JPH0633959U

JPH0633959U - ガスエッチング装置

Info

Publication number: JPH0633959U
Application number: JP6774592U
Authority: JP
Inventors: 大五郎大久保
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1992-09-29
Filing date: 1992-09-29
Publication date: 1994-05-06

Abstract

(57)【要約】【目的】容器内の気密性を著しく高くする。【構成】容器内にフッ化塩素ガスを導入してガスエッチ
ングを行うガスエッチング装置において、上記容器を構
成する各部材の間のシール部もしくは摺擦部にフッ素元
素を有するグリースまたはオイルを塗布したことを特徴
とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はフッ化塩素ガスをプラズマ分解してエッチングするガスエッチング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

近時、半導体の技術分野においては、洗浄等の目的でガスエッチングが行われ、そのためのエッチング用ガスの開発も盛んに行われている。例えば、アモルファスシリコン膜においては、その成膜用原料であるシランガスの分解に伴って放電用電極板やその他の反応炉内部が粉体等により汚染され、この粉体は同じグロー放電分解装置を用いて次のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）膜を形成しようとすると成膜中に取り込まれて成膜欠陥を引き起こし、その欠陥部で特性劣化が生じるが、この問題点を解決するために、ａ−Ｓｉ膜を形成したグロー放電分解装置の反応炉内部へ、例えばＣｌＦ₃、ＣｌＦ、ＣｌＦ₅等のフッ化塩素ガスを導入して上記粉体をガス化して除去したり、或いは必要に応じてプラズマを発生させ、これに伴うエッチングにより上記粉体をガス化して除去することもある。

【０００３】このようなフッ化塩素ガスを用いた場合には上記のようなガスエッチング洗浄を行うことができるが、その反面、そのエッチングガスが強い分解性をもっているので、そのグロー放電分解装置の反応炉を構成する各部材のシール部を腐食させるという問題点があり、この問題点を解決するために耐酸化作用の強いフッ素系合成ゴムのシール部を用いることが提案されている。

【０００４】

【考案が解決しようとする問題点】

しかしながら、上記提案のフッ素系合成ゴムのシール部を用いても長時間のガスエッチングによりシール性が徐々に低下することが判った。

【０００５】

【問題点を解決するための手段】

本考案は、容器内にフッ化塩素ガスを導入してガスエッチングを行うガスエッチング装置において、上記容器を構成する各部材間のシール部もしくは摺擦部にフッ素元素を有するグリースまたはオイルを塗布したことを特徴とする。

【０００６】

【作用】

上記構成のガスエッチング装置によれば、シール部もしくは摺擦部に塗布して気密性を維持するグリースまたはオイルに、フッ素元素を有する材料から成るものを用いたので、そのグリースまたはオイルがフッ化塩素ガスと反応してガス化せず、その劣化もなく、これにより、上記容器内の気密性が著しく高くなった。

【０００７】

【実施例】

以下、本考案をａ−Ｓｉ感光体ドラムを作製するグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。

【０００８】図１はグロー放電分解装置であり、同図中、１は円筒形状の金属製反応炉、２は感光体ドラム装着用の円筒形状の導電性基板支持体、３は基板加熱用ヒーター、４はａ−Ｓｉの成膜に用いられる円筒形状のグロー放電用電極板であり、この電極板４にはガス噴出口５は形成されており、そして、６は反応炉内部へガスを導入するためのガス導入口、７はグロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するためのガス排出口であり、８は基板支持体２とグロー放電用電極板４の間でグロー放電を発生させる高周波電源、９は排気用ポンプである。また、この反応炉１は円筒体１ａと、蓋体１ｂと、底体１ｃとからなり、そして、円筒体１ａと蓋体１ｂとの間、並びに円筒体１ａと底体１ｃとの間にはそれぞれ絶縁性のリング１ｄを設けており、これによって高周波電源８の一方の端子は円筒体１ａを介してグロー放電用電極板４と導通しており、他方の端子は底体１ｃを介して基板支持体２と導通している。また、１１は回転導入端子であり、この回転導入端子１１に回転シール部１２を介して回転軸１３が挿入されており、この回転軸１３は蓋体１ｂを通して蓋体１ｂと接続されている。

【０００９】また、上記構成のグロー放電分解装置においては、図中、Ａ〜Ｄに示すシール部もしくは摺擦部の箇所に気密性を維持する後述のグリースまたはオイルを塗布する。これらのグリースまたはオイルは、フッ素元素を有する材料から成るものを用いる。Ａは回転シール部１２、Ｂ、Ｃはそれぞれ絶縁性のリング１ｄの配設付近であり、また、Ｄはガス排出口７と排気用ポンプ９との接続付近である。

【００１０】上記グロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ感光体ドラムを作製する場合には、ａ−Ｓｉ成膜用のドラム状基板１０を基板支持体２に装着し、回転軸１３の回転に伴って基板支持体２とドラム状基板１０とを一体的に回転させ、また、ａ−Ｓｉ生成用ガスをガス導入口６より反応炉内部へ導入し、このガスをガス噴出口５を介して基板面へ噴出し、更にヒーター３によって基板を所要の温度に設定するとともに基板支持体２と電極板４の間でグロー放電を発生させ、これにより、基板１０の周面に約４０μｍの厚みのａ−Ｓｉ膜が成膜できる。

【００１１】上記のようにａ−Ｓｉ感光体ドラムを制作した場合、電極板４や反応炉内部には汚染物質が付着していた。そこで、基板１０と概ね同形状のアルミニウム金属からなる導電性ダミー基板を基板支持体２に装着し、次いでＣｌＦ₃ガスをガス導入口６より反応炉内部へ導入し、ガス噴出口５を介してダミー基板へ向けて噴出し、そのガスを反応炉内部に充満させ、これによってエッチングが行われて前記汚染物質がガス化する。本例においては、下記の条件ＡとＢによりエッチングした。これらの条件については、先ずＡにより特にシリコン系の汚染物質を除去し、次いでＢにより特にカーボンを含むシリコン系の汚染物質を除去した。各条件は、いずれも順次ＣｌＦ₃ガスの流量、その流量時間、温度、またガス圧を表し、Ａでは電力を印加しないが、Ｂでは４００ｗで電力印加した。

【００１２】Ａ・・・１ＳＬＭ５時間室温１０ＴｏｒｒＢ・・・５０ｓｃｃｍ１時間室温４００ｗ０．０２Ｔｏｒｒ本例においては、化１で示すＮＯＫ社製のフッ素系グリース「商品名：バリエルタ」を用いた。

【００１３】

【化１】

【００１４】更に他の例としてダイキン社製の直鎖状パーフルオロポリエーテル油をベースとするフッ素系グリース「商品名：デムナムＬ−２００」を用いた。

【００１５】これらの２種のフッ素系グリースを塗布した場合には、上術のａ−Ｓｉ膜の成膜並びにガスエッチングを３０回繰り返しした場合でも、真空の反応炉１に対して、１０ｍＴｏｒｒ／５分のリーク量を維持していた。

【００１６】然るに化２で示す東レダウコーニング社製のシリコン系グリース「商品名：ＨＩＧＨＶＡＣＵＵＭＧＲＥＳＥ」を用いたところ、上術のａ−Ｓｉ膜の成膜並びにガスエッチングを６回繰り返しすると、２０ｍＴｏｒｒ／５分のリーク量を維持することができなかった。

【００１７】

【化２】

【００１８】かくして本考案のガスエッチング装置（グロー放電分解装置）によれば、フッ素系グリースを塗布しているので、それ自体腐食せず、高い気密性を長時間にわたって維持することができた。これに対して、従来のガスエッチング装置（グロー放電分解装置）では、シリコン系グリースを用いており、これはＳｉとＯとを主鎖としてメチル基を有するポリマーであり、ＣｌＦ₃と接触すると化学反応してＳｉＦ₄、ＣＦ₄、ＨＦを生じ、徐々に腐食が進行する。

【００１９】

【考案の効果】

以上の通り、本考案は容器を構成する各部材の間のシール部もしくは摺擦部にフッ素元素を有するグリースまたはオイルを塗布したことにより、これらがフッ化塩素ガスと反応してガス化せず、その劣化もなく、これにより、上記容器内の気密性が著しく高くなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例におけるグロー放電分解装置の概略図で
ある。

【符号の説明】

１金属製反応炉１ａ円筒体１ｂ蓋体１ｄリング３基板加熱用ヒーター４グロー放電用電極板８高周波電源

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】容器内にフッ化塩素ガスを導入してガス
エッチングを行うガスエッチング装置において、上記容
器を構成する各部材間のシール部もしくは摺擦部にフッ
素元素を有するグリースまたはオイルを塗布したことを
特徴とするガスエッチング装置。