JPH0633241A - 気体導入装置 - Google Patents
気体導入装置Info
- Publication number
- JPH0633241A JPH0633241A JP20962092A JP20962092A JPH0633241A JP H0633241 A JPH0633241 A JP H0633241A JP 20962092 A JP20962092 A JP 20962092A JP 20962092 A JP20962092 A JP 20962092A JP H0633241 A JPH0633241 A JP H0633241A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pipe
- vacuum chamber
- vacuum
- sample
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大排気量の真空ポンプを使用することなく真
空槽内の真空度の悪化を防止する。 【構成】 内外二重管構造の内側の管４から真空槽１１
内に気体を導入して試料１の表面に吹付け、試料１の表
面で反射した気体を外側の管３内に受け入れて強制排気
する。内側の管４は、外側の管３より内側の胴部内に開
口されており、試料表面に噴付けられた気体の大部分を
外側の管３の範囲内に反射させてこれを外側の管３内に
受入れる。
空槽内の真空度の悪化を防止する。 【構成】 内外二重管構造の内側の管４から真空槽１１
内に気体を導入して試料１の表面に吹付け、試料１の表
面で反射した気体を外側の管３内に受け入れて強制排気
する。内側の管４は、外側の管３より内側の胴部内に開
口されており、試料表面に噴付けられた気体の大部分を
外側の管３の範囲内に反射させてこれを外側の管３内に
受入れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属や半導体材料など
の試料表面への気体照射に用いる気体導入装置に関す
る。
の試料表面への気体照射に用いる気体導入装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】気体供給による金属や半導体材料表面の
修飾，清浄化，不活性化などの処理技術は、原子，分子
レベルでの物性や構造が制御されたデバイスプロセスの
中でも重要な技術である。従来、真空槽内の試料表面に
気体を供給するには、バリアブルリークバルブやマスフ
ローコントローラにより流量を制御しつつノズルを通し
てボンベから供給された気体分子を真空槽内に導入する
ことが多かった。また、その際には、槽内の真空度を悪
くしないために、大排気量の真空ポンプが用いられてい
た。
修飾，清浄化，不活性化などの処理技術は、原子，分子
レベルでの物性や構造が制御されたデバイスプロセスの
中でも重要な技術である。従来、真空槽内の試料表面に
気体を供給するには、バリアブルリークバルブやマスフ
ローコントローラにより流量を制御しつつノズルを通し
てボンベから供給された気体分子を真空槽内に導入する
ことが多かった。また、その際には、槽内の真空度を悪
くしないために、大排気量の真空ポンプが用いられてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、真空槽内へ
の気体分子の導入時に真空ポンプの排気量が不足すると
きには、真空度が悪化し、真空槽内壁での置換脱離によ
り生じた不純物ガスが試料表面に吸着して表面汚染の原
因となる。このような理由から従来の技術では、真空槽
内に大量に導入した気体を取り除くためには、どうして
も大排気量の真空ポンプが必要とされていた。
の気体分子の導入時に真空ポンプの排気量が不足すると
きには、真空度が悪化し、真空槽内壁での置換脱離によ
り生じた不純物ガスが試料表面に吸着して表面汚染の原
因となる。このような理由から従来の技術では、真空槽
内に大量に導入した気体を取り除くためには、どうして
も大排気量の真空ポンプが必要とされていた。
【０００４】本発明の目的は、大排気量の真空ポンプを
使用せずに真空槽内の真空度の悪化を生じさせない気体
導入装置を提供することにある。
使用せずに真空槽内の真空度の悪化を生じさせない気体
導入装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による気体導入装置においては、真空槽内に
気体を導入する気体導入装置であって、内外二重構造の
同軸の管を有し、内側の管は、真空槽内の試料表面に向
けて気体を供給するノズルであり、外側の管は、真空槽
内の気体を吸引して槽外へ排気する排気管である。
め、本発明による気体導入装置においては、真空槽内に
気体を導入する気体導入装置であって、内外二重構造の
同軸の管を有し、内側の管は、真空槽内の試料表面に向
けて気体を供給するノズルであり、外側の管は、真空槽
内の気体を吸引して槽外へ排気する排気管である。
【０００６】また、内側の管は、外側の管の開口位置よ
り内側の胴部内に開口されたものである。
り内側の胴部内に開口されたものである。
【０００７】
【作用】内側の管より供給された気体が試料表面に、正
面から噴付けられると、試料表面で反射した気体の大部
分は、管方向に向けて流動し、外側の管内に受け入れら
れて槽外へ排気される。理想的には、試料が外側の管と
同程度の大きさであり、しかも外側の管の開口端近くに
置かれているときに、試料表面で反射した気体の大部分
は外側の管と内側の管の間に受け入れられる。内側の管
は、外側の管の開口位置より内側に開口されているため
に、外側の管への気体の受入れが容易となり、真空槽内
の真空度の悪化は生じない。
面から噴付けられると、試料表面で反射した気体の大部
分は、管方向に向けて流動し、外側の管内に受け入れら
れて槽外へ排気される。理想的には、試料が外側の管と
同程度の大きさであり、しかも外側の管の開口端近くに
置かれているときに、試料表面で反射した気体の大部分
は外側の管と内側の管の間に受け入れられる。内側の管
は、外側の管の開口位置より内側に開口されているため
に、外側の管への気体の受入れが容易となり、真空槽内
の真空度の悪化は生じない。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図によって説明す
る。図１において、真空槽１１にはその壁面を通して管
が挿入されている。管は、同軸上に内外に配置したＳＵ
Ｓ３０４製二重管構造となっており、内側の管４は気体
供給用ノズル、外側の管３は排気管であり、内側の管４
は、外側の管３の開口位置より内側の胴部内に開口され
たものである。
る。図１において、真空槽１１にはその壁面を通して管
が挿入されている。管は、同軸上に内外に配置したＳＵ
Ｓ３０４製二重管構造となっており、内側の管４は気体
供給用ノズル、外側の管３は排気管であり、内側の管４
は、外側の管３の開口位置より内側の胴部内に開口され
たものである。
【０００９】内側の管４の配管４ａには、供給すべき気
体が充填された気体ボンベ７が接続され、外側の管３の
配管３ａには、排気用のターボモレキュラーポンプ６が
接続され、各々の配管４ａ，３ａには、開閉用のバルブ
１０，８を備えるほか、内側の管４の配管４ａには、気
体の供給量調整用のバリアブルリークバルブ５を有して
いる。なお、両配管３ａ，４ａ間は、分岐管１３によっ
て接続されているが、常時はバルブ９にて閉止されてい
る。図中１２は、真空槽１１に接続されている真空ポン
プである。
体が充填された気体ボンベ７が接続され、外側の管３の
配管３ａには、排気用のターボモレキュラーポンプ６が
接続され、各々の配管４ａ，３ａには、開閉用のバルブ
１０，８を備えるほか、内側の管４の配管４ａには、気
体の供給量調整用のバリアブルリークバルブ５を有して
いる。なお、両配管３ａ，４ａ間は、分岐管１３によっ
て接続されているが、常時はバルブ９にて閉止されてい
る。図中１２は、真空槽１１に接続されている真空ポン
プである。
【００１０】実施例において、試料ホルダー２に試料１
を取付け、これを外側の管３の開口部正面に近付けて設
置する。試料１の大きさは、外側の管３の内径と同程度
であるのが理想的である。
を取付け、これを外側の管３の開口部正面に近付けて設
置する。試料１の大きさは、外側の管３の内径と同程度
であるのが理想的である。
【００１１】内側の管４にはバリアブルリークバルブ５
やマスフローコントローラ（図示略）により流量を制御
してポンプ７内の気体を導入して試料１の表面に噴付
け、外側の管３よりバルブ８を経由してポンプ６で排気
し続けた。これにより、１×１０-7Ｔｏｒｒに相当する
酸素を試料表面に導入したときに、真空槽１１内の真空
度は２×１０-8Ｔｏｒｒ程度となった。
やマスフローコントローラ（図示略）により流量を制御
してポンプ７内の気体を導入して試料１の表面に噴付
け、外側の管３よりバルブ８を経由してポンプ６で排気
し続けた。これにより、１×１０-7Ｔｏｒｒに相当する
酸素を試料表面に導入したときに、真空槽１１内の真空
度は２×１０-8Ｔｏｒｒ程度となった。
【００１２】一方、外側の管を排気せずに一重管構造の
ノズルとしてのみ用いた場合には、真空槽内の真空度は
１×１０-7Ｔｏｒｒのままであったため、本発明装置を
用いた場合に、真空度は、５倍よくなったことになる。
これは、内側の管４より導入され、試料１で反射された
ガス分子が外側の管３を通して排気されるためである。
ここでは、ガスとして酸素を導入する場合を示したが、
ほかのガス例えば水素・窒素・アンモニアガス・塩素ガ
ス等でも同様な効果が得られる。
ノズルとしてのみ用いた場合には、真空槽内の真空度は
１×１０-7Ｔｏｒｒのままであったため、本発明装置を
用いた場合に、真空度は、５倍よくなったことになる。
これは、内側の管４より導入され、試料１で反射された
ガス分子が外側の管３を通して排気されるためである。
ここでは、ガスとして酸素を導入する場合を示したが、
ほかのガス例えば水素・窒素・アンモニアガス・塩素ガ
ス等でも同様な効果が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
二重管構造の内側の管から真空槽内に気体を導入し、同
時に外側の管を排気することにより、真空槽内への余分
の気体の拡散を抑え、一重管構造のノズルを用いた場合
よりも真空槽内の真空度の悪化を抑えることができる。
特に、試料が外側の管の内径と同程度の大きさであり、
外側の管の開口部に近いところにあれば、試料表面で反
射された気体の大部分は外側の管と内側の管の間に反射
されることになって外側の管から有効に排気しつつ、真
空槽内の真空度の悪化をさらに抑えることができる。
二重管構造の内側の管から真空槽内に気体を導入し、同
時に外側の管を排気することにより、真空槽内への余分
の気体の拡散を抑え、一重管構造のノズルを用いた場合
よりも真空槽内の真空度の悪化を抑えることができる。
特に、試料が外側の管の内径と同程度の大きさであり、
外側の管の開口部に近いところにあれば、試料表面で反
射された気体の大部分は外側の管と内側の管の間に反射
されることになって外側の管から有効に排気しつつ、真
空槽内の真空度の悪化をさらに抑えることができる。
【図１】気体導入装置の模式図である。
【符号の説明】 １ 試料 ２ 試料ホルダー ３ 外側の管 ４ 内側の管 ５ バリアブルリークバルブ ６ ターボモレキュラーポンプ ７ 気体ボンベ ８〜１０ バルブ １１ 真空槽 １２ 真空槽用真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ 8518−4Ｍ 21/31 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽内に気体を導入する気体導入装置
であって、 内外二重構造の同軸の管を有し、 内側の管は、真空槽内の試料表面に向けて気体を供給す
るノズルであり、 外側の管は、真空槽内の気体を吸引して槽外へ排気する
排気管であることを特徴とする気体導入装置。 - 【請求項２】 内側の管は、外側の管の開口位置より内
側の胴部内に開口されたものであることを特徴とする請
求項１に記載の気体導入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20962092A JPH0633241A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 気体導入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20962092A JPH0633241A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 気体導入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633241A true JPH0633241A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16575815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20962092A Pending JPH0633241A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 気体導入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8511251B2 (en) | 2009-08-24 | 2013-08-20 | Fujitsu Limited | Film deposition device and method thereof |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP20962092A patent/JPH0633241A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8511251B2 (en) | 2009-08-24 | 2013-08-20 | Fujitsu Limited | Film deposition device and method thereof |
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