生成するような欠陥も発生し難くな
る。さらにアクセプター不純物の正の電荷は電気的に一
時中和されるため、アクセプター不純物の正の電荷を補
償するような新たな欠陥の発生もない。成長終了後、電
子線の照射を停止すると、負の電荷はアースを通して流
れ去り、添加した不純物は活性化して成長したＺｎＳｅ
単結晶膜は低抵抗のｐ型伝導性を示す。
加ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる際、電子線を照射して
負の電荷を与えながら膜の育成を行うと、成長中のＺｎ
Ｓｅ結晶膜は負に帯電するため、負の電荷を帯びた原料
または雰囲気中の残留不純物は結晶中に取り込まれ難
く、また負の電荷を生成するような欠陥も発生し難くな
る。さらにアクセプター不純物の正の電荷は電気的に一
時中和されるため、アクセプター不純物の正の電荷を補
償するような新たな欠陥の発生もない。成長終了後、電
子線の照射を停止すると、負の電荷はアースを通して流
れ去り、添加した不純物は活性化して成長したＺｎＳｅ
単結晶膜は低抵抗のｐ型伝導性を示す。
【００１７】また第２の発明においては、不純物無添加
ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる際、電子線を照射して負
の電荷を与えながら膜の育成を行うと、成長中のＺｎＳ
ｅ結晶膜は負に帯電するため、負の電荷を帯びた原料ま
たは雰囲気中の残留不純物は結晶中に取り込まれ難く、
また負の電荷を生成するような欠陥も発生し難くなる。
成長終了後、電子線の照射を停止すると、負の電荷はア
ースを通して流れ去り、成長したＺｎＳｅ単結晶膜は残
留不純物及び欠陥の極めて少ない超高品質結晶となる。
ＺｎＳｅ単結晶膜を成長させる際、電子線を照射して負
の電荷を与えながら膜の育成を行うと、成長中のＺｎＳ
ｅ結晶膜は負に帯電するため、負の電荷を帯びた原料ま
たは雰囲気中の残留不純物は結晶中に取り込まれ難く、
また負の電荷を生成するような欠陥も発生し難くなる。
成長終了後、電子線の照射を停止すると、負の電荷はア
ースを通して流れ去り、成長したＺｎＳｅ単結晶膜は残
留不純物及び欠陥の極めて少ない超高品質結晶となる。
【００１８】
【実施例】以下、図示の実施例により第１の発明のＭＢ
Ｅ法に適用した場合について説明する。
Ｅ法に適用した場合について説明する。
【００１９】図１は、II族原料に金属Ｚｎ、VI族原料に
金属Ｓｅ、アクセプター不純物原料に金属Ｌｉを用いた
ＭＢＥ装置の概略図である。図１において、１は１×１
０-7ｔｏｒｒ以下に排気された超高真空チャンバ、２は
ヒータ付きの基板ホルダー、３はＧａＡｓ基板、４は金
属Ｚｎのソースセル、５は金属Ｌｉのソースセル、６は
金属Ｓｅのソースセル、７は電子銃である。ヒータ付き
基板ホルダー２は、基板面内で均一なＺｎＳｅ膜を作製
するために自転するようになっている。またソースセル
４，５，６の前には原料供給の開始及び停止を制御する
ためのシャッター８，９，１０が設けられている。
金属Ｓｅ、アクセプター不純物原料に金属Ｌｉを用いた
ＭＢＥ装置の概略図である。図１において、１は１×１
０-7ｔｏｒｒ以下に排気された超高真空チャンバ、２は
ヒータ付きの基板ホルダー、３はＧａＡｓ基板、４は金
属Ｚｎのソースセル、５は金属Ｌｉのソースセル、６は
金属Ｓｅのソースセル、７は電子銃である。ヒータ付き
基板ホルダー２は、基板面内で均一なＺｎＳｅ膜を作製
するために自転するようになっている。またソースセル
４，５，６の前には原料供給の開始及び停止を制御する
ためのシャッター８，９，１０が設けられている。
【００２０】製膜の手順は、まず１×１０-7ｔｏｒｒ以
下に排気された高真空チャンバ１内のＧａＡｓ基板３を
ヒータにより２５０〜３００℃程度に昇温した後、Ｚ
ｎ，Ｓｅ及びＬｉのソースセル４，５，６の前のシャッ
ター８，９，１０をあけて原料の供給を開始すると同時
に、電子銃７より電子線を基板３に照射すると、ＧａＡ
ｓ基板上にｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜が成長する。成長膜中
の正孔濃度は、Ｌｉの供給量、基板温度及び照射する電
子線の強度によって制御することができ、適当な条件を
選んでやれば、正孔濃度が１０18ｃｍ-3台の低抵抗ｐ型
ＺｎＳｅ単結晶膜の実現も可能である。
下に排気された高真空チャンバ１内のＧａＡｓ基板３を
ヒータにより２５０〜３００℃程度に昇温した後、Ｚ
ｎ，Ｓｅ及びＬｉのソースセル４，５，６の前のシャッ
ター８，９，１０をあけて原料の供給を開始すると同時
に、電子銃７より電子線を基板３に照射すると、ＧａＡ
ｓ基板上にｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜が成長する。成長膜中
の正孔濃度は、Ｌｉの供給量、基板温度及び照射する電
子線の強度によって制御することができ、適当な条件を
選んでやれば、正孔濃度が１０18ｃｍ-3台の低抵抗ｐ型
ＺｎＳｅ単結晶膜の実現も可能である。
【００２１】また第２の発明の実施例については上述の
第２の発明の実施例において、Ｌｉの基板への供給を行
わずに、不純物無添加のＺｎＳｅ単結晶の成長を行えば
よく、照射する電子線の強度を適当に選んでやれば、欠
陥密度も残留不純物濃度も極めて低い超高品質不純物無
添加ＺｎＳｅ単結晶の作製が可能となる。
第２の発明の実施例において、Ｌｉの基板への供給を行
わずに、不純物無添加のＺｎＳｅ単結晶の成長を行えば
よく、照射する電子線の強度を適当に選んでやれば、欠
陥密度も残留不純物濃度も極めて低い超高品質不純物無
添加ＺｎＳｅ単結晶の作製が可能となる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、第１の発明の方法で作製
したｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜は、Ｌｉの供給量，基板温度
及び照射する電子線の強度によって、成長膜中の正孔濃
度を自由に制御することができ、適当な条件を選んでや
れば正孔濃度が１０18ｃｍ-3台の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単
結晶膜の実現も可能である。第１の発明の方法を応用す
ればＺｎＳｅのｐｎ接合の作製が可能となり、青色領域
の発光ダイオード，レーザーダイオード等の発光デバイ
スが実現できる。
したｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜は、Ｌｉの供給量，基板温度
及び照射する電子線の強度によって、成長膜中の正孔濃
度を自由に制御することができ、適当な条件を選んでや
れば正孔濃度が１０18ｃｍ-3台の低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単
結晶膜の実現も可能である。第１の発明の方法を応用す
ればＺｎＳｅのｐｎ接合の作製が可能となり、青色領域
の発光ダイオード，レーザーダイオード等の発光デバイ
スが実現できる。
【００２３】また第２の発明の方法で作製した不純物無
添加ＺｎＳｅ単結晶膜は、照射する電子線の強度を選ん
でやれば、欠陥密度も残留不純物濃度も極めて低い超高
品質不純物無添加ＺｎＳｅ単結晶の作製が可能となり、
ＺｎＳｅ結晶を用いた電子デバイスや受光デバイスが実
現できる。
添加ＺｎＳｅ単結晶膜は、照射する電子線の強度を選ん
でやれば、欠陥密度も残留不純物濃度も極めて低い超高
品質不純物無添加ＺｎＳｅ単結晶の作製が可能となり、
ＺｎＳｅ結晶を用いた電子デバイスや受光デバイスが実
現できる。
【００２４】また、第１および第２の発明の方法はＺｎ
Ｓｅ結晶以外でも、自己補償効果や残留不純物効果が問
題となる半導体の高品質不純物無添加結晶及びｐ型伝導
性結晶の作製にも有効である。また第１の発明におい
て、添加するアクセプター不純物が実施例で上げたＬｉ
以外の不純物であっても本発明が有効であることは言う
までもない。
Ｓｅ結晶以外でも、自己補償効果や残留不純物効果が問
題となる半導体の高品質不純物無添加結晶及びｐ型伝導
性結晶の作製にも有効である。また第１の発明におい
て、添加するアクセプター不純物が実施例で上げたＬｉ
以外の不純物であっても本発明が有効であることは言う
までもない。
【図１】本発明の製造方法による、分子線エピタキシー
法を用いた低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜製造のための装
置の概略図である。
法を用いた低抵抗ｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜製造のための装
置の概略図である。
【図２】従来例の製造方法による、分子線エピタキシー
法を用いたｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜製造のための装置の概
略図である。
法を用いたｐ型ＺｎＳｅ単結晶膜製造のための装置の概
略図である。
１，１１ 超高真空チャンバ ２，１２ ヒータ付きの基板ホルダー ３，１３ ＧａＡｓ基板 ４，１４ 金属Ｚｎのソースセル ５，１５ 金属Ｌｉのソースセル ６，１６ 金属Ｓｅのソースセル ７ 電子銃 ８，９，１０，１８，１９，２０ シャッター
Claims (2)
- 【請求項１】低抵抗ｐ型伝導セレン化亜鉛結晶の製造方
法において、電子線を照射しながらアクセプター不純物
添加セレン化亜鉛結晶を育成することを特徴とするセレ
ン化亜鉛結晶の製造方法。 - 【請求項２】超高品質無添加セレン化亜鉛結晶の製造方
法において、電子線を照射しながら不純物無添加セレン
化亜鉛結晶を育成することを特徴とするセレン化亜鉛結
晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19254992A JPH0637015A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | セレン化亜鉛結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19254992A JPH0637015A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | セレン化亜鉛結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637015A true JPH0637015A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16293132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19254992A Pending JPH0637015A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | セレン化亜鉛結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637015A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003095700A1 (fr) * | 2002-05-10 | 2003-11-20 | Umk Technologies Co., Ltd. | Procede de purification a un degre eleve de matiere hautement fonctionnelle et procede de depot d'une matiere hautement fonctionnelle par procede de separation de masses |
| US7030462B2 (en) | 2002-10-30 | 2006-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heterojunction bipolar transistor having specified lattice constants |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP19254992A patent/JPH0637015A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003095700A1 (fr) * | 2002-05-10 | 2003-11-20 | Umk Technologies Co., Ltd. | Procede de purification a un degre eleve de matiere hautement fonctionnelle et procede de depot d'une matiere hautement fonctionnelle par procede de separation de masses |
| US7030462B2 (en) | 2002-10-30 | 2006-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Heterojunction bipolar transistor having specified lattice constants |
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