JPH063423U - 半導体製造装置の空気清浄装置 - Google Patents

半導体製造装置の空気清浄装置

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Publication number
JPH063423U
JPH063423U JP4954492U JP4954492U JPH063423U JP H063423 U JPH063423 U JP H063423U JP 4954492 U JP4954492 U JP 4954492U JP 4954492 U JP4954492 U JP 4954492U JP H063423 U JPH063423 U JP H063423U
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JP
Japan
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filter
semiconductor manufacturing
air
air cleaning
equipment
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Pending
Application number
JP4954492U
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English (en)
Inventor
誠治 渡辺
秀樹 小池
哲夫 山本
英二 保坂
増雄 鈴木
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Publication date
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  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体製造装置に吸引される空気を、塵埃のみ
ならず燐或は弗化水素、塩化水素等の汚染物質を除去し
て空気を高度に浄化する。 【構成】微粒子除去用フィルタ15の上流側にケミカル
フィルタ17を配設し、ケミカルフィルタより大きな塵
埃を除去すると共に燐或は弗化水素、塩化水素を吸着
し、微粒子除去用フィルタにより微細な塵埃を除去す
る。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、高清浄度が要求される半導体製造装置に於ける空気清浄装置に関す るものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置に於いては極めて高度な清浄度が要求され、この清浄度が製品 品質、製品の歩留まりに大きく影響する。
【0003】 従来の半導体製造装置の空気清浄装置について図2〜図4により説明する。
【0004】 図2、図3は縦型拡散/CVD装置の概略を示しており、図中1は半導体製造 装置の筐体、2は熱処理炉、3はウェーハ4を多段に保持するボート、5は該ボ ート3を該熱処理炉2に装入、引出す為のボートエレベータ、6はウェーハカセ ット7を所要列、所要段に格納するカセットストッカであり、8は該カセットス トッカ6と前記ボート3との間でウェーハ4を移載するウェーハ移載機、9は前 記筐体1の正面に設けられ、ウェーハカセット7を半導体製造装置に供給、排出 する為のカセット授受部であり、本半導体製造装置では空気清浄装置10,11 は前記筐体1の側面部と天井部に設けられ、前記筐体1の背面には排気用のファ ン12が設けられている。
【0005】 ここで、空気の流れについて略述すると、側面部の空気清浄装置10より吸引 された空気は濾過清浄され、ボート3の周囲を流れて前記ファン12より排気さ れ、又天井部より吸引された空気は空気清浄装置11により濾過清浄されて、前 記カセットストッカ6の上方から下方に向かって降流し、筐体1の床面に沿って 流れて前記ファン12より排気される。
【0006】 斯かる空気の流れにパーティクルが混在し、前記ウェーハ4に付着した場合は 、製品品質、歩留まりに大きく影響する。従って、前記空気清浄装置10,11 は空気の吸入時にパーティクル等、ウェーハ処理に悪影響を及ぼすものを除去し ている。
【0007】 従来の空気清浄装置の概念図を図4に於いて示す。
【0008】 筐体1の外方から順次プレフィルタ13、ファン14、微粒子除去用フィルタ 15、フィン16が配設されて空気清浄装置が構成されている。
【0009】 前記ファン14によって筐体1の外方から空気が吸引され、吸引された空気は 前記プレフィルタ13、微粒子除去用フィルタ15を通り、前記フィン16で方 向付けされて筐体1内部を流れる。前記プレフィルタ13、微粒子除去用フィル タ15を通過する過程で、先ずプレフィルタ13で大きな塵埃が除去され、更に 微粒子除去用フィルタ15で微細な塵埃が除去されて清浄化される。
【0010】
【考案が解決しようとする課題】
ところが、上述した空気清浄装置では、プレフィルタに使用されていてる素材 (ポリアミド樹脂)をハロゲン化有機燐エステルを使用し難燃性処理しており、 空気清浄の過程でハロゲン化有機燐エステルの燐が空気にのってウェーハを汚染 してしまうという問題があり、又吸引する空気に弗化水素、塩化水素が含まれて いる場合も、前記従来の空気清浄装置では除去することができず、弗化水素、塩 化水素によってウェーハが汚染されるという不具合があった。
【0011】 本考案は斯かる実情に鑑み、燐或は弗化水素、塩化水素の除去も可能にした空 気清浄装置に関するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本考案は、微粒子除去用フィルタの上流側にケミカルフィルタを配設したこと を特徴とするものである。
【0013】
【作用】
ケミカルフィルタより大きな塵埃を除去すると共に燐或は弗化水素、塩化水素 を吸着し、更に微粒子除去用フィルタにより微細な塵埃を除去して空気を浄化す る。
【0014】
【実施例】
以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
【0015】 図1は本実施例の概念図を示しており、図中、図4中で示したものと同一のも のには同符号を付し、その説明を省略する。
【0016】 筐体1の外方から順次、ファン14、ケミカルフィルタ17、微粒子除去用フ ィルタ15、フィン16を配設する。
【0017】 前記ケミカルフィルタ17は格子状、或はハニカム状の枠体に活性炭等の吸着 材を充填したものであり、該吸着材によって燐或は弗化水素、塩化水素を吸着可 能にする。
【0018】 尚、上記概念図ではケミカルフィルタ17と微粒子除去用フィルタ15を分離 して配設しているが、該ケミカルフィルタ17と微粒子除去用フィルタ15を一 体構造にしてもよい。
【0019】 而して、前記ファン14によって筐体1の外方から空気が吸引され、吸引され た空気はケミカルフィルタ17を通り、該ケミカルフィルタ17で大きな塵埃が 除去され、又燐或は弗化水素、塩化水素が吸着除去され、更に空気は前記微粒子 除去用フィルタ15を通り、該微粒子除去用フィルタ15で微細な塵埃が除去さ れて清浄化され、前記フィン16で方向付けされて筐体1内部を流れる。筐体1 内を流通した空気は前記ファン12より排気される。
【0020】 尚、上記実施例ではケミカルフィルタ17により大きな塵埃を除去したが、プ レフィルタ13をファン14の上流に更に設けて大きな塵埃を除去する様にして もよい。
【0021】
【考案の効果】
以上述べた如く本考案によれば、微細な塵埃のみでなく空気中の燐或は弗化水 素、塩化水素等のウェーハ汚染原因をも除去することが可能であり、ウェーハの 品質、歩留りの向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例を示す概念図である。
【図2】縦型拡散・CVD装置の正面方向からの斜視図
である。
【図3】縦型拡散・CVD装置の背面方向からの斜視図
である。
【図4】従来例の斜視図である。
【符号の説明】
13 プレフィルタ 14 ファン 15 微粒子除去用フィルタ 16 フィン 17 ケミカルフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 保坂 英二 東京都港区虎ノ門二丁目3番13号 国際電 気株式会社内 (72)考案者 鈴木 増雄 東京都港区虎ノ門二丁目3番13号 国際電 気株式会社内

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 微粒子除去用フィルタの上流側にケミカ
    ルフィルタを配設したことを特徴とする半導体製造装置
    の空気清浄装置。
JP4954492U 1992-06-22 1992-06-22 半導体製造装置の空気清浄装置 Pending JPH063423U (ja)

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JP4954492U JPH063423U (ja) 1992-06-22 1992-06-22 半導体製造装置の空気清浄装置

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JPH063423U true JPH063423U (ja) 1994-01-18

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