JPH06338702A - 反射型移相器及び多ビット移相器 - Google Patents
反射型移相器及び多ビット移相器Info
- Publication number
- JPH06338702A JPH06338702A JP5128620A JP12862093A JPH06338702A JP H06338702 A JPH06338702 A JP H06338702A JP 5128620 A JP5128620 A JP 5128620A JP 12862093 A JP12862093 A JP 12862093A JP H06338702 A JPH06338702 A JP H06338702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- reflection
- reflection type
- directional coupler
- type phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップサイズを小型化できる反射型移相器及
び多ビット移相器を得る。 【構成】 ３ｄＢ方向性結合器３の２つの終端に反射回
路９０を接続するとともに、そのソース・ドレイン間に
共振用インダクタ９を接続したソース接地ＦＥＴ７ａ，
７ｂのドレインを接続する。
び多ビット移相器を得る。 【構成】 ３ｄＢ方向性結合器３の２つの終端に反射回
路９０を接続するとともに、そのソース・ドレイン間に
共振用インダクタ９を接続したソース接地ＦＥＴ７ａ，
７ｂのドレインを接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は反射型移相器及び多ビ
ット移相器に関し、特に、チップサイズを小型化できる
反射型移相器及び多ビット移相器に関するものである。
ット移相器に関し、特に、チップサイズを小型化できる
反射型移相器及び多ビット移相器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、従来の反射型移相器を用いた
３ビット移相器の構成を示す回路図であり、図におい
て、９００は３ビット移相器で、これは、入力端子１と
出力端子２間に互いに異なる移相量が得られる３つの反
射型移相器９００ａ〜９００ｃを直列接続することによ
り構成されている。
３ビット移相器の構成を示す回路図であり、図におい
て、９００は３ビット移相器で、これは、入力端子１と
出力端子２間に互いに異なる移相量が得られる３つの反
射型移相器９００ａ〜９００ｃを直列接続することによ
り構成されている。
【０００３】ここで、上記反射型移相器９００ａは、３
ｄＢ方向性結合器３と、この３ｄＢ方向性結合器３の２
つの終端に接続された反射回路９０とから構成されてい
る。上記反射回路９０は、３ｄＢ方向性結合器３の２つ
の終端に、それぞれ伝送線路６ａ，６ｂを介してソース
接地されたＦＥＴ４ａ，４ｂのドレインが接続されて構
成されている。ここで、５ａ，５ｂはＦＥＴ４ａ，４ｂ
のゲートバイアス端子である。
ｄＢ方向性結合器３と、この３ｄＢ方向性結合器３の２
つの終端に接続された反射回路９０とから構成されてい
る。上記反射回路９０は、３ｄＢ方向性結合器３の２つ
の終端に、それぞれ伝送線路６ａ，６ｂを介してソース
接地されたＦＥＴ４ａ，４ｂのドレインが接続されて構
成されている。ここで、５ａ，５ｂはＦＥＴ４ａ，４ｂ
のゲートバイアス端子である。
【０００４】尚、上記反射型移相器９００ｂ，９００ｃ
は、反射型移相器９００ａと同様の回路構成からなり、
ここでは、簡略してブロックのみで示している。
は、反射型移相器９００ａと同様の回路構成からなり、
ここでは、簡略してブロックのみで示している。
【０００５】次に、動作について説明する。先ず、理想
的な３ｄＢ方向性結合器の終端に反射（ΓT ）を接続し
た反射型移相器の動作原理を説明する。理想的な３ｄＢ
方向性結合器の終端に反射（ΓT ）を接続した反射型移
相器の特性を示すＳマトリクスは下記式(1) で表され
る。
的な３ｄＢ方向性結合器の終端に反射（ΓT ）を接続し
た反射型移相器の動作原理を説明する。理想的な３ｄＢ
方向性結合器の終端に反射（ΓT ）を接続した反射型移
相器の特性を示すＳマトリクスは下記式(1) で表され
る。
【０００６】
【数１】
【０００７】式(1) において、ａ1 は入力する電力、ｂ
1 〜ｂ4 は入力する電力に対して３ｄＢ方向性結合器の
各端子に反射されてくる電力である。また、式(1) のｆ
1 ，ｆ2 は理想的な３ｄＢ方向性結合器の動作特性を示
す式で、これらは、下記式(2) ，(3) で表される。
1 〜ｂ4 は入力する電力に対して３ｄＢ方向性結合器の
各端子に反射されてくる電力である。また、式(1) のｆ
1 ，ｆ2 は理想的な３ｄＢ方向性結合器の動作特性を示
す式で、これらは、下記式(2) ，(3) で表される。
【０００８】
【数２】
【０００９】
【数３】
【００１０】式(2) ，(3) において、θは３ｄＢ方向性
結合器の電気長、ｋは３ｄＢ方向性結合器の結合係数で
ある。式(1) より、 ｂ1 ＝ ｆ1 ΓT ｂ2 ＋ｆ2 ΓT ｂ4 ……(4) ｂ2 ＝ ｆ1 ａ1 ……(5) ｂ3 ＝ ｆ2 ΓT ｂ2 ＋ｆ1 ΓT ｂ4 ……(6) ｂ4 ＝ ｆ2 ａ1 ……（７） が成り立ち、そして、これらの式（４） 〜(7) から、
Ｓパラメータを求めると、 Ｓ11＝Ｓ22＝ｂ1 ／ａ1 ＝ｆ1 2 ΓT ＋ｆ2 2 ΓT ……(8) Ｓ21＝Ｓ12＝ｂ3 ／ａ1 ＝２ｆ1 ｆ2 ΓT ……(9) となる。
結合器の電気長、ｋは３ｄＢ方向性結合器の結合係数で
ある。式(1) より、 ｂ1 ＝ ｆ1 ΓT ｂ2 ＋ｆ2 ΓT ｂ4 ……(4) ｂ2 ＝ ｆ1 ａ1 ……(5) ｂ3 ＝ ｆ2 ΓT ｂ2 ＋ｆ1 ΓT ｂ4 ……(6) ｂ4 ＝ ｆ2 ａ1 ……（７） が成り立ち、そして、これらの式（４） 〜(7) から、
Ｓパラメータを求めると、 Ｓ11＝Ｓ22＝ｂ1 ／ａ1 ＝ｆ1 2 ΓT ＋ｆ2 2 ΓT ……(8) Ｓ21＝Ｓ12＝ｂ3 ／ａ1 ＝２ｆ1 ｆ2 ΓT ……(9) となる。
【００１１】ここで、理想的な３ｄＢ方向形結合器とい
うことにより、下記式(10)が成り立ち、 ｋ＝１／√２ ， θ＝９０° ……(10) 従って、 ｆ1 ＝１／√２ ，ｆ2 ＝ｊ・−１／√２ ……(11) となる。
うことにより、下記式(10)が成り立ち、 ｋ＝１／√２ ， θ＝９０° ……(10) 従って、 ｆ1 ＝１／√２ ，ｆ2 ＝ｊ・−１／√２ ……(11) となる。
【００１２】式(9) に式(11)を代入すると、 Ｓ21＝Ｓ12＝２ｆ1 ｆ2 ΓT ＝−ｊΓT ……(12) となり、これにより、理想的な３ｄＢ方向性結合器で構
成した反射型移相器の移相量は終端に接続した反射（Γ
T ）により決定されることが分かる。
成した反射型移相器の移相量は終端に接続した反射（Γ
T ）により決定されることが分かる。
【００１３】図１２(a) は図１１の反射型位相器９００
ａにおける３ｄＢ方向性結合器３の終端に接続された反
射回路９０のみを取り出して示した図であり、図におい
て、４はＦＥＴ、５はＦＥＴ４のゲートバイアス端子、
６は伝送線路、７は接続端子である。また、図１２(b)
，図１２(c) は図１２(a) の反射回路においてＦＥＴ
４をスイッチング動作させた時の等価回路図で、図１２
(b) はＦＥＴ４をＯＮ状態，図１２(c) はＦＥＴ４をＯ
ＦＦ状態にした時を示している。
ａにおける３ｄＢ方向性結合器３の終端に接続された反
射回路９０のみを取り出して示した図であり、図におい
て、４はＦＥＴ、５はＦＥＴ４のゲートバイアス端子、
６は伝送線路、７は接続端子である。また、図１２(b)
，図１２(c) は図１２(a) の反射回路においてＦＥＴ
４をスイッチング動作させた時の等価回路図で、図１２
(b) はＦＥＴ４をＯＮ状態，図１２(c) はＦＥＴ４をＯ
ＦＦ状態にした時を示している。
【００１４】図１２(a) の等価回路において、入力側か
らみた反射、即ち、回路のインピーダンスＺT は式(13)
で表される。
らみた反射、即ち、回路のインピーダンスＺT は式(13)
で表される。
【００１５】
【数４】
【００１６】尚、式(13)においてＲT は回路全体の抵
抗、ＸT は回路全体のリアクタンス、ＺL は分布定数線
路６のインピーダンス、ＺFET はＦＥＴ４のインピーダ
ンス、θL は分布定数線路の電気長である。
抗、ＸT は回路全体のリアクタンス、ＺL は分布定数線
路６のインピーダンス、ＺFET はＦＥＴ４のインピーダ
ンス、θL は分布定数線路の電気長である。
【００１７】ここで、ＦＥＴ４がＯＮ時、ＦＥＴ４がＯ
ＦＦ時のインピーダンスを下記式(14)，(15)と置き、こ
れら式(14)， (15) を式(13)に代入すると、下記式(1
6)，(17)が得られる。 ＺFET-ON ＝ＲON＝０ …… (14) ＺFET-OFF ＝１／ｊωＣ …… (15) Ｚf ＝ｊＺL ｔａｎθL ＝ｊＸf …… (16)
ＦＦ時のインピーダンスを下記式(14)，(15)と置き、こ
れら式(14)， (15) を式(13)に代入すると、下記式(1
6)，(17)が得られる。 ＺFET-ON ＝ＲON＝０ …… (14) ＺFET-OFF ＝１／ｊωＣ …… (15) Ｚf ＝ｊＺL ｔａｎθL ＝ｊＸf …… (16)
【００１８】
【数５】
【００１９】尚、上記式 (16) ，(17)において、Ｚf は
ＦＥＴがＯＮ時の反射回路のインピーダンス、Ｘf はＦ
ＥＴがＯＮ時の反射回路のリアクタンス、Ｚr はＦＥＴ
がＯＦＦ時の反射回路のインピーダンス、Ｘr はＦＥＴ
がＯＦＦ時の反射回路のリアクタンスである。式(16)，
(17)が虚数成分のみということより反射ΓT を求める
と、反射ΓT は下記式(18)となり、
ＦＥＴがＯＮ時の反射回路のインピーダンス、Ｘf はＦ
ＥＴがＯＮ時の反射回路のリアクタンス、Ｚr はＦＥＴ
がＯＦＦ時の反射回路のインピーダンス、Ｘr はＦＥＴ
がＯＦＦ時の反射回路のリアクタンスである。式(16)，
(17)が虚数成分のみということより反射ΓT を求める
と、反射ΓT は下記式(18)となり、
【００２０】
【数６】
【００２１】ここで、 ｜ΓT ｜＝１ ……(19) ΓT ＝｜ΓT ｜ｅｘｐ（ｊφ′／２）（φ′／２はΓT の位相成分である。） ……(20) とすると、式(18)は下記式(21)で表される。 ｔａｎ（φ′／２）＝２ＸT ／１−ＸT 2 ……(21) そして、式 (21) のＸT は下記式 (22) に示す三角形の
倍角公式により、ＸT＝ｔａｎ（φ′／４）となり、従
って、反射により移相量が２倍になることがわかる。
倍角公式により、ＸT＝ｔａｎ（φ′／４）となり、従
って、反射により移相量が２倍になることがわかる。
【００２２】
【数７】
【００２３】ここで、式(12)，(18)，(20)より、下記式
（23) が得られ、
（23) が得られ、
【００２４】
【数８】
【００２５】｜Ｓ21｜＝１、Ｓ21＝｜Ｓ21｜ｅｘｐ（ｊ
φ／２）（φ／２は位相成分である。）とすると、下記
式(24)に示す反射回路の反射がΓT の場合の反射型移相
器の位相∠Ｓ21が得られる。
φ／２）（φ／２は位相成分である。）とすると、下記
式(24)に示す反射回路の反射がΓT の場合の反射型移相
器の位相∠Ｓ21が得られる。
【００２６】
【数９】
【００２７】移相量Δφの反射型移相器を設計する場合
は、図１２に示すＦＥＴＯＮ時の反射回路の反射Γf ，
ＦＥＴＯＦＦ時の反射回路の反射Γr の関係を図１３に
示す位相ダイヤグラムで示すように設定する。従って、
式(16)，(17)より、下記式(25)，(26)が成り立ち、
は、図１２に示すＦＥＴＯＮ時の反射回路の反射Γf ，
ＦＥＴＯＦＦ時の反射回路の反射Γr の関係を図１３に
示す位相ダイヤグラムで示すように設定する。従って、
式(16)，(17)より、下記式(25)，(26)が成り立ち、
【００２８】
【数１０】
【００２９】
【数１１】
【００３０】式(25)，(26)により、図９の反射回路の素
子パラメータを決めることができる。
子パラメータを決めることができる。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
反射型移相器は一つの移相量しか得ることができないた
め、多ビット移相器を構成する場合、得たい移相量の数
だけ反射型移相器を直列接続しなければならず、多ビッ
ト移相器全体のチップサイズが大きくなってしまうとい
う問題点があった。
反射型移相器は一つの移相量しか得ることができないた
め、多ビット移相器を構成する場合、得たい移相量の数
だけ反射型移相器を直列接続しなければならず、多ビッ
ト移相器全体のチップサイズが大きくなってしまうとい
う問題点があった。
【００３２】また、上記のように、反射型移相器を直列
接続した場合、信号が複数の反射型移相器を通過して伝
送されることから、信号の伝送損失が大きくなってしま
うという問題点があった。
接続した場合、信号が複数の反射型移相器を通過して伝
送されることから、信号の伝送損失が大きくなってしま
うという問題点があった。
【００３３】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、１つで複数の移相量を得
ることができる反射型移相器を得ることを目的とする。
るためになされたものであり、１つで複数の移相量を得
ることができる反射型移相器を得ることを目的とする。
【００３４】更に、この発明の他の目的は、従来に比べ
てチップサイズを小型化できる，反射型移相器を用いて
構成される多ビット移相器を得ることを目的とする。
てチップサイズを小型化できる，反射型移相器を用いて
構成される多ビット移相器を得ることを目的とする。
【００３５】更に、この発明の他の目的は、従来に比べ
て移相器全体における信号の伝送損失を少なくすること
がてきる，反射型移相器を用いて構成される多ビット移
相器を得ることを目的とする。
て移相器全体における信号の伝送損失を少なくすること
がてきる，反射型移相器を用いて構成される多ビット移
相器を得ることを目的とする。
【００３６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる反射型
移相器は、３ｄＢ方向性結合器の終端と接地との間に、
ＦＥＴのソース・ドレイン間に共振用インダクタを接続
して構成された共振回路を挿入したものである。
移相器は、３ｄＢ方向性結合器の終端と接地との間に、
ＦＥＴのソース・ドレイン間に共振用インダクタを接続
して構成された共振回路を挿入したものである。
【００３７】更に、この発明にかかる反射型移相器は、
３ｄＢ方向性結合器の終端と反射回路との間に、ＦＥＴ
のソース・ドレイン間に共振用インダクタを接続して構
成した共振回路を挿入したものである。
３ｄＢ方向性結合器の終端と反射回路との間に、ＦＥＴ
のソース・ドレイン間に共振用インダクタを接続して構
成した共振回路を挿入したものである。
【００３８】更に、この発明にかかる多ビット移相器
は、入力側単極双投スイッチと出力側単極双投スイッチ
との間に、その終端が開放または接地された第１の３ｄ
Ｂ方向性結合器と、第２の３ｄＢ方向性結合器の終端に
伝送線路を介してソース接地されたＦＥＴのドレインを
接続して構成した反射型移相器とを並列接続したもので
ある。
は、入力側単極双投スイッチと出力側単極双投スイッチ
との間に、その終端が開放または接地された第１の３ｄ
Ｂ方向性結合器と、第２の３ｄＢ方向性結合器の終端に
伝送線路を介してソース接地されたＦＥＴのドレインを
接続して構成した反射型移相器とを並列接続したもので
ある。
【００３９】更に、この発明にかかる多ビット移相器
は、入力側単極双投スイッチと出力側単極双投スイッチ
との間に、３ｄＢ方向性結合器の終端に伝送線路を介し
てソース接地されたＦＥＴのドレインを接続して構成し
た反射型移相器を２つ並列接続したものである。
は、入力側単極双投スイッチと出力側単極双投スイッチ
との間に、３ｄＢ方向性結合器の終端に伝送線路を介し
てソース接地されたＦＥＴのドレインを接続して構成し
た反射型移相器を２つ並列接続したものである。
【００４０】
【作用】この発明においては、上記共振回路をオープン
状態，ショート状態に切り換えることにより、３ｄＢ方
向性結合器の終端が反射回路に接続された第１の動作状
態と、３ｄＢ方向性結合器の終端が接地した第２の動作
状態の２つの動作状態を実現でき、その結果、１つの反
射型移相器で異なる３つの位相量を得ることができる。
状態，ショート状態に切り換えることにより、３ｄＢ方
向性結合器の終端が反射回路に接続された第１の動作状
態と、３ｄＢ方向性結合器の終端が接地した第２の動作
状態の２つの動作状態を実現でき、その結果、１つの反
射型移相器で異なる３つの位相量を得ることができる。
【００４１】更に、この発明においては、上記共振回路
をオープン状態，ショート状態に切り換えることによ
り、３ｄＢ方向性結合器の終端が反射回路に接続された
第１の動作状態と、３ｄＢ方向性結合器の終端が開放し
た第２の動作状態との２つの動作状態を実現でき、その
結果、１つの反射型移相器で異なる３つの位相量を得る
ことができる。
をオープン状態，ショート状態に切り換えることによ
り、３ｄＢ方向性結合器の終端が反射回路に接続された
第１の動作状態と、３ｄＢ方向性結合器の終端が開放し
た第２の動作状態との２つの動作状態を実現でき、その
結果、１つの反射型移相器で異なる３つの位相量を得る
ことができる。
【００４２】更に、この発明においては、入力側及び出
力側の単極双投スイッチのスイッチングにより、入力信
号が、反射型移相器或いはその終端を開放または接地し
た３ｄＢ方向性結合器の何れか一方を選択的に通過する
ようにしたから、信号経路の切り換えにより、従来のよ
うに入力信号を直列接続された互いに異なる移相量が得
られる２つの反射型移相器を通過させることなく、３つ
の位相量、即ち、２つの移相量を得ることができ、従来
に比べて信号伝送における損失を低減することができ
る。
力側の単極双投スイッチのスイッチングにより、入力信
号が、反射型移相器或いはその終端を開放または接地し
た３ｄＢ方向性結合器の何れか一方を選択的に通過する
ようにしたから、信号経路の切り換えにより、従来のよ
うに入力信号を直列接続された互いに異なる移相量が得
られる２つの反射型移相器を通過させることなく、３つ
の位相量、即ち、２つの移相量を得ることができ、従来
に比べて信号伝送における損失を低減することができ
る。
【００４３】更に、この発明においては、入力側及び出
力側の単極双投スイッチのスイッチングにより、入力信
号が、互いに異なる移相量が得られる反射型移相器の何
れか一方を選択的に通過するようにしたから、信号経路
の切り換えにより、従来のように入力信号を直列接続さ
れた互いに異なる移相量が得られる３つの反射型移相器
を通過させることなく、４つの位相量，即ち、３つの移
相量を得ることができ、従来に比べて信号伝送における
損失を低減できる。また、２つの反射型移相器で３つの
移相量が得られることになり、従来の３ビット移相器に
比べてチップサイズを小型化できる。
力側の単極双投スイッチのスイッチングにより、入力信
号が、互いに異なる移相量が得られる反射型移相器の何
れか一方を選択的に通過するようにしたから、信号経路
の切り換えにより、従来のように入力信号を直列接続さ
れた互いに異なる移相量が得られる３つの反射型移相器
を通過させることなく、４つの位相量，即ち、３つの移
相量を得ることができ、従来に比べて信号伝送における
損失を低減できる。また、２つの反射型移相器で３つの
移相量が得られることになり、従来の３ビット移相器に
比べてチップサイズを小型化できる。
【００４４】
実施例１．図１は、この発明の実施例１による反射型移
相器の構成を示す等価回路図であり、図において、図１
１と同一符号は同一または相当する部分を示し、１００
は反射型移相器で、これは、入力端子１ａと出力端子２
ａ間に接続された３ｄＢ方向性結合器３と、３ｄＢ方向
性結合器３の終端に接続された反射回路９０ａと、その
ソース・ドレイン間に共振用インダクタ９が接続され、
そのドレインが３ｄＢ方向性結合器３の終端に接続され
た，ソース接地ＦＥＴ７ａ，７ｂとから構成されてい
る。尚、反射回路９０ａは図１１に示した従来の反射型
移相器９００ａの反射回路９０と同様の回路構成からな
り、ここでは、ＦＥＴ４ａ，４ｂのゲートバイアス端子
が共通化されて、ゲートバイアス端子５を構成してい
る。また、８はＦＥＴ７ａ，７ｂの共通のゲートバイア
ス端子である。
相器の構成を示す等価回路図であり、図において、図１
１と同一符号は同一または相当する部分を示し、１００
は反射型移相器で、これは、入力端子１ａと出力端子２
ａ間に接続された３ｄＢ方向性結合器３と、３ｄＢ方向
性結合器３の終端に接続された反射回路９０ａと、その
ソース・ドレイン間に共振用インダクタ９が接続され、
そのドレインが３ｄＢ方向性結合器３の終端に接続され
た，ソース接地ＦＥＴ７ａ，７ｂとから構成されてい
る。尚、反射回路９０ａは図１１に示した従来の反射型
移相器９００ａの反射回路９０と同様の回路構成からな
り、ここでは、ＦＥＴ４ａ，４ｂのゲートバイアス端子
が共通化されて、ゲートバイアス端子５を構成してい
る。また、８はＦＥＴ７ａ，７ｂの共通のゲートバイア
ス端子である。
【００４５】ここで、そのソース・ドレイン間に共振用
インダクタ９を接続したソース接地ＦＥＴ７ａ，７ｂは
それぞれ使用周波数帯の中心周波数で共振する共振回路
を構成しており、この共振回路がオープ状態になると
（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＦＦ状態になると）、３
ｄＢ方向性結合器３の終端は反射回路９０ａ、即ち、伝
送線路６ｂに接続され、この共振回路がショート状態が
なると（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＮ状態になる
と）、３ｄＢ方向性結合器３の終端は接地に接続される
（接地される。）。
インダクタ９を接続したソース接地ＦＥＴ７ａ，７ｂは
それぞれ使用周波数帯の中心周波数で共振する共振回路
を構成しており、この共振回路がオープ状態になると
（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＦＦ状態になると）、３
ｄＢ方向性結合器３の終端は反射回路９０ａ、即ち、伝
送線路６ｂに接続され、この共振回路がショート状態が
なると（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＮ状態になる
と）、３ｄＢ方向性結合器３の終端は接地に接続される
（接地される。）。
【００４６】次に、動作について説明する。ＦＥＴ７
ａ，７ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が反射回
路９０ａへ接続されると、この反射回路９０ａが図１１
に示した反射回路９０と同様の回路構成であることか
ら、反射型移相器１００は図１１に示した反射型移相器
９００ａと同様の動作をする。一方、３ｄＢ方向性結合
器３の終端が接地された場合は、前述した式(18)におい
てＸT ＝０となるので、ΓT ＝−１，Ｓ21＝−ｊΓT ＝
−ｊ、∠Ｓ21＝９０°となる。従って、反射回路９０ａ
で実現される移相量をφとした場合、この反射型移相器
１００で実現される位相量は図２に示すように、図中符
号２１で示す９０°＋φ／２°と、符号２２で示す９０
°と、符号２３で示す９０°−φ／２°の３つになる。
ａ，７ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が反射回
路９０ａへ接続されると、この反射回路９０ａが図１１
に示した反射回路９０と同様の回路構成であることか
ら、反射型移相器１００は図１１に示した反射型移相器
９００ａと同様の動作をする。一方、３ｄＢ方向性結合
器３の終端が接地された場合は、前述した式(18)におい
てＸT ＝０となるので、ΓT ＝−１，Ｓ21＝−ｊΓT ＝
−ｊ、∠Ｓ21＝９０°となる。従って、反射回路９０ａ
で実現される移相量をφとした場合、この反射型移相器
１００で実現される位相量は図２に示すように、図中符
号２１で示す９０°＋φ／２°と、符号２２で示す９０
°と、符号２３で示す９０°−φ／２°の３つになる。
【００４７】このように本実施例の反射型移相器１００
では、ソース・ドレイン間に共振用インダクタ９が接続
されたＦＥＴ７ａ，７ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３
の終端が反射回路９０ａに接続された状態と、接地され
た状態の２つ状態に切り換えられ、これにより、異なる
３つの位相量が得られることになる。従って、１つの反
射型移相器で２つの移相量が得られることになり、従来
の反射型移相器２つを直列接続して構成された２ビット
移相器に比べてチップサイズが小型化した２ビット移相
器を得ることができる。
では、ソース・ドレイン間に共振用インダクタ９が接続
されたＦＥＴ７ａ，７ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３
の終端が反射回路９０ａに接続された状態と、接地され
た状態の２つ状態に切り換えられ、これにより、異なる
３つの位相量が得られることになる。従って、１つの反
射型移相器で２つの移相量が得られることになり、従来
の反射型移相器２つを直列接続して構成された２ビット
移相器に比べてチップサイズが小型化した２ビット移相
器を得ることができる。
【００４８】実施例２．図３は、この発明の実施例２に
よる反射型移相器の構成を示す等価回路図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、３００は反射型移相器で、これは、入力端子１ａと
出力端子２ａ間に接続された３ｄＢ方向性結合器３と、
３ｄＢ方向性結合器３の終端にそのドレインが接続さ
れ，そのソース・ドレイン間に共振用インダクタ１２を
接続したＦＥＴ１０ａ，１０ｂと、このＦＥＴ１０ａ，
１０ｂのソースに接続された反射回路９０ａとから構成
されている。ここで、１１はＦＥＴ１０ａ，１０ｂの共
通のゲートバイアス端子である。
よる反射型移相器の構成を示す等価回路図であり、図に
おいて、図１と同一符号は同一または相当する部分を示
し、３００は反射型移相器で、これは、入力端子１ａと
出力端子２ａ間に接続された３ｄＢ方向性結合器３と、
３ｄＢ方向性結合器３の終端にそのドレインが接続さ
れ，そのソース・ドレイン間に共振用インダクタ１２を
接続したＦＥＴ１０ａ，１０ｂと、このＦＥＴ１０ａ，
１０ｂのソースに接続された反射回路９０ａとから構成
されている。ここで、１１はＦＥＴ１０ａ，１０ｂの共
通のゲートバイアス端子である。
【００４９】尚、上記ソース・ドレイン間に共振用イン
ダクタ１２を接続したＦＥＴ１０ａａ，１０ｂは、それ
ぞれ使用周波数帯の中心周波数で共振する共振回路を構
成しており、この共振回路がオープン状態になると（即
ち、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂがＯＦＦ状態になると）、３
ｄＢ方向性結合器３の終端は開放され、この共振回路が
ショート状態がなると（即ち、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂが
ＯＮ状態になると）、３ｄＢ方向性結合器３の終端は反
射回路９０ａに接続される。
ダクタ１２を接続したＦＥＴ１０ａａ，１０ｂは、それ
ぞれ使用周波数帯の中心周波数で共振する共振回路を構
成しており、この共振回路がオープン状態になると（即
ち、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂがＯＦＦ状態になると）、３
ｄＢ方向性結合器３の終端は開放され、この共振回路が
ショート状態がなると（即ち、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂが
ＯＮ状態になると）、３ｄＢ方向性結合器３の終端は反
射回路９０ａに接続される。
【００５０】次に、動作について説明する。ＦＥＴ１０
ａ，１０ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が、反
射回路９０ａに接続されると、反射型移相器３００は、
従来の反射型移相器９００ａと同様の動作をする。一
方、３ｄＢ方向性結合器３の終端が開放された場合は、
式(18)においてＸT ＝∞となるので、ΓT ＝１，Ｓ21＝
−ｊΓT ＝−ｊ、∠Ｓ21＝−９０°となる。従って、反
射回路９０ａで実現される移相量をφとした場合、この
反射型移相器３００で実現される位相量は図４に示すよ
うに、図中符号２１ｂで示す９０°＋φ／２°と、符号
２３ｂで示す９０°−φ／２°と、符号２４で示す−９
０°の３つになる。
ａ，１０ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が、反
射回路９０ａに接続されると、反射型移相器３００は、
従来の反射型移相器９００ａと同様の動作をする。一
方、３ｄＢ方向性結合器３の終端が開放された場合は、
式(18)においてＸT ＝∞となるので、ΓT ＝１，Ｓ21＝
−ｊΓT ＝−ｊ、∠Ｓ21＝−９０°となる。従って、反
射回路９０ａで実現される移相量をφとした場合、この
反射型移相器３００で実現される位相量は図４に示すよ
うに、図中符号２１ｂで示す９０°＋φ／２°と、符号
２３ｂで示す９０°−φ／２°と、符号２４で示す−９
０°の３つになる。
【００５１】このように本実施例の反射型移相器３００
では、ソース・ドレイン間に共振用インダクタ１２が接
続されたＦＥＴ１０ａ，１０ｂにより、３ｄＢ方向性結
合器３の終端が反射回路９０ａに接続された状態と、開
放された状態の２つの状態に切り換えられて、異なる３
つの位相量を得られることになる。従って、１つの反射
型移相器で２つの移相量が得られることになり、従来の
反射型移相器を２つ縦続接続した２ビット移相器に比べ
てチップサイズが小さい２ビット移相器を得ることがで
きる。
では、ソース・ドレイン間に共振用インダクタ１２が接
続されたＦＥＴ１０ａ，１０ｂにより、３ｄＢ方向性結
合器３の終端が反射回路９０ａに接続された状態と、開
放された状態の２つの状態に切り換えられて、異なる３
つの位相量を得られることになる。従って、１つの反射
型移相器で２つの移相量が得られることになり、従来の
反射型移相器を２つ縦続接続した２ビット移相器に比べ
てチップサイズが小さい２ビット移相器を得ることがで
きる。
【００５２】実施例３．図５は、この発明の実施例３に
よる反射型移相器の構成を示す等価回路図であり、図に
おいて、図１，３と同一符号は同一または相当する部分
を示している。５００は反射型移相器で、これは、図１
に示した反射型移相器１００と図３に示した反射型移相
器３００とを組み合わせたもので、３ｄＢ方向性結合器
３の終端と反射回路９０ａとの間に上記共振用インダク
タ９とで共振回路を構成するＦＥＴ１０ａ，１０ｂが挿
入され、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂと反射回路９０ａの接続
点と接地間に上記共振用インダクタ１２とで共振回路を
構成するＦＥＴ７ａ，７ｂが挿入されて構成されてい
る。
よる反射型移相器の構成を示す等価回路図であり、図に
おいて、図１，３と同一符号は同一または相当する部分
を示している。５００は反射型移相器で、これは、図１
に示した反射型移相器１００と図３に示した反射型移相
器３００とを組み合わせたもので、３ｄＢ方向性結合器
３の終端と反射回路９０ａとの間に上記共振用インダク
タ９とで共振回路を構成するＦＥＴ１０ａ，１０ｂが挿
入され、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂと反射回路９０ａの接続
点と接地間に上記共振用インダクタ１２とで共振回路を
構成するＦＥＴ７ａ，７ｂが挿入されて構成されてい
る。
【００５３】このような本実施例の反射型移相器５００
では、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂ及びＦＥＴ７ａ，７ｂによ
り、３ｄＢ方向性結合器３の終端を、反射回路９０ａに
接続した状態、開放した状態、及び、接地した状態の３
つの状態に切り換えることができ、その動作も図１，図
３で示した反射型移相器１００，３００を組み合わせた
ものとなる。つまり、この反射型移相器５００で実現さ
れる位相量は図６に示すように、図中符号２１で示す９
０°＋φ／２°と、符号２２で示す＋９０°と、符号２
３で示す９０°−φ／２°と、符号２４で示す−９０°
の４つになる。従って、この反射型移相器５００では一
つの反射型移相器で三つの移相量が得られることにな
り、従来の反射型移相器を三つ縦続接続した３ビット移
相器に比べてチップサイズが小型化した３ビット移相器
を得ることができる。
では、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂ及びＦＥＴ７ａ，７ｂによ
り、３ｄＢ方向性結合器３の終端を、反射回路９０ａに
接続した状態、開放した状態、及び、接地した状態の３
つの状態に切り換えることができ、その動作も図１，図
３で示した反射型移相器１００，３００を組み合わせた
ものとなる。つまり、この反射型移相器５００で実現さ
れる位相量は図６に示すように、図中符号２１で示す９
０°＋φ／２°と、符号２２で示す＋９０°と、符号２
３で示す９０°−φ／２°と、符号２４で示す−９０°
の４つになる。従って、この反射型移相器５００では一
つの反射型移相器で三つの移相量が得られることにな
り、従来の反射型移相器を三つ縦続接続した３ビット移
相器に比べてチップサイズが小型化した３ビット移相器
を得ることができる。
【００５４】実施例４．図７は、この発明の実施例４に
よる３ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図１，３，１１と同一符号は同一または相当
する部分を示し、７００は３ビット移相器で、これは、
実施例１の反射型移相器１００と実施例２の反射型移相
器３００とを直列接続して構成されている。図中、５０
ａはこれら反射型移相器１００と反射型移相器３００と
を繋ぐ接続端子である。
よる３ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図１，３，１１と同一符号は同一または相当
する部分を示し、７００は３ビット移相器で、これは、
実施例１の反射型移相器１００と実施例２の反射型移相
器３００とを直列接続して構成されている。図中、５０
ａはこれら反射型移相器１００と反射型移相器３００と
を繋ぐ接続端子である。
【００５５】このような本実施例の３ビット移相器で
は、伝送線路６ａ，６ｂとＦＥＴ４ａ，４ｂとで構成さ
れる反射回路９０ａにより実現される移相量を９０°と
なるように設定すれば、反射型移相器１００によって得
られる移相量が４５°と９０°になり、反射型移相器３
００によって得られる移相量は９０°と２２５°にな
り、移相器７００全体によって得られる移相量は１８０
°，９０°，４５°の３つになる。従って、この３ビッ
ト移相器７００では、２つの反射型移相器で３ビット移
相器が構成されており、従来の反射型移相器を３つ縦続
接続した３ビット移相器に比べてチップサイズを小型化
できる。
は、伝送線路６ａ，６ｂとＦＥＴ４ａ，４ｂとで構成さ
れる反射回路９０ａにより実現される移相量を９０°と
なるように設定すれば、反射型移相器１００によって得
られる移相量が４５°と９０°になり、反射型移相器３
００によって得られる移相量は９０°と２２５°にな
り、移相器７００全体によって得られる移相量は１８０
°，９０°，４５°の３つになる。従って、この３ビッ
ト移相器７００では、２つの反射型移相器で３ビット移
相器が構成されており、従来の反射型移相器を３つ縦続
接続した３ビット移相器に比べてチップサイズを小型化
できる。
【００５６】実施例５．図８は、この発明の実施例５に
よる２ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図１１と同一符号は同一または相当する部分
を示し、８００は２ビット移相器で、これは、入力側の
単極双投（Singl Pole Double Throw ）スイッチ（以
下、ＳＰＤＴスイッチと称す。）１７ａの一方の出力端
子６０ａと、出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ｂの一方の
入力端子６０ｃとの間にその終端が接地された３ｄＢ方
向性結合器３ａが接続され、入力側のＳＰＤＴスイッチ
１７ａの他方の出力端子６０ｃと、出力側のＳＰＤＴス
イッチ１７ｂの他方の入力端子６０ｄとの間に、図９に
示した従来の反射型移相器９００ａが接続されて構成さ
れている。
よる２ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図１１と同一符号は同一または相当する部分
を示し、８００は２ビット移相器で、これは、入力側の
単極双投（Singl Pole Double Throw ）スイッチ（以
下、ＳＰＤＴスイッチと称す。）１７ａの一方の出力端
子６０ａと、出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ｂの一方の
入力端子６０ｃとの間にその終端が接地された３ｄＢ方
向性結合器３ａが接続され、入力側のＳＰＤＴスイッチ
１７ａの他方の出力端子６０ｃと、出力側のＳＰＤＴス
イッチ１７ｂの他方の入力端子６０ｄとの間に、図９に
示した従来の反射型移相器９００ａが接続されて構成さ
れている。
【００５７】上記入力側ＳＰＤＴスイッチ１７ａは、入
力端子１と接地との間に、ＦＥＴ１４ａ，１４ｂを直例
接続した直列体と、ＦＥＴ１４ｃ，１４ｄを直列接続し
た直列体とが並列に接続され、ＦＥＴ１４ａとＦＥＴ１
４ｃの各々のゲートをスイッチングコントロール端子１
５ａに、ＦＥＴ１４ｂとＦＥＴ１４ｄの各々のゲートを
スイッチングコントロール端子１６ａに接続して構成さ
れている。
力端子１と接地との間に、ＦＥＴ１４ａ，１４ｂを直例
接続した直列体と、ＦＥＴ１４ｃ，１４ｄを直列接続し
た直列体とが並列に接続され、ＦＥＴ１４ａとＦＥＴ１
４ｃの各々のゲートをスイッチングコントロール端子１
５ａに、ＦＥＴ１４ｂとＦＥＴ１４ｄの各々のゲートを
スイッチングコントロール端子１６ａに接続して構成さ
れている。
【００５８】尚、上記出力側ＳＰＤＴスイッチ１７ｂ
は、入力側ＳＰＤＴスイッチ１７ａと回路構成は同じで
あるので、ここではブロックのみで示しており、図中、
２は出力端子、１５ｂ，１６ｂはスイッチングコントロ
ール端子である。
は、入力側ＳＰＤＴスイッチ１７ａと回路構成は同じで
あるので、ここではブロックのみで示しており、図中、
２は出力端子、１５ｂ，１６ｂはスイッチングコントロ
ール端子である。
【００５９】このような本実施例の２ビット移相器で
は、その終端が接地された３ｄＢ方向性結合器３ａによ
り１つの位相量が得られ、反射型位相器９００ａにより
２つの位相量が得られるため、入力側と出力側のＳＰＤ
Ｔスイッチ１７ａ，１７ｂのスイッチングによって、信
号の経路を３ｄＢ方向性結合器３ａを通過させる第１の
経路と、反射型位相器９００ａを通過させる第２の経路
に切換えることにより、移相器８００全体として３つの
位相量が得られ、１つの移相器で２つの移相量が得られ
ることになる。従って、従来の反射型移相器を用いた２
ビット移相器では、２つの異なる移相量が得られる反射
型移相器を直列接続していたために、信号の伝送損失が
多かったが、この２ビット移相器８００では、信号は反
射型移相器を一回通過するだけなので、信号伝送におけ
る損失を従来に比べて軽減することができる。
は、その終端が接地された３ｄＢ方向性結合器３ａによ
り１つの位相量が得られ、反射型位相器９００ａにより
２つの位相量が得られるため、入力側と出力側のＳＰＤ
Ｔスイッチ１７ａ，１７ｂのスイッチングによって、信
号の経路を３ｄＢ方向性結合器３ａを通過させる第１の
経路と、反射型位相器９００ａを通過させる第２の経路
に切換えることにより、移相器８００全体として３つの
位相量が得られ、１つの移相器で２つの移相量が得られ
ることになる。従って、従来の反射型移相器を用いた２
ビット移相器では、２つの異なる移相量が得られる反射
型移相器を直列接続していたために、信号の伝送損失が
多かったが、この２ビット移相器８００では、信号は反
射型移相器を一回通過するだけなので、信号伝送におけ
る損失を従来に比べて軽減することができる。
【００６０】実施例６．図９は、この発明の実施例６に
よる２ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図８と同一符号は同一または相当する部分を
示し、８５０は２ビット移相器で、これは、図８に示し
た２ビット移相器８００におけるその終端が接地された
３ｄＢ方向性結合器３ａを、その終端が開放された３ｄ
Ｂ方向性結合器３ｂに置き換えて構成したものである。
よる２ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図８と同一符号は同一または相当する部分を
示し、８５０は２ビット移相器で、これは、図８に示し
た２ビット移相器８００におけるその終端が接地された
３ｄＢ方向性結合器３ａを、その終端が開放された３ｄ
Ｂ方向性結合器３ｂに置き換えて構成したものである。
【００６１】このような本実施例の２ビット移相器にお
いても、上記実施例５の２ビット移相器８００と同様
に、入力側と出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ａ，１７ｂ
のスイッチングによって、信号の経路を３ｄＢ方向性結
合器３ｂを通過させる第１の経路と、反射型位相器９０
０ａを通過させる第２の経路に切換えることにより、移
相器８５０全体として３つの位相量が得られることにな
り、１つの移相器で２つの移相量が得られることにな
る。従って、従来の反射型移相器を用いた２ビット移相
器では、２つの異なる移相量が得られる反射型移相器を
縦続接続していたために、信号伝送における損失が多か
ったが、この２ビット移相器８５０では、信号は反射型
移相器を一回通過するだけなので、信号伝送における損
失を従来に比べて軽減することができる。
いても、上記実施例５の２ビット移相器８００と同様
に、入力側と出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ａ，１７ｂ
のスイッチングによって、信号の経路を３ｄＢ方向性結
合器３ｂを通過させる第１の経路と、反射型位相器９０
０ａを通過させる第２の経路に切換えることにより、移
相器８５０全体として３つの位相量が得られることにな
り、１つの移相器で２つの移相量が得られることにな
る。従って、従来の反射型移相器を用いた２ビット移相
器では、２つの異なる移相量が得られる反射型移相器を
縦続接続していたために、信号伝送における損失が多か
ったが、この２ビット移相器８５０では、信号は反射型
移相器を一回通過するだけなので、信号伝送における損
失を従来に比べて軽減することができる。
【００６２】実施例７．図１０は、この発明の実施例７
による３ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、
図において、図８と同一符号は同一または相当する部分
を示し、１０００は３ビット移相器で、これは、図８に
示した２ビット移相器８００におけるその終端が接地さ
れた３ｄＢ方向性結合器３ａを、図１１に示した従来の
反射型移相器９００ａに置き換えて構成したものであ
る。
による３ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、
図において、図８と同一符号は同一または相当する部分
を示し、１０００は３ビット移相器で、これは、図８に
示した２ビット移相器８００におけるその終端が接地さ
れた３ｄＢ方向性結合器３ａを、図１１に示した従来の
反射型移相器９００ａに置き換えて構成したものであ
る。
【００６３】このような本実施例の３ビット移相器で
は、２つの反射型移相器９００ａの一方の移相器の移相
量をφ1 ，他方の移相器の移相量をφ2 に設計し、入力
側と出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ａ，１７ｂのスイッ
チングによって、信号の経路を一方の反射型移相器９０
０ａを通過させる第１の経路と、他方の反射型位相器９
００ａを通過させる第２の経路に切換えることにより、
９０＋φ1 ／２，９０＋φ2 ／２，９０−φ1 ／２，９
０−φ2 ／２の４つの位相量を得ることができる。従っ
て、従来の反射型移相器を用いた３ビット移相器では、
３つの異なる移相量が得られる反射型移相器を縦続接続
していたために、信号伝送における損失が多かったが、
この多ビット移相器１０００では、信号は反射型移相器
を一回通過するだけなので、信号伝送における損失を従
来に比べて軽減することができる。また、２つの反射型
位相器で、３ビット移相器を構成できるため、従来の３
ビット移相器に比べてチップサイズを小型化できる。
は、２つの反射型移相器９００ａの一方の移相器の移相
量をφ1 ，他方の移相器の移相量をφ2 に設計し、入力
側と出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ａ，１７ｂのスイッ
チングによって、信号の経路を一方の反射型移相器９０
０ａを通過させる第１の経路と、他方の反射型位相器９
００ａを通過させる第２の経路に切換えることにより、
９０＋φ1 ／２，９０＋φ2 ／２，９０−φ1 ／２，９
０−φ2 ／２の４つの位相量を得ることができる。従っ
て、従来の反射型移相器を用いた３ビット移相器では、
３つの異なる移相量が得られる反射型移相器を縦続接続
していたために、信号伝送における損失が多かったが、
この多ビット移相器１０００では、信号は反射型移相器
を一回通過するだけなので、信号伝送における損失を従
来に比べて軽減することができる。また、２つの反射型
位相器で、３ビット移相器を構成できるため、従来の３
ビット移相器に比べてチップサイズを小型化できる。
【００６４】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる反射型
移相器によれば、３ｄＢ方向性結合器の終端と接地との
間に挿入した共振回路により、３ｄＢ方向性結合器の終
端を反射回路に接続した第１の動作状態と、３ｄＢ方向
性結合器の終端を接地した第２の動作状態とに切り換え
られるようにしたので、１つの反射型移相器で異なる３
つの位相量を得ることができ、その結果、２つの反射型
移相器を直列接続した従来の２ビット移相器に比べて、
チップサイズが小さい２ビット移相器を得ることができ
る効果がある。
移相器によれば、３ｄＢ方向性結合器の終端と接地との
間に挿入した共振回路により、３ｄＢ方向性結合器の終
端を反射回路に接続した第１の動作状態と、３ｄＢ方向
性結合器の終端を接地した第２の動作状態とに切り換え
られるようにしたので、１つの反射型移相器で異なる３
つの位相量を得ることができ、その結果、２つの反射型
移相器を直列接続した従来の２ビット移相器に比べて、
チップサイズが小さい２ビット移相器を得ることができ
る効果がある。
【００６５】更に、この発明にかかる反射型移相器によ
れば、３ｄＢ方向性結合器の終端と反射回路との間に挿
入した共振回路により、３ｄＢ方向性結合器の終端を反
射回路に接続した第１の動作状態と、３ｄＢ方向性結合
器の終端を接地した第２の動作状態とに切り換えられる
ようにしたので、１つの反射型移相器で異なる３つの位
相量を得ることができ、その結果、２つの反射型移相器
を直列接続した従来の２ビット移相器に比べて、チップ
サイズが小さい２ビット位相器を得ることができる効果
がある。
れば、３ｄＢ方向性結合器の終端と反射回路との間に挿
入した共振回路により、３ｄＢ方向性結合器の終端を反
射回路に接続した第１の動作状態と、３ｄＢ方向性結合
器の終端を接地した第２の動作状態とに切り換えられる
ようにしたので、１つの反射型移相器で異なる３つの位
相量を得ることができ、その結果、２つの反射型移相器
を直列接続した従来の２ビット移相器に比べて、チップ
サイズが小さい２ビット位相器を得ることができる効果
がある。
【００６６】更に、この発明にかかる多ビット移相器に
よれば、入力側及び出力側の単極双投スイッチのスイッ
チングにより、入力信号を、反射型移相器か、或いは、
その終端を開放または接地した３ｄＢ方向性結合器の何
れか一方に選択的に通過させるようにしたので、従来の
ように入力信号を直列接続された互いに異なる移相量が
得られる２つの反射型移相器を通過させることなく、２
つの移相量を得ることができ、従来に比べて信号伝送に
おける損失を低減できる効果がある。
よれば、入力側及び出力側の単極双投スイッチのスイッ
チングにより、入力信号を、反射型移相器か、或いは、
その終端を開放または接地した３ｄＢ方向性結合器の何
れか一方に選択的に通過させるようにしたので、従来の
ように入力信号を直列接続された互いに異なる移相量が
得られる２つの反射型移相器を通過させることなく、２
つの移相量を得ることができ、従来に比べて信号伝送に
おける損失を低減できる効果がある。
【００６７】更に、この発明にかかる多ビット移相器に
よれば、入力側及び出力側の単極双投スイッチのスイッ
チングにより、入力信号を、互いに異なる移相量が得ら
れる２つの反射型移相器の何れか一方を選択的に通過さ
せるようにしたので、従来のように入力信号を直列接続
された互いに異なる移相量が得られる３つの反射型移相
器を通過させることなく、３つの移相量を得ることがで
き、従来に比べて信号伝送における損失を低減できる効
果がある。また、２つの反射型移相器で３つの移相量が
得られる３ビット移相器を構成できるため、従来の３ビ
ット移相器に比べてチップサイズを小さくできる効果が
ある。
よれば、入力側及び出力側の単極双投スイッチのスイッ
チングにより、入力信号を、互いに異なる移相量が得ら
れる２つの反射型移相器の何れか一方を選択的に通過さ
せるようにしたので、従来のように入力信号を直列接続
された互いに異なる移相量が得られる３つの反射型移相
器を通過させることなく、３つの移相量を得ることがで
き、従来に比べて信号伝送における損失を低減できる効
果がある。また、２つの反射型移相器で３つの移相量が
得られる３ビット移相器を構成できるため、従来の３ビ
ット移相器に比べてチップサイズを小さくできる効果が
ある。
【図１】この発明の実施例１による反射型移相器の構成
を示す等価回路図である。
を示す等価回路図である。
【図２】図１の反射型移相器の位相状態を表す図であ
る。
る。
【図３】この発明の実施例２による反射型移相器の構成
を示す等価回路図である。
を示す等価回路図である。
【図４】図２の反射型移相器の位相状態を表す図であ
る。
る。
【図５】この発明の実施例３による反射型移相器の構成
を示す等価回路図である。
を示す等価回路図である。
【図６】図３の反射型移相器の位相状態を表す図であ
る。
る。
【図７】この発明の実施例４による多ビット移相器の構
成を示す等価回路図である。
成を示す等価回路図である。
【図８】この発明の実施例５による多ビット移相器の構
成を示す等価回路図である。
成を示す等価回路図である。
【図９】この発明の実施例６による多ビット移相器の構
成を示す等価回路図である。
成を示す等価回路図である。
【図１０】この発明の実施例１０による多ビット移相器
の構成を示す等価回路図である。
の構成を示す等価回路図である。
【図１１】従来の多ビット移相器の構成を示す等価回路
図である。
図である。
【図１２】図１１の反射型位相器における反射回路の等
価回路図と、反射回路を構成するＦＥＴをスイッチング
動作させた時の等価回路図である。
価回路図と、反射回路を構成するＦＥＴをスイッチング
動作させた時の等価回路図である。
【図１３】図１１の反射型位相器と反射回路の位相状態
を表す図である。
を表す図である。
１，１ａ 入力端子 ２，２ａ 出力端子 ３ ３ｄＢ方向性結合器 ３ａ 終端が接地された３ｄＢ方向性結合器 ３ｂ 終端が開放された３ｄＢ方向性結合器 ４，４ａ，４ｂ，７ａ，７ｂ，１０ａ，１０ｂ ＦＥＴ ５，８，１１ ゲートバイアス端子 ６，６ａ，６ｂ 伝送線路 ９，１２ 共振用インダクタ １４ａ〜１４ｄ ＦＥＴ １５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ スイッチングコント
ロール端子 １７ａ 入力側ＳＰＤＴスイッチ １７ｂ 出力側ＳＰＤＴスイッチ ５０ 接続端子 ６０ａ，６０ｂ 入力側ＳＰＤＴスイッチの出力端子 ６０ｃ，６０ｄ 出力側ＳＰＤＴスイッチの出力端子 ９０，９０ａ 反射回路 １００，３００，５００，９００ａ〜９００ｃ 反射型
移相器 ７００，９００，１０００ ３ビット移相器 ８００，８５０ ２ビット移相器
ロール端子 １７ａ 入力側ＳＰＤＴスイッチ １７ｂ 出力側ＳＰＤＴスイッチ ５０ 接続端子 ６０ａ，６０ｂ 入力側ＳＰＤＴスイッチの出力端子 ６０ｃ，６０ｄ 出力側ＳＰＤＴスイッチの出力端子 ９０，９０ａ 反射回路 １００，３００，５００，９００ａ〜９００ｃ 反射型
移相器 ７００，９００，１０００ ３ビット移相器 ８００，８５０ ２ビット移相器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】ここで、 ｜ΓT ｜＝１ ……(19) ΓT ＝｜ΓT ｜ｅｘｐ（ｊφ′／２）（φ′／２はΓT の位相成分である。） ……(20) とすると、式(18)は下記式(21)で表される。 ｔａｎ（φ′／２）＝２ＸT ／１−ＸT 2 ……(21) そして、式 (21) のＸT は下記式 (22) に示す三角関数
の倍角公式により、ＸT ＝ｔａｎ（φ′／４）となり、
従って、反射により移相量が２倍になることがわかる。
の倍角公式により、ＸT ＝ｔａｎ（φ′／４）となり、
従って、反射により移相量が２倍になることがわかる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】ここで、そのソース・ドレイン間に共振用
インダクタ９を接続したソース接地ＦＥＴ７ａ，７ｂは
それぞれ使用周波数帯の中心周波数で共振する共振回路
を構成しており、この共振回路がオープン状態になると
（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＦＦ状態になると）、３
ｄＢ方向性結合器３の終端は反射回路９０ａ、即ち、伝
送線路６ｂに接続され、この共振回路がショート状態が
なると（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＮ状態になる
と）、３ｄＢ方向性結合器３の終端は接地に接続される
（接地される。）。
インダクタ９を接続したソース接地ＦＥＴ７ａ，７ｂは
それぞれ使用周波数帯の中心周波数で共振する共振回路
を構成しており、この共振回路がオープン状態になると
（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＦＦ状態になると）、３
ｄＢ方向性結合器３の終端は反射回路９０ａ、即ち、伝
送線路６ｂに接続され、この共振回路がショート状態が
なると（即ち、ＦＥＴ７ａ，７ｂがＯＮ状態になる
と）、３ｄＢ方向性結合器３の終端は接地に接続される
（接地される。）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】次に、動作について説明する。ＦＥＴ７
ａ，７ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が反射回
路９０ａへ接続されると、この反射回路９０ａが図１１
に示した反射回路９０と同様の回路構成であることか
ら、反射型移相器１００は図１１に示した反射型移相器
９００ａと同様の動作をする。一方、３ｄＢ方向性結合
器３の終端が接地された場合は、前述した式(18)におい
てＸT ＝０となるので、ΓT ＝−１，Ｓ21＝−ｊΓT ＝
ｊ、∠Ｓ21＝９０°となる。従って、反射回路９０ａで
実現される移相量をφとした場合、この反射型移相器１
００で実現される位相量は図２に示すように、図中符号
２１で示す９０°＋φ／２°と、符号２２で示す９０°
と、符号２３で示す９０°−φ／２°の３つになる。
ａ，７ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が反射回
路９０ａへ接続されると、この反射回路９０ａが図１１
に示した反射回路９０と同様の回路構成であることか
ら、反射型移相器１００は図１１に示した反射型移相器
９００ａと同様の動作をする。一方、３ｄＢ方向性結合
器３の終端が接地された場合は、前述した式(18)におい
てＸT ＝０となるので、ΓT ＝−１，Ｓ21＝−ｊΓT ＝
ｊ、∠Ｓ21＝９０°となる。従って、反射回路９０ａで
実現される移相量をφとした場合、この反射型移相器１
００で実現される位相量は図２に示すように、図中符号
２１で示す９０°＋φ／２°と、符号２２で示す９０°
と、符号２３で示す９０°−φ／２°の３つになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】次に、動作について説明する。ＦＥＴ１０
ａ，１０ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が、反
射回路９０ａに接続されると、反射型移相器３００は、
従来の反射型移相器９００ａと同様の動作をする。一
方、３ｄＢ方向性結合器３の終端が開放された場合は、
式(18)においてＸT ＝∞となるので、ΓT ＝１，Ｓ21＝
−ｊΓT ＝−ｊ、∠Ｓ21＝−９０°となる。従って、反
射回路９０ａで実現される移相量をφとした場合、この
反射型移相器３００で実現される位相量は図４に示すよ
うに、図中符号２１で示す９０°＋φ／２°と、符号２
３で示す９０°−φ／２°と、符号２４で示す−９０°
の３つになる。
ａ，１０ｂにより、３ｄＢ方向性結合器３の終端が、反
射回路９０ａに接続されると、反射型移相器３００は、
従来の反射型移相器９００ａと同様の動作をする。一
方、３ｄＢ方向性結合器３の終端が開放された場合は、
式(18)においてＸT ＝∞となるので、ΓT ＝１，Ｓ21＝
−ｊΓT ＝−ｊ、∠Ｓ21＝−９０°となる。従って、反
射回路９０ａで実現される移相量をφとした場合、この
反射型移相器３００で実現される位相量は図４に示すよ
うに、図中符号２１で示す９０°＋φ／２°と、符号２
３で示す９０°−φ／２°と、符号２４で示す−９０°
の３つになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】実施例３．図５は、この発明の実施例３に
よる反射型移相器の構成を示す等価回路図であり、図に
おいて、図１，３と同一符号は同一または相当する部分
を示している。５００は反射型移相器で、これは、図１
に示した反射型移相器１００と図３に示した反射型移相
器３００とを組み合わせたもので、３ｄＢ方向性結合器
３の終端と反射回路９０ａとの間に上記共振用インダク
タ１２とで共振回路を構成するＦＥＴ１０ａ，１０ｂが
挿入され、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂと反射回路９０ａの接
続点と接地間に上記共振用インダクタ９とで共振回路を
構成するＦＥＴ７ａ，７ｂが挿入されて構成されてい
る。
よる反射型移相器の構成を示す等価回路図であり、図に
おいて、図１，３と同一符号は同一または相当する部分
を示している。５００は反射型移相器で、これは、図１
に示した反射型移相器１００と図３に示した反射型移相
器３００とを組み合わせたもので、３ｄＢ方向性結合器
３の終端と反射回路９０ａとの間に上記共振用インダク
タ１２とで共振回路を構成するＦＥＴ１０ａ，１０ｂが
挿入され、ＦＥＴ１０ａ，１０ｂと反射回路９０ａの接
続点と接地間に上記共振用インダクタ９とで共振回路を
構成するＦＥＴ７ａ，７ｂが挿入されて構成されてい
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５６】実施例５．図８は、この発明の実施例５に
よる２ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図１１と同一符号は同一または相当する部分
を示し、８００は２ビット移相器で、これは、入力側の
単極双投（Single Pole Double Throw）スイッチ（以
下、ＳＰＤＴスイッチと称す。）１７ａの一方の出力端
子６０ａと、出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ｂの一方の
入力端子６０ｃとの間にその終端が接地された３ｄＢ方
向性結合器３ａが接続され、入力側のＳＰＤＴスイッチ
１７ａの他方の出力端子６０ｂと、出力側のＳＰＤＴス
イッチ１７ｂの他方の入力端子６０ｄとの間に、図１１
に示した従来の反射型移相器９００ａが接続されて構成
されている。
よる２ビット移相器の構成を示す等価回路図であり、図
において、図１１と同一符号は同一または相当する部分
を示し、８００は２ビット移相器で、これは、入力側の
単極双投（Single Pole Double Throw）スイッチ（以
下、ＳＰＤＴスイッチと称す。）１７ａの一方の出力端
子６０ａと、出力側のＳＰＤＴスイッチ１７ｂの一方の
入力端子６０ｃとの間にその終端が接地された３ｄＢ方
向性結合器３ａが接続され、入力側のＳＰＤＴスイッチ
１７ａの他方の出力端子６０ｂと、出力側のＳＰＤＴス
イッチ１７ｂの他方の入力端子６０ｄとの間に、図１１
に示した従来の反射型移相器９００ａが接続されて構成
されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】この発明の実施例７による多ビット移相器の
構成を示す等価回路図である。
構成を示す等価回路図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】図１１の反射型位相器の反射回路の位相状態
を表す図である。
を表す図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 ３ｄＢ方向性結合器の終端に反射回路を
接続してなる反射型移相器であって、 上記３ｄＢ方向性結合器の終端と接地との間に、ＦＥＴ
と該ＦＥＴのソース・ドレイン間に接続された共振用イ
ンダクタとからなる共振回路を挿入したことを特徴とす
る反射型移相器。 - 【請求項２】 請求項１に記載の反射型移相器であっ
て、 上記反射回路は、 ３ｄＢ方向性結合器の終端にその一端が接続された伝送
線路と、 上記伝送線路の他端にそのドレインが接続されたソース
接地ＦＥＴとから構成されていることを特徴とする反射
型移相器。 - 【請求項３】 ３ｄＢ方向性結合器の終端に反射回路を
接続してなる反射型移相器であって、 上記３ｄＢ方向性結合器の終端と反射回路との間に、Ｆ
ＥＴと該ＦＥＴのソース・ドレイン間に接続された共振
用インダクタとからなる共振回路を挿入したことを特徴
とする反射型移相器。 - 【請求項４】 請求項３に記載の反射型移相器であっ
て、 上記反射回路は、 ３ｄＢ方向性結合器の終端にその一端が接続された伝送
線路と、 上記伝送線路の他端にそのドレインが接続されたソース
接地ＦＥＴとから構成されていることを特徴とする反射
型移相器。 - 【請求項５】 ３ｄＢ方向性結合器の終端に反射回路を
接続してなる反射型移相器であって、 上記３ｄＢ方向性結合器の終端と接地との間、及び、上
記３ｄＢ方向性結合器の終端と反射回路との間に、 ＦＥＴと該ＦＥＴのソース・ドレイン間に接続された共
振用インダクタとからなる共振回路を挿入したことを特
徴とする反射型移相器。 - 【請求項６】 請求項３に記載の反射型移相器であっ
て、 上記反射回路は、 ３ｄＢ方向性結合器の終端にその一端が接続された伝送
線路と、 上記伝送線路の他端にそのドレインが接続されたソース
接地ＦＥＴとから構成されていることを特徴とする反射
型移相器。 - 【請求項７】 ３ｄＢ方向性結合器の終端に反射回路を
接続してなる反射型移相器を用いて構成された多ビット
移相器であって、 入力側及び出力側単極双投スイッチと、 上記入力側単極双投スイッチの第１の出力側端子にその
入力側端子が接続され、上記出力側単極双投スイッチの
第１の入力側端子にその出力側端子が接続され、その終
端が接地または開放された第１の３ｄＢ方向性結合器
と、 上記入力側単極双投スイッチの第２の出力側端子にその
入力側端子が接続され、上記出力側単極双投スイッチの
第２の入力側端子にその出力側端子が接続された第２の
３ｄＢ方向性結合器の終端に、伝送線路を介してソース
接地されたＦＥＴのドレインを接続してなる反射型移相
器とから構成されていることを特徴とする多ビット移相
器。 - 【請求項８】 ３ｄＢ方向性結合器の終端に反射回路を
接続してなる反射型移相器を用いて構成された多ビット
移相器であって、 入力側及び出力側単極双投スイッチと、 上記入力側単極双投スイッチの第１の出力側端子にその
入力側端子が接続され、上記出力側単極双投スイッチの
第１の入力側端子にその出力側端子が接続された第１の
３ｄＢ方向性結合器の終端に、伝送線路を介してソース
接地されたＦＥＴのドレインを接続してなる第１の反射
型移相器と、 上記入力側単極双投スイッチの第２の出力側端子にその
入力側端子が接続され、上記出力側単極双投スイッチの
第２の入力側端子にその出力側端子が接続された第２の
３ｄＢ方向性結合器の終端に、伝送線路を介してソース
接地されたＦＥＴのドレインを接続してなる第２の反射
型移相器とから構成されていることを特徴とする多ビッ
ト移相器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128620A JPH06338702A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 反射型移相器及び多ビット移相器 |
| US08/148,612 US5379007A (en) | 1993-05-31 | 1993-11-08 | Reflection phase shifter and multiple bit phase shifter |
| FR9314259A FR2706097B1 (fr) | 1993-05-31 | 1993-11-29 | Déphaseur à réflexion et déphaseur à plusieurs bits. |
| DE4341301A DE4341301C2 (de) | 1993-05-31 | 1993-12-03 | Vielfach-Bit-Phasenschieber |
| FR9404038A FR2706098B1 (fr) | 1993-05-31 | 1994-04-06 | Déphaseur à plusieurs bits . |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128620A JPH06338702A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 反射型移相器及び多ビット移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338702A true JPH06338702A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=14989300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128620A Pending JPH06338702A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 反射型移相器及び多ビット移相器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5379007A (ja) |
| JP (1) | JPH06338702A (ja) |
| DE (1) | DE4341301C2 (ja) |
| FR (1) | FR2706097B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100500663B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-07-12 | 한국전자통신연구원 | 직교신호 발생기를 이용한 선택적 결합기형 디지털위상변위기 |
| KR100536189B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-12-14 | 국방과학연구소 | 광대역 180°-비트 위상변위기 |
| US7372406B2 (en) | 2002-08-30 | 2008-05-13 | Fujitsu Limited | Antenna apparatus including inverted-F antenna having variable resonance frequency |
| JP2022522155A (ja) * | 2019-02-26 | 2022-04-14 | メタウェーブ コーポレーション | ミリ波アプリケーションのための切替可能反射型位相シフタ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3853855B2 (ja) * | 1995-03-15 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | 移相器 |
| US5606283A (en) * | 1995-05-12 | 1997-02-25 | Trw Inc. | Monolithic multi-function balanced switch and phase shifter |
| US6741207B1 (en) * | 2000-06-30 | 2004-05-25 | Raytheon Company | Multi-bit phase shifters using MEM RF switches |
| US6958665B2 (en) * | 2003-04-02 | 2005-10-25 | Raytheon Company | Micro electro-mechanical system (MEMS) phase shifter |
| US20150035619A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Phase shifter and method of shifting phase of signal |
| CN112005432B (zh) * | 2018-04-25 | 2022-05-27 | 株式会社村田制作所 | 定向耦合器以及定向耦合器模块 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4160220A (en) * | 1978-01-23 | 1979-07-03 | Rca Corporation | Precision microwave delay circuit and method |
| US4612520A (en) * | 1985-06-03 | 1986-09-16 | Westinghouse Electric Corp. | Wideband 180-degree phase shifter bit |
| JPS63238716A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-10-04 | Nec Corp | スイッチ回路 |
| US4789846A (en) * | 1986-11-28 | 1988-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave semiconductor switch |
| US4780226A (en) * | 1987-08-03 | 1988-10-25 | General Motors Corporation | Lubrication for hot working rare earth-transition metal alloys |
| US4764740A (en) * | 1987-08-10 | 1988-08-16 | Micronav Ltd. | Phase shifter |
| JPH07101801B2 (ja) * | 1989-08-09 | 1995-11-01 | 三菱電機株式会社 | ローデットライン形移相器 |
| JPH0378301A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Hidekazu Kitagawa | マイクロ波帯で使用する３６０度位相検出器と、直接連動が可能な移相器 |
| JPH0398301A (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体移相器 |
| JPH0758841B2 (ja) * | 1990-02-22 | 1995-06-21 | 株式会社東芝 | マイクロ波移相器 |
| JPH0421201A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 移相器 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5128620A patent/JPH06338702A/ja active Pending
- 1993-11-08 US US08/148,612 patent/US5379007A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-29 FR FR9314259A patent/FR2706097B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-03 DE DE4341301A patent/DE4341301C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100536189B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-12-14 | 국방과학연구소 | 광대역 180°-비트 위상변위기 |
| US7372406B2 (en) | 2002-08-30 | 2008-05-13 | Fujitsu Limited | Antenna apparatus including inverted-F antenna having variable resonance frequency |
| KR100500663B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2005-07-12 | 한국전자통신연구원 | 직교신호 발생기를 이용한 선택적 결합기형 디지털위상변위기 |
| JP2022522155A (ja) * | 2019-02-26 | 2022-04-14 | メタウェーブ コーポレーション | ミリ波アプリケーションのための切替可能反射型位相シフタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2706097B1 (fr) | 1996-05-24 |
| US5379007A (en) | 1995-01-03 |
| FR2706097A1 (fr) | 1994-12-09 |
| DE4341301A1 (de) | 1994-12-01 |
| DE4341301C2 (de) | 1998-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5375257A (en) | Microwave switch | |
| US3611199A (en) | Digital electromagnetic wave phase shifter comprising switchable reflectively terminated power-dividing means | |
| US4549152A (en) | Broadband adjustable phase modulation circuit | |
| JPH06338702A (ja) | 反射型移相器及び多ビット移相器 | |
| US4801901A (en) | Non-ferrite non-reciprocal phase shifter and circulator | |
| US4612520A (en) | Wideband 180-degree phase shifter bit | |
| KR100526239B1 (ko) | 3 라인 발룬 트랜스포머 | |
| US7633357B2 (en) | SPST switch, SPDT switch and MPMT switch | |
| US11777187B2 (en) | Reconfigurable quadrature coupler | |
| US6252474B1 (en) | Semiconductor phase shifter having high-pass signal path and low-pass signal path connected in parallel | |
| US5166648A (en) | Digital phase shifter apparatus | |
| JP2002057502A (ja) | 超高周波二極双投スイッチ、超高周波分配／伝送スイッチ及び電力増幅装置 | |
| JP2656284B2 (ja) | モノリシックマイクロ波移相器 | |
| EP0361801A2 (en) | A microwave semiconductor switch | |
| KR100500663B1 (ko) | 직교신호 발생기를 이용한 선택적 결합기형 디지털위상변위기 | |
| Kori et al. | Integral analysis off hybrid coupled semiconductor phase shifters | |
| US5428320A (en) | Biphase modulator and method without matching elements | |
| US7173503B1 (en) | Multibit phase shifter with active and passive phase bits, and active phase bit therefor | |
| US5382926A (en) | Multiple bit loaded line phase shifter | |
| JP4367423B2 (ja) | 高周波スイッチ | |
| WO2023106092A1 (ja) | 高周波回路 | |
| JP3329759B2 (ja) | マイクロ波移相回路 | |
| JP2000188524A (ja) | 減衰器 | |
| JP2682492B2 (ja) | 多波共用型無停波合成切替装置 | |
| JP2002076844A (ja) | 移相回路および移相器 |