JPH06326005A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH06326005A JPH06326005A JP5136888A JP13688893A JPH06326005A JP H06326005 A JPH06326005 A JP H06326005A JP 5136888 A JP5136888 A JP 5136888A JP 13688893 A JP13688893 A JP 13688893A JP H06326005 A JPH06326005 A JP H06326005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- masking
- blade
- masking blade
- pattern
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レチクル面上の所定範囲を良好に照明するこ
とができるようにし、良好なるパターン像が得られる露
光装置を得ること。 【構成】 光源からの光束のうちＸ方向にマスキングす
るＸ方向マスキングブレードと該Ｘ方向マスキングブレ
ードから光軸方向に離れた位置に配置したＹ方向をマス
キングするＹ方向マスキングブレードとを有する開口径
可変の遮光手段を介した光束により照射面上に載置した
第１物体を照明し、該第１物体面上のパターンを第２物
体に露光転写する際、該Ｘ方向マスキングブレードのエ
ッジ端と該Ｙ方向マスキングブレードのエッジ端とをブ
レードフォーカス光学系により該照射面に結像させてい
ること。
とができるようにし、良好なるパターン像が得られる露
光装置を得ること。 【構成】 光源からの光束のうちＸ方向にマスキングす
るＸ方向マスキングブレードと該Ｘ方向マスキングブレ
ードから光軸方向に離れた位置に配置したＹ方向をマス
キングするＹ方向マスキングブレードとを有する開口径
可変の遮光手段を介した光束により照射面上に載置した
第１物体を照明し、該第１物体面上のパターンを第２物
体に露光転写する際、該Ｘ方向マスキングブレードのエ
ッジ端と該Ｙ方向マスキングブレードのエッジ端とをブ
レードフォーカス光学系により該照射面に結像させてい
ること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造用の露光
装置に関し、特に照射面に設けたマスク面に形成された
回路パターンをウエハ面上に露光転写又は照射面に設け
たレチクル面上に形成されている回路パターンを投影光
学系によりウエハ面に所定の倍率で投影露光する際に好
適なものである。
装置に関し、特に照射面に設けたマスク面に形成された
回路パターンをウエハ面上に露光転写又は照射面に設け
たレチクル面上に形成されている回路パターンを投影光
学系によりウエハ面に所定の倍率で投影露光する際に好
適なものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体素子製造用の露光装置では
照明系からの光束で照明された照射面上のレチクル又は
マスク（以下「レチクル」と称する。）上の回路パター
ンを直接又は投影光学系を介してウエハ面に露光転写し
ている。
照明系からの光束で照明された照射面上のレチクル又は
マスク（以下「レチクル」と称する。）上の回路パター
ンを直接又は投影光学系を介してウエハ面に露光転写し
ている。
【０００３】このとき照明系内に設けたＸ方向とＹ方向
のマスキンブブレードより成る遮光手段（マスキング機
構）により照射面上の照明範囲を種々と制限している。
のマスキンブブレードより成る遮光手段（マスキング機
構）により照射面上の照明範囲を種々と制限している。
【０００４】図３は照明系の一部に設けた従来のマスキ
ングブレードを有する遮光手段の要部斜視図である。
ングブレードを有する遮光手段の要部斜視図である。
【０００５】図３に於て、３１，３２はＸ方向マスキン
グブレード、３３，３４はＹ方向マスキングブレードで
ある。Ｘ方向とＹ方向マスキングブレード３１〜３４で
形成される開口部を光束が通過する。Ｘ方向マスキング
ブレード３１，３２は同一平面内にありＸ方向に移動可
能で、照射面に設けたレチクル（不図示）のＸ方向をマ
スキングする。同様にしてＹ方向マスキングブレード３
３，３４も同一平面内にありＹ方向に移動可能で、照射
面に設けたレチクルのＹ方向をマスキングする。Ｘ方向
マスキングブレード３１，３２とＹ方向マスキングブレ
ード３３，３４とは移動させたときに互いに抵触しない
ように僅かの隙間をあけて対向配置している。
グブレード、３３，３４はＹ方向マスキングブレードで
ある。Ｘ方向とＹ方向マスキングブレード３１〜３４で
形成される開口部を光束が通過する。Ｘ方向マスキング
ブレード３１，３２は同一平面内にありＸ方向に移動可
能で、照射面に設けたレチクル（不図示）のＸ方向をマ
スキングする。同様にしてＹ方向マスキングブレード３
３，３４も同一平面内にありＹ方向に移動可能で、照射
面に設けたレチクルのＹ方向をマスキングする。Ｘ方向
マスキングブレード３１，３２とＹ方向マスキングブレ
ード３３，３４とは移動させたときに互いに抵触しない
ように僅かの隙間をあけて対向配置している。
【０００６】この隙間の位置と照射面（レチクル）とが
レンズ系により共役となるようにしている。
レンズ系により共役となるようにしている。
【０００７】即ち、Ｘ方向マスキングブレード３１，３
２とＹ方向マスキングブレード３３，３４とがレンズ系
を介して各々照射面近傍（前後）に結像するようにし
て、これにより照明範囲を種々の大きさに制限してい
る。
２とＹ方向マスキングブレード３３，３４とがレンズ系
を介して各々照射面近傍（前後）に結像するようにし
て、これにより照明範囲を種々の大きさに制限してい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３に示すマスキング
ブレードを用いた遮光手段で照射面上の照明範囲を制限
する方法では、４つのマスキングブレード３１〜３４の
エッジ端３５〜３８が照射面上でボケがなく良好に結像
するようにＸ方向マスキングブレード３１，３２とＹ方
向マスキングブレード３３，３４との隙間を数１０μｍ
程度と小さく抑えている。そしてこの隙間と照射面（レ
チクル面）とが互いに共役関係となるようにしている。
ブレードを用いた遮光手段で照射面上の照明範囲を制限
する方法では、４つのマスキングブレード３１〜３４の
エッジ端３５〜３８が照射面上でボケがなく良好に結像
するようにＸ方向マスキングブレード３１，３２とＹ方
向マスキングブレード３３，３４との隙間を数１０μｍ
程度と小さく抑えている。そしてこの隙間と照射面（レ
チクル面）とが互いに共役関係となるようにしている。
【０００９】この隙間が小さくなりすぎるとマスキング
ブレードの僅かな歪みで双方のマスキングブレードを移
動させたときに互いに接触し、発塵したり、エッジ端３
５〜３８にバリが生じたりして、それらの塵やバリ等が
ウエハに転写されてしまうという問題点がある。
ブレードの僅かな歪みで双方のマスキングブレードを移
動させたときに互いに接触し、発塵したり、エッジ端３
５〜３８にバリが生じたりして、それらの塵やバリ等が
ウエハに転写されてしまうという問題点がある。
【００１０】又この隙間が広すぎると双方のマスキング
ブレードのエッジ端の照射面上での投影像がボケてき
て、照明範囲が不明瞭になってくるという問題点があ
る。
ブレードのエッジ端の照射面上での投影像がボケてき
て、照明範囲が不明瞭になってくるという問題点があ
る。
【００１１】本発明はＸ方向とＹ方向のマスキングブレ
ードが互いに接触することなく容易に移動することが出
来ると共に適切に設定したブレードフォーカス光学系を
用いることにより、双方のマスキングブレードのエッジ
端が照射面上で良好に結像し、照明範囲を明確に制限
し、良好なる照明を可能とする露光装置の提供を目的と
する。
ードが互いに接触することなく容易に移動することが出
来ると共に適切に設定したブレードフォーカス光学系を
用いることにより、双方のマスキングブレードのエッジ
端が照射面上で良好に結像し、照明範囲を明確に制限
し、良好なる照明を可能とする露光装置の提供を目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置は、光
源からの光束のうちＸ方向にマスキングするＸ方向マス
キングブレードと該Ｘ方向マスキングブレードから光軸
方向に離れた位置に配置したＹ方向をマスキングするＹ
方向マスキングブレードとを有する開口径可変の遮光手
段を介した光束により照射面上に載置した第１物体を照
明し、該第１物体面上のパターンを第２物体に露光転写
する際、該Ｘ方向マスキングブレードのエッジ端と該Ｙ
方向マスキングブレードのエッジ端とをブレードフォー
カス光学系により該照射面に結像させていることを特徴
としている。
源からの光束のうちＸ方向にマスキングするＸ方向マス
キングブレードと該Ｘ方向マスキングブレードから光軸
方向に離れた位置に配置したＹ方向をマスキングするＹ
方向マスキングブレードとを有する開口径可変の遮光手
段を介した光束により照射面上に載置した第１物体を照
明し、該第１物体面上のパターンを第２物体に露光転写
する際、該Ｘ方向マスキングブレードのエッジ端と該Ｙ
方向マスキングブレードのエッジ端とをブレードフォー
カス光学系により該照射面に結像させていることを特徴
としている。
【００１３】特に、前記ブレードフォーカス光学系は少
なくとも１つのアナモフィックレンズを有しており、前
記照射面上のＸ方向パターンに対する共役面と、Ｙ方向
パターンに対する共役面とを有していることを特徴して
いる。
なくとも１つのアナモフィックレンズを有しており、前
記照射面上のＸ方向パターンに対する共役面と、Ｙ方向
パターンに対する共役面とを有していることを特徴して
いる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の実施例１の照明系部分の要部
概略図である。
概略図である。
【００１５】同図において１は超高圧水銀灯やエキシマ
レーザ等の光源である。本実施例では超高圧水銀灯を用
いた場合を示している。２は楕円ミラーであり、光源１
からの光束を反射集光している。３は光路折り曲げ用の
ミラー、４は集光してきたミラー３からの光束の照度分
布を均一化し射出するミキサーレンズ群である。
レーザ等の光源である。本実施例では超高圧水銀灯を用
いた場合を示している。２は楕円ミラーであり、光源１
からの光束を反射集光している。３は光路折り曲げ用の
ミラー、４は集光してきたミラー３からの光束の照度分
布を均一化し射出するミキサーレンズ群である。
【００１６】６はＹ方向をマスキングするＹ方向マスキ
ングブレードであり、Ｙ軸方向に移動可能となってい
る。５はＸ方向をマスキングするＸ方向マスキングブレ
ードであり、Ｘ軸方向に移動可能となっている。
ングブレードであり、Ｙ軸方向に移動可能となってい
る。５はＸ方向をマスキングするＸ方向マスキングブレ
ードであり、Ｘ軸方向に移動可能となっている。
【００１７】Ｘ方向マスキングブレード５とＹ方向マス
キングブレード６とで形成される開口部を光束が通過し
ている。Ｘ方向マスキングブレード５とＹ方向マスキン
グブレード６は遮光手段の一部を構成し、双方のマスキ
ングブレードは光軸方向に所定量離して配置しており、
双方のマスキングブレードを移動させることにより、後
述する照射面１０ａ上の照明範囲を種々と変えている。
キングブレード６とで形成される開口部を光束が通過し
ている。Ｘ方向マスキングブレード５とＹ方向マスキン
グブレード６は遮光手段の一部を構成し、双方のマスキ
ングブレードは光軸方向に所定量離して配置しており、
双方のマスキングブレードを移動させることにより、後
述する照射面１０ａ上の照明範囲を種々と変えている。
【００１８】７はブレードフォーカス光学系であり、Ｘ
方向マスキングブレード５のエッジ端とＹ方向マスキン
グブレード６のエッジ端とを各々後述する照射面１０ａ
に結像させている。８は光路折曲げ用のミラー、９はコ
ンデンサーレンズ、１０は照射面に設けたレチクル（マ
スク）である。レチクル１０の下方にはウエハ又は／及
び投影レンズが設けられている。
方向マスキングブレード５のエッジ端とＹ方向マスキン
グブレード６のエッジ端とを各々後述する照射面１０ａ
に結像させている。８は光路折曲げ用のミラー、９はコ
ンデンサーレンズ、１０は照射面に設けたレチクル（マ
スク）である。レチクル１０の下方にはウエハ又は／及
び投影レンズが設けられている。
【００１９】本実施例ではＸ方向マスキングブレード５
のエッジ端とＹ方向マスキングブレード６のエッジ端と
がブレードフォーカス光学系７とコンデンサーレンズ９
を介して各々照射面１０ａと共役関係になるようにして
いる。
のエッジ端とＹ方向マスキングブレード６のエッジ端と
がブレードフォーカス光学系７とコンデンサーレンズ９
を介して各々照射面１０ａと共役関係になるようにして
いる。
【００２０】即ち、マスキングブレード５，６のエッジ
端が各々レチクル１０のパターン面上に結像し、マスキ
ングブレード５，６を各々Ｘ方向とＹ方向とに動かすこ
とによりレチクル１０のパターンの所望部分を自由に４
方向からマスク（制限）することができるようにしてい
る。また、Ｘ方向マスキングブレード５とＹ方向マスキ
ングブレード６とは空間的に完全に分離されており、双
方のマスキングブレードの接触による発塵やエッジ端か
らのバリの発生を効果的に防止している。
端が各々レチクル１０のパターン面上に結像し、マスキ
ングブレード５，６を各々Ｘ方向とＹ方向とに動かすこ
とによりレチクル１０のパターンの所望部分を自由に４
方向からマスク（制限）することができるようにしてい
る。また、Ｘ方向マスキングブレード５とＹ方向マスキ
ングブレード６とは空間的に完全に分離されており、双
方のマスキングブレードの接触による発塵やエッジ端か
らのバリの発生を効果的に防止している。
【００２１】本実施例では以上のような構成により、光
源１からの光束のうちＸ方向とＹ方向のマスキングブレ
ード５，６を有する遮光手段の開口部を介した光束で照
射面１０ａ上のレチクル１０の所定範囲を照明してい
る。
源１からの光束のうちＸ方向とＹ方向のマスキングブレ
ード５，６を有する遮光手段の開口部を介した光束で照
射面１０ａ上のレチクル１０の所定範囲を照明してい
る。
【００２２】そしてレチクル１０面上のパターンをウエ
ハ面上に直接転写、又は投影レンズを介して投影露光転
写している。
ハ面上に直接転写、又は投影レンズを介して投影露光転
写している。
【００２３】図２は本発明の実施例２の照明系部分の要
部概略図である。
部概略図である。
【００２４】本実施例は図１の実施例１に比べてブレー
ドフォーカス光学系７のレンズ構成が異っており、その
他の構成は同じである。
ドフォーカス光学系７のレンズ構成が異っており、その
他の構成は同じである。
【００２５】図中、図１で示した要素と同一要素には同
符番を付している。
符番を付している。
【００２６】図２において１１はシリンドリカルレンズ
であり、ブレードフォーカス光学系７の一部分を構成し
ている。シリンドリカルレンズ１１によりレチクル１０
のＸ方向パターンとＹ方向パターンが各々ブレードフォ
ーカス光学系７内で光軸方向に分離して結像するように
している。
であり、ブレードフォーカス光学系７の一部分を構成し
ている。シリンドリカルレンズ１１によりレチクル１０
のＸ方向パターンとＹ方向パターンが各々ブレードフォ
ーカス光学系７内で光軸方向に分離して結像するように
している。
【００２７】即ち、Ｘ方向パターンの結像位置にＸ方向
マスキングブレード５を、Ｙ方向パターンの結像位置に
Ｙ方向マスキングブレード６を各々配置してある。これ
によりマスキングブレード５，６がレチクル１０のパタ
ーン面に結像し、マスキングブレード５，６を動かすこ
とによりレチクル１０のパターンの所望部分を自由に４
方向からマスクしている。
マスキングブレード５を、Ｙ方向パターンの結像位置に
Ｙ方向マスキングブレード６を各々配置してある。これ
によりマスキングブレード５，６がレチクル１０のパタ
ーン面に結像し、マスキングブレード５，６を動かすこ
とによりレチクル１０のパターンの所望部分を自由に４
方向からマスクしている。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ方向とＹ方向のマス
キングブレードが互いに接触することなく容易に移動す
ることが出来ると共に適切に設定したブレードフォーカ
ス光学系を用いることにより、双方のマスキングブレー
ドのエッジ端が照射面上で良好に結像し、照明範囲を明
確に制限し、良好なる照明を可能とする露光装置を達成
することができる。
キングブレードが互いに接触することなく容易に移動す
ることが出来ると共に適切に設定したブレードフォーカ
ス光学系を用いることにより、双方のマスキングブレー
ドのエッジ端が照射面上で良好に結像し、照明範囲を明
確に制限し、良好なる照明を可能とする露光装置を達成
することができる。
【図１】本発明の実施例１の照明系部分の要部概略図
【図２】本発明の実施例２の照明系部分の要部概略図
【図３】従来の半導体素子製造用の露光装置の照明系に
用いている遮光手段の要部概略図
用いている遮光手段の要部概略図
１ 光源 ２ 楕円ミラー ３，８ ミラー ４ ミキサーレンズ群 ５ Ｘ方向マスキングブレード ６ Ｙ方向マスキングブレード ７ ブレードフォーカス光学系 ９ コンデンサーレンズ １０ レチクル １０ａ 照射面 １１ シリンドリカルレンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 光源からの光束のうちＸ方向にマスキン
グするＸ方向マスキングブレードと該Ｘ方向マスキング
ブレードから光軸方向に離れた位置に配置したＹ方向を
マスキングするＹ方向マスキングブレードとを有する開
口径可変の遮光手段を介した光束により照射面上に載置
した第１物体を照明し、該第１物体面上のパターンを第
２物体に露光転写する際、該Ｘ方向マスキングブレード
のエッジ端と該Ｙ方向マスキングブレードのエッジ端と
をブレードフォーカス光学系により該照射面に結像させ
ていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記ブレードフォーカス光学系は少なく
とも１つのアナモフィックレンズを有しており、前記照
射面上のＸ方向パターンに対する共役面と、Ｙ方向パタ
ーンに対する共役面とを有していることを特徴とする請
求項１の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136888A JPH06326005A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136888A JPH06326005A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326005A true JPH06326005A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=15185901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5136888A Pending JPH06326005A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030089761A (ko) * | 2002-05-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 노광 시스템 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP5136888A patent/JPH06326005A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030089761A (ko) * | 2002-05-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 노광 시스템 |
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