JPH06348016A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

感光性樹脂組成物

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JPH06348016A
JPH06348016A JP5134357A JP13435793A JPH06348016A JP H06348016 A JPH06348016 A JP H06348016A JP 5134357 A JP5134357 A JP 5134357A JP 13435793 A JP13435793 A JP 13435793A JP H06348016 A JPH06348016 A JP H06348016A
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photosensitive resin
chemical
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Suketoshi Maeda
▲祐▼利 前田
Koichi Kunimune
弘一 国宗
Eiji Watanabe
英司 渡邊
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式(I) 【化1】 で示される構造単位を含むポリアミド酸100重量部に
対し、一般式(II) 【化2】 で示されるエポキシ基を有するシリコン化合物0.5〜
30重量部及び光照射により酸を発生する化合物0.5
〜40重量部を含有する感光性樹脂組成物。 【効果】 製造が容易で、ポジ型のパターン形成がで
き、基板との密着性に優れる感光性樹脂組成物が提供さ
れた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物に関す
る。更に詳しくは製造が容易であり、基板との密着性が
良好なポジ型の感光性樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】感光性ポリイミドは耐熱性感光材料とし
て半導体の絶縁膜やパッシベーション膜などに広く使用
されている。ネガ型感光材料としてたとえば特開昭54
−145794号公報、特公昭55−41422号公
報、特開平2−144539号公報などに光照射によっ
て重合可能な炭素−炭素二重結合を有する化合物をポリ
イミド前駆体に混合したもの、エステル結合によって化
学的に結合したものなどが報告されている。しかしなが
ら、基板上に塗布された樹脂の一部を穴開けなどのパタ
ーン加工を行う際、加工を必要とする面積が全塗膜面に
対して小さい場合には、ネガ型の感光材料では露光工程
でマスク上のゴミや傷などの影響を受けやすいので、ポ
ジ型の感光材料を使用する方が好ましい。ポジ型の感光
性ポリイミドとしては、特開昭63−206743号公
報、特開昭64−61747号公報にポリアミド酸のカ
ルボキシル基にアミドやエステル結合を介してオルト位
にニトロ基を有するフェニル誘導体を結合させたもの、
特開平3−209478号公報、特開平3−24765
5号公報に水酸基などを有するポリイミドを利用するも
の、特開平3−763号公報、特開平4−120171
号公報に光照射によって酸を発生する化合物と発生した
酸による分解でアルカリ可溶性となる樹脂を混合したも
のなどが開示されている。しかし、上記ポジ型感光材料
は、製造が煩雑で、感光性とするためにはポリイミドの
構造が特殊なものに限定され、また基板との密着性に欠
けるといった問題を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の従来技術の問題に鑑み、製造が容易であり、基板との
密着性に優れ、最終焼成物として得られるポリイミドが
構造上の限定を受けないポジ型の感光性樹脂組成物を提
供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、公知技術
にかかわる上述の問題点を解決すべく鋭意検討を行った
結果、ポリアミド酸にエポキシ基と加水分解性のアルコ
キシル基を有するシリコン化合物及び光照射により酸を
発生する化合物を必須成分として含有させることによ
り、上述の種々の問題を解決しうることを知見し、本発
明の感光性樹脂組成物を完成するに至った。すなわち、
【0005】本発明感光性樹脂組成物は、下記一般式
(I)
【化9】 で示される構造単位を含むポリアミド酸を100重量
部、下記一般式(II)
【化10】 で示されるエポキシ基を有するシリコン化合物0.5〜
30重量部、及び光照射により酸を発生する化合物0.
5〜40重量部を含有することからなる感光性樹脂組成
物、
【0006】{ただし、式(I)においてR1は4価の
有機基、R2は少なくとも2個の炭素原子を有する2価
の有機基または2価のポリシロキサン基を表す、また式
(II)においてZは
【化11】
【化12】 または
【化13】 であり、R3
【化14】
【化15】 または
【化16】 (ただし、sは0〜4の整数、tは1〜4の整数を表
す)であり、R4は独立に炭素数1〜6のアルキル基、
5は独立に炭素数1〜6の飽和または不飽和の炭化水
素基を表し、1≦k≦3である。}。
【0007】本発明の組成物に使用するポリアミド酸
は、前記式(I)で示される構造単位を有するが、その
式(I)におけるR1は4価の芳香族基、4価の複素環
式基、4価の脂環式炭化水素基、4価の脂肪族炭化水素
基などの4価の有機基を表す。また、R2は脂肪族基、
環式脂肪族基、炭素環式芳香族基、複素環式基などの炭
素数2以上の2価の有機基またはポリシロキサン基であ
る。また、R1またはR2はハロゲン原子(例えばフッ
素、塩素または臭素)もしくは炭素数1〜4のアルキレ
ン基などの1個で置換されたものでもよい。
【0008】本発明の組成物に使用するポリアミド酸
は、R1で示される4価の有機基を有するテトラカルボ
ン酸二無水物とR2で示される2価の有機基を有するジ
アミンを反応させて得られる式(I)で示される構造単
位を有するものである。
【0009】R1で示される4価の有機基を有するテト
ラカルボン酸二無水物の具体的な化合物を示すと、4価
の芳香族基を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物と
してはピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,
3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,
3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、ビス−(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス−(3,4
−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,2,
5,6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2,
3,6,7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサ
フロロプロパン二無水物などが挙げられ、4価の脂環式
炭化水素基を有する脂環式テトラカルボン酸二無水物と
してはシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチル
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物などが挙げら
れ、4価の脂肪炭化水素基を有する脂肪族テトラカルボ
ン酸二無水物としては1,2,3,4−テトラカルボキ
シブタン二無水物など、4価の複素環式基を有する化合
物としては、チオフェン−2,3,4,5−テトラカル
ボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカ
ルボン酸二無水物、ピリジン−2,3,5,6−テトラ
カルボン酸二無水物などの化合物を挙げることができ
る。しかし、必ずしもこれらの化合物に限定されるもの
ではない。
【0010】R2で示される2価の有機基を有するジア
ミンの具体的な化合物を示すと、芳香族ジアミンとして
は4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフ
ェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、4,
4′−ジ(メタアミノフェノキシ)ジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジ(パラアミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン、オルトフェニレンジアミン、メタフェニレン
ジアミン、パラフェニレンジアミン、ベンジジン、3,
3′−ジアミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノベ
ンゾフェノン、4,4′−ジアミノジフェニル−2,2
−プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、1,8−ジ
アミノナフタレン、4,4′−ビス(4−アミノフェノ
キシ)ビフェニル、2,2−ビス{4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル}ヘキサフロロプロパン、1,4−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4′−ジアミ
ノ−3,3′−ジエチル−5,5′−ジメチルジフェニ
ルメタン、4,4′−ジアミノ−3,3′,5,5′−
テトラメチルジフェニルメタン、1,4−ジアミノトル
エン、メタキシリレンジアミン、2,2′−ジメチルベ
ンジジンなどが挙げられ、脂肪族ジアミンとしてはトリ
メチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメ
チレンジアミン、2,11−ドデカンジアミンなどが挙
げられ、シリコン系ジアミンとしてはビス(パラアミノ
フェノキ)ジメチルシラン、1,4−ビス(3−アミノ
プロピルジメチルシリル)ベンゼンなどが挙げられ、脂
環式ジアミンとしては1,4−ジアミノシクロヘキサ
ン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、イソフ
ォロンジアミンなど、グアナミン類としてはアセトグア
ナミン、ベンゾグアナミンなどが挙げられる。しかし、
必ずしもこれらの化合物に限定されるものではない。
【0011】また、R2で示される2価のポリシロキサ
ン基を有するジアミノポリシロキサンとしては、次式
(1)〜(9)
【化17】
【化18】
【化19】
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【化24】
【化25】 (ただし、式中pは1〜100である)で示される化合
物をあげることができる。しかし、これらの化合物に限
定されるものではない。
【0012】本発明の組成物に用いるポリアミド酸の対
数粘度数は製膜性の点から0.1〜5dl/gの範囲が
望ましい。この対数粘度数とは式(III)
【数1】 (ここでη及びηoはウベローデ粘度計を使用し、温度
30±0.01℃で測定した値である。ηは溶液、ηo
は溶媒のみの測定値であり、Cは溶液濃度0.5g/d
lである。)で表されるηinhのことである。
【0013】本発明の組成物に使用する前記一般式(I
I)で示されるエポキシ基を有するシリコン化合物は、
一分子中にエポキシ基と加水分解性のアルコキシル基と
を有することが必要である。具体的な化合物としては3
−グリシドキシプロピルジイソプロピルエトキシシラ
ン、3−グリシドキシプロピルジイソプロピルメトキシ
シラン、3−グリシドキシプロピルジn−プロピルメト
キシシラン、3−グリシドキシプロピルジn−プロピル
エトキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルエ
トキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルメト
キシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルイソプ
ロポキシシラン、3−グリシドキシプロピルジメチルn
−プロポキシシラン、3−グリシドキシプロピルジエチ
ルエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルジエチル
メトキシシラン、3−グリシドキシプロピルジエチルイ
ソプロポキシシラン、3−グリシドキシプロピルジエチ
ルn−プロポキシシラン、(3−グリシドキシプロピ
ル)メチルジエトキシシラン、(3−グリシドキシプロ
ピル)メチルジメトキシシラン、(3−グリシドキシプ
ロピル)メチルジイソプロポキシシラン、(3−グリシ
ドキシプロピル)メチルジn−プロポキシシラン、(3
−グリシドキシプロピル)エチルジメトキシシラン、
(3−グリシドキシプロピル)エチルジメトキシシラ
ン、(3−グリシドキシプロピル)エチルジイソプロポ
キシシラン、(3−グリシドキシプロピル)エチルジn
−プロポキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチル
ジイソプロペノキシシラン、3−グリシドキシプロピル
エチルジイソプロペノキシシラン、3−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピル
トリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリn
−プロポキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エ
ポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシランなどを
挙げることができるが、これらの化合物に限定されるも
のではない。
【0014】本発明の組成物における前記一般式(II)
で示されるエポキシ基を有するシリコン化合物の組成物
中の含有量は、前記ポリアミド酸100重量部に対して
0.5〜30重量部、好ましくは3〜15重量部であ
る。0.5重量部未満の場合は感光性を示さず、30重
量部をこえる場合は感度が低くなる。
【0015】本発明の組成物で使用する光照射により酸
を発生する化合物は、かかる性質を有するものとして公
知の化合物類及びそれらの混合物、例えばアンモニウム
塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレニウム塩、アルソニウム塩などの各種オニウム
化合物類、フェニルトリハロメチルスルホン化合物類、
ハロメチルトリアジン化合物類、ハロメチルオキサジア
ゾール化合物などの有機ハロゲン化合物類、1,2−ナ
フトキノンジアジド−(2)−4−スルホン酸のエステ
ルもしくはアミド化合物類、ニトロベンジルアルコール
のスルホン酸エステル化合物類、オキシムのスルホン酸
エステル化合物類、N−ヒドロキシアミドまたはイミド
のスルホン酸エステル化合物類、β−ケトスルホン系化
合物類、ベンゾインのスルホン酸エステル化合物類など
に属するものが広く適する。
【0016】これらの具体的な例としては以下の化合物
を挙げることができる。すなわち、ジ(パラタ−シャリ
−ブチルフェニル)ジフェニルヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムテトラ
フルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフル
オロホスフェート、ジフェニルヨードニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、ベンゼンジアゾニウムパラトル
エンスルホネート、4−p−トリル−メルカプト−2,
5−ジエトキシ−ベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロ
ホスフェート、ジフェニルアミン−4−ジアゾニウムサ
ルフェート、トリ(タ−シャリ−ブチルフェニル)スル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ
フェニルセレニウムテトラフルオロボレート、オルトニ
トロベンジルパラトルエンスルホネート、ベンゾイント
シレート、ベンゾインメタンスルホネート、ベンゾイン
トリフルオロメタンスルホネート、ベンゾイン−2−ト
リフルオロメタンベンゼンスルホネート、アニソイント
シレート、アニソインメタンスルホネート、アニソイン
トリフルオロメタンスルホネート、アニソイン−2−ト
リフルオロメタンベンゼンスルホネート、1−ベンゾイ
ル−1−メチルスルホニルオキシ−シクロヘキサン、2
−[(p−トリルスルホニル)オキシ]−1−フェニル
−1−オクタノン、2−[(β−ナフチルスルホニル)
オキシ]−1−フェニル−1−プロパノン、2−[(p
−アセトアミドフェニルスルホニル」オキシ]−1−フ
ェニル−1−プロパノン、安息香酸アミドトシレート、
安息香酸アミドメタンスルホネート、N−トシロキシフ
タルイミド、N−[(2−トリフルオロメタンベンゼン
スルホニル)オキシ]フタルイミド、N−トシロキシ−
1,8−ナフタルイミド、N−[(2−トリフルオロメ
タンベンゼンスルホニル)オキシ]−1,8−ナフタル
イミド、N−トシロキシ−2,3−ジフェニルマレイミ
ド、N−[(2−トリフルオロメタンベンゼンスルホニ
ル)オキシ]−2,3−ジフェニルマレイミド、4−
(ジ−n−プロピルアミノ)−ベンゾニウムテトラフル
オロボレート、4−メチル−6−トリクロロメチル−2
−ピロン、
【0017】4−(3,4,5−トリメトキシスチリ
ル)−6−トリクロロメチル−2−ピロン、4−(4−
メトキシスチリル)−6−(3,3,3−トリクロロ−
プロペニル)−2−ピロン、2−トリクロロメチル−ベ
ンズイミダゾール、2−トリブロモメチル−キノン、
2,4−ジメチル−1−トリブロモアセチル−ベンゼ
ン、4−ジブロモアセチル−安息香酸、1,4−ビス−
ジブロモメチル−ベンゼン、トリス−ジブロモメチル−
s−トリアジン、2−(6−メトキシナフチル−2−イ
ル)−4,6−ビス−トリクロロメチル−s−トリアジ
ン、2−(ナフチル−1−イル)−4,6−ビス−トリ
クロロメチル−s−トリアジン、2−(ナフチル−2−
イル)−4,6−ビス−トリクロロメチル−s−トリア
ジン、2−(4−エトキシナフチル−1−イル)−4,
6−ビス−トリクロロメチル−s−トリアジン、2−
(ベンゾピラニル−3−イル)−4,6−ビス−トリク
ロロメチル−s−トリアジン、2−(4−メトキシアン
トラシ−1−イル)−4,6−ビス−トリクロロメチル
−s−トリアジン、2−(フェネチル−9−イル)−
4,6−ビス−トリクロロメチル−s−トリアジン、o
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2
−フェニル−5−トリクロロメチルオキサジアゾール、
2−(p−メトキシフェニル)−5−トリクロロメチル
オキサジアゾール、2−スチリル−5−トリクロロメチ
ルオキサジアゾール、2−(n−ブチル)−5−トリク
ロロメチルオキサジアゾール、α−トリフルオロアセト
フェノンオキシム−4−ヒドロキシベンゼンスルホネー
ト、9−(4−ヒドロキシベンゼンスルホニルオキシイ
ミノ)−フルオレン、9−(4−メタクリルアミドメチ
ルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−フルオレン、2
−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロ
ロメチル)−S−トリアジン、2−(4−メトキシナフ
チル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリ
アジン、ジフェニル(4−チオフェノキシフェニル)ス
ルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、(4−メト
キシフェニル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、(4−メトキシフェニル)フェニルヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、2,6−
ジニトロベンジルトシレートなどを挙げることができ
る。しかし、これらの化合物に限定されるものではな
い。
【0018】光照射によって酸を発生する化合物の組成
物中の含有量は、前記ポリアミド酸100重量部に対し
て0.5〜40重量部、好ましくは3〜20重量部であ
る。0.5重量部未満の場合は感度が低く、40重量部
をこえると、硬化後のポリイミドの膜質を低下させるの
で好ましくない。
【0019】本発明の感光性樹脂組成物においては、必
要に応じて増感剤、染料、顔料、界面活性剤などを使用
することもできる。
【0020】本発明の組成物に用いるポリアミド酸は、
極性溶媒中、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを温
度0〜100℃、好ましくは10〜30℃で反応するこ
とにより得ることかできる。またポリアミド酸の分子量
をコントロールすることを目的に一官能性の酸無水物ま
たはアミンを添加して反応する。このポリアミド酸を得
る反応成分であるテトラカルボン酸二無水物、ジアミン
は前述のとおりである。一官能性の酸無水物やアミンと
しては無水フタル酸、無水マレイン酸、アニリン、モノ
アリルアミンなどを挙げることができるが、これらに限
定されない。
【0021】好ましい溶媒の具体例として、N−メチル
−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、
N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、テトラメチル尿素、ピリジン、ヘキサメチルホスホ
ルアミド、メチルホルムアミド、N−アセチル−2−ピ
ロリドン、2−メトキシエタノール、2−エトキシブタ
ノール、2−ブトキシエタノール、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル、シクロペンタノン、クレゾール、γ−ブチロラクト
ン、イソホロン、N,N−ジエチルアセトアミド、N,
N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルメトキシ
アセトアミド、テトラヒドロフラン、N−メチル−ε−
カプロラクタム、テトラヒドロチオフェンジオキシド
{スルフォラン(sulpholane)}などを挙げ
ることができる。また、溶媒として上記有機溶媒を、他
の非プロトン性(中性)有機溶媒、例えば、芳香族、脂
環式もしくは脂肪族炭化水素、またはそれら(例えば、
ベンゼン、トルエン、キシレンなど、シクロヘキサン、
ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、塩化メチレンな
ど)の塩素化誘導体またはアルコールやジオキサンなど
で希釈したものを用いることもできる。
【0022】本発明の感光性樹脂組成物は、前記式
(I)で示される構造単位を含むポリアミド酸に、前記
式(II)で示されるエポキシ基を有するシリコン化合物
と光照射により酸を発生する化合物とを配合することに
より得ることができる。通常は溶液の状態で供される。
【0023】本発明の感光性樹脂組成物を用いたパター
ン化されたアミド酸及びポリイミドの形成方法について
説明する。本発明の感光性樹脂組成物はスピンコート、
浸漬、印刷、ディスペンスあるいはロールコーターなど
公知の方法によりシリコンウエハー、金属板、プラスチ
ック板、あるいはガラス板などの基板上に塗布する。得
られた塗膜は電気炉あるいはホットプレートなどの加熱
手段を用いて30〜110℃、より好ましくは60〜1
00℃の温度で数分〜数十分プリベークを行うことによ
り塗膜中の大部分の溶媒の除去する。この溶媒を除去し
た塗膜にネガマスクを置き、化学線を照射する。化学線
としてはX線、電子線、紫外線、あるいは可視光線など
が例として挙げられるが、紫外線または電子線が特に好
適である。引き続き上記加熱手段により110〜190
℃、より好ましくは120〜170℃で30秒〜15分
間加熱を行う。
【0024】次いで露光部を現像液で溶解除去すること
によりポジ型のレリーフパターンを得る。ここで使用さ
れる現像液は反応溶媒の例として前述した有機溶媒また
はこれにアルコール、キシレン、水などの貧溶媒を混合
したものを使用することができる。次に必要によりアル
コール、水などの貧溶媒中でリンスし、更に150℃以
下の温度で乾燥を行う。またプリベーク後のいずれかの
時点で基板からフィルムを剥し、単独のフィルムとして
使用することも可能である。
【0025】現像により形成されたレリーフパターンの
ポリアミド酸はポリイミドの前駆体であるため、これを
上記加熱手段により200〜500℃、好ましくは30
0〜400℃の温度で数分〜数十分加熱することによ
り、閉環してイミド化し、パターン化されたポリイミド
膜を得る。
【0026】以上のようにして得るポジ型レリーフパタ
ーンはつぎのような反応で形成する。すなわち、マスク
を通して光照射が行なわれると未露光部では、エポキシ
基を有するシリコン化合物のエポキシ基は開環しない
が、露光部では発生した酸によって、エポキシ基が開環
する。この後、さらに熱を加えると未露光部ではポリア
ミド酸のカルボキシル基はエポキシ基を有するシリコン
化合物のエポキシ基に付加するが、露光部ではエポキシ
基は開環しているため、カルボキシル基との反応は起こ
らない。更に加熱中にシリコン化合物のアルコキシ基間
の縮合も一部進行するため未露光部ではポリアミド酸の
カルボキシル基を介した架橋構造が形成され、溶剤に対
する溶解性が著しく減少するか、または不溶となる。こ
のため、露光部と未露光部に溶剤に対する溶解性の差が
生じ、露光部を溶剤で除去することによって、ポジ型の
レリーフパターンを形成する。また、このようにして得
たパターン化されたポリアミド酸や、更に加熱による脱
水でイミド化した硬化物は、組成中に含まれるエポキシ
基を有するシリコン化合物が基板との密着性にも寄与す
るため、基板との密着性に極めて優れており、そのため
カップリング剤などによる基板処理を必要としない。
【0027】このようにして本発明の感光性樹脂組成物
からパターン化されたポリイミド膜を得ることができ
る。本発明の感光性樹脂組成物は電子材料用途、特に半
導体用の各種保護膜、平坦化膜、パッシベーション膜、
バッファーコート膜、LSIメモリーのα線遮蔽膜、層
間絶縁膜、プリント配線板の多層板の層間膜、液晶配向
膜あるいはサーマルヘッドの蓄熱材などに適用可能であ
る。
【0028】
【実施例】以下に実施例によって、本発明を更に具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら
限定されるものではない。
【0029】合成例1(ポリアミド酸の合成1) 撹拌装置、滴下ロート、温度計、コンデンサー及び窒素
置換装置を付した1リットルのフラスコを高温槽中に固
定した。脱水精製した500gのN−メチル−2−ピロ
リドン(以下「NMP」と略記する。)、21.29g
(0.1063モル)の4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル(以下「DDE」と略記する。)を投入し撹拌
を続け溶解させた。この溶液に34.26g(0.10
63モル)の3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物(以下「BTDA」と略記す
る。)を添加し、20〜30℃で8時間反応を行い濃度
10.0重量%のポリアミド酸を得た。
【0030】合成例2(ポリアミド酸の合成2) 合成例1と同様の装置を用い、脱水精製した500gの
NMP中に34.20g(0.1708モル)のDDE
を投入し撹拌を続け溶解させた。この溶液に31.06
g(0.1423モル)のピロメリット酸二無水物(以
下「PMDA」と略記する。)と9.457g(0.0
569モル)の無水フタル酸を添加し、20〜30℃で
8時間反応を行い、末端に無水フタルが付加した濃度1
3.0重量%のポリアミド酸を得た。
【0031】合成例3(ポリアミド酸の合成3) 合成例1と同様の装置を用い、脱水精製した500gの
NMP中に15.97g(0.1470モル)のパラフ
ェニレンジアミン(以下「PDA」と略す。)と3.1
4g(0.0418モル)のアリルアミンを投入し撹拌
を続け溶解させた。この溶液に49.21g(0.16
72モル)の3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物(以下「BPDA」と略す。)を添加
し、20〜30℃で8時間反応を行い、末端にアリルア
ミンの付加した濃度12.0重量%のポリアミド酸を得
た。
【0032】合成例4〜5(ポリアミド酸の合成) 反応成分の量以外は、合成例1と同様の装置、溶媒およ
び方法によって種々のポリアミド酸溶液を得た。表1中
にはテトラカルボン酸二無水物、ジアミン、その他の反
応成分のg数とモル数および溶液中のポリアミド酸濃度
を合成例1、2、3と共に示した。
【0033】なお、表1に記載されている略号はつぎの
とおりである。 テトラカルボン酸二無水物: BTDA:3,4,3′4′ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物 PMDA:無水ピロメリット酸 BPDA:3,4,3′4′−ビフェニルトラカルボン
酸二無水物 6FDA:2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフロロプロパン二無水物 ODPA:ビス−(3,4−ジカルボキシフェニル)エ
ーテル二無水物 ジアミン: DDE:4,4′−ジアミノジフェニルエーテル PDA:パラフェニレンジアミン BAPS:4,4′−ジ(パラアミノフェノキシ)ジフ
ェニルスルホン DDS:3,3′−ジアミノジフェニルスルホン APDS:ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン 溶媒: NMP:N−メチル−2−ピロリドン
【0034】
【表1】
【0035】実施例1 合成例1で合成したポリアミド酸の溶液10.0gにエ
ポキシ基を有するシリコン化合物(以下シリコン化合物
と称す)として0.050gの3−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン(以下ES−1と略称する)と光
照射によって酸を発生する化合物(以下光酸発生剤と略
す)として0.150gの2−(4−メトキシスチリル
−4,6−ビス(トリクロロメチル)−S−トリアジン
(以下、PA−1と称す)を添加して感光性樹脂組成物
を調製した。この感光性樹脂組成物をシリコンウエハー
上に回転塗布し、ホットプレート上で80℃で3分間の
乾燥を行った。この時乾燥後の膜厚が約1〜2μmとな
るように塗布時の回転を調整した。次に10μm角の穴
開け用のパターンが描かれたポジ用のマスクを通し、超
高圧水銀灯(9mW/cm2)で露光を行った。露光
後、140℃のホットプレート上で2分間加熱し、NM
P70重量部、イソプロピルアルコール30重量部の混
合溶液で現像を行い、水でリンスした後乾燥した。この
ようにして10μm角の鮮明なパターンが得られた。こ
れを150℃で30分間、さらに400℃で60分間焼
成を行った。パターンの崩れは見られなかった。
【0036】実施例2〜7 ポリアミド酸溶液、シリコン化合物、光酸発生剤を表2
参照のごとく用いる以外は実施例1と同様にして感光性
樹脂組成物を調製した。また露光条件を表2参照のごと
く変える以外は実施例1と同様にしてパターン化および
焼成を行った。何れもパターンの崩れは見られなかっ
た。
【0037】表2に記載されているシリコン化合物の略
号はつぎのとおりである。 ES−1:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン ES−2:(3−グリシドキシプロピル)メチルジエト
キシシラン ES−3:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エ
チルトリメトキシシラン ES−4:3−グリシドキシプロピルジイソプロピルエ
トキシシラン また、同じく光酸発生剤の略号はつぎのとおりである。 PA−1:2−(4−メトキシスチル)−4,6−ビス
(トリクロロメチル)−S−トリアジン
【化26】 PA−2:2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビ
ス(トリクロロメチル)−S−トリアジン
【化27】 PA−3:ジフェニル(4−チオフェノキシフェニル)
スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
【化28】 PA−4:(4−メトキシフェニル)フェニルヨードニ
ウムトリフルオロメタンスルホネート
【化29】 PA−5:ベンゾイントシレート
【化30】 PA−6:2,6−ジニトロベンジルトシレート
【化31】
【0038】また、基板との密着性を確認するためマス
クを使用しない以外は上述の実施例と同様の方法でシリ
コンウエハー上に硬化膜を形成せしめた後、その硬化膜
に切り目を入れて一辺2mmの正方形100個の小片に
細分し、その表面にセロハンテープを貼り付けて直ちに
剥した。その時の剥がれた個数を数えることにより密着
性の評価を行った。結果を表2に示した。
【0039】比較例1 合成例1で合成したポリアミド酸溶液10gにシリコン
化合物をいれない以外は実施例1と同様にして組成物を
調製し、実施例1と同様の方法でパターン化を試みた
が、現像中にポリアミド酸がすべて溶解して、パターン
を得ることができなかった。
【0040】比較例2 合成例1で合成したポリアミド酸溶液10gに光酸発生
剤をいれない以外は実施例1と同様にして組成物を調製
し、実施例1と同様の方法でパターン化を試みた。その
結果、光を照射した部分も現像に使用した混合溶液に対
して不溶化し、10μm角の穴開けはできなかった。
【0041】比較例3 合成例1で合成したポリアミド酸溶液をシリコンウエハ
ー上に実施例1と同様に回転塗布し、80℃で3分間乾
燥した後150℃で30分間、さらに400℃で60分
間焼成することによって、シリコンウエハー上に硬化膜
を形成させた。これを実施例と同様の方法で密着性の評
価を行った。結果を表2に示した。
【0042】実施例と比較例から本発明の感光性樹脂組
成物は、基板との密着性に優れた感光材料であることが
わかる。
【0043】
【表2】
【0044】
【発明の効果】本発明における感光性樹脂組成物は、容
易に製造することができ、ポジ型の鮮明なレリーフパタ
ーンを形成することができ、基板との密着性に優れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I) 【化1】 で示される構造単位を含むポリアミド酸を100重量
    部、下記一般式(II) 【化2】 で示されるエポキシ基を有するシリコン化合物0.5〜
    30重量部、及び光照射により酸を発生する化合物0.
    5〜40重量部を含有することからなる感光性樹脂組成
    物、{ただし、式(I)においてR1は4価の有機基、
    2は少なくとも2個の炭素原子を有する2価の有機基
    または2価のポリシロキサン基を表す、また式(II)に
    おいてZは 【化3】 【化4】 または 【化5】 であり、R3は 【化6】 【化7】 もしくは 【化8】 (ただし、sは0〜4の整数、tは1〜4の整数を表
    す)であり、R4は独立に炭素数1〜6のアルキル基、
    5は独立に炭素数1〜6の飽和または不飽和の炭化水
    素基を表し、1≦k≦3である。}。
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