JPH06325898A - マイクロ波放電反応装置 - Google Patents

マイクロ波放電反応装置

Info

Publication number
JPH06325898A
JPH06325898A JP5139133A JP13913393A JPH06325898A JP H06325898 A JPH06325898 A JP H06325898A JP 5139133 A JP5139133 A JP 5139133A JP 13913393 A JP13913393 A JP 13913393A JP H06325898 A JPH06325898 A JP H06325898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
mode
plasma
electrode
circular waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5139133A
Other languages
English (en)
Inventor
Kojin Nakagawa
行人 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anelva Corp filed Critical Anelva Corp
Priority to JP5139133A priority Critical patent/JPH06325898A/ja
Publication of JPH06325898A publication Critical patent/JPH06325898A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波放電反応装置において、スリット
アンテナ部へ電力を供給するマイクロ波供給系を改良
し、プラズマの均一性を良好とし、マイクロ波の利用効
率を高めた放電用電極を実現し、実用性の高める。 【構成】 内部を減圧状態に保持する機構10とガスを導
入する機構を備える真空容器1を備え、この真空容器内
に、当該真空容器の内部にマイクロ波を導入してガスを
プラズマ化するプラズマ発生機構2と、このプラズマ発
生機構に対し間隔をあけて対向させた基板保持機構3を
配置するように構成され、さらに、上記のプラズマ発生
機構2は、真空容器内にマイクロ波を放射するスリット
が形成された平板状電極4と、この平板状電極の近傍に
配置された磁場発生手段6と、平板状電極の前記スリッ
トにマイクロ波を供給する円形導波管7とから構成され
る。円形導波管内を伝播するマイクロ波の伝播モード
は、軸対称のTM01モードまたはTE01モードが使
用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波放電反応装置
に係り、特に、ドライエッチング装置、プラズマCVD
装置、スパッタリング装置、表面改質装置等に応用する
のに好適なマイクロ波放電反応装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば特開昭55−141729
号公報に開示されるECR(電子サイクロトロン共鳴)
装置のように、マイクロ波領域の電磁波を利用したキャ
ビティータイプの放電反応装置には各種のものが提案さ
れている。これらの放電反応装置では、通常、導波管を
用いてマイクロ波を放電室に導入している。一般に、マ
イクロ波放電反応装置の放電室(キャビティー)内で効
率良くプラズマを発生させる場合、導波管および放電室
に関しマイクロ波の波長に依存した寸法上の制約が存在
する。また放電室全域にわたって均一性の良い磁場を発
生することは難しいので、放電室を単純に大きくするこ
とだけで、大面積の基板を均一性良く処理することはで
きない。
【0003】一方、被処理基板の寸法は年々大きくなる
傾向にあり、直径30cm程度の大型基板の均一処理を行
えることが要求され、大面積基板に適したマイクロ波放
電反応装置の開発が急務となっている。
【0004】かかる要請に対する試みとして、例えば、
マイクロ波の導入に同軸管を用い、多数のスリットを有
する円筒状の電極をマイクロ波放射用のアンテナとして
用いて、大面積の処理を可能とすることを目指した装置
の開発も行なわれている。本装置は、例えば、下記の文
献に記載される。
【0005】A.Yonesu et al. "Production of a large
-diameter uniform ECR plasmawith a Lisitano coil"
Jpn.J.Appl.Phys.,27 (1988) L1746.
【0006】また特開平1−159379号公報に開示
されるように、多数のスリットを有する平板状の電極を
アンテナとして用いることで、大面積を均一に処理する
ことも試みられている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、先に、多
数のスリットを有する平板状の電極と永久磁石を組み合
わせた大面積のプラズマを発生するための電極を提案し
た(特願平2−400904号)。この発明によるマイ
クロ波放電反応装置では、大面積にわたって、均一なプ
ラズマを発生することができ、従来の問題点であったマ
イクロ波電力の有効利用を改善している。しかし、未だ
マイクロ波の有効利用という観点では、改善の余地があ
る。すなわち、上記装置ではマイクロ波伝送系として同
軸型線路を使用しており、マイクロ波電力が相対的に小
さい間はこれでも十分であるが、高密度のプラズマを生
成する目的でマイクロ波電力を大きくすると、電力損失
が大きくなり、マイクロ波伝送系が発熱し、同軸型線路
の真空シール部の信頼性が低下するという不具合を生じ
る。
【0008】本発明の目的は、スリットアンテナ部へ電
力を供給するマイクロ波供給系を改良し、プラズマの均
一性を良好とし、マイクロ波の利用効率を高めた放電用
電極を実現し、実用性の高いマイクロ波放電反応装置を
提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロ波
放電反応装置は、内部を減圧状態に保持する機構とガス
を導入する機構を備える真空容器を備え、この真空容器
内に、当該真空容器の内部にマイクロ波を導入してガス
をプラズマ化するプラズマ発生機構と、このプラズマ発
生機構に対し間隔をあけて対向させた基板保持機構を配
置するように構成され、さらに、上記のプラズマ発生機
構は、真空容器内にマイクロ波を放射するスリットが形
成された平板状電極と、この平板状電極の近傍に配置さ
れた磁場発生手段と、平板状電極の前記スリットにマイ
クロ波を供給する円形導波管とから構成される。
【0010】前記の構成において、好ましくは、前記円
形導波管にて伝播するマイクロ波のモードは、放射状ス
リットを有する平板状電極の各スリットに有効に電力が
供給できるように、軸対称モードであることを特徴とす
る。
【0011】前記の構成において、好ましくは、円形導
波管内を伝播するマイクロ波の伝播モードが、TM01
モードおよびTE01モードのうちいずれかである。
【0012】
【作用】本発明によるマイクロ波放電反応装置では、所
定の形態を有するスリットが形成された平板状電極を設
け、真空容器内の放電室にマイクロ波を効率良く放射
し、同時にECR条件を満足する磁場を発生させるため
の手段として同心円の配置上で複数のリング状の永久磁
石を設置する。これらの磁石の着磁方向は前記電極の面
に対して垂直とし、かつ隣合うリング状の永久磁石の着
磁方向が互いに反対になるように配置する。この時の磁
場強度は、前記平板状電極のプラズマが発生する面の近
傍でECR条件を満たすように設定される。かかる構成
により、平板状電極の限定された狭い領域のみにプラズ
マを発生させることができる。
【0013】上記においてマイクロ波電力を供給する伝
送路を、円形導波管を用い、かつ好ましくは軸対称であ
る特定な伝播モードでマイクロ波を伝播させれば、大き
なマイクロ波電力を利用することができ、さらに高密度
のプラズマを効率良く発生させることができる。
【0014】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
【0015】図1は本発明に係るマイクロ波放電反応装
置の実施例を示す。図1において、1は真空容器であ
る。真空容器1の形態は任意であり、内部に気密性の部
屋が形成されれば、充分である。真空容器1の内部に
は、プラズマ発生機構2と基板保持機構3が所定の配置
関係にて取り付けられる。プラズマ発生機構2は、真空
容器1内にてマイクロ波を放射し放電を発生させるため
平板状電極4を備える。基板保持機構3の基板取付け面
には処理対象の基板5が配置される。平板状電極4と基
板5は、所定の間隔で、対向した位置関係に配置され
る。また基板保持機構3には、その使用目的に応じて、
加熱機構または冷却機構、あるいは直流や高周波等のバ
イアス電圧を付与する機構を付加することもできる。
【0016】プラズマ発生機構2において、平板状電極
4の周辺部には所要の磁場を発生するための磁気回路6
が配設される。また平板状電極4には、所要の電場を発
生するための電力を供給する円形導波管7(横断面が円
形の導波管)が設けられる。この円形導波管7はマイク
ロ波供給系の一部でもある。マイクロ波供給系は、前記
の円形導波管7と、真空シールされた、マイクロ波を透
過する窓部と、図示しないマイクロ波電源からマイクロ
波を誘導する立体回路の一部を構成する矩形導波管8
(横断面が矩形の導波管)とから構成される。後述する
如く、必要に応じて円形導波管7内にマイクロ波の管内
波長を縮めるための誘電体が設置される。なお真空容器
1は排気系とガス導入系を備えるが、よく知られている
ので、それらの図示を省略する。ただし、真空容器1に
形成された排気ポート10のみを示す。
【0017】プラズマ発生機構2の部分をさらに詳しく
示すと、図2に示す如くなる。11は真空シールされ
た、マイクロ波を透過する窓部である。平板状電極4
は、正面形状が円形であり、例えば図6に示す如き形状
を有するマイクロ波を放射するためのスリット31が形
成されている。スリット31は4個形成され、それぞ
れ、放射状部分31aと円周部分31bを有する。平板
状電極4は金属等の導電性部材で作られる。平板状基板
4は裏板32を有し、平板状電極4と裏板32は金具3
3で固定される。平板状電極4と裏板32との間には所
定の隙間が形成される。この隙間は、平板状電極4のス
リット31に対しマイクロ波を伝播させるために必要で
ある。この隙間部分には、誘電体を充填させることもで
きる。また前記金具33はマイクロ波が漏洩するのを防
止する作用をも有する。裏板32には径を異ならせた複
数の円筒状またはリング状の永久磁石からなる磁気回路
6が同心円状配置関係にて固定されている。磁気回路6
において、端面に磁極を有する円筒状永久磁石は隣合う
同士でその磁極が逆になるように配置される。なお真空
シールを目的とした前記のマイクロ波用窓部11は、石
英、アルミナ等で作製される。
【0018】本発明の特徴的構成は、マイクロ波を導入
する伝送路として、同軸線路ではなく、円形導波管7ま
たはこれに類似する導波管を用いた点である。
【0019】上記のマイクロ波放電反応装置の動作を説
明する。図示しない真空ポンプで真空容器1の内部を排
気し、その後、図示しないガス導入装置でガスを所要の
圧力まで導入する。導入するガスには、例えばエッチン
グに用いる場合には、ハロゲンを含むガスを用いる。ま
た圧力は、この装置の場合には一般に10-4〜10-2To
rr程度に設定される。
【0020】次に、マイクロ波電源で発生したマイクロ
波を、立体回路を経由してプラズマ発生機構2に供給す
る。マイクロ波は、プラズマ発生機構2において、円形
導波管7を通り、窓部11を透過して平板状電極4のス
リット31から真空容器1内に放射される。マイクロ波
による電界と、前述の磁気回路6による磁場とは相互に
作用し、導入ガスをプラズマ化して、基板5の表面を処
理する。立体回路には図示された構成のものに加えて、
アイソレータ、電力モニタ、チューナ等が含まれる。な
お矩形導波管8と円形導波管7との間には、接続部13
が設けられる。この接続部13の形態は円形導波管7内
でのマイクロ波の伝播モード(例えば軸対称モードまた
は非軸対称モード)に応じて異なる形状に作られる。こ
の接続部13の詳細については、伝播モードとの関連に
おいて、後述される。
【0021】さて、円形導波管7を用いて真空容器1内
にマイクロ波を導入するに当たっては、マイクロ波の伝
播モードを考慮する必要がある。ここで、円形導波管7
におけるマイクロ波の伝播モードについて説明する。
【0022】円形導波管の基本モード(カットオフ周波
数の最も低いモード)はTE11と呼ばれるモードであ
る。TE11モードが発生した円形導波管の横断面内に
おける電場分布を、図3に示す。21は一般的な円形導
波管、22は電気力線の分布を示し、電場生成状態を表
している。この図から明らかなように円形導波管21の
TE11モードは軸対称ではない。そのため、TE11
モードを本実施例の円形導波管7に適用すると、発生す
るプラズマの均一性を損なうおそれがある。またTE1
1モードではマイクロ波電力が円形導波管7の中央部に
集中し、中央部の電場強度が一番強くなる。このこと
は、円形導波管7の中央部が、マイクロ波を放射する効
率が最大になる部分であることを意味する。一方、図6
を参照して先に説明した通り、平板状電極4に形成され
たスリット31は放射状部分が領域的に主たる部分とな
る。つまり、マイクロ波放電反応装置のアンテナである
平板状電極4の中心部にスリットを集中的に形成するこ
とは、困難である。
【0023】そこで、本実施例では、円形導波管7にお
けるマイクロ波の伝送において、軸対称モードであるT
M01モードまたはTE01モードのいずれかが適用さ
れるように構成される。
【0024】円形導波管7におけるTM01モードの電
場分布を図4に示す。41は電場分布を表す電気力線
で、電場の方向を示す。TM01モードの電場分布は、
図4で明らかなように、軸対称に分布が形成される。従
って、プラズマの均一性を維持できる。また使用される
平板状電極4に形成されるスリットは、図6に示される
ような、スリット31である。さらに図6に示される4
2は、円形導波管7の壁部分の対応する位置を、平板状
電極4と関連させて示している。かかる構成によれば、
円形導波管7で伝送されるTM01モードのマイクロ波
の電場において、最も強い部分がスリット31の円周部
分31bと重なり、電場41により誘起された平板状電
極上での表面電流がスリット部分31bを切ることにな
るため、スリット部分31bからはマイクロ波が真空室
内に放射される。さらに、スリット部分31bに発生し
た強い電場は放射状のスリット部分31aにも伝播し、
このため平板状電極4から真空室内に均一にマイクロ波
が放射され、均一性の良いプラズマを発生させることが
できる。
【0025】図8は矩形導波管8と円形導波管7との間
の接続部13の構造およびマイクロ波の伝播モードを示
している。接続部13は、TE11に基づいて円形導波
管7でのTM01モードを発生させるためのモード変換
器として機能する。円形導波管7は、矩形導波管8の末
端近傍において、その軸方向が矩形導波管8の軸方向に
直角になるように連結される。円形導波管7の中心位置
は、矩形導波管8の末端8aから、マイクロ波の矩形導
波管内波長の1/4の位置であるように選択される。円
形導波管7と矩形導波管8との接続部13の中心には、
図8および図9に示す如く、結合孔13aが形成され
る。この結合孔13aの開口面積の大きさは、実験を行
うことにより、決定される。以上の構成によって、図8
で示すように、円形導波管7においてTM01モードの
電場分布41が発生させることができる。
【0026】因みに図10は同軸線路の基本伝播モード
であるTEMモードの電場分布を示している。図10に
て、51は外部伝送路、52は内部伝送路、53が電気
力線である。図4と図10の比較で明らかなように、T
M01モードとTEMモードは類似しているので、従来
において同軸線路を使用していたマイクロ波放電反応装
置の平板状電極(アンテナ)を、本実施例において、そ
のまま使用することができる。換言すれば、同軸線路を
使用していた従来のマイクロ波放電反応装置において、
当該同軸線路の代わりに、円形導波管を使用することに
より、本実施例によるマイクロ波放電反応装置を実現す
ることができる。
【0027】マイクロ波の伝播モードとしては、前述し
た他方のTE01モードを用いても前記のTM01モー
ドと同様な効果を得ることができる。図5は、円形導波
管7の内部におけるTE01モードによる電場分布61
を示す。図5から明らかなように、TE01モードは、
TM01モードと同様に、円形導波管7の軸に関して軸
対称なモードである。マイクロ波の伝播モードとしてT
E01モードを使用する場合には、図7に示されるスリ
ット62を備えた平板状電極4が用いられる。スリット
62は、放射状部分のみが一定の角度間隔で複数個形成
され、各スリット62は、その内側の先端が円形導波管
の壁部分42の内側まで延設される。
【0028】円形導波管7における伝播モードとして、
前記のTM01モードとTE01モードのうちいずれか
を使用するかについては、マイクロ波放電反応装置の構
成、または製作の容易さに依存して決定される。基本的
にいずれの伝播モードを選択しても、プラズマ発生の観
点では同様な効果が発揮される。一方、実用性の観点か
ら選択すると、TM01モードが、次の理由により望ま
しい。第1に、カットオフ周波数がTM01モードの方
が低いため、所定のマイクロ波周波数に対してTM01
は伝播するが、TE01モードは伝播しない状態を作る
ことができる。第2に、TE01モードはTM11モー
ドと縮退しているため、純粋なTE01モードを発生さ
せるためには、技術的な困難性を有している。
【0029】また通常使用されるマイクロ波周波数であ
る2.45MHz に対して、必要とされる円形導波管の大きさ
を設計すると、TM01モードを利用する場合、TM0
1モードが伝播可能で、TE01モードが伝播不可能な
円形導波管の内径の範囲は、93.4mm〜144.9mm と求めら
れる。この設計には、参考書として、中島将光著「マイ
クロ波工学」森北出版 1975年を利用した。
【0030】またマイクロ波放電反応装置の設計の都合
上、円形導波管7の内径として上記の範囲の値を用いる
ことができず、より細い導波管を使用したい場合があ
る。この場合には、図2に示す如く、円形導波管7の内
部に誘電体12を充填する。誘電体12の比誘電率をε
とすると、導波管7内のマイクロ波の波長は1/εとな
るため、より細く導波管を使用することが可能となる。
誘電体12の材質として、マイクロ波領域における誘電
損失の小さいもの、例えばテフロンやアルミナ等が使用
される。
【0031】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、放電反応室である真空容器において、所定形態の
スリットが形成される平板状電極と、この電極に所定の
磁場を与える磁気回路とからなる電極装置を設け、電極
に対して円形導波管によって軸対称モードのマイクロ波
を給電し、磁気回路による磁場との相互作用によりプラ
ズマを生成するようにしたため、同軸線路を使用した従
来のマイクロ波放電反応装置に比較し、高いマイクロ波
電力を供給することができ、マイクロ波の利用効率が高
くなり、放電反応装置としての信頼性を高めることがで
きる。
【0032】また簡単な構成で小型かつ安価に製作する
ことができ、均一性の良好なプラズマを生成できる。プ
ラズマの生成効率は極めて良好であり、そのため、大き
な面積を有する基板に対して均一な処理を行うことがで
き、実用性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマイクロ波放電反応装置の内部構
造の一実施例を示す平面図である。
【図2】マイクロ波放電反応装置のプラズマ発生機構を
詳細に示す構成図である。
【図3】円形導波管の基本伝播モード(TE11)の電
場分布を示す説明図である。
【図4】円形導波管のTM01モードの電場分布を示す
説明図である。
【図5】円筒導波管のTE01モードの電場分布を示す
説明図である。
【図6】TE01モードに用いる平板状電極を示す正面
図である。
【図7】TE01モードに用いる平板状電極の正面図で
ある。
【図8】矩形TE01モードから円形TM01モードへ
の変換を行う接続部の説明図である。
【図9】接続部の結合孔を示す正面図である。
【図10】同軸線路での基本伝播モード(TEM)の電
場分布を示す説明図である。
【符号の説明】
1 真空容器 2 プラズマ発生機構 3 基板保持機構 4 平板状電極 5 基板 6 磁気回路 7 円形導波管 8 矩形導波管 11 窓部 12 誘電体 13 接続部 31 スリット 31a 放射状部分 31b 円周部分 32 裏板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部を減圧状態に保持する機構とガスを
    導入する機構を備える真空容器と、前記真空容器内にマ
    イクロ波を導入して前記ガスをプラズマ化するプラズマ
    発生機構と、このプラズマ発生機構に対し所定位置関係
    にて設置される基板保持機構を備えるマイクロ波放電反
    応装置において、前記プラズマ発生機構は、前記真空容
    器内にマイクロ波を放射するスリットが形成された平板
    状電極と、この平板状電極の近傍に配置された磁場発生
    手段と、前記平板状電極の前記スリットにマイクロ波を
    供給する円形導波管とから構成されることを特徴とする
    マイクロ波放電反応装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のマイクロ波放電反応装置
    において、前記円形導波管にて伝播するマイクロ波のモ
    ードは軸対称モードであることを特徴とするマイクロ波
    放電反応装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のマイクロ波放電反応装置
    において、前記円形導波管内を伝播するマイクロ波の伝
    播モードは、TM01モードおよびTE01モードのう
    ちの少なくともいずれかであることを特徴とするマイク
    ロ波放電反応装置。
JP5139133A 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波放電反応装置 Pending JPH06325898A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5139133A JPH06325898A (ja) 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波放電反応装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5139133A JPH06325898A (ja) 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波放電反応装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06325898A true JPH06325898A (ja) 1994-11-25

Family

ID=15238306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5139133A Pending JPH06325898A (ja) 1993-05-17 1993-05-17 マイクロ波放電反応装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06325898A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008173521A (ja) * 2006-08-09 2008-07-31 Honda Electronic Co Ltd 液中プラズマ処理装置、及び液中プラズマ処理方法
JP7386581B1 (ja) * 2023-03-06 2023-11-27 株式会社ニッシン プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008173521A (ja) * 2006-08-09 2008-07-31 Honda Electronic Co Ltd 液中プラズマ処理装置、及び液中プラズマ処理方法
JP7386581B1 (ja) * 2023-03-06 2023-11-27 株式会社ニッシン プラズマ発生装置およびプラズマ処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100270425B1 (ko) 플라스마처리장치
US5401351A (en) Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus
EP0914496B1 (en) Microwave applicator for an electron cyclotron resonance plasma source
US5886473A (en) Surface wave plasma processing apparatus
JP5155235B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置
WO1998001599A9 (en) Microwave applicator for an electron cyclotron resonance plasma source
JP4209612B2 (ja) プラズマ処理装置
KR0174070B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 방법
JPH0319332A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH09289099A (ja) プラズマ処理方法および装置
JPH06325898A (ja) マイクロ波放電反応装置
JP2965169B2 (ja) マイクロ波放電反応装置及び電極装置
JPH07135093A (ja) プラズマ処理装置及び処理方法
JP2534219B2 (ja) マイクロ波放電反応装置
JP3088504B2 (ja) マイクロ波放電反応装置
JP3156492B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3736054B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2000277295A (ja) プラズマ処理装置
US6153977A (en) ECR type plasma generating apparatus
JP3208995B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
JPH08203881A (ja) 表面処理装置
JPH0785996A (ja) Ecrプラズマ発生装置
JPH0719674B2 (ja) マイクロ波放電反応装置の電極装置
JP3199273B2 (ja) マイクロ波放電反応装置
JP3334761B2 (ja) マイクロ波放電反応装置