JPH06347995A - Ｉｃ製造用マスク - Google Patents
Ｉｃ製造用マスクInfo
- Publication number
- JPH06347995A JPH06347995A JP14104793A JP14104793A JPH06347995A JP H06347995 A JPH06347995 A JP H06347995A JP 14104793 A JP14104793 A JP 14104793A JP 14104793 A JP14104793 A JP 14104793A JP H06347995 A JPH06347995 A JP H06347995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- liquid crystal
- alignment
- crystal plate
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ネガレジストの場合でもオートアライメント
ターゲットが使用可能なＩＣ製造用マスクを提供する。 【構成】 ＩＣパターン６が形成されるほかにアライメ
ントターゲット８が形成され、半導体ウェハ上にパター
ン露光を行うためのマスクであって、少なくともアライ
メントターゲット８を覆うようにして印加電圧のオン・
オフにより照射光の透過・遮光を制御する液晶板９を設
け、アライメントターゲット８がレジストに露光される
ことによる被エッチング膜の形成を防止する。
ターゲットが使用可能なＩＣ製造用マスクを提供する。 【構成】 ＩＣパターン６が形成されるほかにアライメ
ントターゲット８が形成され、半導体ウェハ上にパター
ン露光を行うためのマスクであって、少なくともアライ
メントターゲット８を覆うようにして印加電圧のオン・
オフにより照射光の透過・遮光を制御する液晶板９を設
け、アライメントターゲット８がレジストに露光される
ことによる被エッチング膜の形成を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造に用いられる
マスクの構造技術、特に、ホトレジスト用のマスク及び
レチクルに用いて効果のある技術に関するものである。
マスクの構造技術、特に、ホトレジスト用のマスク及び
レチクルに用いて効果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３はホトレジスト方法の概要を示す説
明図である。半導体ウェハ１の表面にはレジスト２が塗
布されており、この半導体ウェハ１と光源３の間にマス
ク４、光学系５が配設されている。なお、光源３には、
水銀ランプ等の紫外線を発するランプが用いられる。
明図である。半導体ウェハ１の表面にはレジスト２が塗
布されており、この半導体ウェハ１と光源３の間にマス
ク４、光学系５が配設されている。なお、光源３には、
水銀ランプ等の紫外線を発するランプが用いられる。
【０００３】図４はＩＣ（集積回路）製造用マスク４の
詳細を示す平面図である。
詳細を示す平面図である。
【０００４】マスク４には複数（ここでは４個）のＩＣ
パターン６が設けられており、このＩＣパターン６の周
囲がスクライブエリア７になっている。また、スクライ
ブエリア７上のＩＣパターン６の相互間にはアライメン
トターゲット８が形成されている。
パターン６が設けられており、このＩＣパターン６の周
囲がスクライブエリア７になっている。また、スクライ
ブエリア７上のＩＣパターン６の相互間にはアライメン
トターゲット８が形成されている。
【０００５】以上の構成において、光源３の点灯により
発せられた紫外光は、マスク４の明部を通過し、光学系
５を通して被露光体である半導体ウェハ１上へ導かれ
る。この際、マスク４のＩＣパターン６が光学系５によ
ってレジスト２の表面に結像され、転写が行われる。な
お、マスク４と半導体ウェハ１の位置合わせは、アライ
メントターゲット８を用いて行われる。
発せられた紫外光は、マスク４の明部を通過し、光学系
５を通して被露光体である半導体ウェハ１上へ導かれ
る。この際、マスク４のＩＣパターン６が光学系５によ
ってレジスト２の表面に結像され、転写が行われる。な
お、マスク４と半導体ウェハ１の位置合わせは、アライ
メントターゲット８を用いて行われる。
【０００６】なお、レジスト２にネガ型を用いる場合、
アライメントターゲット８のパターンがレジスト２上に
形成され、次にエッチング処理をする場合、被エッチン
グ膜でパターンが形成される。
アライメントターゲット８のパターンがレジスト２上に
形成され、次にエッチング処理をする場合、被エッチン
グ膜でパターンが形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、ネガレジスト用マスクの場合、ダイシング不良の防
止を目的としてマスクのスクライブエリアをクロムにす
るため、１：１感光装置用のオートアライメントターゲ
ットを使用できないという問題がある。
ば、ネガレジスト用マスクの場合、ダイシング不良の防
止を目的としてマスクのスクライブエリアをクロムにす
るため、１：１感光装置用のオートアライメントターゲ
ットを使用できないという問題がある。
【０００８】また、アライメントターゲットのパターン
によって形成された被エッチング膜が、ＩＣ製造におけ
る製品不良の原因になる恐れもある。このため、アライ
メントターゲットのパターンが露光されることは望まし
くない。
によって形成された被エッチング膜が、ＩＣ製造におけ
る製品不良の原因になる恐れもある。このため、アライ
メントターゲットのパターンが露光されることは望まし
くない。
【０００９】そこで、本発明の目的は、ネガレジストの
場合でもオートアライメントターゲットの使用が可能な
技術を提供することにある。
場合でもオートアライメントターゲットの使用が可能な
技術を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００１２】すなわち、集積回路のパターンが形成され
ると共にアライメント用のターゲットが形成され、半導
体ウェハ上にパターン露光を行うためのマスクであっ
て、少なくとも前記ターゲットを覆うようにして通過光
を制御する液晶板を設けるようにしている。
ると共にアライメント用のターゲットが形成され、半導
体ウェハ上にパターン露光を行うためのマスクであっ
て、少なくとも前記ターゲットを覆うようにして通過光
を制御する液晶板を設けるようにしている。
【００１３】
【作用】上記した手段によれば、アライメント時には液
晶板を通光するように制御し、光源からの光がアライメ
ント用ターゲットに照射されるようにし、半導体ウェハ
とマスクの位置合わせを可能にする。また、露光時には
液晶板が遮光するように制御し、ターゲットのパターン
がレジスト上に露光されないようにする。この結果、Ｉ
Ｃパターン以外のパターンがレジスト上に露光されない
ようにでき、オートアライメントを可能にし、スループ
ットを向上させることができる。
晶板を通光するように制御し、光源からの光がアライメ
ント用ターゲットに照射されるようにし、半導体ウェハ
とマスクの位置合わせを可能にする。また、露光時には
液晶板が遮光するように制御し、ターゲットのパターン
がレジスト上に露光されないようにする。この結果、Ｉ
Ｃパターン以外のパターンがレジスト上に露光されない
ようにでき、オートアライメントを可能にし、スループ
ットを向上させることができる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明によるマスクの一実施例を示す
平面図である。なお、図１においては図４と同一である
ものには同一引用数字を用いたので、以下においては重
複する説明を省略する。
平面図である。なお、図１においては図４と同一である
ものには同一引用数字を用いたので、以下においては重
複する説明を省略する。
【００１５】図１に示すように、本実施例においては、
光源側の面のアライメントターゲット８の設けられてい
る部分に帯状に液晶板９（少なくともアライメントター
ゲット８を覆い、かつＩＣパターン６を隠さないサイ
ズ）を配設し、この液晶板９の両端に電極１０を設けて
いる。電極１０間に電圧を印加することにより、液晶形
成部分の光の透過を制御（通光または遮光）することが
できる。
光源側の面のアライメントターゲット８の設けられてい
る部分に帯状に液晶板９（少なくともアライメントター
ゲット８を覆い、かつＩＣパターン６を隠さないサイ
ズ）を配設し、この液晶板９の両端に電極１０を設けて
いる。電極１０間に電圧を印加することにより、液晶形
成部分の光の透過を制御（通光または遮光）することが
できる。
【００１６】以上の構成における実施例の動作について
図１及び図２を用いて説明する。
図１及び図２を用いて説明する。
【００１７】まず、液晶板９に取り付けられたマスク４
を露光装置の所定位置にセットする。ついで、電極１０
の各々と露光装置側の電極端子の各々とを接続する。さ
らに、ネガ型のレジスト２が形成された半導体ウェハ１
を露光装置の露光位置にセットする。さらに、アライメ
ントターゲット８を用いてマスク４と半導体ウェハ１の
位置合わせを行う。このとき、液晶板９は通光状態にな
っており、位置合わせが完了すると、液晶板９は遮光状
態にされる。そして、アライメントターゲット８は、液
晶板９によって光源方向からは隠される。
を露光装置の所定位置にセットする。ついで、電極１０
の各々と露光装置側の電極端子の各々とを接続する。さ
らに、ネガ型のレジスト２が形成された半導体ウェハ１
を露光装置の露光位置にセットする。さらに、アライメ
ントターゲット８を用いてマスク４と半導体ウェハ１の
位置合わせを行う。このとき、液晶板９は通光状態にな
っており、位置合わせが完了すると、液晶板９は遮光状
態にされる。そして、アライメントターゲット８は、液
晶板９によって光源方向からは隠される。
【００１８】次に露光を行い、マスク４のＩＣパターン
６が半導体ウェハ１上のレジスト２に転写されるが、ア
ライメントターゲット８は液晶板９により遮光されてい
るため、転写は行われない。そのため、露光の後に現像
処理、エッチング処理を行っても、半導体ウェハ１上に
アライメントターゲット８は形成されない。
６が半導体ウェハ１上のレジスト２に転写されるが、ア
ライメントターゲット８は液晶板９により遮光されてい
るため、転写は行われない。そのため、露光の後に現像
処理、エッチング処理を行っても、半導体ウェハ１上に
アライメントターゲット８は形成されない。
【００１９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２０】例えば、上記実施例においては、液晶板９
をマスク４のＩＣパターン６が形成されている側に取り
付けているが、反対側（裏面）の面に取り付けることも
できる。また、スクライブエリアに設けるものとした
が、マスク内の他の部位に取り付けてもよい。さらに
は、ＩＣパターン６を除く部分、すなわちスクライブエ
リア７の全面に設けるようにしてもよい。
をマスク４のＩＣパターン６が形成されている側に取り
付けているが、反対側（裏面）の面に取り付けることも
できる。また、スクライブエリアに設けるものとした
が、マスク内の他の部位に取り付けてもよい。さらに
は、ＩＣパターン６を除く部分、すなわちスクライブエ
リア７の全面に設けるようにしてもよい。
【００２１】さらに、液晶板の液晶セルが単一であると
したが、マトリクス状に配置し、各セルを同時または選
択して駆動してもよい。
したが、マトリクス状に配置し、各セルを同時または選
択して駆動してもよい。
【００２２】また、液晶板に代えてＵＶ（紫外線）遮光
板を用い、位置合わせが終了した後にマスク上にセット
するようにしてもよい。ＵＶ遮光板としては、例えば、
ガラス板内にＵＶ吸光剤を配設した構成にすればよい。
板を用い、位置合わせが終了した後にマスク上にセット
するようにしてもよい。ＵＶ遮光板としては、例えば、
ガラス板内にＵＶ吸光剤を配設した構成にすればよい。
【００２３】さらに、上記の説明では、マスクを例にし
たがレチクルに対しても同様に本発明を適用することが
できる。
たがレチクルに対しても同様に本発明を適用することが
できる。
【００２４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００２５】すなわち、集積回路のパターンが形成され
ると共にアライメント用のターゲットが形成され、半導
体ウェハ上にパターン露光を行うためのマスクであっ
て、少なくとも前記ターゲットを覆うようにして通過光
を制御する液晶板を設けるようにしたので、オートアラ
イメントを可能にし、スループットを向上させることが
できる。また、同じアライメントターゲットを何度も使
用できるため、ＩＣ面積の縮小、原価低減及びアライメ
ントターゲットの露光に伴う被エッチング膜による不良
発生を防止することができる。
ると共にアライメント用のターゲットが形成され、半導
体ウェハ上にパターン露光を行うためのマスクであっ
て、少なくとも前記ターゲットを覆うようにして通過光
を制御する液晶板を設けるようにしたので、オートアラ
イメントを可能にし、スループットを向上させることが
できる。また、同じアライメントターゲットを何度も使
用できるため、ＩＣ面積の縮小、原価低減及びアライメ
ントターゲットの露光に伴う被エッチング膜による不良
発生を防止することができる。
【図１】本発明によるＩＣ製造用マスクの一実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１における液晶板が遮光状態に駆動されてい
る場合を示す平面図である。
る場合を示す平面図である。
【図３】ホトレジスト方法の概要を示す説明図である。
【図４】図３に示すマスクの詳細構成を示す平面図であ
る。
る。
１ 半導体ウェハ ２ レジスト ３ 光源 ４ マスク ５ 光学系 ６ ＩＣパターン ７ スクライブエリア ８ アライメントターゲット ９ 液晶板 １０ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 集積回路のパターンが形成されると共に
アライメント用のターゲットが形成され、半導体ウェハ
上にパターン露光を行うためのマスクであって、少なく
とも前記ターゲットを覆うようにして通過光を制御する
液晶板を設けたことを特徴とするＩＣ製造用マスク。 - 【請求項２】 前記液晶板は、複数の液晶セルを有する
ことを特徴とする請求項１記載のＩＣ製造用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14104793A JPH06347995A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Ｉｃ製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14104793A JPH06347995A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Ｉｃ製造用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347995A true JPH06347995A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15283020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14104793A Pending JPH06347995A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Ｉｃ製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09114084A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nec Kyushu Ltd | フォトマスク |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP14104793A patent/JPH06347995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09114084A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nec Kyushu Ltd | フォトマスク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7604927B2 (en) | Methods of patterning using photomasks including shadowing elements therein and related systems | |
| US4702592A (en) | Reticle assembly, system, and method for using the same | |
| KR960000179B1 (ko) | 에너지 절약형 포토마스크 | |
| US5747221A (en) | Photolithography method and photolithography system for performing the method | |
| US7862964B2 (en) | Methods for photo-processing photo-imageable material | |
| KR100228570B1 (ko) | 반도체 기판 노출 방법 | |
| JPH06347995A (ja) | Ｉｃ製造用マスク | |
| US3823016A (en) | Photomask repair process | |
| US20020106588A1 (en) | Photolithography process for forming an opening | |
| KR0146399B1 (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
| US5928814A (en) | Photomask controlling transmissivity by using an impurity-containing film formed on a transparent substrate | |
| KR100261164B1 (ko) | 오버레이 측정 타겟 및 이의 제조방법 | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH07181686A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| JPH05136038A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPS58101427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0135064B1 (ko) | 편광층을 이용한 마스크 및 그를 이용한 반도체웨이퍼의 노광방법 | |
| KR980010603A (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
| JPH06208220A (ja) | マスクパターンの作成方法 | |
| KR100230377B1 (ko) | 요철부가 있는 정렬키를 갖는 포토마스크 | |
| JPH11202471A (ja) | フォトマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| KR960035156A (ko) | 노광장치의 렌즈 비점수차(Lens Astignatism) 측정방법 | |
| JPH10115907A (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JPH05299320A (ja) | 投影露光装置 |