KR100536189B1 - 광대역 180°-비트 위상변위기 - Google Patents
광대역 180°-비트 위상변위기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100536189B1 KR100536189B1 KR10-2002-0045076A KR20020045076A KR100536189B1 KR 100536189 B1 KR100536189 B1 KR 100536189B1 KR 20020045076 A KR20020045076 A KR 20020045076A KR 100536189 B1 KR100536189 B1 KR 100536189B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- port
- phase shifter
- wideband
- bit phase
- input
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/185—Phase-shifters using a diode or a gas filled discharge tube
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
본 발명은 광대역 180°-비트 위상 변위기에 관한 것으로서, 특히, 접지된 스위칭 소자를 이용하여 단순화된 회로 구성을 지니는 것을 특징으로 하는 광대역 180°-비트 위상 변위기에 관한 것이다.
본 발명인 광대역 180°-비트 위상 변위기는 입력 포트와, 출력 포트와, 쓰루 포트 및 커플드 포트를 구비하는 랑게 커플러와; 상기 랑게 커플러의 쓰루 포트와, 커플드 포트에 각각 연결되어, 그 입력되는 무선 신호를 각각 반사시키는 반사 부하들로 구성된다.
Description
본 발명은 광대역 180°-비트 위상변위기에 관한 것으로서, 특히, 접지된 스위칭 소자를 이용하여 단순화된 회로 구성을 지니는 것을 특징으로 하는 광대역 180°-비트 위상변위기에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 180°-비트 위상변위기의 구성도를 도시하는 것으로서, 입력 스위치(1)와, 출력 스위치(4)와, 단락된(shorted) π-형 회로(2) 및, 단락된 랑게(lange) 커플러(coupler)(3)로 구성된다. 상기 위상변위기를 통하여 입력된 무선 주파수 신호(이하, "RF 신호"라 함)에 대하여 상기 스위치의 동작에 의해서 2가지의 출력신호들이 출력되고, 상기 출력신호들 간에 180°의 위상차가 발생되게 된다.
상기 스위치(1)의 내부 상세도는 참조번호(10)로 지시되고, 상기 스위치(4)도 상기 스위치(1)와 동일한 구성을 지닌다. 상기 종래의 스위치(1), (4)는 적어도 4개 이상의 PIN 다이오드를 포함하여 매우 복잡한 구성을 지닌다. 따라서, 상기 종래의 위상변위기는 다수개의 소자들로 구성됨으로써 상당히 넓은 면적을 차지하게 되는 문제가 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 종래의 위상변위기보다 간단한 새로운 개념의 광대역 180°-비트 위상변위기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits: 모놀리딕 마이크로파 집적회로) 및 HMIC(Hybrid Microwave Integrated Circuits: 하이브리드 마이크로파 집적 회로) 등과 같은 평면형(planar type)의 위상변위기를 제작할 때 그 면적 면에서 휠씬 적게 구현된 광대역 180°-비트 위상변위기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 광대역 180°-비트 위상 변위기는 입력 포트와, 출력 포트와, 쓰루 포트 및 커플드 포트를 구비하는 랑게 커플러와; 상기 랑게 커플러의 쓰루 포트와 커플드 포트에 각각 연결된 PIN 다이오드 스위칭 소자로 이루어진 반사 부하로서, 상기 스위칭 소자의 동시 도통(ON)시에 입력되는 무선 신호에 대해 -1의 반사계수 특성을 보이고 상기 스위칭 소자의 동시 차단(OFF)시에 1의 반사계수 특성을 보이는 반사 부하를 구비하는 것을 특징으로 한다.이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살명한다.
도 2는 본 발명에 따른 광대역 180°-비트 위상변위기의 구성도를 도시하는 것으로서, 랑게 커플러(20)와, 상기 랑게 커플러(20)로부터 입력된 신호를 반사하는 2개의 반사부하들(reflective load)(30)로 이루어져 있다.
자세하게, 상기 랑게 커플러는 입력(input) 포트(21)와, 아이솔레이티드 (isolated) 포트 또는 출력 포트(22)와, 커플드(coupled) 포트(23) 및 쓰루 (through) 포트(24)로 이루어진다. 상기 2개의 반사부하들(30)은 각각 커플드 포트(23)와 쓰루 포트(24)에 연결되고, 상기 반사부하들(30) 각각은 스위칭 소자(31)와 접지(32)로 이루어진다.
도 3은 본 발명에 따른 바람직한 실시예의 구성도를 도시하는 것으로서, 상기 스위칭 소자(31)의 일실시예로서 PIN 다이오드(41), (42)가 각각 사용될 수 있고, 상기 접지(43), (44)는 스루홀(via hole)로 형성될 수 있다. 상기 PIN 다이오드(41), (42)는 소정의 제어 회로(도시되지 않음)에 의해 동시에 온되거나 오프되어진다. 상기 PIN 다이오드들의 등가회로로 상기 다이오드가 온되었을 경우 약 1.5오옴의 저항으로, 오프되었을 경우 50pF의 캐패시터로 근사화할 수 있다
이하에서, 본 발명의 작용을 설명한다. 먼저, P∠0°(이때, P는 입력된 신호의 크기)인 RF 신호(Si)가 상기 입력 포트(21)를 통하여 입력되면, 상기 커플드 포트(23)에서 1/2P∠0°인 RF 신호(Sci)가 상기 PIN 다이오드(41)로 입력되고, 상기 쓰루 포트(24)에서 1/2P∠90°인 RF 신호(Sti)가 상기 PIN 다이오드(42)로 입력된다.
첫째로, 상기 PIN 다이오드들(41), (42)이 모두 오픈(open)인 경우, 즉 PIN 다이오드들(41), (42)이 모두 오프인 경우, 상기 반사부하(30)의 반사 계수가 거의 1로 보이게 되어, 1/2P∠0°인 RF 신호(Sco)가 상기 커플드 포트(23)로 반사되고, 1/2P∠90°인 RF 신호(Sto)가 상기 쓰루 포트(24)로 반사된다. 상기 반사된 RF 신호들은 다시 랑게 커플러(20)로 입력된다. 따라서, 입력 포트(21)로는 상기 RF 신호(Sco)와 (Sto)가 상기 랑게 커플러(20)를 통과하여, 각각 1/2P∠0°인 RF 신호와, 1/2P∠180°인 RF 신호가 합하여지게 되므로, 즉 서로 180°의 위상차가 있는 RF 신호가 합해지므로 서로 상쇄되어, 출력된 RF 신호는 0이 된다. 반면에 출력 포트(22)로는 상기 RF 신호(Sco)와 (Sto)가 상기 랑게 커플러(20)를 통과하여, 각각 1/2 P∠90°인 RF 신호와, 1/2P∠90°인 RF 신호가 합하여지게 되므로, 출력된 RF 신호(So)는 P∠90°이 된다.
둘째로, 상기 PIN 다이오드들(41), (42)이 모두 단락(short)인 경우, 즉 PIN 다이오드들(41), (42)이 모두 온인 경우, 상기 반사부하(30)의 반사 계수가 거의 -1로 보이게 되어, 1/2P∠-180°인 RF 신호(Sco)가 상기 커플드 포트(23)로 반사되고, 1/2P∠-90°인 RF 신호(Sto)가 상기 쓰루 포트(24)로 반사된다. 상기 반사된 RF 신호들은 다시 랑게 커플러(20)로 입력된다. 따라서, 입력 포트(21)로는 상기 RF 신호(Sco)와 (Sto)가 상기 랑게 커플러(20)를 통과하여, 각각 1/2P∠-180°인 RF 신호와, 1/2P∠0°인 RF 신호가 합하여지게 되므로, 즉 서로 180°의 위상차가 있는 RF 신호가 합해지므로 서로 상쇄되어, 출력된 RF 신호는 0이 된다. 반면에 출력 포트(22)로는 상기 RF 신호(Sco)와 (Sto)가 상기 랑게 커플러(20)를 통과하여, 각각 1/2 P∠-90°인 RF 신호와, 1/2P∠-90°인 RF 신호가 합하여지게 되므로, 출력된 RF 신호(So)는 P∠-90°이 된다.
따라서, 상기 출력 포트(24)로 출력되는 RF 신호의 종류는 P∠90°와, P∠-90°이므로, 서로 180°의 위상차가 있는 RF 신호가 생성되게 된다.
상기 스위치(31)로 사용되는 소자는 상기 PIN 다이오드(41), (42) 이외에도, MESFET, HEMT 등이 있다.
도 4는 본 발명에 따른 출력의 그래프를 도시한 것으로서, 2GHz에서 6GHz 대역에서의 결과를 도시한다. 상기 그래프에서 주파수 대역이 2GHz 내지 6GHz 범위에서 거의 180°의 위상 변위가 이루어짐을 알 수 있다.
상기한 구성에 따라서, 본 발명은 위상변위기의 구조를 현저하게 단순하게 하면서도 광대역에서 180°의 위상을 변위시키는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 위상변위기의 웨이퍼 상에서의 면적을 현저하게 감소시킴으로써, 웨이퍼의 수율을 현저하게 증가시키는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 180°-비트 위상변위기의 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 광대역 180°-비트 위상변위기의 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 바람직한 실시예의 구성도이다.
도 4는 본 발명에 따른 출력의 그래프이다.
Claims (4)
- 입력 포트와, 출력 포트와, 쓰루 포트 및 커플드 포트를 구비하는 랑게 커플러와;상기 랑게 커플러의 쓰루 포트와 커플드 포트에 각각 연결된 PIN 다이오드 스위칭 소자로 이루어진 반사 부하로서, 상기 스위칭 소자의 동시 도통(ON)시에 입력되는 무선 신호에 대해 -1의 반사계수 특성을 보이고 상기 스위칭 소자의 동시 차단(OFF)시에 1의 반사계수 특성을 보이는 반사 부하를 구비하는 것을 특징으로 하는 광대역 180°-비트 위상 변위기.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0045076A KR100536189B1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 광대역 180°-비트 위상변위기 |
US10/617,921 US20040021526A1 (en) | 2002-07-30 | 2003-07-11 | Wideband 180° bit phase shifter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0045076A KR100536189B1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 광대역 180°-비트 위상변위기 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040011294A KR20040011294A (ko) | 2004-02-05 |
KR100536189B1 true KR100536189B1 (ko) | 2005-12-14 |
Family
ID=31185768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0045076A KR100536189B1 (ko) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 광대역 180°-비트 위상변위기 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040021526A1 (ko) |
KR (1) | KR100536189B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070294428A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-20 | Ido Guy | Method and System for Email Messaging |
KR100867129B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2008-11-06 | 주식회사 이엠따블유안테나 | Rf 스위치 |
WO2017047199A1 (ja) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 可変移相器、可変移相回路、rfフロントエンド回路および通信装置 |
WO2018131748A1 (ko) * | 2017-01-16 | 2018-07-19 | 한국과학기술원 | 무선주파수 신호 변조 장치 |
CN110011640B (zh) * | 2018-09-05 | 2024-05-10 | 浙江铖昌科技股份有限公司 | 小型化Lange型数控单片集成移相器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06338702A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 反射型移相器及び多ビット移相器 |
JP2001284904A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 移相器 |
JP2002164707A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波移相器及びフェーズドアレーアンテナ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3982214A (en) * | 1975-10-23 | 1976-09-21 | Hughes Aircraft Company | 180° phase shifting apparatus |
DE2653676C2 (de) * | 1976-11-26 | 1985-01-24 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Breitbandiger 180 Grad-Phasenschieber |
US4301432A (en) * | 1980-08-11 | 1981-11-17 | Motorola, Inc. | Complex RF weighter |
US4612520A (en) * | 1985-06-03 | 1986-09-16 | Westinghouse Electric Corp. | Wideband 180-degree phase shifter bit |
US5504465A (en) * | 1992-11-18 | 1996-04-02 | Space Systems/Loral, Inc. | Microwave modulator having adjustable couplers |
US5334959A (en) * | 1993-04-15 | 1994-08-02 | Westinghouse Electric Corporation | 180 degree phase shifter bit |
US5349312A (en) * | 1993-05-28 | 1994-09-20 | Raytheon Company | Voltage variable attenuator |
JP3216419B2 (ja) * | 1994-05-24 | 2001-10-09 | 三菱電機株式会社 | 移相器 |
US5606283A (en) * | 1995-05-12 | 1997-02-25 | Trw Inc. | Monolithic multi-function balanced switch and phase shifter |
US6043722A (en) * | 1998-04-09 | 2000-03-28 | Harris Corporation | Microstrip phase shifter including a power divider and a coupled line filter |
US6255908B1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-07-03 | Amplix | Temperature compensated and digitally controlled amplitude and phase channel amplifier linearizer for multi-carrier amplification systems |
-
2002
- 2002-07-30 KR KR10-2002-0045076A patent/KR100536189B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-11 US US10/617,921 patent/US20040021526A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06338702A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 反射型移相器及び多ビット移相器 |
JP2001284904A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 移相器 |
JP2002164707A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波移相器及びフェーズドアレーアンテナ |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
(Microwave Symposium, 2001 IEEE MTT-S International Vol.1 pp 237~240, 2001.05.22 * |
논문(2001.05.22) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040021526A1 (en) | 2004-02-05 |
KR20040011294A (ko) | 2004-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7411471B2 (en) | High-frequency switch | |
JP5447060B2 (ja) | 半導体スイッチ | |
US7453329B2 (en) | Variable attenuator and integrated circuit | |
US20090206945A1 (en) | Reconfigurable duplexing couplers | |
Thome et al. | Millimeter-wave single-pole double-throw switches based on a 100-nm gate-length AlGaN/GaN-HEMT technology | |
US20040021527A1 (en) | Switched-frequency power dividers/combiners | |
US6252474B1 (en) | Semiconductor phase shifter having high-pass signal path and low-pass signal path connected in parallel | |
KR100536189B1 (ko) | 광대역 180°-비트 위상변위기 | |
US5917385A (en) | Attenuator control circuit having a plurality of branches | |
US7671697B2 (en) | High-isolation switching device for millimeter-wave band control circuit | |
US4963773A (en) | Low pass/high pass filter phase shifter | |
EP1447875A1 (en) | Multi-bit phase shifter and manufacturing method thereof | |
Giofrè et al. | A C-Band GaN single chip front-end for SAR applications | |
Longhi et al. | 32–36-GHz Single-Chip Front-End MMIC Featuring 35-dBm Output Power and 3.2-dB Noise Figure With 60-and 100-nm GaN/Si HEMTs | |
US6657497B1 (en) | Asymmetric, voltage optimized, wideband common-gate bi-directional MMIC amplifier | |
US6580337B1 (en) | MEMS switch | |
Boire et al. | 4: 1 bandwidth digital five bit MMIC phase shifters | |
US7612610B2 (en) | Active input load wide bandwidth low noise HEMT amplifier | |
Scardelletti et al. | MEMS, Ka-band single-pole double-throw (SPDT) switch for switched line phase shifters | |
JPH05251903A (ja) | スイッチドライン型移相器 | |
US6774416B2 (en) | Small area cascode FET structure operating at mm-wave frequencies | |
Chien et al. | Compact, high-isolation 110-140-GHz SPST and SPDT switches using a 250-nm InP HBT process | |
KR100515028B1 (ko) | 멀티-폴드 랑게 커플러를 사용한 mmic 위상변위기 | |
Kunakovskaya et al. | A reflection type phase shifter for reconfigurable reflectarrays at 240 GHz | |
Johnson et al. | Silicon-on-sapphire MOSFET transmit/receive switch for L and S band transceiver applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121129 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131202 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141201 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151202 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |