JPH0632362B2 - Method for manufacturing ceramic substrate having conductor circuit - Google Patents
Method for manufacturing ceramic substrate having conductor circuitInfo
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- JPH0632362B2 JPH0632362B2 JP62206689A JP20668987A JPH0632362B2 JP H0632362 B2 JPH0632362 B2 JP H0632362B2 JP 62206689 A JP62206689 A JP 62206689A JP 20668987 A JP20668987 A JP 20668987A JP H0632362 B2 JPH0632362 B2 JP H0632362B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミック基板の製造方法に関するもので、特
に導体回路を有するセラミック基板の製造方法に関する
ものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic substrate, and more particularly to a method for manufacturing a ceramic substrate having a conductor circuit.
（従来の技術） アルミナ基板や窒化アルミニウム基板等を代表とするセ
ラミック基板にあっては、セラミックの特性である高い
強度、優れた熱放散生、及び化学的安定性等を有してい
ることによって、電子部品を搭載するものとして多く利
用されつつある。特に、このセラミック基板の優れた熱
放散性は、電気部品搭載用基板において搭載された電子
部品や回路中から発生する熱を効率よく外部に放散させ
る必要があることから、この種の電子部品搭載用基板に
とっては重要な条件である。(Prior Art) A ceramic substrate typified by an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, etc., has high strength, excellent heat dissipation, and chemical stability, which are characteristics of ceramics. However, it is being widely used for mounting electronic components. In particular, the excellent heat dissipation of this ceramic substrate requires that the heat generated from the electronic components and circuits mounted on the electrical component mounting substrate be efficiently dissipated to the outside. This is an important condition for a substrate for use.
このように、電子部品を搭載するためのセラミック基板
にあっては、優れた熱放散性を有することは勿論、この
セラミック基板に形成される導体回路についても、少な
くとも次のような条件が必要とされる。すなわち、 この導体回路とセラミック基板との密着が確実になっ
ていること 導体回路自体の比抵抗が小さいこと等である。As described above, the ceramic substrate on which electronic components are mounted has not only excellent heat dissipation but also the conductor circuit formed on the ceramic substrate requires at least the following conditions. To be done. That is, the contact between the conductor circuit and the ceramic substrate is ensured, and the specific resistance of the conductor circuit itself is small.
従来のセラミック基板は、例えば窒化アルミニウム基板
を例にとって説明すると、窒化アルミニウム粉末によっ
て形成した生成形体上に導体回路となるタングステンメ
タライズ物質を印刷等によって回路形成し、これをその
まま常圧焼結によって焼成していたのである。For example, an aluminum nitride substrate is used as an example of a conventional ceramic substrate. A tungsten metallized substance to be a conductor circuit is printed on a green body formed of aluminum nitride powder to form a circuit, which is then sintered by normal pressure sintering. I was doing it.
ところが、このようにして形成されたセラミック基板に
おける、特にタングステンメタライズの導体回路の特性
を調べてみると、基板の内部及び表面に形成した導体回
路抵抗値は、通常は２０ｍΩ／□程度と比較的高い値で
あり、一方導体回路の比抵抗値はおよそ３０μΩ−ｃｍ
である。特に、タングステンメタライズによって形成し
た導体回路の比抵抗値が３０μΩ−ｃｍであることは、
そのタングステンメタライズの理論値が５．５Ω−ｃｍ
であることからすると、かなり高いものであることがわ
かる。また、このように形成した導体回路と窒化アルミ
ニウム基板との密着強度を測定した結果、平均値が１ｋ
ｇ／ｍｍ2以下であり、この種の基板に要求される密着
強度２ｋｇ／ｍｍ2より低い値であった。However, when the characteristics of the conductor circuit of tungsten metallized in the ceramic substrate thus formed are examined, the resistance value of the conductor circuit formed inside and on the surface of the substrate is usually about 20 mΩ / □, which is relatively high. It is a high value, while the specific resistance value of the conductor circuit is about 30 μΩ-cm.
Is. In particular, the specific resistance value of the conductor circuit formed by tungsten metallization is 30 μΩ-cm,
The theoretical value of the tungsten metallization is 5.5 Ω-cm
From this, it can be seen that it is quite expensive. Further, as a result of measuring the adhesion strength between the conductor circuit thus formed and the aluminum nitride substrate, the average value is 1 k.
The value was g / mm 2 or less, which was lower than the adhesion strength of 2 kg / mm 2 required for this type of substrate.
そこで、本発明者等は、導体回路の比抵抗値がその理論
値より高くなる原因及び基板に対する密着強度が小さく
なる原因を検討してみた結果、このようになる原因はセ
ラミック材料のバインダーあるいはメタライズインク中
に含まれている不純物による影響であることを新規に知
見し、本発明を完成したのである。Therefore, the inventors of the present invention have examined the cause that the specific resistance value of the conductor circuit is higher than its theoretical value and the cause that the adhesion strength to the substrate is decreased, and as a result, such a cause is caused by the binder or metallization of the ceramic material. The present invention has been completed by newly discovering that it is the influence of impurities contained in the ink.
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は以上のような経緯に基づいてなされたもので、
その解決しようとする問題点は、この種セラミック基板
の導体回路における比抵抗値の高さであり、かつ基板に
対する密着強度の不足である。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made based on the above circumstances,
The problem to be solved is the high specific resistance value in the conductor circuit of this type of ceramic substrate and the insufficient adhesion strength to the substrate.
そして、本発明の目的とするところは、導体回路の抵抗
値をその理論値により近づけることができ、しかも基板
に対する密着強度の優れたセラミック基板を製造するこ
とのできる方法を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a method capable of bringing the resistance value of a conductor circuit closer to its theoretical value and producing a ceramic substrate having excellent adhesion strength to the substrate.
（問題点を解決するための手段及び作用） 以上の問題点を解決するために本発明が採った手段は、
実施例に対応する第１図〜第６図を参照して説明する
と、 「少なくとも表面の一部に導体回路(14)を有するセラミ
ック基板を下記の工程によって製造する方法。(Means and Actions for Solving Problems) Means adopted by the present invention for solving the above problems are
Referring to FIGS. 1 to 6 corresponding to the embodiment, “a method for manufacturing a ceramic substrate having a conductor circuit (14) on at least a part of its surface by the following steps.
（１）セラミック粉末にバインダーを添加してから所望
の生成形体(10)を形成する工程； （２）この生成形体(10)の少なくとも表面の一部に前記
導体回路(14)となるメタライズペースト(13)を印刷する
工程； （３）この生成形体(10)を減圧状態かつ無加圧状態で、
その本焼成温度より１００〜５００℃低い温度まで加熱
しながら、前記バインダー及びメタライズペースト(13)
中に含まれる不純物を脱気する工程； （４）この不純物の脱気後、生成形体(10)を窒素ガス雰
囲気中でホットプレスによって加圧焼成する工程。」 である。(1) A step of forming a desired green body (10) after adding a binder to the ceramic powder; (2) A metallized paste which becomes the conductor circuit (14) on at least a part of the surface of the green body (10). A step of printing (13); (3) this green body (10) under reduced pressure and no pressure,
The binder and metallizing paste (13) while heating to a temperature 100 to 500 ° C. lower than the main firing temperature.
A step of degassing impurities contained therein; (4) a step of, after degassing the impurities, press-baking the green compact (10) in a nitrogen gas atmosphere by hot pressing. It is.
すなわち、本発明にあっては、まずセラミック粉末にバ
インダーを添加してから、第１図に示すような所望の生
成形体(10)を形成する必要があるのである。セラミック
粉末にバインダーを添加する必要があるのは、完成後の
セラミック基板を緻密状態のものとし、これによりその
強度及び熱放散性を良好なものとするためである。そし
て、第２図に示すように、この生成形体(10)の少なくと
も表面の一部に導体回路(14)となるメタライズペースト
(13)を印刷するのである。導体回路(14)となるメタライ
ズペースト(13)を印刷によって形成するのは、この方法
が所謂ファインパターンを形成するのに適しているから
である。以上の場合のセラミック粉末に添加されるバイ
ンダー、及びメタライズペースト(13)としては、従来の
ものと同様なものを使用すればよいものである。That is, in the present invention, it is necessary to first add a binder to the ceramic powder and then form a desired green body (10) as shown in FIG. The binder needs to be added to the ceramic powder in order to make the completed ceramic substrate in a dense state and thereby improve its strength and heat dissipation property. Then, as shown in FIG. 2, a metallizing paste which becomes a conductor circuit (14) on at least a part of the surface of the green body (10).
Print (13). The reason why the metallized paste (13) to be the conductor circuit (14) is formed by printing is that this method is suitable for forming a so-called fine pattern. As the binder and the metallizing paste (13) added to the ceramic powder in the above case, those similar to the conventional ones may be used.
なお、この場合、必要に応じてメタライズペースト(13)
を印刷した生成形体(10)を複数積層して多層の生成形体
を形成するようにして実施してもよいものである。In this case, if necessary, metallize paste (13)
It is also possible to stack a plurality of green formed bodies (10) on which is printed to form a multilayer green formed body.
そして、以上のようにメタライズペースト(13)を印刷し
た生成形体(10)を減圧状態かつ無加圧状態で、その本焼
成温度より１００〜５００℃低い温度まで一定時間加熱
するのである。このようにするのは、セラミック粉末に
添加されるバインダー、及びメタライズペースト(13)中
に含まれている不純物を気化させ、この気化した不純物
を外部に放出させてこれを除去するためである。すなわ
ち、以上のようにすることによって、メタライズペース
ト(13)から形成される導体回路(14)に悪影響を及ぼすと
考えられバインダー及びメタライズペースト(13)中の不
純物を脱気するのである。Then, the green body (10) printed with the metallizing paste (13) as described above is heated to a temperature 100 to 500 ° C. lower than the main firing temperature for a certain period of time in a depressurized state and a non-pressurized state. This is done in order to vaporize the impurities contained in the binder added to the ceramic powder and the metallizing paste (13) and release the vaporized impurities to the outside to remove them. That is, the above procedure is considered to have an adverse effect on the conductor circuit (14) formed from the metallization paste (13), and the binder and impurities in the metallization paste (13) are degassed.
この場合、生成形体(10)を室温付近の温度から大気圧状
態または加圧状態で完全に焼成してしまうと、例えば窒
化アルミニウム基板などでは気化された酸素、鉄、炭素
等の不純物が外部に出にくくなるので、セラミック材料
は室温付近の温度から大気圧状態または加圧状態で焼成
しないことが必要である。すなわち、この場合の加熱
は、生成形体(10)を減圧状態かつ無加圧状態にするとと
もに、セラミック材料の本焼成温度より１００〜５００
℃低い温度まで加熱するのである。具体的には、セラミ
ック材料が窒化アルミニウムの場合には、略１４００〜
１７００℃の温度範囲内まで加熱するのがよいのであ
る。また、この場合、生成形体(10)を無加圧状態で加熱
するのは、１４００より低い温度域で圧力を付与する
と、生成形体(10)自体が破損してしまうからであり、逆
に１７００℃より高い温度域で圧力を付与すると、１７
００℃までにホットプレス内で常圧焼結が進行し、メタ
ライズ部と基材との接着力が低下するからである。In this case, if the green body (10) is completely baked from a temperature near room temperature in an atmospheric pressure state or a pressurized state, for example, in an aluminum nitride substrate, vaporized oxygen, iron, impurities such as iron and the like are exposed to the outside. It is difficult for the ceramic material to come out, so it is necessary that the ceramic material is not fired at a temperature near room temperature under atmospheric pressure or under pressure. That is, the heating in this case brings the green body (10) into a depressurized state and a non-pressurized state, and the temperature is 100 to 500 from the main firing temperature of the ceramic material.
It is heated to a temperature lower by ℃. Specifically, when the ceramic material is aluminum nitride, approximately 1400 to
It is better to heat up to a temperature range of 1700 ° C. Further, in this case, the green body (10) is heated in a non-pressurized state because the green body (10) itself is damaged when pressure is applied in a temperature range lower than 1400, and conversely 1700. When pressure is applied in the temperature range higher than ℃, 17
This is because atmospheric pressure sintering proceeds in the hot press up to 00 ° C, and the adhesive force between the metallized portion and the base material decreases.
このように脱気した生成形体(10)を、第４図に示すよう
な焼成装置(20)を使用して窒素ガス雰囲気中でホットプ
レスするのである。このホットプレスは、通常使用され
ている一般的な方法でよい。また、一度不純物を脱気し
たのであるから、焼成中に不純物が混入しないようにす
るため、窒素ガス雰囲気中でホットプレスするのであ
る。The green body (10) degassed in this way is hot-pressed in a nitrogen gas atmosphere by using a firing apparatus (20) as shown in FIG. This hot press may be a commonly used general method. Further, since impurities have been degassed once, hot pressing is performed in a nitrogen gas atmosphere in order to prevent impurities from being mixed in during firing.
なお、上記の各工程に必要な時間は、製造すべき基板の
大きさによって決定されるものであり、その生成形体(1
0)の焼成にあった必要十分な時間をとるようにして実施
すればよい。The time required for each of the above steps is determined by the size of the substrate to be manufactured.
It may be carried out by taking a necessary and sufficient time suitable for the firing of (0).
以上のようにして、導体回路の比抵抗値をその理論値に
近づけ、しかも基板に対する密着強度の優れたセラミッ
ク基板を製造するのである。As described above, the specific resistance value of the conductor circuit is brought close to its theoretical value, and a ceramic substrate having excellent adhesion strength to the substrate is manufactured.
（実施例） 次に、本発明に係る製造方法を、実施例に従って具体的
に説明する。(Example) Next, the manufacturing method according to the present invention will be specifically described according to examples.
まずセラミック粉末材料として純度が９９．９％で、平
均粒度が１μｍの窒化アルミニウム粉末を使用し、これ
にアクリル系バインダー（トルエン溶媒）を添加してこ
れを混練した。この材料をドクターブレード法により、
厚さ１．００ｍｍの生シートを形成してこれを切断する
ことにより、第１図に示したような４５×４５ｍｍの角
板の生成形体(10)を形成した。First, an aluminum nitride powder having a purity of 99.9% and an average particle size of 1 μm was used as a ceramic powder material, and an acrylic binder (toluene solvent) was added thereto and kneaded. This material by the doctor blade method,
A green sheet having a thickness of 1.00 mm was formed and cut to form a rectangular plate production form (10) of 45 × 45 mm as shown in FIG.
次に、第２図に示したようなスクリーン(11)及びスキー
ジ(12)を使用したスクリーン印刷法により、例えば第３
図に示すような導体回路(14)を有するセラミック基板と
するために、生成形体(10)の表面に導体回路(14)となる
メタライズペースト(13)を印刷した。この場合に使用し
たメタライズペースト(13)としては、平均粒径が３．５
μｍ±１μｍで純度が９９．９％のタングステン１００
重量部に対し、エチルセルロースバインダー１重量部、
溶媒α−テレビネオール２０重量部を加えて混合したも
のである。なお、このようにメタライズペースト(13)を
印刷した生成形体(10)は単体として使用してもよいが、
多層に積層してから使用するようにしてもよい。Next, a screen printing method using a screen (11) and a squeegee (12) as shown in FIG.
In order to obtain a ceramic substrate having a conductor circuit (14) as shown in the figure, a metallized paste (13) to be the conductor circuit (14) was printed on the surface of the green body (10). The metallized paste (13) used in this case had an average particle size of 3.5.
Tungsten 100 with a purity of 99.9% in the range of μm ± 1μm
1 part by weight of ethyl cellulose binder,
It is a mixture in which 20 parts by weight of the solvent α-TV Neol is added and mixed. In addition, although the generated form (10) on which the metallized paste (13) is printed may be used as a single body,
It may be used after being laminated in multiple layers.
このようにして形成した単相あるいは多層の生成形体(1
0)を、第４図に示したような焼成装置(20)内に挿入して
焼成するのであるが、この焼成は次の段階を経てなされ
る。The single-phase or multi-layer green compact (1
0) is inserted into the firing apparatus (20) as shown in FIG. 4 and fired. This firing is performed through the following steps.
まず、第５図及び第６図に示すように、焼成装置(20)
による圧力を加えない状態で、常温から窒化アルミニウ
ムの本焼成温度より１００〜５００℃低い温度、すなわ
ち１４００℃程度の温度になるまでの間は３５℃／分の
割合で昇温し、かつ雰囲気圧力が１〜１０-4Ｔｏｒｒと
なるように減圧して加熱した。本実施例におけるこの加
熱時間は、約４ｈｒであった。このようにしたのは、上
記の生成形体(10)中のバインダーやメタライズペースト
(13)中の不純物を気化させるとともに、この気化した不
純物を外部に十分排出するためである。なお、第５図及
び第６図は、その各時間軸が各第５図及び第６図におい
て一致するように示してある。First, as shown in FIGS. 5 and 6, a firing device (20)
In the state where no pressure is applied, the temperature rises at a rate of 35 ° C./min from room temperature to a temperature 100 to 500 ° C. lower than the main firing temperature of aluminum nitride, that is, a temperature of about 1400 ° C., and the atmospheric pressure. Was reduced to 1-10 -4 Torr and heated. The heating time in this example was about 4 hours. This was done by using the binder or metallized paste in the green body (10) above.
This is because the impurities in (13) are vaporized and the vaporized impurities are sufficiently discharged to the outside. It should be noted that FIGS. 5 and 6 are shown such that their time axes coincide with each other in FIGS. 5 and 6.
次に、この焼成装置(20)内に窒素ガスを導入するとと
もに、焼成装置(20)による圧力を２００〜２５０ｋｇ／
ｃｍ2として加圧し、かつ１４００〜１７００℃の温度
で１５〜２０分間加熱焼成した。そして、この加圧状
態を維持しながら、１０℃／分の割合で昇温しながら、
本実施例の窒化アルミニウムの焼成温度である１９１０
℃まで昇温し、この１９１０℃の温度で約１時間保持し
焼成した。Next, while introducing nitrogen gas into the firing device (20), the pressure applied by the firing device (20) is 200 to 250 kg /
It was pressurized as cm 2 , and was heated and baked at a temperature of 1400 to 1700 ° C. for 15 to 20 minutes. Then, while maintaining this pressurized state, while raising the temperature at a rate of 10 ° C./minute,
1910 which is the firing temperature of the aluminum nitride of this example.
The temperature was raised to ℃ and the temperature was kept at 1910 ℃ for about 1 hour for firing.
以上のように形成したセラミック基板の導体回路(14)の
抵抗値、比抵抗値及び基板に対する密着強度を測定した
結果、それぞれ１０．２０ｍΩ／□、１１．８μΩ−ｃ
ｍ及び２．３ｋｇ／ｍｍ2であった。The resistance value, the specific resistance value, and the adhesion strength to the substrate of the conductor circuit (14) of the ceramic substrate formed as described above were measured and found to be 10.20 mΩ / □ and 11.8 μΩ-c, respectively.
m and 2.3 kg / mm 2 .
（発明の効果） 以上詳述した通り、本発明にあっては、 「少なくとも表面の一部に導体回路(14)を有するセラミ
ック基板を下記の工程によって製造する方法。(Effects of the Invention) As described in detail above, in the present invention, "a method for producing a ceramic substrate having a conductor circuit (14) on at least a part of its surface by the following steps.
（１）セラミック粉末にバインダーを添加してから所望
の生成形体(10)を形成する工程； （２）この生成形体(10)の少なくとも表面に導体回路(1
4)となるメタライズペースト(13)を印刷する工程； （３）この生成形体(10)を減圧状態かつ無加圧状態で、
その本焼成温度より１００〜５００℃低い温度まで加熱
しながら、バインダー及びメタライズペースト(13)中に
含まれる不純物を脱気する工程； （４）この不純物の脱気後、生成形体(10)を窒素ガス雰
囲気中でホットプレスによって加圧焼成する工程。」 にその構成上の特徴があり、これにより、導体回路の比
抵抗値をその理論値に近づけることができ、しかも基板
に対する密着強度の優れたセラミック基板を製造するこ
とのできる方法を提供することができるのである。(1) A step of forming a desired green body (10) after adding a binder to the ceramic powder; (2) A conductor circuit (1) on at least the surface of the green body (10).
Printing the metallizing paste (13) which becomes 4); (3) this green body (10) under reduced pressure and no pressure,
Degassing impurities contained in the binder and the metallizing paste (13) while heating to a temperature 100 to 500 ° C. lower than the main firing temperature; (4) After degassing these impurities, the green compact (10) is formed. A step of performing pressure firing by hot pressing in a nitrogen gas atmosphere. ) Has its structural characteristics, and by doing so, it is possible to provide a method capable of bringing the specific resistance value of the conductor circuit close to its theoretical value and manufacturing a ceramic substrate having excellent adhesion strength to the substrate. Can be done.
すなわち、本発明に係る製造方法によれば、基材中のバ
インダー成分やメタライズペースト(13)中に含まれる不
純物を十分除去することができるので、メタライズペー
スト(13)をカーバイト化していない純粋な導体回路(14)
として形成することができるのであり、従ってこの導体
回路(14)を、セラミック基板に対する密着強度に優れた
ものとすることができ、比抵抗の少ないものとすること
ができるのである。しかも、本発明に係る製造方法にあ
っては、最終的にはホットプレス法を採用するので、導
体回路(14)の緻密化を促進することができ、しかも生成
形体(10)を加圧焼成するので寸法精度に優れたものとす
ることができるのである。That is, according to the production method of the present invention, it is possible to sufficiently remove the impurities contained in the binder component and the metallizing paste (13) in the substrate, so that the metallizing paste (13) is not carburized in pure form. Conductor circuit (14)
Therefore, the conductor circuit (14) can be excellent in adhesion strength to the ceramic substrate, and can have a low specific resistance. Moreover, in the manufacturing method according to the present invention, since the hot pressing method is finally used, the densification of the conductor circuit (14) can be promoted, and the green compact (10) is pressure-fired. Therefore, the dimensional accuracy can be improved.
第１図は生成形体の斜視図、第２図は生成形体上にメタ
ライズペーストを印刷している状態を示す部分拡大断面
図、第３図は導体回路が形成されたセラミック基板の斜
視図、第４図は生成形体を焼成している状態を示す焼成
装置の断面図、第５図及び第６図のそれぞれは本発明に
係る製造方法を採用して生成形体を焼成する時間と温度
及び圧力と温度の関係を示すグラフである。 符号の説明 10……生成形体、11……スクリーン、12……スキージ、
13……メタライズペースト、14……導体回路、20……焼
成装置。FIG. 1 is a perspective view of a green body, FIG. 2 is a partially enlarged sectional view showing a state in which a metallizing paste is printed on the green body, and FIG. 3 is a perspective view of a ceramic substrate on which a conductor circuit is formed. FIG. 4 is a cross-sectional view of a firing apparatus showing a state of firing the green compact, and FIGS. 5 and 6 show the time, temperature and pressure for firing the green compact by adopting the manufacturing method according to the present invention. It is a graph which shows the relationship of temperature. Explanation of code 10 …… Generation form, 11 …… Screen, 12 …… Squeegee,
13 ... Metallizing paste, 14 ... Conductor circuit, 20 ... Firing device.
Claims (1)
セラミック基板を下記の工程によって製造する方法。 （１）セラミック粉末にバインダーを添加してから所望
の生成形体を形成する工程； （２）この生成形体の少なくとも表面の一部に前記導体
回路となるメタライズペーストを印刷する工程； （３）この生成形体を減圧状態かつ無加圧状態で、その
本焼成温度より１００〜５００℃低い温度まで加熱しな
がら、前記バインダー及びメタライズペースト中に含ま
れる不純物を脱気する工程； （４）この不純物の脱気後、前記生成形体を窒素ガス雰
囲気中でホットプレスによって加圧焼成する工程。1. A method for producing a ceramic substrate having a conductor circuit on at least a part of its surface by the following steps. (1) A step of adding a binder to the ceramic powder and then forming a desired green body; (2) A step of printing a metallizing paste to be the conductor circuit on at least a part of the surface of this green body; (3) This Degassing impurities contained in the binder and metallizing paste while heating the green body under reduced pressure and no pressure to a temperature 100 to 500 ° C. lower than its main firing temperature; (4) After degassing, a step of press-baking the green compact by hot pressing in a nitrogen gas atmosphere.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62206689A JPH0632362B2 (en) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | Method for manufacturing ceramic substrate having conductor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP62206689A JPH0632362B2 (en) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | Method for manufacturing ceramic substrate having conductor circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS6449297A JPS6449297A (en) | 1989-02-23 |
| JPH0632362B2 true JPH0632362B2 (en) | 1994-04-27 |
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Family Applications (1)
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| JP62206689A Expired - Lifetime JPH0632362B2 (en) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | Method for manufacturing ceramic substrate having conductor circuit |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0632362B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5504993A (en) * | 1994-08-30 | 1996-04-09 | Storage Technology Corporation | Method of fabricating a printed circuit board power core using powdered ceramic materials in organic binders |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5353774A (en) * | 1976-10-26 | 1978-05-16 | Fujitsu Ltd | Method of producing printed board |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP62206689A patent/JPH0632362B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6449297A (en) | 1989-02-23 |
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