JPH06338737A - Ｅ級増幅回路 - Google Patents
Ｅ級増幅回路Info
- Publication number
- JPH06338737A JPH06338737A JP5124465A JP12446593A JPH06338737A JP H06338737 A JPH06338737 A JP H06338737A JP 5124465 A JP5124465 A JP 5124465A JP 12446593 A JP12446593 A JP 12446593A JP H06338737 A JPH06338737 A JP H06338737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching element
- circuit
- inductor
- power supply
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所望の共振特性が得られ、かつ、回路効率が
高い増幅回路を提供すること。 【構成】 高周波電源３の出力端間に接続される高周波
電力供給用コイル２と、この高周波電力供給用コイル２
の近接に配置され球状のガラスバルブ内に不活性ガス、
金属蒸気などの放電ガスを封入した無電極放電灯１と、
前記高周波電源３と前記高周波電力供給用コイル２との
間に接続されインピーダンス整合を取り反射を少なくす
るインピ−ダンス整合回路部４とを備えて構成されてい
る。高周波電源３は、発振回路３１とＣ級増幅回路のプ
リアンプ３２とＥ級増幅回路のメインアンプ３３ととか
ら構成されている。
高い増幅回路を提供すること。 【構成】 高周波電源３の出力端間に接続される高周波
電力供給用コイル２と、この高周波電力供給用コイル２
の近接に配置され球状のガラスバルブ内に不活性ガス、
金属蒸気などの放電ガスを封入した無電極放電灯１と、
前記高周波電源３と前記高周波電力供給用コイル２との
間に接続されインピーダンス整合を取り反射を少なくす
るインピ−ダンス整合回路部４とを備えて構成されてい
る。高周波電源３は、発振回路３１とＣ級増幅回路のプ
リアンプ３２とＥ級増幅回路のメインアンプ３３ととか
ら構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｅ級増幅回路に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に示すものは、Ｅ級増幅回路の基本
構成である。第１のインダクタＲＦＣとスイッチング素
子Ｑ１との直列回路が直流電源ＶDCの両端に接続され、
第１のコンデンサＣ１が前記スイッチング素子Ｑ１に並
列接続され、第２のインダクタＬ0 と第２のコンデンサ
Ｃ0 との直列共振回路を介して前記スイッチング素子Ｑ
１の両端に負荷回路ＲL が接続されている。そして、ス
イッチング素子Ｑ１のオンオフ動作により、高周波電圧
が発生し、高周波電力が負荷回路ＲL に供給される。
構成である。第１のインダクタＲＦＣとスイッチング素
子Ｑ１との直列回路が直流電源ＶDCの両端に接続され、
第１のコンデンサＣ１が前記スイッチング素子Ｑ１に並
列接続され、第２のインダクタＬ0 と第２のコンデンサ
Ｃ0 との直列共振回路を介して前記スイッチング素子Ｑ
１の両端に負荷回路ＲL が接続されている。そして、ス
イッチング素子Ｑ１のオンオフ動作により、高周波電圧
が発生し、高周波電力が負荷回路ＲL に供給される。
【０００３】第１のインダクタＲＦＣは、直流電源ＶDC
からの入力電流を略一定化できる程度に大きく設定され
ている。直列共振回路Ｌ0,Ｃ0 は、動作周波数付近に共
振点を有するように設定されており、理想的には、動作
周波数付近でインピ−ダンスは零、その他の周波数に対
してインピ−ダンスは無限大になる。
からの入力電流を略一定化できる程度に大きく設定され
ている。直列共振回路Ｌ0,Ｃ0 は、動作周波数付近に共
振点を有するように設定されており、理想的には、動作
周波数付近でインピ−ダンスは零、その他の周波数に対
してインピ−ダンスは無限大になる。
【０００４】図４に示すものは、スイッチング素子Ｑ１
の両端間電圧ＶDSとスイッチング素子Ｑ１に流れる電流
ＩD との波形である。このように、スイッチング素子Ｑ
１の両端間電圧ＶDSの値及び時間に対する傾きが零にな
ると、同時にスイッチング素子Ｑ１に電流ＩD が流れ始
めるので、スイッチング素子Ｑ１がオフからオン状態に
移行する場合にはスイッチング損失は殆ど零となる。従
って、このようなＥ級増幅回路を用いると高効率の増幅
回路が実現できるのである。
の両端間電圧ＶDSとスイッチング素子Ｑ１に流れる電流
ＩD との波形である。このように、スイッチング素子Ｑ
１の両端間電圧ＶDSの値及び時間に対する傾きが零にな
ると、同時にスイッチング素子Ｑ１に電流ＩD が流れ始
めるので、スイッチング素子Ｑ１がオフからオン状態に
移行する場合にはスイッチング損失は殆ど零となる。従
って、このようなＥ級増幅回路を用いると高効率の増幅
回路が実現できるのである。
【０００５】しかしながら、ＭＨｚ台の高周波電圧を取
り扱う場合（例えば、後述するように数ＭＨｚから数１
００ＭＨｚの高周波電流を流す無電極放電灯点灯装置の
ような場合）には、先の説明のように直列共振回路Ｌ0,
Ｃ0 は配線の影響を受け、理想に近い共振条件を得るこ
とがさらに困難になるという問題があった。
り扱う場合（例えば、後述するように数ＭＨｚから数１
００ＭＨｚの高周波電流を流す無電極放電灯点灯装置の
ような場合）には、先の説明のように直列共振回路Ｌ0,
Ｃ0 は配線の影響を受け、理想に近い共振条件を得るこ
とがさらに困難になるという問題があった。
【０００６】以下、簡単に配線の影響について説明す
る。一般的には、印刷配線板の上にＥ級増幅回路の回路
部品を実装し、印刷配線板の裏面に配線が銅箔で印刷さ
れ、電気的な接続がされるとＥ級増幅回路が動作するこ
とになる。従って、低周波の場合には、問題はないが高
周波になればなる程、配線が長いと特に、インダクタン
ス成分と抵抗成分との影響を強く受けるようになる。
る。一般的には、印刷配線板の上にＥ級増幅回路の回路
部品を実装し、印刷配線板の裏面に配線が銅箔で印刷さ
れ、電気的な接続がされるとＥ級増幅回路が動作するこ
とになる。従って、低周波の場合には、問題はないが高
周波になればなる程、配線が長いと特に、インダクタン
ス成分と抵抗成分との影響を強く受けるようになる。
【０００７】このような悪影響を無くすためには、配線
長を極力短くする方がよいのであるが、Ｅ級増幅回路で
は、第１のインダクタＲＦＣがフェライト等のトロイダ
ルコアに銅線を巻回して構成されたり、第２のインダク
タＬ0 が空心コイルに銅線を巻回して構成されたりして
いるため、比較的大型形状の回路素子となってしまうの
で、図５に示すように、スイッチング素子Ｑ１の同程度
の近傍に第１、２のインダクタを配設することが物理的
に困難となるのである。
長を極力短くする方がよいのであるが、Ｅ級増幅回路で
は、第１のインダクタＲＦＣがフェライト等のトロイダ
ルコアに銅線を巻回して構成されたり、第２のインダク
タＬ0 が空心コイルに銅線を巻回して構成されたりして
いるため、比較的大型形状の回路素子となってしまうの
で、図５に示すように、スイッチング素子Ｑ１の同程度
の近傍に第１、２のインダクタを配設することが物理的
に困難となるのである。
【０００８】一方、従来、無電極放電灯点灯装置等によ
く用いられていたＣ級増幅回路の場合は、Ｅ級増幅回路
と異なり、図３に示す第１のインダクタＲＦＣの位置に
共振用インダクタ、第１のコンデンサＣ１の位置に共振
用コンデンサが配設されるため、共振用インダクタが空
心コイルに銅線を巻回して比較的大型に構成されても、
共振用コンデンサは小型であり、スイッチング素子Ｑ１
の同程度の近傍に共振用インダクタと共振用コンデンサ
とを配設することが物理的に可能であり、インダクタン
ス成分と抵抗成分との影響を強く受けるようなことはな
く、解決しようとする課題もなかった。
く用いられていたＣ級増幅回路の場合は、Ｅ級増幅回路
と異なり、図３に示す第１のインダクタＲＦＣの位置に
共振用インダクタ、第１のコンデンサＣ１の位置に共振
用コンデンサが配設されるため、共振用インダクタが空
心コイルに銅線を巻回して比較的大型に構成されても、
共振用コンデンサは小型であり、スイッチング素子Ｑ１
の同程度の近傍に共振用インダクタと共振用コンデンサ
とを配設することが物理的に可能であり、インダクタン
ス成分と抵抗成分との影響を強く受けるようなことはな
く、解決しようとする課題もなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、配線に
よる共振系への悪影響が発生するという問題があった。
よる共振系への悪影響が発生するという問題があった。
【００１０】本発明の目的とするところは、所望の共振
特性が得られ、かつ、回路効率が高い増幅回路を提供す
ることにある。
特性が得られ、かつ、回路効率が高い増幅回路を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、直流電源の両
端に接続される第１のインダクタとスイッチング素子と
の直列回路と、前記スイッチング素子と並列接続される
第１のコンデンサと、直列接続される第２のインダクタ
と第２のコンデンサとの直列共振回路と、この直列共振
回路を介して前記スイッチング素子の両端に接続される
負荷回路とから成るＥ級増幅回路において、前記第２の
インダクタとスイッチング素子との間の配線抵抗を他の
要素とスイッチング素子との間の配線抵抗よりも小さく
構成している。
端に接続される第１のインダクタとスイッチング素子と
の直列回路と、前記スイッチング素子と並列接続される
第１のコンデンサと、直列接続される第２のインダクタ
と第２のコンデンサとの直列共振回路と、この直列共振
回路を介して前記スイッチング素子の両端に接続される
負荷回路とから成るＥ級増幅回路において、前記第２の
インダクタとスイッチング素子との間の配線抵抗を他の
要素とスイッチング素子との間の配線抵抗よりも小さく
構成している。
【００１２】
【作用】本発明は、第２のインダクタとスイッチング素
子との間の配線抵抗を他の要素とスイッチング素子との
間の配線抵抗よりも小さく構成しているので、配線によ
り直列共振回路に含まれるインダクタンス成分や抵抗成
分を少なくでき、所望の周波数が得られると共に共振系
のＱ値の低下が防止できるという効果がある。
子との間の配線抵抗を他の要素とスイッチング素子との
間の配線抵抗よりも小さく構成しているので、配線によ
り直列共振回路に含まれるインダクタンス成分や抵抗成
分を少なくでき、所望の周波数が得られると共に共振系
のＱ値の低下が防止できるという効果がある。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す回路構成図
である。高周波電源３の出力端間に接続される高周波電
力供給用コイル２と、この高周波電力供給用コイル２の
近接に配置され球状のガラスバルブ内に不活性ガス、金
属蒸気などの放電ガスを封入した無電極放電灯１と、前
記高周波電源３と前記高周波電力供給用コイル２との間
に接続されインピーダンス整合を取り反射を少なくする
インピ−ダンス整合回路部４とを備えて構成されてい
る。高周波電源３からの高周波電圧が無電極放電灯１の
球状の外周に沿って近接配置された高周波電力供給用コ
イル２に印加される。そして、高周波電力供給用コイル
２に数ＭＨｚから数１００ＭＨｚの高周波電流を流すこ
とにより、高周波電力供給用コイル２に高周波電磁界を
発生させ、無電極放電灯１に高周波電力を供給し、無電
極放電灯１内に高周波プラズマ電流を発生させて紫外線
もしくは可視光を発生するようになっている。
である。高周波電源３の出力端間に接続される高周波電
力供給用コイル２と、この高周波電力供給用コイル２の
近接に配置され球状のガラスバルブ内に不活性ガス、金
属蒸気などの放電ガスを封入した無電極放電灯１と、前
記高周波電源３と前記高周波電力供給用コイル２との間
に接続されインピーダンス整合を取り反射を少なくする
インピ−ダンス整合回路部４とを備えて構成されてい
る。高周波電源３からの高周波電圧が無電極放電灯１の
球状の外周に沿って近接配置された高周波電力供給用コ
イル２に印加される。そして、高周波電力供給用コイル
２に数ＭＨｚから数１００ＭＨｚの高周波電流を流すこ
とにより、高周波電力供給用コイル２に高周波電磁界を
発生させ、無電極放電灯１に高周波電力を供給し、無電
極放電灯１内に高周波プラズマ電流を発生させて紫外線
もしくは可視光を発生するようになっている。
【００１４】ここで、高周波電源３は、発振回路３１と
Ｃ級増幅回路のプリアンプ３２とＥ級増幅回路のメイン
アンプ３３ととから構成されている。発振回路３１は、
水晶振動子Ｘを用いた発振回路である。プリアンプ３２
は、コイルＬ２とコンデンサＣ２により発振周波数に同
調させ、トランジスタＱ２により発振回路３１の発振出
力をＣ級増幅するように構成されている。メインアンプ
３３は、先に説明した図３に示す回路構成と同様であ
り、パワ−ＭＯＳＦＥＴ（以下、トランジスタと称す
る）Ｑ１等により、プリアンプ３２の出力を更に高周波
電力増幅している。無電極放電灯１とは、希ガスと水銀
蒸気等を内部に封入したものであり、この無電極放電灯
１の外周には、数タ−ンの空心コイルとした高周波電力
供給用コイル２が近接して設けられており、このコイル
２には、インピ−ダンス整合回路部４から入力された高
周波電力が供給され、無電極放電灯１内の発光ガスを磁
気誘導により駆動している。インピ−ダンス整合回路４
は、コンデンサ等で構成され、メインアンプ３３の出力
と後段の無電極放電灯１及び高周波電力供給用コイル２
とのインピ−ダンス整合を行っている。なお、同一構成
には同一符号を付して重複する説明を省略する。
Ｃ級増幅回路のプリアンプ３２とＥ級増幅回路のメイン
アンプ３３ととから構成されている。発振回路３１は、
水晶振動子Ｘを用いた発振回路である。プリアンプ３２
は、コイルＬ２とコンデンサＣ２により発振周波数に同
調させ、トランジスタＱ２により発振回路３１の発振出
力をＣ級増幅するように構成されている。メインアンプ
３３は、先に説明した図３に示す回路構成と同様であ
り、パワ−ＭＯＳＦＥＴ（以下、トランジスタと称す
る）Ｑ１等により、プリアンプ３２の出力を更に高周波
電力増幅している。無電極放電灯１とは、希ガスと水銀
蒸気等を内部に封入したものであり、この無電極放電灯
１の外周には、数タ−ンの空心コイルとした高周波電力
供給用コイル２が近接して設けられており、このコイル
２には、インピ−ダンス整合回路部４から入力された高
周波電力が供給され、無電極放電灯１内の発光ガスを磁
気誘導により駆動している。インピ−ダンス整合回路４
は、コンデンサ等で構成され、メインアンプ３３の出力
と後段の無電極放電灯１及び高周波電力供給用コイル２
とのインピ−ダンス整合を行っている。なお、同一構成
には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００１５】このような構成にあっては、数ＭＨｚから
数１００ＭＨｚの高周波で動作するため、印刷配線板上
に実装する際には、極力配線長を短くできるように高密
度実装が要求される。以下、各部の実装状態を説明す
る。
数１００ＭＨｚの高周波で動作するため、印刷配線板上
に実装する際には、極力配線長を短くできるように高密
度実装が要求される。以下、各部の実装状態を説明す
る。
【００１６】まず、発振回路３１は、信号の発生だけで
あり、小信号、小電力の回路要素であり、高密度実装に
は特に困難はない。次に、プリアンプ３２は、コイルＬ
２とコンデンサＣ２により発振周波数に同調させ、トラ
ンジスタＱ２により発振回路３１の発振出力をＣ級増幅
するように構成されているので、コイルＬ２とコンデン
サＣ２とトランジスタＱ２とを近接配置する必要があ
る。この場合、空心コイルが用いられるためややコイル
Ｌ２が大型となるが、コンデンサＣ２に例えばチップコ
ンデンサ等を用いることができるので小型化できる。従
って、プリアンプ３２も高密度実装には特に困難はな
い。
あり、小信号、小電力の回路要素であり、高密度実装に
は特に困難はない。次に、プリアンプ３２は、コイルＬ
２とコンデンサＣ２により発振周波数に同調させ、トラ
ンジスタＱ２により発振回路３１の発振出力をＣ級増幅
するように構成されているので、コイルＬ２とコンデン
サＣ２とトランジスタＱ２とを近接配置する必要があ
る。この場合、空心コイルが用いられるためややコイル
Ｌ２が大型となるが、コンデンサＣ２に例えばチップコ
ンデンサ等を用いることができるので小型化できる。従
って、プリアンプ３２も高密度実装には特に困難はな
い。
【００１７】メインアンプ３３は、先に説明した図３に
示す回路構成と同様である。ここでは、比較的消費電力
が大きいため、第２のインダクタＬ0 の形状は、プリア
ンプ３２のコイルＬ２の形状より大きくなる。従って、
フェライト等のトロイダルコアに銅線を巻回して構成し
た第１のインダクタＲＦＣと、空心コイルに銅線を巻回
して構成し、プリアンプ３２のコイルＬ２の形状より大
きい第２のインダクタＬ0 とを、近接して配設すること
は極めて困難である。
示す回路構成と同様である。ここでは、比較的消費電力
が大きいため、第２のインダクタＬ0 の形状は、プリア
ンプ３２のコイルＬ２の形状より大きくなる。従って、
フェライト等のトロイダルコアに銅線を巻回して構成し
た第１のインダクタＲＦＣと、空心コイルに銅線を巻回
して構成し、プリアンプ３２のコイルＬ２の形状より大
きい第２のインダクタＬ0 とを、近接して配設すること
は極めて困難である。
【００１８】通常は、プリアンプ３２のコイルＬ２とメ
インアンプ３３の第２のインダクタＬ0 との干渉を少し
でも避けるために、スイッチング素子Ｑ１の近傍に第１
のインダクタＲＦＣを配設し、少し離れた位置に第２の
インダクタＬ0 が配設されている。しかし、このように
配設すると、スイッチング素子Ｑ１のドレインＤと第２
のインダクタＬ0 との間の配線により、その配線に含ま
れるインダクタンス成分や抵抗成分の影響を直列共振回
路Ｌ0 ，Ｃ0 が受ける。
インアンプ３３の第２のインダクタＬ0 との干渉を少し
でも避けるために、スイッチング素子Ｑ１の近傍に第１
のインダクタＲＦＣを配設し、少し離れた位置に第２の
インダクタＬ0 が配設されている。しかし、このように
配設すると、スイッチング素子Ｑ１のドレインＤと第２
のインダクタＬ0 との間の配線により、その配線に含ま
れるインダクタンス成分や抵抗成分の影響を直列共振回
路Ｌ0 ，Ｃ0 が受ける。
【００１９】そこで、図２に示すように、第１のインダ
クタＲＦＣは、インピ−ダンスが十分大きければ交流分
を阻止する作用は充分であり、また、Ｑ値は３以上でイ
ンピ−ダンスの低下は殆どなく、Ｑ値が１になって約３
０％低下するに過ぎないので、Ｑ値は比較的低くてもよ
い。
クタＲＦＣは、インピ−ダンスが十分大きければ交流分
を阻止する作用は充分であり、また、Ｑ値は３以上でイ
ンピ−ダンスの低下は殆どなく、Ｑ値が１になって約３
０％低下するに過ぎないので、Ｑ値は比較的低くてもよ
い。
【００２０】従って、図２に示すように、スイッチング
素子Ｑ１のドレインＤと第１のインダクタＲＦＣとの間
の配線距離が長くなって、配線によるインダクタンス成
分が増加しても、もともとインダクタンス成分の多い第
１のインダクタＲＦＣに与える影響は僅かである。ま
た、配線距離が長くなって、配線による抵抗成分が増加
しても増加して、第１のインダクタＲＦＣのＱ値が低下
しても与える影響は僅かである。
素子Ｑ１のドレインＤと第１のインダクタＲＦＣとの間
の配線距離が長くなって、配線によるインダクタンス成
分が増加しても、もともとインダクタンス成分の多い第
１のインダクタＲＦＣに与える影響は僅かである。ま
た、配線距離が長くなって、配線による抵抗成分が増加
しても増加して、第１のインダクタＲＦＣのＱ値が低下
しても与える影響は僅かである。
【００２１】このように、第２のインダクタＬ0 とスイ
ッチング素子Ｑ１との間の配線抵抗を他の要素（例えば
第１のインダクタＲＦＣ）とスイッチング素子Ｑ１との
間の配線抵抗よりも小さく構成しているので、配線によ
り直列共振回路Ｌ0 ，Ｃ0 に含まれるインダクタンス成
分や抵抗成分を少なくでき、所望の周波数が得られると
共に、共振系のＱ値の低下が防止できるという効果があ
る。
ッチング素子Ｑ１との間の配線抵抗を他の要素（例えば
第１のインダクタＲＦＣ）とスイッチング素子Ｑ１との
間の配線抵抗よりも小さく構成しているので、配線によ
り直列共振回路Ｌ0 ，Ｃ0 に含まれるインダクタンス成
分や抵抗成分を少なくでき、所望の周波数が得られると
共に、共振系のＱ値の低下が防止できるという効果があ
る。
【００２２】なお、直列共振回路Ｌ0 ，Ｃ0 は、その接
続順序が逆になってもよく、図２に示すスイッチング素
子Ｑ１の形状はＲＦパッケージに限らず、ＴＯ−２２０
等のパッケージでもよいことは言うまでもないことであ
る。
続順序が逆になってもよく、図２に示すスイッチング素
子Ｑ１の形状はＲＦパッケージに限らず、ＴＯ−２２０
等のパッケージでもよいことは言うまでもないことであ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、直流電源の両端に接続される
第１のインダクタとスイッチング素子との直列回路と、
前記スイッチング素子と並列接続される第１のコンデン
サと、直列接続される第２のインダクタと第２のコンデ
ンサとの直列共振回路と、この直列共振回路を介して前
記スイッチング素子の両端に接続される負荷回路とから
成るＥ級増幅回路において、前記第２のインダクタとス
イッチング素子との間の配線抵抗を他の要素とスイッチ
ング素子との間の配線抵抗よりも小さく構成しているの
で、配線により直列共振回路に含まれるインダクタンス
成分や抵抗成分を少なくでき、所望の周波数が得られる
と共に、共振系のＱ値の低下が防止できるという顕著な
効果を奏するものである。
第１のインダクタとスイッチング素子との直列回路と、
前記スイッチング素子と並列接続される第１のコンデン
サと、直列接続される第２のインダクタと第２のコンデ
ンサとの直列共振回路と、この直列共振回路を介して前
記スイッチング素子の両端に接続される負荷回路とから
成るＥ級増幅回路において、前記第２のインダクタとス
イッチング素子との間の配線抵抗を他の要素とスイッチ
ング素子との間の配線抵抗よりも小さく構成しているの
で、配線により直列共振回路に含まれるインダクタンス
成分や抵抗成分を少なくでき、所望の周波数が得られる
と共に、共振系のＱ値の低下が防止できるという顕著な
効果を奏するものである。
【図１】本発明の一実施例を示す回路構成図である。
【図２】本発明の一実施例を示す回路要素配置図の一例
である。
である。
【図３】本発明の従来例を説明するための基本回路構成
図である。
図である。
【図４】本発明の従来例を説明する波形図である。
【図５】本発明の従来例を示す回路要素配置図の一例で
ある。
ある。
ＶDC 直流電源 ＲＦＣ 第１のインダクタ Ｑ１ スイッチング素子 Ｃ１ 第１のコンデンサ Ｌ0 第２のインダクタ Ｃ0 第２のコンデンサ １ 負荷回路 ２ 負荷回路 ４ 負荷回路
Claims (3)
- 【請求項１】 直流電源と、この直流電源の両端に接続
される第１のインダクタとスイッチング素子との直列回
路と、前記スイッチング素子と並列接続される第１のコ
ンデンサと、直列接続される第２のインダクタと第２の
コンデンサとの直列共振回路と、この直列共振回路を介
して前記スイッチング素子の両端に接続される負荷回路
とから成るＥ級増幅回路において、前記第２のインダク
タとスイッチング素子との間の配線抵抗を他の要素とス
イッチング素子との間の配線抵抗よりも小さくしたこと
を特徴とするＥ級増幅回路。 - 【請求項２】 直流電源と、この直流電源の両端に接続
される第１のインダクタとスイッチング素子との直列回
路と、前記スイッチング素子と並列接続される第１のコ
ンデンサと、直列接続される第２のインダクタと第２の
コンデンサとの直列共振回路と、この直列共振回路を介
して前記スイッチング素子の両端に接続される負荷回路
とから成るＥ級増幅回路において、前記第２のインダク
タとスイッチング素子との間の配線抵抗を第１のインダ
クタとスイッチング素子との間の配線抵抗よりも小さく
したことを特徴とするＥ級増幅回路。 - 【請求項３】 直流電源と、この直流電源の両端に接続
される第１のインダクタとスイッチング素子との直列回
路と、前記スイッチング素子と並列接続される第１のコ
ンデンサと、直列接続される第２のインダクタと第２の
コンデンサとの直列共振回路と、この直列共振回路を介
して前記スイッチング素子の両端に接続される高周波電
力供給用コイルと、この高周波電力供給用コイルの近接
に配置されガラスバルブ内に不活性ガス、金属蒸気など
の放電ガスを封入した無電極放電灯と、前記直列共振回
路と前記高周波電力供給用コイルとの間に接続されたイ
ンピ−ダンス整合回路部とから成るＥ級増幅回路におい
て、前記第２のインダクタとスイッチング素子との間の
配線抵抗を他の要素とスイッチング素子との間の配線抵
抗よりも小さくしたことを特徴とするＥ級増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124465A JPH06338737A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Ｅ級増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124465A JPH06338737A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Ｅ級増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338737A true JPH06338737A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14886203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124465A Pending JPH06338737A (ja) | 1993-05-26 | 1993-05-26 | Ｅ級増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036786A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Akita Denshi Systems:Kk | 高周波電力増幅装置 |
-
1993
- 1993-05-26 JP JP5124465A patent/JPH06338737A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036786A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Akita Denshi Systems:Kk | 高周波電力増幅装置 |
| JP4671225B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2011-04-13 | 株式会社アキタ電子システムズ | 高周波電力増幅装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5030889A (en) | Lamp ballast configuration | |
| EP0571574B1 (en) | Circuit containing symmetrically-driven coil for energizing electrodeless lamp | |
| EP0643900B1 (en) | Electrodeless discharge lamp containing push-pull class e amplifier and bifilar coil | |
| CA2072396A1 (en) | Dual feedback control for a high-efficiency class-d power amplifier circuit | |
| US6107753A (en) | Radio frequency electronic ballast with integrated power factor correction stage | |
| JP2831252B2 (ja) | Ｅ級プッシュプル電力増幅回路 | |
| WO2001039555A1 (en) | Self-tuning electrodeless lamps | |
| US5153484A (en) | Electrodeless high intensity discharge lamp excitation coil and ballast configuration for maximum efficiency | |
| JPH06338737A (ja) | Ｅ級増幅回路 | |
| JP3487113B2 (ja) | 電源装置 | |
| US20120068677A1 (en) | Resonant power converter driving an inductive load like a discharge lamp | |
| JP2831257B2 (ja) | Ｅ級プッシュプル電力増幅回路 | |
| JPH06310291A (ja) | 無電極放電灯点灯装置 | |
| JPH07170129A (ja) | Ｅ級プッシュプル電力増幅回路 | |
| JP3234361B2 (ja) | 無電極放電灯点灯装置 | |
| JP3355867B2 (ja) | Ｃ級増幅回路 | |
| JP3799814B2 (ja) | 電力増幅回路 | |
| EP1228672B1 (en) | A power oscillator for driving a discharge lamp | |
| JP3355734B2 (ja) | Ｅ級プッシュプル電力増幅回路 | |
| JP3508426B2 (ja) | 無電極放電灯点灯装置 | |
| JP3400626B2 (ja) | 電源装置 | |
| JPH09306682A (ja) | 無電極放電灯点灯装置 | |
| Chandra | Mitigation of electromagnetic interference in low power compact electrodeless lamps | |
| JPH10134979A (ja) | 無電極放電灯点灯装置 | |
| JPH05144581A (ja) | 無電極放電灯点灯装置 |