JPH0636379A - 光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置 - Google Patents
光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置Info
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- JPH0636379A JPH0636379A JP4192385A JP19238592A JPH0636379A JP H0636379 A JPH0636379 A JP H0636379A JP 4192385 A JP4192385 A JP 4192385A JP 19238592 A JP19238592 A JP 19238592A JP H0636379 A JPH0636379 A JP H0636379A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザ１から出射するレーザ光束を光磁
気ディスク４とモニタ受光素子９とに向う光路に分割す
るとともに光磁気ディスク４からの反射光を信号検出系
に分割するビームスプリッタ２を有する光ピックアップ
装置で、カップリングレンズや集光レンズをなくして小
型化、コストダウンを図る。 【構成】ビームスプリッタ２の分離面を半導体レーザ１
側に凹の２次曲面とし、信号検出系に設ける検光子とし
てのビームスプリッタ６の分離面を入射側に凹の２次曲
面とし、半導体レーザ１に対するカップリングレンズ及
びモニタ受光素子及び検光子に向う光路に設ける集光レ
ンズを省略する。
気ディスク４とモニタ受光素子９とに向う光路に分割す
るとともに光磁気ディスク４からの反射光を信号検出系
に分割するビームスプリッタ２を有する光ピックアップ
装置で、カップリングレンズや集光レンズをなくして小
型化、コストダウンを図る。 【構成】ビームスプリッタ２の分離面を半導体レーザ１
側に凹の２次曲面とし、信号検出系に設ける検光子とし
てのビームスプリッタ６の分離面を入射側に凹の２次曲
面とし、半導体レーザ１に対するカップリングレンズ及
びモニタ受光素子及び検光子に向う光路に設ける集光レ
ンズを省略する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置の
光ピックアップ装置に関する。
光ピックアップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクドライブ装置の光ピック
アップ装置としては、例えば、特開昭６１−２０６９４
４号公報に開示されているように、光源としての半導体
レーザから出射されたレーザ光束を対物レンズで光磁気
ディスク面に集束して微小なスポットを形成し、その反
射光束を偏光ビームスプリッタで光源に至る光路と異る
信号検出系光路に導き、その光束を検光子としての偏光
ビームスプリッタで２つの光束に分離し、一方の光束の
集光点の前と、他方の光束の集光点の後に夫々受光素子
を配置し、ビームサイズ法でフォーカスエラー信号を検
出し、差動法で光磁気信号を検出し、プッシュプル法で
トラッキングエラー信号を検出するようにした方式のも
のが知られている。
アップ装置としては、例えば、特開昭６１−２０６９４
４号公報に開示されているように、光源としての半導体
レーザから出射されたレーザ光束を対物レンズで光磁気
ディスク面に集束して微小なスポットを形成し、その反
射光束を偏光ビームスプリッタで光源に至る光路と異る
信号検出系光路に導き、その光束を検光子としての偏光
ビームスプリッタで２つの光束に分離し、一方の光束の
集光点の前と、他方の光束の集光点の後に夫々受光素子
を配置し、ビームサイズ法でフォーカスエラー信号を検
出し、差動法で光磁気信号を検出し、プッシュプル法で
トラッキングエラー信号を検出するようにした方式のも
のが知られている。
【０００３】図５にこの方式の従来の光ピックアップ装
置の光学系の一例を示す。半導体レーザ１から出射され
た光束は、カップリングレンズ１０により平行光束とさ
れ、ビームスプリッタ１１にＰ偏光で入射する。ビーム
スプリッタ１１はＰ偏光に対する透過率は７０％、反射
率は３０％、Ｓ偏光に対する透過率は０％、反射率は１
００％である。ビームスプリッタ１１に入射した光束の
うち３０％は分離面で反射し集光レンズ１８を介してモ
ニタ受光素子１９で受光され、その出力により、半導体
レーザ１の出力が制御される。
置の光学系の一例を示す。半導体レーザ１から出射され
た光束は、カップリングレンズ１０により平行光束とさ
れ、ビームスプリッタ１１にＰ偏光で入射する。ビーム
スプリッタ１１はＰ偏光に対する透過率は７０％、反射
率は３０％、Ｓ偏光に対する透過率は０％、反射率は１
００％である。ビームスプリッタ１１に入射した光束の
うち３０％は分離面で反射し集光レンズ１８を介してモ
ニタ受光素子１９で受光され、その出力により、半導体
レーザ１の出力が制御される。
【０００４】ビームスプリッタ１１に入射した光束のう
ち７０％は分離面を透過し、対物レンズ１２を介して光
磁気ディスク４の面上に微小な光スポットを形成し、情
報の記録、再生及び消去を行なう。光磁気ディスク４か
らの反射光のうちＰ偏光成分の３０％及びＳ偏光成分
は、ビームスプリッタ１１により反射され、集光レンズ
１３、λ／２板１４を介して偏光ビームスプリッタ１５
に入射する。偏光ビームスプリッタ１５に入射した光束
のうち、Ｐ偏光成分はその分離面を透過して、集光点の
手前に配設された６分割受光素子１６に入射する。偏光
ビームスプリッタ１５に入射する光束のうちＳ偏光成分
はその分離面で反射し、集光点後に配設された６分割受
光素子１７に入射する。
ち７０％は分離面を透過し、対物レンズ１２を介して光
磁気ディスク４の面上に微小な光スポットを形成し、情
報の記録、再生及び消去を行なう。光磁気ディスク４か
らの反射光のうちＰ偏光成分の３０％及びＳ偏光成分
は、ビームスプリッタ１１により反射され、集光レンズ
１３、λ／２板１４を介して偏光ビームスプリッタ１５
に入射する。偏光ビームスプリッタ１５に入射した光束
のうち、Ｐ偏光成分はその分離面を透過して、集光点の
手前に配設された６分割受光素子１６に入射する。偏光
ビームスプリッタ１５に入射する光束のうちＳ偏光成分
はその分離面で反射し、集光点後に配設された６分割受
光素子１７に入射する。
【０００５】６分割受光素子１６及び１７の受光面１６
１及び１７１は夫々図６及び図７に示す如く、中心点を
通り光磁気ディスク４のトラックの方向に対応する１本
の直線で２分され、その各部を３分割して６つの領域
Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳ、Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘが
形成されている。受光面１６１及び１７１上には夫々光
スポットＳＰ３及びＳＰ４が形成され、各６個の領域
Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ；Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘで受
光されて発生する出力をｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ：ｓ、
ｔ、ｕ、ｖ、ｗ、ｘとすると、光磁気信号ＭＯ、トラッ
キングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥ及び
プリフォーマット信号ＰＦのサーボ信号は次の式で得ら
れる。
１及び１７１は夫々図６及び図７に示す如く、中心点を
通り光磁気ディスク４のトラックの方向に対応する１本
の直線で２分され、その各部を３分割して６つの領域
Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ及びＳ、Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘが
形成されている。受光面１６１及び１７１上には夫々光
スポットＳＰ３及びＳＰ４が形成され、各６個の領域
Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ；Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｘで受
光されて発生する出力をｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ：ｓ、
ｔ、ｕ、ｖ、ｗ、ｘとすると、光磁気信号ＭＯ、トラッ
キングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥ及び
プリフォーマット信号ＰＦのサーボ信号は次の式で得ら
れる。
【０００６】ＭＯ＝（ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＋ｒ）−（ｓ
＋ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＋ｘ） ＴＥ＝（ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｓ＋ｔ＋ｕ）−（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｖ
＋ｗ＋ｘ） ＦＥ＝（ｍ＋ｏ＋ｐ＋ｔ＋ｗ）−（ｎ＋ｑ＋ｓ＋ｕ＋ｖ
＋ｘ） ＰＦ＝ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＋
ｘ 上述のフォーカスエラー信号ＦＥの検出方法は、一般
に、ビームサイズ法又はスポットサイズ法と呼ばれてお
り、特公昭５７−１８４２７号公報により公知である。
又、トラッキングエラー信号ＴＥの検出方法は、一般に
プッシュプル法と呼ばれるもので公知である。又、光磁
気信号ＭＯの検出方法は、一般に差動法と呼ばれてお
り、特開昭６１−２０６９４４号公報により公知であ
る。又、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率と透過率が異るビー
ムスプリッタ１１を使用することは、特公平２−３７６
１３号により公知の技術である。
＋ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＋ｘ） ＴＥ＝（ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｓ＋ｔ＋ｕ）−（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｖ
＋ｗ＋ｘ） ＦＥ＝（ｍ＋ｏ＋ｐ＋ｔ＋ｗ）−（ｎ＋ｑ＋ｓ＋ｕ＋ｖ
＋ｘ） ＰＦ＝ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＋
ｘ 上述のフォーカスエラー信号ＦＥの検出方法は、一般
に、ビームサイズ法又はスポットサイズ法と呼ばれてお
り、特公昭５７−１８４２７号公報により公知である。
又、トラッキングエラー信号ＴＥの検出方法は、一般に
プッシュプル法と呼ばれるもので公知である。又、光磁
気信号ＭＯの検出方法は、一般に差動法と呼ばれてお
り、特開昭６１−２０６９４４号公報により公知であ
る。又、Ｐ偏光とＳ偏光とで反射率と透過率が異るビー
ムスプリッタ１１を使用することは、特公平２−３７６
１３号により公知の技術である。
【０００７】ところで、偏光ビームスプリッタの分離面
に対する光線の入射角が所定の角度からずれると、Ｐ偏
光とＳ偏光との間に位相差が生ずる。図８はその一例を
示すもので、入射角が所定の角度４５°を中心に４０°
から５０°の範囲で変化した場合、位相差が約−１５°
から約＋１５°の間で変化することを示している。その
結果、上記の式で演算して求めた光磁気信号等のサーボ
信号のＳＮ比が低下する。
に対する光線の入射角が所定の角度からずれると、Ｐ偏
光とＳ偏光との間に位相差が生ずる。図８はその一例を
示すもので、入射角が所定の角度４５°を中心に４０°
から５０°の範囲で変化した場合、位相差が約−１５°
から約＋１５°の間で変化することを示している。その
結果、上記の式で演算して求めた光磁気信号等のサーボ
信号のＳＮ比が低下する。
【０００８】一般に、光磁気ディスクドライブ装置に許
容される位相差は±１５°程度であり、光ピックアップ
装置の偏光ビームスプリッタに許容される位相差は±５
°程度である。したがって、図８のグラフより、許容さ
れる入射角は４５°±２°程度となる。半導体レーザ１
より出射するレーザ光の光束の各部がビームスプリッタ
１１の分割面に対して上記の許容入射角の範囲内で入射
するようにするため、従来の光ピックアップの光学系で
は、図５に示す如く、半導体レーザ１より出射された発
散光束はカップリングレンズ（コリメートレンズとも云
う）１０で、平行光束とされて、光束のすべての光線が
４５°の入射角でビームスプリッタ１１の分割面に入射
するようにしている。仮りに、半導体レーザ１から出射
した発散光束を、平行光束とせずにビームスプリッタ１
１に入射させたとすれば、入射角は最大±５°〜±１０
°となり、信号のＳＮ比が低下してしまう。
容される位相差は±１５°程度であり、光ピックアップ
装置の偏光ビームスプリッタに許容される位相差は±５
°程度である。したがって、図８のグラフより、許容さ
れる入射角は４５°±２°程度となる。半導体レーザ１
より出射するレーザ光の光束の各部がビームスプリッタ
１１の分割面に対して上記の許容入射角の範囲内で入射
するようにするため、従来の光ピックアップの光学系で
は、図５に示す如く、半導体レーザ１より出射された発
散光束はカップリングレンズ（コリメートレンズとも云
う）１０で、平行光束とされて、光束のすべての光線が
４５°の入射角でビームスプリッタ１１の分割面に入射
するようにしている。仮りに、半導体レーザ１から出射
した発散光束を、平行光束とせずにビームスプリッタ１
１に入射させたとすれば、入射角は最大±５°〜±１０
°となり、信号のＳＮ比が低下してしまう。
【０００９】ビームスプリッタ１１に入射する光束を平
行光束としたことにより、モニタ用受光素子１９に向う
光束及び信号検出系向う光束も平行光束となる。モニタ
用受光素子１９は、半導体レーザ１を高速に制御するた
め、受光面積を極力小さくする必要があるため、ビーム
スプリッタ１１から出た平行光束は集光レンズ１８によ
り収束光束とされている。又、制御系に向う光束はフォ
ーカスエラー信号を得るために収束光束とすることが不
可欠であり、そのため、ビームスプリッタ１１から出射
し制御系に向う光束の光路には集光レンズ１３が設けら
れている。
行光束としたことにより、モニタ用受光素子１９に向う
光束及び信号検出系向う光束も平行光束となる。モニタ
用受光素子１９は、半導体レーザ１を高速に制御するた
め、受光面積を極力小さくする必要があるため、ビーム
スプリッタ１１から出た平行光束は集光レンズ１８によ
り収束光束とされている。又、制御系に向う光束はフォ
ーカスエラー信号を得るために収束光束とすることが不
可欠であり、そのため、ビームスプリッタ１１から出射
し制御系に向う光束の光路には集光レンズ１３が設けら
れている。
【００１０】上記のカップリングレンズ１０、集光レン
ズ１３，１８はピックアップ装置の光学系の光学要素の
中で比較的大きな部材であり、ピックアップ装置の大き
さは、これらに左右されることが避けられなかった。な
お、フォーカスエラー信号を得る方法には、上記のビー
ムサイズ法の他に、受光素子を４分割素子とし、その上
に非点収差スポットを形成して上記の４分割受光素子の
４つの受光領域の受光出力よりフォーカスエラー信号を
得る非点収差法もよく知られている。通常非点収差スポ
ットは検出系の光路に集光レンズとシリンドリカルレン
ズとを配設することにより形成されるのであるが、特公
昭６３−２２３７０号公報には、半導体レーザから出射
されたレーザ光束を平行光束とするカップリングレンズ
と対物レンズとの間に配置する偏光ビームスプリッタの
分割面を全体的には４５°の傾斜をなし、半導体レンズ
に向って凸出した球面とすることにより収束作用と非点
収差を発生させるようにした光ピックアップ装置が開示
されている。
ズ１３，１８はピックアップ装置の光学系の光学要素の
中で比較的大きな部材であり、ピックアップ装置の大き
さは、これらに左右されることが避けられなかった。な
お、フォーカスエラー信号を得る方法には、上記のビー
ムサイズ法の他に、受光素子を４分割素子とし、その上
に非点収差スポットを形成して上記の４分割受光素子の
４つの受光領域の受光出力よりフォーカスエラー信号を
得る非点収差法もよく知られている。通常非点収差スポ
ットは検出系の光路に集光レンズとシリンドリカルレン
ズとを配設することにより形成されるのであるが、特公
昭６３−２２３７０号公報には、半導体レーザから出射
されたレーザ光束を平行光束とするカップリングレンズ
と対物レンズとの間に配置する偏光ビームスプリッタの
分割面を全体的には４５°の傾斜をなし、半導体レンズ
に向って凸出した球面とすることにより収束作用と非点
収差を発生させるようにした光ピックアップ装置が開示
されている。
【００１１】しかし、この構成の場合はやはりカップリ
ングレンズが必要である以外にレーザ光束の各部の分割
面に対する入射角度が一定とならない欠点がある。
ングレンズが必要である以外にレーザ光束の各部の分割
面に対する入射角度が一定とならない欠点がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来実施さ
れ提案されている光磁気ディスク用の光ピックアップ装
置の上記の欠点にかんがみ、光ピックアップの光学系の
構成要素のうち比較的大きい前述のカップリングレンズ
や、集束レンズを不要とし、低コストでしかも小型化を
達成できる光ピックアップ装置を提供することを課題と
する。
れ提案されている光磁気ディスク用の光ピックアップ装
置の上記の欠点にかんがみ、光ピックアップの光学系の
構成要素のうち比較的大きい前述のカップリングレンズ
や、集束レンズを不要とし、低コストでしかも小型化を
達成できる光ピックアップ装置を提供することを課題と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、半導体レーザから出射される光束を、Ｐ
偏光とＳ偏光とで反射率と透過率とが異る偏光ビームス
プリッタを介して対物レンズによって光磁気ディスク面
に収束して微小な光スポットを形成し、その反射光を上
記の偏光ビームスプリッタにより上記半導体レーザに向
う光路と異なる信号検出系光路に導き、サーボ信号を得
る光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置において、
上記の偏光ビームスプリッタの分離面が上記半導体レー
ザ側に凹の２次曲面であることを特徴とする。
解決するため、半導体レーザから出射される光束を、Ｐ
偏光とＳ偏光とで反射率と透過率とが異る偏光ビームス
プリッタを介して対物レンズによって光磁気ディスク面
に収束して微小な光スポットを形成し、その反射光を上
記の偏光ビームスプリッタにより上記半導体レーザに向
う光路と異なる信号検出系光路に導き、サーボ信号を得
る光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置において、
上記の偏光ビームスプリッタの分離面が上記半導体レー
ザ側に凹の２次曲面であることを特徴とする。
【００１４】
【作用】上記の如く、半導体レーザからの光束を分離す
る偏光ビームスプリッタの分離面が半導体レーザ側に凹
の２次曲面とされているので、半導体から出射された発
散光はカップリングレンズを用いて平行光束としなくて
も、すべての光線を分離面と所定の角度（例えば４５
°）に対して許容角度範囲で入射させることができる。
る偏光ビームスプリッタの分離面が半導体レーザ側に凹
の２次曲面とされているので、半導体から出射された発
散光はカップリングレンズを用いて平行光束としなくて
も、すべての光線を分離面と所定の角度（例えば４５
°）に対して許容角度範囲で入射させることができる。
【００１５】又、このようにビームスプリッタの分離面
を半導体レーザ側に凹の２次曲線としたことにより、分
離面で反射した光束は収束光となるので、モニター受光
素子に入射させるための集光レンズを省略することがで
きる。
を半導体レーザ側に凹の２次曲線としたことにより、分
離面で反射した光束は収束光となるので、モニター受光
素子に入射させるための集光レンズを省略することがで
きる。
【００１６】ビームスプリッタを通過した発散光は、対
物レンズにより収束され、光磁気ディスク上にスポット
を形成するが、その反射光は対物レンズにより収束さ
れ、ビームスプリッタの上述の２次曲面で反射し発散光
として信号検出系に出射されるが、ビームスプリッタで
反射する位置では光束の径はかなり小さくなっているの
で、集光レンズで収束せずに６分割受光素子に入射させ
ることが可能となる。
物レンズにより収束され、光磁気ディスク上にスポット
を形成するが、その反射光は対物レンズにより収束さ
れ、ビームスプリッタの上述の２次曲面で反射し発散光
として信号検出系に出射されるが、ビームスプリッタで
反射する位置では光束の径はかなり小さくなっているの
で、集光レンズで収束せずに６分割受光素子に入射させ
ることが可能となる。
【００１７】したがって、光ピックアップ装置を構成す
る光学要素のうち比較的大きいカップリングレンズや集
束レンズを不要とし、光磁気信号のＳＮ比を低下させる
ことなく、低コスト化小型化を達成することができる。
る光学要素のうち比較的大きいカップリングレンズや集
束レンズを不要とし、光磁気信号のＳＮ比を低下させる
ことなく、低コスト化小型化を達成することができる。
【００１８】本発明の上記以外の課題及びこれを解決す
るための手段は、以下に図面を参照して詳細に記述する
実施例の説明により明らかにされるであろう。
るための手段は、以下に図面を参照して詳細に記述する
実施例の説明により明らかにされるであろう。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２０】図１は、図５乃至図７により説明した従来
の光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置を本発明に
より改良した光ピックアップ装置の実施例の構成を示す
図である。したがって、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付して説明する。本実施例の光ピックアップ
装置では、半導体レーザ１から出射される発散光束は各
光線が略々４５°で入射するように全体的には光軸に対
して４５°の傾斜を有し、入射側に凹の２次曲面となる
ように形状を設定された分離面を持つビームスプリッタ
２に、カップリングレンズで平行とされず直接Ｐ偏光で
入射する。ビームスプリッタ２のＰ偏光及びＳ偏光に対
する透過率及び反射率は前述の従来例のビームスプリッ
タ１１と同じである。
の光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置を本発明に
より改良した光ピックアップ装置の実施例の構成を示す
図である。したがって、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付して説明する。本実施例の光ピックアップ
装置では、半導体レーザ１から出射される発散光束は各
光線が略々４５°で入射するように全体的には光軸に対
して４５°の傾斜を有し、入射側に凹の２次曲面となる
ように形状を設定された分離面を持つビームスプリッタ
２に、カップリングレンズで平行とされず直接Ｐ偏光で
入射する。ビームスプリッタ２のＰ偏光及びＳ偏光に対
する透過率及び反射率は前述の従来例のビームスプリッ
タ１１と同じである。
【００２１】ビームスプリッタ２で反射された光束は収
束光となり、従来例で使用された集光レンズ１８を使用
することなく、モニタ受光素子９に入射する。収束光と
して入射するので、モニタ受光素子９の位置を光軸上で
変位させることにより、受光素子９上の光スポットの大
きさを自由に変えることができ、必要なだけ小さくし
て、半導体レーザ１を高速に制御することを可能とす
る。
束光となり、従来例で使用された集光レンズ１８を使用
することなく、モニタ受光素子９に入射する。収束光と
して入射するので、モニタ受光素子９の位置を光軸上で
変位させることにより、受光素子９上の光スポットの大
きさを自由に変えることができ、必要なだけ小さくし
て、半導体レーザ１を高速に制御することを可能とす
る。
【００２２】ビームスプリッタ２を透過した略７０％の
光束は対物レンズ３によって光磁気ディスク４上に微小
な光スポットを形成し、情報の記録、再生及び消去を行
なう。光磁気ディスク４からの反射光は、対物レンズ３
により収束されて、光束のどの部分もビームスプリッタ
２の分離面に略４５°で入射する。光磁気ディスク４か
らの反射光のうちＰ偏光成分の略７０％はビームスプリ
ッタ２を透過して半導体レーザ１に入射する。光磁気デ
ィスク４からの反射光のうちＰ偏光成分の略３０％及び
Ｓ偏光成分はビームスプリッタ２で反射され発散光とな
る。ビームスプリッタ２で反射された光束はλ／２板５
を介し、入射光束に対して凹面である２次曲面の分離面
を持つ偏光ビームスプリッタ６に入射する。偏光ビーム
スプリッタ６は、光磁気信号検出用の検光子の用をす
る。
光束は対物レンズ３によって光磁気ディスク４上に微小
な光スポットを形成し、情報の記録、再生及び消去を行
なう。光磁気ディスク４からの反射光は、対物レンズ３
により収束されて、光束のどの部分もビームスプリッタ
２の分離面に略４５°で入射する。光磁気ディスク４か
らの反射光のうちＰ偏光成分の略７０％はビームスプリ
ッタ２を透過して半導体レーザ１に入射する。光磁気デ
ィスク４からの反射光のうちＰ偏光成分の略３０％及び
Ｓ偏光成分はビームスプリッタ２で反射され発散光とな
る。ビームスプリッタ２で反射された光束はλ／２板５
を介し、入射光束に対して凹面である２次曲面の分離面
を持つ偏光ビームスプリッタ６に入射する。偏光ビーム
スプリッタ６は、光磁気信号検出用の検光子の用をす
る。
【００２３】ビームスプリッタ６に入射する光束のうち
Ｐ偏光成分はビームスプリッタ６を透過し、６分割受光
素子７に入射する。ビームスプリツタ６に入射する光束
のうちＳ偏光成分はビームスプリッタ６により反射され
一旦収束された後発散光となって、６分割受光素子８に
入射する。
Ｐ偏光成分はビームスプリッタ６を透過し、６分割受光
素子７に入射する。ビームスプリツタ６に入射する光束
のうちＳ偏光成分はビームスプリッタ６により反射され
一旦収束された後発散光となって、６分割受光素子８に
入射する。
【００２４】６分割受光素子７及び８の受光面７１，８
１は図２及び図３に示すように従来例の６分割受光素子
１６，１７と同様、中心点を通り光磁気ディスク４のト
ラックの方向に対応する１本の直線で２分され、その各
部を３分割して６つの領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ及び
Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌが形成されている。受光面７１
及び８１上に光スポットＳＰ１及びＳＰ２が形成された
とき、上記の各領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧ、
Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌの受光出力をａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、
ｆ及びｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌとすれば、光磁気信号Ｍ
Ｏ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信
号ＦＥ及びプリフォーマット信号ＰＦは夫々次の式で得
られる。
１は図２及び図３に示すように従来例の６分割受光素子
１６，１７と同様、中心点を通り光磁気ディスク４のト
ラックの方向に対応する１本の直線で２分され、その各
部を３分割して６つの領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ及び
Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌが形成されている。受光面７１
及び８１上に光スポットＳＰ１及びＳＰ２が形成された
とき、上記の各領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧ、
Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌの受光出力をａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、
ｆ及びｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｌとすれば、光磁気信号Ｍ
Ｏ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信
号ＦＥ及びプリフォーマット信号ＰＦは夫々次の式で得
られる。
【００２５】ＭＯ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ）−（ｇ
＋ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋ＋ｌ） ＴＥ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｇ＋ｈ＋ｉ）−（ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｊ
＋ｋ＋ｌ） ＦＥ＝（ａ＋ｃ＋ｄ＋ｆ＋ｈ＋ｋ）−（ｂ＋ｅ＋ｇ＋ｉ
＋ｊ＋ｌ） ＰＦ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋ＋
ｌ 又、λ／２板５は偏光面を４５°傾けるためにあるが、
λ／２板５を用いないで、図４に示す如く、偏光ビーム
スプリツタ６を入射光軸を回転軸として４５°回転させ
てもよい。その場合は、６分割受光素子７の姿勢は図１
のまゝでよいが、６分割受光素子８は、ビームスプリッ
タ６の４５°回転に応じて、反射光束を受光できる位置
まで移動するとともに入射光軸を中心として４５°回転
させることが必要である。
＋ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋ＋ｌ） ＴＥ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｇ＋ｈ＋ｉ）−（ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｊ
＋ｋ＋ｌ） ＦＥ＝（ａ＋ｃ＋ｄ＋ｆ＋ｈ＋ｋ）−（ｂ＋ｅ＋ｇ＋ｉ
＋ｊ＋ｌ） ＰＦ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ＋ｋ＋
ｌ 又、λ／２板５は偏光面を４５°傾けるためにあるが、
λ／２板５を用いないで、図４に示す如く、偏光ビーム
スプリツタ６を入射光軸を回転軸として４５°回転させ
てもよい。その場合は、６分割受光素子７の姿勢は図１
のまゝでよいが、６分割受光素子８は、ビームスプリッ
タ６の４５°回転に応じて、反射光束を受光できる位置
まで移動するとともに入射光軸を中心として４５°回転
させることが必要である。
【００２６】以上はビームサイズ法を用いてフォーカス
エラー信号を検出するようにした例について説明した
が、６分割受光素子８の代りに４分割受光素子を使用す
ることにより、非点収差法によりフォーカスエラー信号
を検出することが可能となる。この場合、ビームスプリ
ッタ２の分離面の２次曲面を球面とすることにより、ビ
ームスプリッタ２からの反射光に非点収差を生じさせる
ことができる。又、ビームスプリッタ６の分離面を球面
としても受光素子８に代る４分割受光素子上に非点収差
を生じさせることができる。
エラー信号を検出するようにした例について説明した
が、６分割受光素子８の代りに４分割受光素子を使用す
ることにより、非点収差法によりフォーカスエラー信号
を検出することが可能となる。この場合、ビームスプリ
ッタ２の分離面の２次曲面を球面とすることにより、ビ
ームスプリッタ２からの反射光に非点収差を生じさせる
ことができる。又、ビームスプリッタ６の分離面を球面
としても受光素子８に代る４分割受光素子上に非点収差
を生じさせることができる。
【００２７】図１の光ピックアップ装置に使用される２
個の偏光ビームスプリッタ２及び６を同一形状のものと
することにより、加工ロット数が２倍になり、同一の製
造設備の使用が可能となり、コストダウンに寄与する。
個の偏光ビームスプリッタ２及び６を同一形状のものと
することにより、加工ロット数が２倍になり、同一の製
造設備の使用が可能となり、コストダウンに寄与する。
【００２８】
【発明の効果】以上の如く、請求項１に記載の発明によ
れば、光ピックアップ装置を構成する光学要素中比較的
大きいカップリングレンズを不要とし、光磁気信号のＳ
Ｎ比を低下させることなく低コスト化及び小型化を達成
することができる。
れば、光ピックアップ装置を構成する光学要素中比較的
大きいカップリングレンズを不要とし、光磁気信号のＳ
Ｎ比を低下させることなく低コスト化及び小型化を達成
することができる。
【００２９】又、請求項２に記載の発明によれば、検出
子としての偏光ビームスプリッタの分離面を２次曲面と
することによりこれに入射する光束の光路に集光レンズ
を設ける必要がなくなり、前記のカップリングレンズの
省略と相俟って光ピックアップ装置のコストダウン及び
小型化に効果が得られる。
子としての偏光ビームスプリッタの分離面を２次曲面と
することによりこれに入射する光束の光路に集光レンズ
を設ける必要がなくなり、前記のカップリングレンズの
省略と相俟って光ピックアップ装置のコストダウン及び
小型化に効果が得られる。
【００３０】又、請求項３に記載の如く、２つの偏光ビ
ームスプリッタを同一の形状のものとすることにより、
製造個数が２倍になりコストダウンに寄与する。
ームスプリッタを同一の形状のものとすることにより、
製造個数が２倍になりコストダウンに寄与する。
【００３１】又、請求項４に記載の発明により、２つの
受光素子でフォーカスエラー信号、トラッキングエラー
信号、プリフォーマット信号、光磁気信号を得ることが
可能となる。
受光素子でフォーカスエラー信号、トラッキングエラー
信号、プリフォーマット信号、光磁気信号を得ることが
可能となる。
【００３２】又、請求項５に記載の発明によれば、モニ
ター受光素子に光束を集束させるための集光レンズが不
要になり、装置の小型化及びコスト低減に効果が得られ
る。
ター受光素子に光束を集束させるための集光レンズが不
要になり、装置の小型化及びコスト低減に効果が得られ
る。
【図１】本発明の光ピックアップ装置の実施例の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】その６分割受光素子の１つの受光面の平面図で
ある。
ある。
【図３】その６分割受光素子の他の１つの受光面の平面
図である。
図である。
【図４】本発明の光ピックアップ装置の他の実施例の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図５】従来の光ピックアップ装置の一例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】その６分割受光素子の１つの受光面の平面図で
ある。
ある。
【図７】その６分割受光素子の他の１つの受光面の平面
図である。
図である。
【図８】偏光ビームスプリッタの分離面に対する光線の
入射角度のずれとＰ偏光とＳ偏光との間の位相差の関係
の一例を示す曲線図である。
入射角度のずれとＰ偏光とＳ偏光との間の位相差の関係
の一例を示す曲線図である。
１ 半導体レーザ ２ ビームスプリッタ ３ 対物レンズ ４ 光磁気ディスク ５ λ／２板 ６ ビームスプリッタ（検光子） ７，８ ６分割受光素子 ９ 受光素子 １０ カップリングレンズ １２ 対物レンズ １３，１８ 集光レンズ １９ 受光素子 ７１，８１ 受光面 ＳＰ１，ＳＰ２ 光スポット
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体レーザから出射される光束を、Ｐ
偏光とＳ偏光とで反射率と透過率とが異る偏光ビームス
プリッタを介して対物レンズによって光磁気ディスク面
に収束して微小な光スポットを形成し、その反射光を上
記の偏光ビームスプリッタにより上記半導体レーザに向
う光路と異なる信号検出系光路に導き、サーボ信号を得
る光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置において、 上記の偏光ビームスプリッタの分離面が上記半導体レー
ザ側に凹の２次曲面であることを特徴とする光ピックア
ップ装置。 - 【請求項２】 上記信号検出系中のサーボ信号検出用の
検光子は偏光ビームスプリッタであり、その分離面が入
射側に凹の２次曲面であることを特徴とする請求項１に
記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項３】 上記の検光子としての偏光ビームスプリ
ッタは上記半導体レーザから光磁気ディスクに至る光路
に挿入された偏光ビームスプリッタと同一形状を有する
ことを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ装
置。 - 【請求項４】 上記のサーボ信号を得る手段として、上
記検光子としての偏光ビームスプリッタの透過光束及び
反射光束の光路に夫々の光束を受光可能な６分割受光素
子を設けたことを特徴とする請求項２又は３に記載の光
ピックアップ装置。 - 【請求項５】 上記半導体レーザから出射され、上記偏
光ビームスプリッタで収束光として反射された光束の光
路に該光束を受光可能な受光素子を設け、その出力によ
り上記半導体レーザの出力を制御する手段を設けたこと
を特徴する請求項１に記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192385A JPH0636379A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4192385A JPH0636379A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636379A true JPH0636379A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16290419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4192385A Pending JPH0636379A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 光磁気ディスク装置の光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000050716A (ko) * | 1999-01-14 | 2000-08-05 | 구자홍 | 광 픽업의 빔정형 장치 |
| US7065009B1 (en) | 1999-05-14 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Optical information storage apparatus and optical device including a beam splitting surface with a convex surface side and a concave surface side |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP4192385A patent/JPH0636379A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000050716A (ko) * | 1999-01-14 | 2000-08-05 | 구자홍 | 광 픽업의 빔정형 장치 |
| US7065009B1 (en) | 1999-05-14 | 2006-06-20 | Fujitsu Limited | Optical information storage apparatus and optical device including a beam splitting surface with a convex surface side and a concave surface side |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |