JPH06343004A - 非可逆回路素子 - Google Patents

非可逆回路素子

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JPH06343004A
JPH06343004A JP21796991A JP21796991A JPH06343004A JP H06343004 A JPH06343004 A JP H06343004A JP 21796991 A JP21796991 A JP 21796991A JP 21796991 A JP21796991 A JP 21796991A JP H06343004 A JPH06343004 A JP H06343004A
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JP
Japan
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isolator
resonance frequency
ferrite
electrode
resin block
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JP21796991A
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English (en)
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Akito Masuda
昭人 増田
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 共振周波数の帯域幅を狭くすることなく共振
周波数を低くできるアイソレータを提供する。 【構成】 電気的絶縁状態で交差するよう配置された複
数の中心導体13aの該交差部にフェライト12a,1
2bを当接させるとともに、該フェライト12a,12
bに永久磁石3により直流磁界を印加してアイソレータ
1を構成する。この場合に、上記フェライト12a,1
2bの飽和磁化を1780±30Gauss に設定し、これにより
該素子1の使用周波数を380MHz帯にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非可逆回路素子、例え
ばアイソレータ,サーキュレータに関し、特に帯域幅を
狭くすることなく使用周波数(共振周波数)を低くでき
るようにした構造に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、800 〜900MHz帯で使用される自
動車電話,携帯電話等の移動通信機器の送信回路部に
は、アイソレータ,サーキュレータが採用されている。
このような自動車電話,携帯電話に使用されるアイソレ
ータの一例として、例えば、図5に示す構造ものがあ
る。このアイソレータ20は、入,出力端子21a,2
1b及びアース用金属板22がインサート形成された樹
脂ブロック23の底部に永久磁石24を挿入し、該樹脂
ブロック23を磁性体金属ケース24上に配設するとと
もに、該ケース24に金属キャップ25を装着して構成
されている。上記樹脂ブロック23の上部には複数の中
心電極26aがパターン形成された電極基板26が配設
されており、該基板26には整合回路用コンデンサ電極
が形成された基板27,及びアースプレート28が配設
されている。また上記樹脂ブロック23には反射波を吸
収する無反射終端抵抗器30が接続されている。そして
上記電極基板26の中心電極26aの交差部分には一対
のフェライト29が当接しており、該フェライト29に
上記永久磁石29により直流磁界を印加するよう構成さ
れている。上記アイソレータ20は、図3,図4の等価
回路に示すように、入力端子21aからの信号を出力端
子21bへ伝送し、該出力端子21bからの反射波を抵
抗器30で吸収して入力端子21aへの伝送を防止する
機能を有している。ここで上記自動車電話等に採用され
るアイソレータの共振周波数は800 〜900MHz帯であり、
この共振周波数を変える場合、従来、上記各中心電極の
容量C成分を調整することにより所望の共振周波数を得
るようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、近距
離で使用されるコードレス電話の需要が急速に延びてい
る。このコードレス電話用アイソレータの共振周波数は
380MHz帯であることから、上記従来の自動車電話用アイ
ソレータをコードレス電話用とするにはこれの共振周波
数を大幅に低くする必要があり、そのためには中心電極
の容量C成分をかなり大きくしなければならないという
問題がある。しかも容量C成分のみを大きくすると、電
気的特性の帯域幅が狭くなるという問題もある。
【0004】本発明の目的は、帯域幅を狭くすることな
く共振周波数を低くできる非可逆回路素子を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、共振周波
数を低くするにはC成分だけでなく、中心電極のL成分
を大きくすることにより可能である点に着目した。そし
て、このL成分を大きくするには、フェライトの飽和磁
化を共振周波数に対応した値に設定することにより実現
でき、しかもC成分のみを大きくした場合の特性の狭帯
域化を防止できることに想到し、本発明を成したもので
ある。
【0006】そこで本発明は、複数の中心電極の交差部
にフェライトを当接させるとともに、該フェライトに直
流磁界を印加するようにした非可逆回路素子において、
上記フェライトの飽和磁化を1780±30Gauss に設定した
ことを特徴としている。ここで、本発明には、中心電極
のL成分のみを大きくすることにより共振周波数を低く
する場合、及びこのL成分とともにC成分も大きくする
ことによって使用周波数を低くする場合の両方が含まれ
る。
【0007】
【作用】本発明に係る非可逆回路素子によれば、フェラ
イトの飽和磁化を1780±30Gauss としたので使用周波数
を380MHz帯に低くでき、コードレス電話用アイソレータ
として採用することができる。また、中心電極のL成分
を大きくしたので、C成分のみを大きくした場合の電気
的特性の悪化を回避できる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図1ないし図3は本発明の一実施例による非可逆回
路素子を説明するための図である。本発明は、コードレ
ス電話用アイソレータに適用した場合を例にとって説明
する。図において、1は本実施例のアイソレータであ
り、これは磁性体金属ケース2の底面上に永久磁石3を
配置し、該永久磁石3の上部に樹脂ブロック4を配設す
るとともに、上記ケース2にキャップ5を装着して構成
されている。上記樹脂ブロック4にはアース用金属板
6,及び入,出力端子7,7がインサート形成されてお
り、該各入,出力端子7はケース2から外方に突出して
いる。また上記樹脂ブロック4には無反射終端抵抗器8
が装着されており、該抵抗器8の一方の電極は樹脂ブロ
ック2にインサート形成されたアース部9aを介してケ
ース2に接続されており、他方の電極は接続部9bを介
して上記樹脂ブロック2の上面に導出されている。
【0009】また、上記樹脂ブロック4の上面にはスペ
ーサ10を介してコンデンサ基板11が配設されてお
り、該コンデンサ基板11には3つのコンデンサ電極が
形成されている。さらに上記スペーサ10,及びコンデ
ンサ基板11の中央孔10a,11a内には下部フェラ
イト12aが挿入されており、該フェライト12aの下
面は上記アース用金属板6に当接している。
【0010】上記樹脂ブロック2のコンデンサ基板11
の上面には電極基板13が配設されており、この電極基
板13の上面にはアースプレート14を介して押圧板1
5が配設されている。上記電極基板13にはコンデンサ
電極部と中心電極部とを有する3対の中心電極13aが
パターン形成されており、この各中心電極13aはそれ
ぞれ電気的に絶縁状態で、かつ120 度間隔ごとに交差す
るよう形成されている。上記2つのコンデンサ電極部は
上記入,出力端子7にそれぞれ接続されており、残りの
コンデンサ電極部は上記接続部9bを介して抵抗器8に
接続されている。また上記各中心電極部の一端部は上記
各コンデンサ電極に接続されており、他端部は基板13
のアースパターンにつながっている。なお、このアース
パターンとアースプレート14との接続は直接半田付け
して行っている。また、上記アースプレート14の中央
孔14a内には上部フェライト12bが挿入されてお
り、該フェライト12bの上面は上記押圧板15に当接
している。さらに、上記上部フェライト12bの下面,
及び下部フェライト12aの上面は上記電極基板13の
各中心電極13aの交差部に当接している。
【0011】そして本実施例では、上記各コンデンサ電
極の容量C成分は24〜25pFに設定されており、これは従
来の12pFの約2倍になっている。また、上記各フェライ
ト12a,12bの飽和磁化(4πMs)は1780±30Gaus
s に設定されており、これは従来の908 ±36Gauss の略
2倍になっている。これにより上記アイソレータ1の使
用周波数,つまり共振周波数f0 は380MHz帯となってい
る。なお、上記飽和磁化の理論最大値は1800Gauss であ
る。
【0012】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例のアイソレータ1は、信号の逆流を阻止す
る機能を有しており、近距離通話用のコードレス電話に
採用される。本実施例によれば、フェライト12a,1
2bの飽和磁化を1780±30Gauss に設定することにより
各中心電極13aのインダクタンスを含むL成分を大き
くするとともに、各コンデンサ電極の容量C成分を24〜
25pFと大きくしたので、共振周波数の帯域幅を狭くする
ことなく上記アイソレータ1の使用周波数を380MHzに低
くすることができる。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明に係る非可逆回路素
子によれば、フェライトの飽和磁化を1780±30Gauss に
設定することにより該素子の共振周波数を380MHz帯に低
くしたので、電気的特性の帯域幅を狭くすることなく共
振周波数を低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例によるアイソレータを説明す
るための分解斜視図である。
【図2】上記実施例のアイソレータの樹脂ブロックを示
す斜視図である。
【図3】上記実施例の中心電極部分の断面側面図であ
る。
【図4】一般的なアイソレータの等価回路図である。
【図5】上記図3のアイソレータの1ポートの等価回路
図である。
【図6】従来の800 〜900MHz帯用のアイソレータを示す
分解斜視図である。
【符号の説明】
1 アイソレータ(非可逆回路素子) 3 永久磁石(直流磁界) 12a,12b フェライト 13a 中心電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年11月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0002
【補正方法】変更
【補正内容】
【0002】
【従来の技術】一般に、800 〜900MHz帯で使用される自
動車電話,携帯電話等の移動通信機器の送信回路部に
は、アイソレータ,サーキュレータが採用されている。
このような自動車電話,携帯電話に使用されるアイソレ
ータの一例として、例えば、図6に示す構造ものがあ
る。このアイソレータ20は、入,出力端子21a,2
1b及びアース用金属板22がインサート形成された樹
脂ブロック23の底部に永久磁石24を挿入し、該樹脂
ブロック23を磁性体金属ケース24上に配設するとと
もに、該ケース31に金属キャップ25を装着して構成
されている。上記樹脂ブロック23の上部には複数の中
心電極26aがパターン形成された電極基板26が配設
されており、該基板26には整合回路用コンデンサ電極
が形成された基板27,及びアースプレート28が配設
されている。また上記樹脂ブロック23には反射波を吸
収する無反射終端抵抗器30が接続されている。そして
上記電極基板26の中心電極26aの交差部分には一対
のフェライト29が当接しており、該フェライト29に
上記永久磁石24により直流磁界を印加するよう構成さ
れている。上記アイソレータ20は、図3,図4の等価
回路に示すように、入力端子21aからの信号を出力端
子21bへ伝送し、該出力端子21bからの反射波を抵
抗器30で吸収して入力端子21aへの伝送を防止する
機能を有している。ここで上記自動車電話等に採用され
るアイソレータの共振周波数は800 〜900MHz帯であり、
この共振周波数を変える場合、従来、上記各中心電極の
容量C成分を調整することにより所望の共振周波数を得
るようにしている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図1ないし図3は本発明の一実施例による非可逆回
路素子を説明するための図である。本発明は、コードレ
ス電話用アイソレータに適用した場合を例にとって説明
する。図において、1は本実施例のアイソレータであ
り、これは磁性体金属ケース2の底面上に永久磁石3を
配置し、該永久磁石3の上部に樹脂ブロック4を配設す
るとともに、上記ケース2にキャップ5を装着して構成
されている。上記樹脂ブロック4にはアース用金属板
6,及び入,出力端子7a,7bがインサート形成され
ており、該各入,出力端子7はケース2から外方に突出
している。また上記樹脂ブロック4には無反射終端抵抗
器8が装着されており、該抵抗器8の一方の電極は樹脂
ブロック2にインサート形成されたアース部9aを介し
てケース2に接続されており、他方の電極は接続部9b
を介して上記樹脂ブロック2の上面に導出されている。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】そして本実施例では、上記各コンデンサ電
極の容量C成分は24〜25pFに設定されており、これは従
来の12pFの約2倍になっている。また、上記各フェライ
ト12a,12bの飽和磁化(4πMs)は1780±30Gaus
s に設定されており、これは従来の908 ±36Gauss の
2倍になっている。これにより上記アイソレータ1の使
用周波数,つまり共振周波数f0 は380MHz帯となってい
る。なお、上記飽和磁化の理論最大値は1800Gauss であ
る。
【手続補正5】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図1
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
【手続補正7】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図6
【補正方法】変更
【補正内容】
【図6】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年8月2日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非可逆回路素子、例え
ばアイソレータ,サーキュレータに関し、特に帯域幅を
狭くすることなく使用周波数(共振周波数)を低くでき
るようにした構造に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、800〜900MHz帯で使用
される自動車電話,携帯電話等の移動通信機器の送信回
路部には、アイソレータ,サーキュレータが採用されて
いる。このような自動車電話,携帯電話に使用されるア
イソレータの一例として、例えば、図6に示す構造もの
がある。このアイソレータ20は、入,出力端子21
a,21b及びアース用金属板22がインサート形成さ
れた樹脂ブロック23の底部に永久磁石24を挿入し、
該樹脂ブロック23を磁性体金属ケース24上に配設す
るとともに、該ケース31に金属キャップ25を装着し
て構成されている。上記樹脂ブロック23の上部には複
数の中心電極26aがパターン形成された電極基板26
が配設されており、該基板26には整合回路用コンデン
サ電極が形成された基板27,及びアースプレート28
が配設されている。また上記樹脂ブロック23には反射
波を吸収する無反射終端抵抗器30が接続されている。
そして上記電極基板26の中心電極26aの交差部分に
は一対のフェライト29が当接しており、該フェライト
29に上記永久磁石24により直流磁界を印加するよう
構成されている。上記アイソレータ20は、図3,図4
の等価回路に示すように、入力端子21aからの信号を
出力端子21bへ伝送し、該出力端子21bからの反射
波を抵抗器30で吸収して入力端子21aへの伝送を防
止する機能を有している。 ここで上記自動車電話等に
採用されるアイソレータの共振周波数は800〜900
MHz帯であり、この共振周波数を変える場合、従来、
上記各中心電極の容量C成分を調整することにより所望
の共振周波数を得るようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、近距
離で使用されるコードレス電話の需要が急速に延びてい
る。このコードレス電話用アイソレータの共振周波数は
380MHz帯であることから、上記従来の自動車電話
用アイソレータをコードレス電話用とするにはこれの共
振周波数を大幅に低くする必要があり、そのためには中
心電極の容量C成分をかなり大きくしなければならない
という問題がある。しかも容量C成分のみを大きくする
と、電気的特性の帯域幅が狭くなるという問題もある。
【0004】本発明の目的は、帯域幅を狭くすることな
く共振周波数を低くできる非可逆回路素子を提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、共振周波
数を低くするにはC成分だけでなく、中心電極のL成分
を大きくすることにより可能である点に着目した。そし
て、このL成分を大きくするには、フェライトの飽和磁
化を共振周波数に対応した値に設定することにより実現
でき、しかもC成分のみを大きくした場合の特性の狭帯
域化を防止できることに想到し、本発明を成したもので
ある。
【0006】そこで本発明は、複数の中心電極の交差部
にフェライトを当接させるとともに、該フェライトに直
流磁界を印加するようにした非可逆回路素子において、
上記フェライトの飽和磁化を1780±30Gauss
に設定したことを特徴としている。ここで、本発明に
は、中心電極のL成分のみを大きくすることにより共振
周波数を低くする場合、及びこのL成分とともにC成分
も大きくすることによって使用周波数を低くする場合の
両方が含まれる。
【0007】
【作用】本発明に係る非可逆回路素子によれば、フェラ
イトの飽和磁化を1780±30Gaussとしたので
使用周波数を380MHz帯に低くでき、コードレス電
話用アイソレータとして採用することができる。また、
中心電極のL成分を大きくしたので、C成分のみを大き
くした場合の電気的特性の悪化を回避できる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図1ないし図3は本発明の一実施例による非可逆回
路素子を説明するための図である。本発明は、コードレ
ス電話用アイソレータに適用した場合を例にとって説明
する。図において、1は本実施例のアイソレータであ
り、これは磁性体金属ケース2の底面上に永久磁石3を
配置し、該永久磁石3の上部に樹脂ブロック4を配設す
るとともに、上記ケース2にキャップ5を装着して構成
されている。上記樹脂ブロック4にはアース用金属板
6,及び入,出力端子7a,7bがインサート形成され
ており、該各入,出力端子7はケース2から外方に突出
している。また上記樹脂ブロック4には無反射終端抵抗
器8が装着されており、該抵抗器8の一方の電極は樹脂
ブロック2にインサート形成されたアース部9aを介し
てケース2に接続されており、他方の電極は接続部9b
を介して上記樹脂ブロック2の上面に導出されている。
【0009】また、上記樹脂ブロック4の上面にはスペ
ーサ10を介してコンデンサ基板11が配設されてお
り、該コンデンサ基板11には3つのコンデンサ電極が
形成されている。さらに上記スペーサ10,及びコンデ
ンサ基板11の中央孔10a,11a内には下部フェラ
イト12aが挿入されており、該フェライト12aの下
面は上記アース用金属板6に当接している。
【0010】上記樹脂ブロック2のコンデンサ基板11
の上面には電極基板13が配設されており、この電極基
板13の上面にはアースプレート14を介して押圧板1
5が配設されている。上記電極基板13にはコンデンサ
電極部と中心電極部とを有する3対の中心電極13aが
パターン形成されており、この各中心電極13aはそれ
ぞれ電気的に絶縁状態で、かつ120度間隔ごとに交差
するよう形成されている。上記2つのコンデンサ電極部
は上記入,出力端子7にそれぞれ接続されており、残り
のコンデンサ電極部は上記接続部9bを介して抵抗器8
に接続されている。また上記各中心電極部の一端部は上
記各コンデンサ電極に接続されており、他端部は基板1
3のアースパターンにつながっている。なお、このアー
スパターンとアースプレート14との接続は直接半田付
けして行っている。また、上記アースプレート14の中
央孔14a内には上部フェライト12bが挿入されてお
り、該フェライト12bの上面は上記押圧板15に当接
している。さらに、上記上部フェライト12bの下面,
及び下部フェライト12aの上面は上記電極基板13の
各中心電極13aの交差部に当接している。
【0011】そして本実施例では、上記各コンデンサ電
極の容量C成分は24〜25pFに設定されており、こ
れは従来の12pFの約2倍になっている。また、上記
各フェライト12a,12bの鉋和磁化(4πMs)は
1780±30Gaussに設定されており、これは従
来の908±36Gaussの2倍になっている。こ
れにより上記アイソレータ1の使用周波数,つまり共振
周波数f。は380MHz帯となっている。なお、上記
鉋和磁化の理論最大値は1800Gaussである。
【0012】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例のアイソレータ1は、信号の逆流を阻止す
る機能を有しており、近距離通話用のコードレス電話に
採用される。本実施例によれば、フェライト12a,1
2bの飽和磁化を1780±30Gaussに設定する
ことにより各中心電極13aのインダクタンスを含むL
成分を大きくするとともに、各コンデンサ電極の容量C
成分を24〜25pFと大きくしたので、共振周波数の
帯域幅を狭くすることなく上記アイソレータ1の使用周
波数を380MHzに低くすることができる。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明に係る非可逆回路素
子によれば、フェライトの飽和磁化を1780±30G
aussに設定することにより該素子の共振周波数を3
80MHz帯に低くしたので、電気的特性の帯域幅を狭
くすることなく共振周波数を低くすることができる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年5月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電気的絶縁状態で交差するよう配置され
    た複数の中心電極の該交差部にフェライトを当接させる
    とともに、該フェライトに直流磁界を印加するようにし
    た非可逆回路素子において、上記フェライトの飽和磁化
    を1780±30Gauss に設定したことを特徴とする非可逆回
    路素子。
JP21796991A 1991-08-02 1991-08-02 非可逆回路素子 Withdrawn JPH06343004A (ja)

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JP21796991A JPH06343004A (ja) 1991-08-02 1991-08-02 非可逆回路素子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100270070B1 (ko) * 1997-06-17 2000-10-16 이형도 비가역 소자 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100270070B1 (ko) * 1997-06-17 2000-10-16 이형도 비가역 소자 및 그 제조방법

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