JPH06329430A - 光ファイバ用プリフォームの製造方法 - Google Patents
光ファイバ用プリフォームの製造方法Info
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- JPH06329430A JPH06329430A JP14254393A JP14254393A JPH06329430A JP H06329430 A JPH06329430 A JP H06329430A JP 14254393 A JP14254393 A JP 14254393A JP 14254393 A JP14254393 A JP 14254393A JP H06329430 A JPH06329430 A JP H06329430A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01211—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments by inserting one or more rods or tubes into a tube
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造中に破損のないＧｅＯ2 を多量に含むＳ
ｉＯ2 コアを有する光ファイバ用プリフォームを提供す
る。 【構成】 ＶＡＤ法により、ＧｅＯ2 を多量に含むＳｉ
Ｏ2 からなる高屈折率の中央部の周りにＳｉＯ2 らなる
部分を有するロッドを用意し、このロッドの中心部に孔
１０を開け、この孔１０にＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 か
らなり、その屈折率がほぼＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッドと
等しいロッドを挿入しプリフォームとする。このプリフ
ォームを延伸し、その周りにＳｉＯ2 層を付けて所定の
コア−クラッド径比とし、これを線引きすることによ
り、光ファイバ型増幅器とすることができる。この方法
によれば、外付け法のようにＧｅＯ2 を多量に含むＳｉ
Ｏ2 スートを作製することがないので、スート割れや脱
水、透明ガラス化時のロッド割れが防止される。
ｉＯ2 コアを有する光ファイバ用プリフォームを提供す
る。 【構成】 ＶＡＤ法により、ＧｅＯ2 を多量に含むＳｉ
Ｏ2 からなる高屈折率の中央部の周りにＳｉＯ2 らなる
部分を有するロッドを用意し、このロッドの中心部に孔
１０を開け、この孔１０にＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 か
らなり、その屈折率がほぼＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッドと
等しいロッドを挿入しプリフォームとする。このプリフ
ォームを延伸し、その周りにＳｉＯ2 層を付けて所定の
コア−クラッド径比とし、これを線引きすることによ
り、光ファイバ型増幅器とすることができる。この方法
によれば、外付け法のようにＧｅＯ2 を多量に含むＳｉ
Ｏ2 スートを作製することがないので、スート割れや脱
水、透明ガラス化時のロッド割れが防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバ型増幅器
の構成に好適な光ファイバや、複雑な屈折率分布を必要
とする光ファイバ用プリフォームの製造方法に関するも
ので、製造中の破損防止を図ったものである。
の構成に好適な光ファイバや、複雑な屈折率分布を必要
とする光ファイバ用プリフォームの製造方法に関するも
ので、製造中の破損防止を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、光ファイバ型増幅器用の光ファ
イバの屈折率分布として図４のようなものが知られてい
る。同図において、１はＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 から
なる中心コア、２はその周りに形成されたＧｅＯ2 ＋Ｓ
ｉＯ2 からなる外側コア、３は外側コア２のさらに周り
に形成されたＳｉＯ2 クラッドである。なお、中心コア
および外側コアのＳｉＯ2 に対する比屈折率差△は＋
２．０％である。この種の光ファイバにおいては、利得
効率を向上させるためにコアとクラッドとの比屈折率差
を上記のように大きくとってモードフィールド径（ＭＦ
Ｄ）を小さくし、かつコア径を小さくすることによつて
コア径に対してＭＦＤを大きくとり、励起光パワー密度
の高い部分にＥｒが添加されたコアを効率良く配置する
ようにしている。従来、この種の光ファイバを作製する
方法として外付け法が採用されていた。この方法は、予
め作製されたＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなる中心コ
アとなるロッドを用意し、これをその軸の周りに回転さ
せつつ、ロッド外周にＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなるスー
トを付着させていくという方法である。
イバの屈折率分布として図４のようなものが知られてい
る。同図において、１はＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 から
なる中心コア、２はその周りに形成されたＧｅＯ2 ＋Ｓ
ｉＯ2 からなる外側コア、３は外側コア２のさらに周り
に形成されたＳｉＯ2 クラッドである。なお、中心コア
および外側コアのＳｉＯ2 に対する比屈折率差△は＋
２．０％である。この種の光ファイバにおいては、利得
効率を向上させるためにコアとクラッドとの比屈折率差
を上記のように大きくとってモードフィールド径（ＭＦ
Ｄ）を小さくし、かつコア径を小さくすることによつて
コア径に対してＭＦＤを大きくとり、励起光パワー密度
の高い部分にＥｒが添加されたコアを効率良く配置する
ようにしている。従来、この種の光ファイバを作製する
方法として外付け法が採用されていた。この方法は、予
め作製されたＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなる中心コ
アとなるロッドを用意し、これをその軸の周りに回転さ
せつつ、ロッド外周にＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなるスー
トを付着させていくという方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では屈折率を高めるためのＧｅＯ2 のデポジション量
を多くしようとするとデポジション温度の低下やスート
の急激なカサ密度の変化によりデポジション時にスート
割れが生じてしまう。また、この段階でのスート割れが
ない場合でも、その後の脱水、透明ガラス化操作におい
て均熱炉で非常にゆっくりと降温させないと同様にスー
ト割れが生じるということがあった。また、このように
して作製される光ファイバ用プリフォームはＧｅＯ2 を
積層法で外付けしているため脈理が大きくプリフォーム
アナライザによる屈折率分布測定が困難であり、光ファ
イバ自体の伝送損失も良くないということがあった。
法では屈折率を高めるためのＧｅＯ2 のデポジション量
を多くしようとするとデポジション温度の低下やスート
の急激なカサ密度の変化によりデポジション時にスート
割れが生じてしまう。また、この段階でのスート割れが
ない場合でも、その後の脱水、透明ガラス化操作におい
て均熱炉で非常にゆっくりと降温させないと同様にスー
ト割れが生じるということがあった。また、このように
して作製される光ファイバ用プリフォームはＧｅＯ2 を
積層法で外付けしているため脈理が大きくプリフォーム
アナライザによる屈折率分布測定が困難であり、光ファ
イバ自体の伝送損失も良くないということがあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上の観点
からスート割れを低減させて歩留りの向上を図ろうとす
るもので、その特徴とする請求項１記載の発明は、所定
の屈折率分布を有する第１の石英系ガラスロッドを用意
し、このロツドの中心部を除去して中空状のロッドとな
し、この中空部に所定の屈折率分布を有する第２の石英
系ガラスロッドを挿入して光ファイバ用プリフォームと
することにある。また、その特徴とする請求項２記載の
発明は、所定の屈折率分布を有する第１の石英系ガラス
ロッドがＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであり、所定の屈折
率分布を有する第２の石英系ガラスロッドがＥｒ＋Ｇｅ
Ｏ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであることにある。さらにまた、
その特徴とする請求項３記載の発明は、所定の屈折率分
布を有する第１の石英系ガラスロッドがＧｅＯ2 ＋Ｓｉ
Ｏ2 ガラスであり、所定の屈折率分布を有する第２の石
英系ガラスロッドがＥｒ＋ＳｉＯ2 ガラスであることに
ある。
からスート割れを低減させて歩留りの向上を図ろうとす
るもので、その特徴とする請求項１記載の発明は、所定
の屈折率分布を有する第１の石英系ガラスロッドを用意
し、このロツドの中心部を除去して中空状のロッドとな
し、この中空部に所定の屈折率分布を有する第２の石英
系ガラスロッドを挿入して光ファイバ用プリフォームと
することにある。また、その特徴とする請求項２記載の
発明は、所定の屈折率分布を有する第１の石英系ガラス
ロッドがＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであり、所定の屈折
率分布を有する第２の石英系ガラスロッドがＥｒ＋Ｇｅ
Ｏ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであることにある。さらにまた、
その特徴とする請求項３記載の発明は、所定の屈折率分
布を有する第１の石英系ガラスロッドがＧｅＯ2 ＋Ｓｉ
Ｏ2 ガラスであり、所定の屈折率分布を有する第２の石
英系ガラスロッドがＥｒ＋ＳｉＯ2 ガラスであることに
ある。
【０００５】
【作用】スートの作製が積層法である外付け法を用いる
ことなく、多量のＧｅＯ2 をドープした光ファイバ用プ
リフォームを作製できるので、プリフォームの破損をな
くして歩留りの向上を図ることができる。
ことなく、多量のＧｅＯ2 をドープした光ファイバ用プ
リフォームを作製できるので、プリフォームの破損をな
くして歩留りの向上を図ることができる。
【０００６】
【実施例】図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は、この発明による
光ファイバ用プリフォーム製造工程における屈折率分布
図である。図１（ａ）は、例えばＶＡＤ法によって作製
したロッドの屈折率分布図で、中央部はＳｉＯ2 に対す
る比屈折率差△が所定の値になされたＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ
2 で、その周りにＳｉＯ2 が形成されてなるもので、こ
のロッドを図１（ｂ）に示すように中心部をくりぬいて
孔１０をあける。次いで、図１（ｃ）に示すようにくり
ぬかれた孔１０に所定の屈折率のＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋Ｓｉ
Ｏ2 ロッド１１を挿入して所望の光ファイバ用プリフォ
ームとする。なお、中心部に挿入されるロッドの組成と
してＥｒとともにＡｌやＰを適宜選択してドープするこ
ともできる。こうして得られるプリフォームは、従来作
製上の問題点であったスート割れ、ロッド割れ、透明ガ
ラス化炉における長時間の降温といったことがなくな
り、さらに脈理もないのでプリフォームアナライザによ
る屈折率分布の測定が容易にできる。
光ファイバ用プリフォーム製造工程における屈折率分布
図である。図１（ａ）は、例えばＶＡＤ法によって作製
したロッドの屈折率分布図で、中央部はＳｉＯ2 に対す
る比屈折率差△が所定の値になされたＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ
2 で、その周りにＳｉＯ2 が形成されてなるもので、こ
のロッドを図１（ｂ）に示すように中心部をくりぬいて
孔１０をあける。次いで、図１（ｃ）に示すようにくり
ぬかれた孔１０に所定の屈折率のＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋Ｓｉ
Ｏ2 ロッド１１を挿入して所望の光ファイバ用プリフォ
ームとする。なお、中心部に挿入されるロッドの組成と
してＥｒとともにＡｌやＰを適宜選択してドープするこ
ともできる。こうして得られるプリフォームは、従来作
製上の問題点であったスート割れ、ロッド割れ、透明ガ
ラス化炉における長時間の降温といったことがなくな
り、さらに脈理もないのでプリフォームアナライザによ
る屈折率分布の測定が容易にできる。
【０００７】（具体例１）以下に示す方法で、光ファイ
バ型増幅器を作製した。まず、図１（ａ）に示される屈
折率分布のロッドを用意した。外側コアとなる中央部は
ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなり、そのサイズは１４ｍｍ、
そのピークの比屈折率差△は＋２．０％である。また、
この周りのクラッドとなる部分はＳｉＯ2 で、外径は３
８ｍｍである。このロッドの中心部に図１（ｂ）のよう
に直径８ｍｍの孔１０をあけ、この孔１０に図１（ｃ）
のようにＳｉＯ2 との比屈折率差△が＋２．０％の中心
コアとなるＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッド１１を挿入
して光ファイバ用プリフォームとした。この間、プリフ
ォームが破損することはなかった。また、プリフォーム
アナライザによる屈折率分布測定も容易にすることがで
きた。次いで、このプリフォームを延伸した後、その周
りに直径の１０倍のＳｉＯ2 層を外付けした。最後に、
このロッドを線引きして直径１２５μｍのファイバとし
た。この光ファイバのＭＦＤは３．９μｍ、ＭＦＤ／中
心コア径＝２．２倍と大変良好な値を示した。また、こ
のファイバと１．４８μｍの励起用レーザを用いて光増
幅器を構成し、その利得効率を測定したところ、４．８
ｄＢ／ｍＷと大変良好な特性を示した。
バ型増幅器を作製した。まず、図１（ａ）に示される屈
折率分布のロッドを用意した。外側コアとなる中央部は
ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなり、そのサイズは１４ｍｍ、
そのピークの比屈折率差△は＋２．０％である。また、
この周りのクラッドとなる部分はＳｉＯ2 で、外径は３
８ｍｍである。このロッドの中心部に図１（ｂ）のよう
に直径８ｍｍの孔１０をあけ、この孔１０に図１（ｃ）
のようにＳｉＯ2 との比屈折率差△が＋２．０％の中心
コアとなるＥｒ＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッド１１を挿入
して光ファイバ用プリフォームとした。この間、プリフ
ォームが破損することはなかった。また、プリフォーム
アナライザによる屈折率分布測定も容易にすることがで
きた。次いで、このプリフォームを延伸した後、その周
りに直径の１０倍のＳｉＯ2 層を外付けした。最後に、
このロッドを線引きして直径１２５μｍのファイバとし
た。この光ファイバのＭＦＤは３．９μｍ、ＭＦＤ／中
心コア径＝２．２倍と大変良好な値を示した。また、こ
のファイバと１．４８μｍの励起用レーザを用いて光増
幅器を構成し、その利得効率を測定したところ、４．８
ｄＢ／ｍＷと大変良好な特性を示した。
【０００８】（具体例２）以下に示す方法で、分布型光
ファイバ増幅器を作製した。まず、図１（ａ）に示され
る屈折率分布のロッドを用意した。外側コアとなる中央
部はＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなり、そのサイズは１０ｍ
ｍ、そのピークの比屈折率差△は＋１．０％である。ま
た、この周りのクラッドとなる部分はＳｉＯ2 で、外径
は３８ｍｍである。このロッドの中心部に図１（ｂ）の
ように直径６ｍｍの孔１０をあけ、この孔１０に図１
（ｃ）のようにＳｉＯ2 との比屈折率差△がほぼ０％の
中心コアとなるＥｒ＋ＳｉＯ2 ロッド１１を挿入して光
ファイバ用プリフォームとした。この間、プリフォーム
が破損することはなかった。また、プリフォームアナラ
イザによる屈折率分布測定も容易にできた。図２はこう
して得られたプリフォームの屈折率分布図である。次い
でこのプリフォームを延伸した後その周りに直径の６倍
のＳｉＯ2 層を外付けした。最後に、このロッドを線引
きして直径１２５μｍのファイバとした。この光ファイ
バのＭＦＤは７．０μｍ、ＭＦＤ／中心コア径＝１．２
倍と大変良好な値を示した。また、このファイバと１．
３μｍにおける損失は０．５ｄＢ／ｋｍであり、外付け
法により外側を作製した分布型光ファイバ増幅器に比べ
０．２ｄＢ／ｋｍ近く低くすることができた。
ファイバ増幅器を作製した。まず、図１（ａ）に示され
る屈折率分布のロッドを用意した。外側コアとなる中央
部はＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなり、そのサイズは１０ｍ
ｍ、そのピークの比屈折率差△は＋１．０％である。ま
た、この周りのクラッドとなる部分はＳｉＯ2 で、外径
は３８ｍｍである。このロッドの中心部に図１（ｂ）の
ように直径６ｍｍの孔１０をあけ、この孔１０に図１
（ｃ）のようにＳｉＯ2 との比屈折率差△がほぼ０％の
中心コアとなるＥｒ＋ＳｉＯ2 ロッド１１を挿入して光
ファイバ用プリフォームとした。この間、プリフォーム
が破損することはなかった。また、プリフォームアナラ
イザによる屈折率分布測定も容易にできた。図２はこう
して得られたプリフォームの屈折率分布図である。次い
でこのプリフォームを延伸した後その周りに直径の６倍
のＳｉＯ2 層を外付けした。最後に、このロッドを線引
きして直径１２５μｍのファイバとした。この光ファイ
バのＭＦＤは７．０μｍ、ＭＦＤ／中心コア径＝１．２
倍と大変良好な値を示した。また、このファイバと１．
３μｍにおける損失は０．５ｄＢ／ｋｍであり、外付け
法により外側を作製した分布型光ファイバ増幅器に比べ
０．２ｄＢ／ｋｍ近く低くすることができた。
【０００９】（具体例３）以下に示す方法で１．５５μ
ｍ帯分散シフトファイバを作製した。図３（ａ）に示す
屈折率分布のロッドをＶＡＤ法で作製した。中央部は直
径１２ｍｍ、ＳｉＯ2 との比屈折率差△＝０％のＦ＋Ｇ
ｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなり、その周りに厚さ１３ｍｍの
ＳｉＯ2 との比屈折率差△＝−０．１５％のＦ＋ＳｉＯ
2 が形成されたロッドである。このロッドの中心部に直
径６ｍｍの孔を開けた。この孔にＳｉＯ2 との比屈折率
差△＝０．８％の最高屈折率を有するロッドを挿入して
図３（ｂ）に示すプリフォームとした。この間、ロッド
が割れることがなかった。このロッドを延伸した後その
周りに直径の４倍のＦ＋ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 との比屈折
率差△＝０．１５％）層を外付けした。最後に線引きし
て直径１２５μｍの１．５５μｍ帯分散シフトファイバ
とした。
ｍ帯分散シフトファイバを作製した。図３（ａ）に示す
屈折率分布のロッドをＶＡＤ法で作製した。中央部は直
径１２ｍｍ、ＳｉＯ2 との比屈折率差△＝０％のＦ＋Ｇ
ｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 からなり、その周りに厚さ１３ｍｍの
ＳｉＯ2 との比屈折率差△＝−０．１５％のＦ＋ＳｉＯ
2 が形成されたロッドである。このロッドの中心部に直
径６ｍｍの孔を開けた。この孔にＳｉＯ2 との比屈折率
差△＝０．８％の最高屈折率を有するロッドを挿入して
図３（ｂ）に示すプリフォームとした。この間、ロッド
が割れることがなかった。このロッドを延伸した後その
周りに直径の４倍のＦ＋ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 との比屈折
率差△＝０．１５％）層を外付けした。最後に線引きし
て直径１２５μｍの１．５５μｍ帯分散シフトファイバ
とした。
【００１０】（比較例１）直径７ｍｍのＥｒ＋Ａｌ＋Ｇ
ｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッドに外付け法により、ＳｉＯ2 と
の比屈折率差△＝２．０％のＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 スート
を付着させた。しかし、スート径が７０ｍｍ付近におい
てスート割れを生じた。
ｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッドに外付け法により、ＳｉＯ2 と
の比屈折率差△＝２．０％のＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 スート
を付着させた。しかし、スート径が７０ｍｍ付近におい
てスート割れを生じた。
【００１１】（比較例２）直径７ｍｍのＥｒ＋Ａｌ＋Ｇ
ｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッドに外付け法により、ＳｉＯ2 と
の比屈折率差△＝１．０％のＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 スート
を付着させて直径７０ｍｍとした。このあと、均熱炉に
より脱水、透明ガラス化を行い、１４３０℃から８００
℃まで２℃／分の速度で降温させ、次いで８００℃で４
時間歪み取りを行い、その後８００℃から室温まで２℃
／分の速度で降温させた。ところが、これを炉から取出
して３０分後にロッド割れをしてしまった。
ｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ロッドに外付け法により、ＳｉＯ2 と
の比屈折率差△＝１．０％のＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 スート
を付着させて直径７０ｍｍとした。このあと、均熱炉に
より脱水、透明ガラス化を行い、１４３０℃から８００
℃まで２℃／分の速度で降温させ、次いで８００℃で４
時間歪み取りを行い、その後８００℃から室温まで２℃
／分の速度で降温させた。ところが、これを炉から取出
して３０分後にロッド割れをしてしまった。
【００１２】
【発明の効果】この発明方法は、以上のようにＧｅＯ2
量の多い光ファイバ用プリフォームを外付け法を用いる
ことなく製作する方法であるので、スート割れやロッド
割れがなく、また屈折率測定も容易にできるという利点
を奏する。
量の多い光ファイバ用プリフォームを外付け法を用いる
ことなく製作する方法であるので、スート割れやロッド
割れがなく、また屈折率測定も容易にできるという利点
を奏する。
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、この発明による光ファ
イバ用プリフォーム製造工程における屈折率分布図であ
る。
イバ用プリフォーム製造工程における屈折率分布図であ
る。
【図２】この発明による他の例の光ファイバ用プリフォ
ームの屈折率分布図である。
ームの屈折率分布図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は、この発明によるさらに他の例
の光ファイバ用プリフォーム製造工程における屈折率分
布図である。
の光ファイバ用プリフォーム製造工程における屈折率分
布図である。
【図４】光ファイバ型増幅器用の光ファイバの屈折率分
布である。
布である。
１０ 孔 １１ 中心コアとなるロッド
フロントページの続き (72)発明者 山内 良三 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の屈折率分布を有する第１の石英系
ガラスロッドを用意し、このロツドの中心部を除去して
中空状のロッドとなし、この中空部に所定の屈折率分布
を有する第２の石英系ガラスロッドを挿入して光ファイ
バ用プリフォームとすることを特徴とする光ファイバ用
プリフォームの製造方法。 - 【請求項２】 所定の屈折率分布を有する第１の石英系
ガラスロッドがＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであり、所定
の屈折率分布を有する第２の石英系ガラスロッドがＥｒ
＋ＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであることを特徴とする請
求項１記載の光ファイバ用プリフォームの製造方法。 - 【請求項３】 所定の屈折率分布を有する第１の石英系
ガラスロッドがＧｅＯ2 ＋ＳｉＯ2 ガラスであり、所定
の屈折率分布を有する第２の石英系ガラスロッドがＥｒ
＋ＳｉＯ2 ガラスであることを特徴とする請求項１記載
の光ファイバ用プリフォームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14254393A JPH06329430A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 光ファイバ用プリフォームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14254393A JPH06329430A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 光ファイバ用プリフォームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06329430A true JPH06329430A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=15317801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14254393A Pending JPH06329430A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 光ファイバ用プリフォームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06329430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040126A1 (de) * | 1999-12-03 | 2001-06-07 | Heraeus Tenevo Ag | Quarzglas-vorform für eine lichtleitfaser und verfahren zu ihrer herstellung |
| JP2021155284A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ用母材、光ファイバ用母材の製造方法、及び光ファイバの製造方法 |
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1993
- 1993-05-24 JP JP14254393A patent/JPH06329430A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040126A1 (de) * | 1999-12-03 | 2001-06-07 | Heraeus Tenevo Ag | Quarzglas-vorform für eine lichtleitfaser und verfahren zu ihrer herstellung |
| US6938443B1 (en) * | 1999-12-03 | 2005-09-06 | Heraeus Tenevo Gmbh | Method for the manufacture of a quartz glass preform for an optical fiber |
| JP2021155284A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ用母材、光ファイバ用母材の製造方法、及び光ファイバの製造方法 |
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