JP2681328B2 - Circuit board manufacturing method - Google Patents

Circuit board manufacturing method

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JP2681328B2
JP2681328B2 JP22319092A JP22319092A JP2681328B2 JP 2681328 B2 JP2681328 B2 JP 2681328B2 JP 22319092 A JP22319092 A JP 22319092A JP 22319092 A JP22319092 A JP 22319092A JP 2681328 B2 JP2681328 B2 JP 2681328B2
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wiring pattern
transfer
transfer sheet
green sheet
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昌志 深谷
順三 福田
英明 荒木
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は,セラミックス基板に精
度良く配線パターンを形成するための回路基板の製造方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a circuit board for accurately forming a wiring pattern on a ceramic substrate.

【0002】[0002]

【従来技術】従来,VTR(ビデオテープレコーダー)
やパソコン等の電子機器の内部には,電子部品が搭載さ
れている。該電子部品としては,800〜1000℃の
低温で焼成可能なセラミックス基板を用いたものがある
(特公平3─53269号公報)。低温焼成セラミック
ス基板は,アルミナ基板に比べて熱膨張係数,誘電率が
小さく,樹脂基板に比べて,耐熱性,機械的強度に優れ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, VTR (video tape recorder)
Electronic components are mounted inside electronic devices such as computers and personal computers. As the electronic component, there is one using a ceramic substrate that can be fired at a low temperature of 800 to 1000 ° C. (Japanese Patent Publication No. 3-53269). The low temperature fired ceramics substrate has a smaller thermal expansion coefficient and dielectric constant than the alumina substrate, and is superior in heat resistance and mechanical strength to the resin substrate.

【0003】セラミックス基板を用いて回路基板を製造
するには,その両面に配線パターンを形成し,その両面
の電気的導通を図るためのバイアホールを設けたセラミ
ックス基板を複数枚準備し,これらを積層,接合する。
これにより,セラミックス基板の両面及び内部に配線パ
ターンを有する回路基板が得られる。
In order to manufacture a circuit board using a ceramics substrate, wiring patterns are formed on both sides of the circuit board, and a plurality of ceramics boards provided with via holes for electrical conduction on both sides are prepared. Laminate and join.
As a result, a circuit board having wiring patterns on both sides and inside of the ceramic substrate can be obtained.

【0004】次に,上記従来の回路基板を製造方法につ
いて説明する。先ず,ガラス質を含有するセラミックス
基板形成用のグリーンシートを準備する。次いで,バイ
アホールを穿設し,該バイアホール内に導体を充填す
る。次に,グリーンシートに配線パターンを印刷する。
このようにして,配線パターンを有したグリーンシート
を複数枚作製する。その後,これらのグリーンシートを
積層し,800〜1000℃で焼成する。これにより,
回路基板が得られる。
Next, a method of manufacturing the above conventional circuit board will be described. First, a green sheet for forming a ceramics substrate containing glass is prepared. Next, a via hole is bored and a conductor is filled in the via hole. Next, the wiring pattern is printed on the green sheet.
In this way, a plurality of green sheets having a wiring pattern are produced. After that, these green sheets are laminated and fired at 800 to 1000 ° C. This gives
A circuit board is obtained.

【0005】[0005]

【解決しようとする課題】しかしながら,上記回路基板
の製造方法には,以下に述べる問題点がある。即ち,図
10に示すごとく,複数のセラミックス基板99,98
を積層する場合には,配線パターン59の高低差によ
り,設計基板980とセラミックス基板98との間にも
高低の差が生じる。
However, the above-mentioned method for manufacturing a circuit board has the following problems. That is, as shown in FIG. 10, a plurality of ceramic substrates 99, 98
In the case of stacking, the height difference of the wiring pattern 59 causes a height difference between the design substrate 980 and the ceramics substrate 98.

【0006】そのため,図11に示すごとく,セラミッ
クス基板98の上に配線パターン58を形成する場合,
セラミックス基板98の高低の差により,配線パターン
58の幅が設計パターン580に対して±10μm以上
の誤差が発生し,にじみ581や欠陥582を形成する
ことがある。また,配線パターンに抵抗体が設けられて
いる場合,抵抗値に±25%以上の誤差が生じ,抵抗ト
リミング歩留の低下を来すおそれがある。
Therefore, when the wiring pattern 58 is formed on the ceramic substrate 98 as shown in FIG.
Due to the difference in height of the ceramic substrate 98, an error of ± 10 μm or more occurs in the width of the wiring pattern 58 with respect to the design pattern 580, and a blur 581 or a defect 582 may be formed. Further, when the wiring pattern is provided with a resistor, an error of ± 25% or more occurs in the resistance value, which may reduce the resistance trimming yield.

【0007】また,他の製造方法としては,グリーンシ
ートを予め焼成して得られた焼成セラミックス基板を用
い,前記の製造方法と同様に回路基板を作成する方法が
ある。しかし,この場合には,焼成セラミックス基板の
表面,裏面に配線パターン形成用のペースト中の溶剤が
焼成セラミックス基板に吸収されないために,配線パタ
ーンを精度良く形成することができない。その他,前記
と同様の問題がある。本発明はかかる問題点に鑑み,精
度よく配線パターンを形成することができる回路基板の
製造方法を提供しようとするものである。
As another manufacturing method, there is a method of forming a circuit board in the same manner as the manufacturing method described above, using a fired ceramics substrate obtained by firing a green sheet in advance. However, in this case, since the solvent in the paste for forming the wiring pattern is not absorbed by the firing ceramics substrate on the front surface and the back surface of the firing ceramics substrate, the wiring pattern cannot be formed accurately. Besides, there are the same problems as described above. In view of the above problems, the present invention aims to provide a method of manufacturing a circuit board that can form a wiring pattern with high accuracy.

【0008】[0008]

【課題の解決手段】本願における第1の発明は,ガラス
質を含有する低温焼結可能なセラミックス基板形成用の
グリーンシートと,該グリーンシートの焼結温度では焼
結しない転写用シートとを準備する準備工程と,上記転
写用シートに導体または抵抗体等の配線パターンを印刷
する印刷工程と,上記グリーンシートに上記転写用シー
トを積層すると共に熱圧着することにより積層板を得る
シート積層工程と,上記グリーンシートの焼結温度で上
記積層板を焼成することにより,グリーンシートを焼結
させてセラミックス基板を得ると共に,上記転写用シー
ト上の配線パターンをセラミックス基板側に転写して焼
成板を得る焼結転写工程と,上記焼成板から上記転写用
シートを除去することにより回路基板を得る除去工程と
よりなることを特徴とする回路基板の製造方法にある。
According to a first aspect of the present invention, a green sheet for forming a low temperature sinterable ceramic substrate containing glass and a transfer sheet that does not sinter at the sintering temperature of the green sheet are prepared. A preparatory step for printing, a printing step for printing a wiring pattern such as a conductor or a resistor on the transfer sheet, and a sheet stacking step for stacking the transfer sheet on the green sheet and thermocompressing to obtain a laminate. By firing the laminated plate at the sintering temperature of the green sheet, the green sheet is sintered to obtain a ceramic substrate, and the wiring pattern on the transfer sheet is transferred to the ceramic substrate side to form a fired plate. It is characterized by comprising a sintering transfer step for obtaining and a removing step for obtaining a circuit board by removing the transfer sheet from the firing plate. In the manufacturing method of the circuit board to be.

【0009】本第1発明において最も注目すべきこと
は,グリーンシートに,転写用シートを積層し,焼成し
て配線パターンをセラミックス基板に転写し,次いで転
写用シートを除去することである。上記積層板の焼結温
度は,1000℃以下であることが好ましい。1000
℃を越える場合には,配線パターンの材料に貴金属を用
いることが困難である。グリーンシートは,ガラス質を
含有するセラミックス基板形成用の生成形シートであ
り,800℃〜1000℃の低温で焼結可能である。グ
リーンシートはドクターブレード法により形成すること
ができる。
What is most noticeable in the first invention is that the transfer sheet is laminated on the green sheet, fired to transfer the wiring pattern to the ceramic substrate, and then the transfer sheet is removed. The sintering temperature of the laminated plate is preferably 1000 ° C. or lower. 1000
If the temperature exceeds ℃, it is difficult to use noble metal for the material of the wiring pattern. The green sheet is a green sheet for forming a ceramic substrate containing glass and can be sintered at a low temperature of 800 ° C to 1000 ° C. The green sheet can be formed by the doctor blade method.

【0010】転写用シートは,上記グリーンシートの焼
結温度では焼結しない,印刷性のよいシートである。転
写用シートは,アルミナ,ジルコニア,ムライト等の粉
末とバインダーとの混合物を成形した生成形体である。
上記転写用シートは,厚さ100μm〜1000μmで
あることが好ましい。100μm未満の場合では,取り
扱いが難しく,転写シートが変形するおそれがある。1
000μmを越える場合には,脱バインダーの問題があ
る。
The transfer sheet does not sinter at the sintering temperature of the green sheet and has good printability. The transfer sheet is a green body formed by molding a mixture of a powder of alumina, zirconia, mullite or the like and a binder.
The transfer sheet preferably has a thickness of 100 μm to 1000 μm. If it is less than 100 μm, it is difficult to handle and the transfer sheet may be deformed. 1
If it exceeds 000 μm, there is a problem of debinding.

【0011】また,上記発明においては,予め焼成して
ある焼成基板に上記グリーンシートを貼着し,該グリー
ンシートの上に,転写用シートを用いて配線パターンを
形成することができる。上記焼成基板は,グリーンシー
トの焼結温度よりも高い温度で焼成されている。焼成基
板としては,アルミナ基板,ジルコニア基板,窒化アル
ミ基板等が用いられる。
Further, in the above invention, the green sheet may be attached to a firing substrate that has been fired in advance, and a wiring pattern may be formed on the green sheet by using a transfer sheet. The firing substrate is fired at a temperature higher than the sintering temperature of the green sheet. An alumina substrate, a zirconia substrate, an aluminum nitride substrate or the like is used as the firing substrate.

【0012】また,第2の発明は,ガラス質を含有する
低温焼結可能なセラミックス基板形成用のグリーンシー
トと,該グリーンシートの焼結温度では焼結しない転写
用シートとを準備する準備工程と,上記転写用シートに
導体または抵抗体等の配線パターンを印刷する印刷工程
と,上記グリーンシートの焼結温度で上記グリーンシー
トを焼成することにより,グリーンシートを焼結してセ
ラミックス基板を得る焼結工程と,該焼結工程で得られ
た上記セラミックス基板に,上記転写用シートを積層す
ると共に熱圧着することにより積層板を得るシート積層
工程と,上記グリーンシートの焼結温度で上記積層板を
焼成することにより,上記転写用シート上の配線パター
ンを上記セラミックス基板側に転写して焼成板を得る転
写工程と,上記焼成板から上記転写用シートを除去して
回路基板を得る除去工程とよりなることを特徴とする回
路基板の製造方法にある。
A second aspect of the present invention is a preparatory step of preparing a green sheet for forming a low temperature sinterable ceramic substrate containing glass and a transfer sheet which is not sintered at the sintering temperature of the green sheet. And a printing step of printing a wiring pattern such as a conductor or a resistor on the transfer sheet, and firing the green sheet at a sintering temperature of the green sheet to sinter the green sheet to obtain a ceramic substrate. A sintering step, a sheet laminating step in which the transfer sheet is laminated on the ceramic substrate obtained in the sintering step, and a laminated plate is obtained by thermocompression bonding, and the lamination is performed at a sintering temperature of the green sheet. A transfer step of transferring the wiring pattern on the transfer sheet to the ceramic substrate side by baking the plate to obtain a baked plate; In the manufacturing method of the circuit board, characterized in that the more the removal step to obtain a circuit board by removing the transfer sheet from the plate.

【0013】本発明においては,上記第1発明におい
て,予めグリーンシートの焼結温度で焼成してセラミッ
クス基板を作製しておき,その後該セラミックス基板に
転写用シートを積層し,熱圧着を行うものである。その
他は,第1発明と同様である。
According to the first aspect of the present invention, a ceramic substrate is prepared by firing the green sheet at a sintering temperature in advance, and then a transfer sheet is laminated on the ceramic substrate and thermocompression bonding is performed. Is. Others are the same as the first invention.

【0014】また,第3の発明は,転写用シートに導体
または抵抗体等の配線パターンを印刷する印刷工程と,
予め焼成されたセラミックス基板の上にガラス質を含有
する中間層を塗布し,乾燥する中間層塗布工程と,上記
中間層の上に上記転写用シートを載置すると共に熱圧着
することにより積層板を得るシート積層工程と,上記中
間層が軟化する温度で上記積層板を焼成することによ
り,上記中間層を軟化させると共に,上記転写用シート
上の配線パターンを中間層側に転写して焼成板を得る転
写工程と,上記焼成板から上記転写用シートを除去して
回路基板を得る除去工程とよりなることを特徴とする回
路基板の製造方法にある。
A third aspect of the invention is a printing step of printing a wiring pattern such as a conductor or a resistor on a transfer sheet,
An intermediate layer applying step of applying an intermediate layer containing a glassy material on a ceramic substrate that has been fired in advance and drying, and a laminated board by placing the transfer sheet on the intermediate layer and thermocompression bonding And a sheet baking step in which the intermediate layer is softened and the wiring pattern on the transfer sheet is transferred to the intermediate layer side by firing the laminated sheet at a temperature at which the intermediate layer softens. And a removing step of removing the transfer sheet from the firing plate to obtain a circuit board.

【0015】本発明においては,予め焼成されたセラミ
ックス基板の上にガラス質を含有する中間層を形成し,
その上に配線パターンを印刷した転写用シートを載置し
た後,上記中間層の軟化する温度で焼成している。上記
中間層は,塗布前はペースト状であり,ガラス質とバイ
ンダーとを有する。中間層は,スクリーン印刷により塗
布される。中間層は,1000℃以下の低温で焼成でき
るものが好ましい。1000℃を越える場合には,配線
パターンの材料に貴金属を用いることが困難である。そ
の他は,第1発明と同様である。
In the present invention, an intermediate layer containing glass is formed on a ceramic substrate that has been fired in advance.
After placing a transfer sheet on which a wiring pattern is printed, it is baked at a temperature at which the intermediate layer softens. The intermediate layer is in a paste form before coating and has a vitreous substance and a binder. The intermediate layer is applied by screen printing. The intermediate layer is preferably one that can be fired at a low temperature of 1000 ° C. or lower. If the temperature exceeds 1000 ° C, it is difficult to use a noble metal as a material for the wiring pattern. Others are the same as the first invention.

【0016】[0016]

【作用及び効果】上記第1発明においては,転写用シー
トが,配線パターン中の溶剤を吸収するので,配線パタ
ーンから溶剤が流れ出さない。そのため,転写用シート
の上に精度良く配線パターンを印刷することができる。
従って,該転写用シートによれば,回路基板の表面に精
度良く配線パターンを転写させることができる。
In the first aspect of the invention, since the transfer sheet absorbs the solvent in the wiring pattern, the solvent does not flow out from the wiring pattern. Therefore, the wiring pattern can be accurately printed on the transfer sheet.
Therefore, according to the transfer sheet, the wiring pattern can be accurately transferred onto the surface of the circuit board.

【0017】また,焼結転写工程において,グリーンシ
ートの焼結温度で積層板を焼成して焼成板を得ている。
そのため,グリーンシートに含まれるガラス質が,軟化
して,転写用シート上の配線パターンと接合する。一
方,上記焼結転写工程においては,転写用シートは焼結
せず,転写用シート中のバインダーが分解する。そのた
め,転写用シートは,もろく,剥離しやすい状態とな
る。
In the sintering transfer process, the laminated plate is fired at the sintering temperature of the green sheet to obtain a fired plate.
Therefore, the glass material contained in the green sheet softens and joins with the wiring pattern on the transfer sheet. On the other hand, in the sintering transfer step, the transfer sheet is not sintered and the binder in the transfer sheet is decomposed. Therefore, the transfer sheet becomes brittle and easily peels off.

【0018】従って,次の除去工程において,上記焼成
板を軽く叩く程度で容易に転写用シートを除去すること
ができる。また,本発明においては,可撓性を有するグ
リーンシートに,転写用シートの配線パターンを転写す
るので,回路基板の上に正確に配線パターンを形成する
ことができる。
Therefore, in the next removing step, the transfer sheet can be easily removed by merely tapping the firing plate. Further, in the present invention, since the wiring pattern of the transfer sheet is transferred to the flexible green sheet, the wiring pattern can be accurately formed on the circuit board.

【0019】また,上記第2発明においては,可撓性の
ある転写用シートにより配線パターンを転写するので,
正確に配線パターンを形成することができる。また,上
記第3発明においては,セラミックス基板の上に中間層
を形成し,その上に配線パターンを印刷した転写用シー
トを載置した後,上記中間層の軟化温度で焼成してい
る。そのため,軟化した中間層が配線パターンに接着し
てセラミックス基板の表面に配線パターンが形成され
る。その他,第1発明と同様の効果を得ることができ
る。従って,第1〜3発明の発明によれば,精度のよい
配線パターンを容易に形成することができる回路基板の
製造方法を提供することができる。
Further, in the second invention, since the wiring pattern is transferred by the flexible transfer sheet,
The wiring pattern can be accurately formed. In the third aspect of the invention, the intermediate layer is formed on the ceramic substrate, the transfer sheet on which the wiring pattern is printed is placed on the intermediate layer, and then the intermediate layer is fired at the softening temperature of the intermediate layer. Therefore, the softened intermediate layer adheres to the wiring pattern to form the wiring pattern on the surface of the ceramic substrate. Besides, the same effects as the first invention can be obtained. Therefore, according to the inventions of the first to third aspects, it is possible to provide a method of manufacturing a circuit board, which can easily form an accurate wiring pattern.

【0020】[0020]

【実施例】実施例1 本発明にかかる実施例について,図1〜図5を用いて説
明する。本例により製造された回路基板は,グリーンシ
ートを積層して一体化し,焼成して得られたものであ
る。回路基板991は,図5に示すごとく,セラミック
ス基板91,92,93と,配線パターン51,52
と,バイアホール90とを有する。セラミックス基板9
1,92の表面には,配線パターン51が形成されてい
る。回路基板991の両面には,配線パターン52が形
成されている。
EXAMPLES Example 1 An example according to the present invention will be described with reference to FIGS. The circuit board manufactured according to this example is obtained by stacking green sheets, integrating them, and firing them. As shown in FIG. 5, the circuit board 991 includes the ceramic boards 91, 92, 93 and the wiring patterns 51, 52.
And via hole 90. Ceramic substrate 9
Wiring patterns 51 are formed on the surfaces of the wires 1, 92. Wiring patterns 52 are formed on both surfaces of the circuit board 991.

【0021】本例の回路基板の製造方法について説明す
る。まず,準備工程においては,セラミックス基板9
1,92,93用のグリーンシート910,920,9
30を作成する。グリーンシート910を作成するに当
たっては,ガラス質としてのCaO−Al2 3 ─Si
2 ─B2 3 系ガラス60重量%(以下,%という)
とアルミナ40%よりなるセラミックス基板材料の混合
粉末に,溶剤,バインダー,及び可塑剤を加えて,混練
してスラリーを形成する。
A method of manufacturing the circuit board of this example will be described. First, in the preparation process, the ceramic substrate 9
Green sheets 910, 920, 9 for 1, 92, 93
Create 30. When making the green sheet 910, CaO—Al 2 O 3 --Si as glass is used.
O 2 --B 2 O 3 based glass 60% by weight (hereinafter referred to as%)
A solvent, a binder, and a plasticizer are added to a mixed powder of a ceramic substrate material composed of 40% alumina and 40% alumina, and the mixture is kneaded to form a slurry.

【0022】次いで,常法のドクターブレード法を用い
て,図1(a)に示すごとく,厚み0.25mmのグリ
ーンシート9を作成する。次に,図1(b)に示すごと
く,グリーンシート9を150mm角に切断し,配線パ
ターン形成上必要な直径0.2mmのバイアホール90
を穿設する。次いで,図1(c)に示すごとく,バイア
ホール90に銀系導体5を充填する。
Next, using a conventional doctor blade method, as shown in FIG. 1 (a), a green sheet 9 having a thickness of 0.25 mm is prepared. Next, as shown in FIG. 1B, the green sheet 9 is cut into a 150 mm square, and a via hole 90 having a diameter of 0.2 mm necessary for forming a wiring pattern is formed.
Drilling. Next, as shown in FIG. 1C, the via hole 90 is filled with the silver-based conductor 5.

【0023】次に,図1(d)に示すごとく,グリーン
シート9の表面に,スクリーン印刷法により配線パター
ン51を形成する。これにより,セラミックス基板91
用のグリーンシート910が得られる。また,グリーン
シート920,930についても,上記と同様に作成す
る。尚,グリーンシート930については,表面に配線
パターンを形成しない。
Next, as shown in FIG. 1D, a wiring pattern 51 is formed on the surface of the green sheet 9 by screen printing. As a result, the ceramic substrate 91
A green sheet 910 is obtained. The green sheets 920 and 930 are also created in the same manner as above. No wiring pattern is formed on the surface of the green sheet 930.

【0024】一方,印刷工程により,転写用シートを作
成する。即ち,平均粒径0.5μmのアルミナよりなる
粉末に溶剤,バインダー,及び可塑剤を加えて混練して
スラリーを形成する。次に,常法のドクターブレード法
により,厚み0.4mmの転写用シートを形成する。次
いで,該転写用シートを150mm角に切断する。次
に,図2に示すごとく,転写用シート1に,回路基板の
両面に形成されるべき配線パターン52を印刷する。
On the other hand, a transfer sheet is prepared by a printing process. That is, a solvent, a binder, and a plasticizer are added to a powder of alumina having an average particle size of 0.5 μm and kneaded to form a slurry. Next, a transfer sheet having a thickness of 0.4 mm is formed by a conventional doctor blade method. Then, the transfer sheet is cut into 150 mm square. Next, as shown in FIG. 2, wiring patterns 52 to be formed on both surfaces of the circuit board are printed on the transfer sheet 1.

【0025】次に,シート積層工程において,図3に示
すごとく,グリーンシート910,920,930を下
から順に積層する。そして,グリーンシート910の裏
面及びグリーンシート930の表面に,上記転写用シー
ト1を載置する。これらを位置合わせをし,金型を用い
て100℃,50kg/cm2 ,20秒の条件で熱圧着
して一体化させ,積層板を得る。
Next, in the sheet laminating step, as shown in FIG. 3, green sheets 910, 920 and 930 are laminated in order from the bottom. Then, the transfer sheet 1 is placed on the back surface of the green sheet 910 and the front surface of the green sheet 930. These are aligned and thermocompression-bonded using a mold under the conditions of 100 ° C., 50 kg / cm 2 , and 20 seconds to be integrated to obtain a laminated plate.

【0026】次に,焼結転写工程において,積層板を空
気中900℃,20分の条件で焼成する。これにより,
図4に示すごとく,グリーンシート910,920,9
30が焼結してセラミックス基板91,92,93が一
体化したものが得られる。また,これと同時に,転写用
シート1上の配線パターン52が,セラミックス基板9
1の裏面及びセラミックス基板93の表面に転写され
る。尚,このとき,転写用シート1は,焼結しない。除
去工程において,未焼結の上記転写用シート1を軽く叩
いて取り除き,図5に示した回路基板991を得る。
Next, in the sintering transfer process, the laminated plate is fired in air at 900 ° C. for 20 minutes. This gives
As shown in FIG. 4, the green sheets 910, 920, 9
30 is sintered and the ceramic substrates 91, 92, 93 are integrated. At the same time, the wiring pattern 52 on the transfer sheet 1 is changed to the ceramic substrate 9
It is transferred to the back surface of No. 1 and the front surface of the ceramic substrate 93. At this time, the transfer sheet 1 is not sintered. In the removing step, the unsintered transfer sheet 1 is lightly tapped to remove the circuit board 991 shown in FIG.

【0027】次に,本例の作用効果につき説明する。本
例においては,転写用シート1が,配線パターン52中
の溶剤を吸収するので,配線パターン52用のペースト
中の溶剤が流れださない。そのため,転写用シート1の
上に精度良く配線パターン52を印刷することができ
る。従って,該転写用シート1によれば,回路基板99
1の両面に精度良く配線パターン52を転写させること
ができる。
Next, the operation and effect of this embodiment will be described. In this example, since the transfer sheet 1 absorbs the solvent in the wiring pattern 52, the solvent in the paste for the wiring pattern 52 does not flow out. Therefore, the wiring pattern 52 can be accurately printed on the transfer sheet 1. Therefore, according to the transfer sheet 1, the circuit board 99
The wiring pattern 52 can be accurately transferred to both surfaces of 1.

【0028】また,焼結転写工程において,グリーンシ
ート910,920,930の焼結温度で積層板を焼成
して焼成板を得ている。そのため,上記グリーンシート
に含まれるガラス質が軟化して転写用シート1上の配線
パターンと接合する。一方,上記焼結転写工程において
は,転写用シート1は焼結せず,転写用シート1中のバ
インダーが分解する。そのため,転写用シート1は,も
ろく,剥離しやすい状態となる。従って,次の除去工程
において,上記焼成板を軽く叩く程度で容易に転写用シ
ート1を除去することができる。
In the sintering transfer process, the laminated plate is fired at the sintering temperature of the green sheets 910, 920, 930 to obtain a fired plate. Therefore, the vitreous material contained in the green sheet is softened and bonded to the wiring pattern on the transfer sheet 1. On the other hand, in the above-mentioned sintering transfer process, the transfer sheet 1 is not sintered and the binder in the transfer sheet 1 is decomposed. Therefore, the transfer sheet 1 becomes brittle and easily peels off. Therefore, in the next removing step, the transfer sheet 1 can be easily removed by merely tapping the baking plate.

【0029】実施例2 本例は,実施例1において,グリーンシートを,別途準
備した焼成基板の上に印刷形成するものである。図7に
示すごとく,本例により作製された回路基板992は,
焼成基板95の表面にセラミックス基板94を一体的に
熱圧着し,積層したものである。セラミックス基板94
の表面には,転写用シートを用いて転写された配線パタ
ーン52が形成されている。
Example 2 In this example, the green sheet in Example 1 is formed by printing on a separately prepared firing substrate. As shown in FIG. 7, the circuit board 992 manufactured by this example is
A ceramic substrate 94 is integrally thermocompressed and laminated on the surface of a fired substrate 95. Ceramic substrate 94
A wiring pattern 52 transferred using a transfer sheet is formed on the surface of the.

【0030】次に,本例の製造方法について説明する。
まず,準備工程においては,図6(a)に示すごとく,
既に別途焼成した,焼成基板95としてのアルミナ基板
の表面に,セラミックス基板94用のグリーンシート9
40を形成する。
Next, the manufacturing method of this example will be described.
First, in the preparation process, as shown in FIG.
The green sheet 9 for the ceramics substrate 94 is formed on the surface of an alumina substrate which has already been fired as the firing substrate 95.
40 is formed.

【0031】該グリーンシート940を形成するに当た
っては,CaO−Al2 3 ─SiO2 ─B2 3 系ガ
ラス75%とアルミナ25%とよりなるセラミックス基
板材料の混合粉末に,溶剤,バインダー,及び可塑剤を
加えて,混練してスラリーを形成する。次に,常法のド
クターブレード法を用いて,焼成基板95の表面に,厚
み0.25mmのグリーンシート940を塗布する。
In forming the green sheet 940, a mixed powder of a ceramic substrate material composed of 75% CaO--Al 2 O 3 --SiO 2 --B 2 O 3 glass and 25% alumina, a solvent, a binder, And a plasticizer are added and kneaded to form a slurry. Next, a green sheet 940 having a thickness of 0.25 mm is applied to the surface of the fired substrate 95 by using a conventional doctor blade method.

【0032】次に,シート積層工程において,図6
(b)に示すごとく,グリーンシート940の表面に,
実施例1と同様の転写用シート1を載置する。これらを
実施例1と同様に,100℃,50kg/cm2 ,20
秒の条件で熱圧着して一体化させ,積層板を得る。次
に,転写工程において,図6(c)に示すごとく,積層
板を空気中900℃,20分の条件で焼成する。
Next, in the sheet laminating step, as shown in FIG.
As shown in (b), on the surface of the green sheet 940,
The transfer sheet 1 similar to that in the first embodiment is placed. These are treated in the same manner as in Example 1 at 100 ° C., 50 kg / cm 2 , 20
Thermocompression bonding is performed under the condition of second for integration to obtain a laminated plate. Next, in the transfer step, as shown in FIG. 6C, the laminated plate is baked in air at 900 ° C. for 20 minutes.

【0033】これにより,グリーンシート940が焼結
して,焼成基板95に一体化したセラミックス基板94
が得られると共に,転写用シート1上の配線パターン5
2がセラミックス基板94の表面に転写される。尚,こ
のとき,転写用シート1は,焼結しない。
As a result, the green sheet 940 is sintered and the ceramic substrate 94 integrated with the fired substrate 95 is formed.
And the wiring pattern 5 on the transfer sheet 1 is obtained.
2 is transferred to the surface of the ceramic substrate 94. At this time, the transfer sheet 1 is not sintered.

【0034】次に,除去工程において,未焼結の転写用
シート1を取り除き,図7に示した回路基板992を得
る。その他は,実施例1と同様である。その他,実施例
1と同様の効果を得ることができる。
Next, in the removing step, the unsintered transfer sheet 1 is removed to obtain the circuit board 992 shown in FIG. Others are the same as the first embodiment. In addition, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

【0035】実施例3 本例は,実施例1とは異なり,図8に示すごとく,シー
ト積層工程の前に,グリーンシート910,920,9
30(図3参照以下同様)を予め焼成してセラミックス
基板91,92,93を得る焼結工程を行っている。即
ち,準備工程,印刷工程において,実施例1と同様に,
グリーンシートと,該グリーンシートの焼結温度で焼成
しない転写用シートとを準備し,該転写用シートには配
線パターンを印刷する。
Embodiment 3 This embodiment is different from Embodiment 1 in that, as shown in FIG. 8, before the sheet laminating step, the green sheets 910, 920, 9 are formed.
Sintering step of obtaining ceramic substrates 91, 92, 93 by previously firing 30 (see FIG. 3 and the like hereinafter) is performed. That is, in the preparation process and the printing process, as in the first embodiment,
A green sheet and a transfer sheet that is not fired at the sintering temperature of the green sheet are prepared, and a wiring pattern is printed on the transfer sheet.

【0036】一方,焼結工程において,図8(a)に示
すごとく,上記グリーンシート910,920,930
のみを下から順に積層し,位置合わせを行い,焼成する
ことにより,一体化したセラミックス基板91,92,
93を得る。上記グリーンシートには,前記実施例1に
示したごとく,銀系導体5が充填されたバイアホール9
0及び配線パターン51を有する(図1参照)。上記焼
成の際には,100℃,50kg/cm2 ,20秒の条
件で熱圧着して一体化し,更に,空気中870℃,20
分の条件で焼成する。
On the other hand, in the sintering process, as shown in FIG. 8A, the green sheets 910, 920, 930 are formed.
Only the layers are stacked in order from the bottom, aligned, and fired to form an integrated ceramic substrate 91, 92,
Get 93. As described in the first embodiment, the green sheet has a via hole 9 filled with the silver-based conductor 5.
0 and the wiring pattern 51 (see FIG. 1). At the time of the above firing, thermocompression bonding was performed under the conditions of 100 ° C., 50 kg / cm 2 , and 20 seconds for integration, and further in air at 870 ° C. and 20 ° C.
Bake under the condition of minutes.

【0037】次に,シート積層工程において,図8
(b)に示すごとく,転写用シート1を,上記積層板に
おけるセラミックス基板91の裏面及びセラミックス基
板93の表面に載置し,位置合わせを行い,次いで,前
記と同様にして,100℃,50kg/cm2 ,20秒
の条件で熱圧着し,セラミックス基板91,92,93
と転写シート1とからなる積層板を得る。
Next, in the sheet laminating step, as shown in FIG.
As shown in (b), the transfer sheet 1 is placed on the back surface of the ceramics substrate 91 and the front surface of the ceramics substrate 93 in the above-mentioned laminated plate to perform alignment. / Cm 2 , 20 seconds, thermocompression bonding, ceramics substrate 91, 92, 93
And a transfer sheet 1 is obtained.

【0038】次いで,転写工程において,該積層板を空
気中900℃,20分の条件で焼成焼成する。これによ
り,転写用シート1上の配線パターン52が,セラミッ
クス基板91の裏面及びセラミックス基板93の表面に
転写される。尚,この時,転写シート1は焼結しない。
Next, in the transfer step, the laminated plate is baked in air at 900 ° C. for 20 minutes. As a result, the wiring pattern 52 on the transfer sheet 1 is transferred to the back surface of the ceramic substrate 91 and the front surface of the ceramic substrate 93. At this time, the transfer sheet 1 is not sintered.

【0039】その後,除去工程において,未焼結の転写
用シート1を取り除き(図5参照),本例の回路基板を
得る。得られた回路基板は,実施例1と同様である。本
例においては,可撓性の転写用シート1により配線パタ
ーン52を転写しているので,正確に配線パターン52
を形成することができる。その他,実施例1と同様の効
果を得ることができる。
Then, in the removing step, the unsintered transfer sheet 1 is removed (see FIG. 5) to obtain the circuit board of this example. The obtained circuit board is the same as in Example 1. In this example, since the wiring pattern 52 is transferred by the flexible transfer sheet 1, the wiring pattern 52 is accurately transferred.
Can be formed. In addition, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

【0040】実施例4 本例にかかる回路基板は,図9に示すごとく,予め焼成
されたセラミックス基板97の上にガラス質を含有する
中間層96を形成し,その上に配線パターン52を印刷
した転写用シート1を載置した後,上記中間層96の軟
化温度で焼成するものである。上記中間層96は,塗布
前はペースト状で,1000℃以下の低温焼成が可能で
ある。中間層は,ガラス質とバインダーとを有する。中
間層96はスクリーン印刷により塗布される。
Example 4 In the circuit board according to this example, as shown in FIG. 9, an intermediate layer 96 containing glass is formed on a ceramic substrate 97 which has been fired in advance, and a wiring pattern 52 is printed on the intermediate layer 96. After the transfer sheet 1 is placed, it is baked at the softening temperature of the intermediate layer 96. The intermediate layer 96 is in paste form before coating and can be fired at a low temperature of 1000 ° C. or lower. The intermediate layer has a glass material and a binder. The intermediate layer 96 is applied by screen printing.

【0041】次に,本例の製造方法について説明する。
まず,印刷工程において,図9(a)に示すごとく,転
写用シート1に,導体または抵抗体等の配線パターン5
2を印刷する。また,中間層塗布工程において,図9
(b)に示すごとく,予め焼成されたセラミックス基板
97の上に,ガラス質を含有する中間層96をスクリー
ン印刷法を用いて塗布し,乾燥する。セラミックス基板
97は,CaO−Al2 3 −SiO2 −B2 3 系ガ
ラス75%とアルミナ25%とよりなるセラミックス基
板材料の焼成基板である。中間層96は,上記セラミッ
クス基板材料の混合粉末に,溶剤,バインダーを加え,
混練することにより得られる。その後,実施例3と同様
に,積層工程,転写工程,及び除去工程を行なう。これ
により,図9(c)に示す回路基板994が得られる。
Next, the manufacturing method of this example will be described.
First, in a printing process, as shown in FIG. 9A, a wiring pattern 5 such as a conductor or a resistor is formed on the transfer sheet 1.
Print 2. In addition, in the intermediate layer coating step, as shown in FIG.
As shown in (b), a glass substrate-containing intermediate layer 96 is applied onto a pre-fired ceramics substrate 97 by a screen printing method and dried. The ceramics substrate 97 is a firing substrate of a ceramics substrate material composed of 75% CaO—Al 2 O 3 —SiO 2 —B 2 O 3 based glass and 25% alumina. The intermediate layer 96 is obtained by adding a solvent and a binder to the mixed powder of the ceramic substrate material,
It is obtained by kneading. Then, similarly to the third embodiment, the stacking process, the transfer process, and the removing process are performed. As a result, the circuit board 994 shown in FIG. 9C is obtained.

【0042】次に,本例の作用効果につき説明する。本
例においては,セラミックス基板97の上に中間層96
を形成し,その上に配線パターン52を印刷した転写用
シート1を載置した後,中間層96の軟化温度で焼成し
ている。そのため,軟化した中間層96が配線パターン
52に接着して,セラミックス基板97の表面に配線パ
ターン52が形成される。その他,実施例1と同様の効
果を得ることができる。
Next, the function and effect of this example will be described. In this example, the intermediate layer 96 is formed on the ceramic substrate 97.
Is formed, and the transfer sheet 1 having the wiring pattern 52 printed thereon is placed thereon, and then baked at the softening temperature of the intermediate layer 96. Therefore, the softened intermediate layer 96 adheres to the wiring pattern 52, and the wiring pattern 52 is formed on the surface of the ceramic substrate 97. In addition, the same effects as in the first embodiment can be obtained.

【0043】実験例1 本例においては,実施例1,3,4により作製された回
路基板の配線パターン幅及び凹凸について,設計パター
ンとの差を測定した。尚,比較のために,比較例1〜3
にかかる回路基板を,転写用シート1を用いることなく
作製し,上記と同様に測定した。比較例1は,グリーン
シート910,920,930に,あらかめ配線パター
ン51,52を印刷し,その後,800〜1000℃で
焼成してセラミックス基板91,92,93とした(図
5参照)。その他は,実施例1と同様である。
Experimental Example 1 In this example, the difference between the wiring pattern width and the unevenness of the circuit board manufactured in Examples 1, 3 and 4 and the design pattern was measured. For comparison, Comparative Examples 1 to 3
The circuit board according to Example 1 was manufactured without using the transfer sheet 1, and the same measurement was performed as above. In Comparative Example 1, the green sheet 910, 920, 930 was printed with the random wiring patterns 51, 52 and then fired at 800 to 1000 ° C. to obtain ceramic substrates 91, 92, 93 (see FIG. 5). Others are the same as the first embodiment.

【0044】比較例2は,予め焼結したセラミックス基
板91,92,93に配線パターン52を印刷したこと
が実施例3と異なり,その他は,実施例3と同様である
(図5参照)。比較例3は,セラミックス基板97の表
面に,直接配線パターン52を印刷したことが実施例4
と異なり,その他は,実施例4と同様である(図9参
照)。
Comparative Example 2 differs from Example 3 in that the wiring pattern 52 is printed on the pre-sintered ceramic substrates 91, 92, 93, and the other points are the same as in Example 3 (see FIG. 5). In Comparative Example 3, the wiring pattern 52 was directly printed on the surface of the ceramic substrate 97 in Example 4.
Other than that, the other points are the same as in the fourth embodiment (see FIG. 9).

【0045】上記測定結果を表1に示す。同表におい
て,設計パターンとの差とは,設計パターンに対する配
線パターンの幅についての平均増加量をいう。また,最
大にじみとは,最も大きいにじみ581をいう。また,
最大欠陥とは最も大きい欠陥582をいう(図11参
照)。
The results of the above measurements are shown in Table 1. In the table, the difference from the design pattern refers to the average increase in the width of the wiring pattern with respect to the design pattern. Further, the maximum blurring is the largest blurring 581. Also,
The largest defect is the largest defect 582 (see FIG. 11).

【0046】表1より知られるように,設計パターン幅
との差については,実施例1,3,4は,いずれも2μ
mと僅かであった。一方,比較例2,3は,10μm以
上も配線パターンの幅が増加した。最大にじみについて
は,実施例1,3,4は,5〜7μmと僅かであった。
一方,比較例1〜3は,いずれも50μm以上のにじみ
が発生した。最大欠損については,実施例1〜3は10
μm以下であり,一方,比較例2,3は40μm以上も
の欠損が発生した。
As is known from Table 1, the difference from the design pattern width is 2 μm in each of Examples 1, 3 and 4.
It was a little as m. On the other hand, in Comparative Examples 2 and 3, the width of the wiring pattern increased by 10 μm or more. The maximum bleeding was as small as 5 to 7 μm in Examples 1, 3, and 4.
On the other hand, in each of Comparative Examples 1 to 3, bleeding of 50 μm or more occurred. Regarding maximum loss, Examples 1 to 3 are 10
On the other hand, Comparative Examples 2 and 3 had defects of 40 μm or more.

【0047】実験例2 本例においては,上記実施例1,3,及び比較例1,2
に,配線パターンの一種としての抵抗体を装着したとき
の抵抗値のバラツキについて測定した。抵抗値は抵抗体
の体積に比例するので,抵抗値のバラツキを測定するこ
とにより,装着されたときの抵抗体の体積の変化を知る
ことができる。この測定は,常法により行った。その結
果を表2に示す。
Experimental Example 2 In this example, the above-mentioned Examples 1 and 3 and Comparative Examples 1 and 2 were used.
In addition, we measured the variation in resistance when a resistor was installed as a type of wiring pattern. Since the resistance value is proportional to the volume of the resistor, it is possible to know the change in the volume of the resistor when it is mounted by measuring the variation in the resistance value. This measurement was performed by a conventional method. Table 2 shows the results.

【0048】表2より知られるように,実施例1,3は
20%以下,比較例1,2は30%以上の抵抗値のバラ
ツキが生じた。従って,本例からも,実施例1,3によ
れば,精度よく配線パターンを形成することができるこ
とがわかる。
As is known from Table 2, the resistance values of Examples 1 and 3 were 20% or less, and the resistance values of Comparative Examples 1 and 3 were 30% or more. Therefore, also from this example, it is understood that according to Examples 1 and 3, the wiring pattern can be formed with high accuracy.

【0049】[0049]

【表1】 [Table 1]

【表2】 [Table 2]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1における,グリーンシートの製造工程
説明図。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a green sheet manufacturing process according to a first embodiment.

【図2】実施例1における,転写シートの製造工程説明
図。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a transfer sheet manufacturing process according to the first embodiment.

【図3】図1,図2に続く,積層時の製造工程説明図。3 is an explanatory view of the manufacturing process at the time of stacking, following FIG. 1 and FIG.

【図4】図3に続く,焼成後の製造工程説明図。FIG. 4 is an explanatory view of the manufacturing process after firing following FIG.

【図5】実施例1の製造方法により作製された回路基板
の断面図。
5 is a cross-sectional view of a circuit board manufactured by the manufacturing method of Example 1. FIG.

【図6】実施例2の製造方法を示す製造工程説明図。6A and 6B are manufacturing process explanatory diagrams illustrating the manufacturing method of the second embodiment.

【図7】実施例2の製造方法により作製された回路基板
の断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a circuit board manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment.

【図8】実施例3の製造方法を示す製造工程説明図。FIG. 8 is a manufacturing process explanatory view showing the manufacturing method of Example 3;

【図9】実施例4の製造方法を示す製造工程説明図。FIG. 9 is a manufacturing process explanatory view showing the manufacturing method of Example 4;

【図10】従来例にかかる,回路基板の断面図。FIG. 10 is a sectional view of a circuit board according to a conventional example.

【図11】従来例にかかる,回路基板の平面図。FIG. 11 is a plan view of a circuit board according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1...転写用シート, 5...銀系導体, 51,52...配線パターン, 9,910,920,930,940...グリーンシ
ート, 91,92,93,94,97...セラミックス基
板, 95...焼成基板, 96...中間層, 991,992,994...回路基板,
1. . . Transfer sheet, 5. . . Silver-based conductor, 51, 52. . . Wiring pattern, 9, 910, 920, 930, 940. . . Green sheet, 91, 92, 93, 94, 97. . . Ceramics substrate, 95. . . Baked substrate, 96. . . Middle layer, 991, 992, 994. . . Circuit board,

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ガラス質を含有する低温焼結可能なセラ
ミックス基板形成用のグリーンシートと,該グリーンシ
ートの焼結温度では焼結しない転写用シートとを準備す
る準備工程と, 上記転写用シートに導体または抵抗体等の配線パターン
を印刷する印刷工程と, 上記グリーンシートに上記転写用シートを積層すると共
に熱圧着することにより積層板を得るシート積層工程
と, 上記グリーンシートの焼結温度で上記積層板を焼成する
ことにより,グリーンシートを焼結させてセラミックス
基板を得ると共に,上記転写用シート上の配線パターン
をセラミックス基板側に転写して焼成板を得る焼結転写
工程と, 上記焼成板から上記転写用シートを除去することにより
回路基板を得る除去工程とよりなることを特徴とする回
路基板の製造方法。
1. A preparatory step of preparing a green sheet for forming a low temperature sinterable ceramics substrate containing glass and a transfer sheet which does not sinter at the sintering temperature of the green sheet, and the transfer sheet. A printing step of printing a wiring pattern such as a conductor or a resistor on the green sheet; a sheet laminating step of laminating the transfer sheet on the green sheet and thermocompression bonding to obtain a laminated plate; and a sintering temperature of the green sheet. A sintering transfer step of firing the laminated plate to sinter the green sheet to obtain a ceramics substrate, and also to transfer a wiring pattern on the transfer sheet to the ceramics substrate side to obtain a fired plate. A method of manufacturing a circuit board, comprising: a removal step of removing the transfer sheet from the plate to obtain a circuit board.
【請求項2】 ガラス質を含有する低温焼結可能なセラ
ミックス基板形成用のグリーンシートと,該グリーンシ
ートの焼結温度では焼結しない転写用シートとを準備す
る準備工程と, 上記転写用シートに導体または抵抗体等の配線パターン
を印刷する印刷工程と, 上記グリーンシートの焼結温度で上記グリーンシートを
焼成することにより,グリーンシートを焼結させてセラ
ミックス基板を得る焼結工程と, 該焼結工程で得られた上記セラミックス基板に,上記転
写用シートを積層すると共に熱圧着することにより積層
板を得るシート積層工程と, 上記グリーンシートの焼結温度で上記積層板を焼成する
ことにより,上記転写用シート上の配線パターンを上記
セラミックス基板側に転写して焼成板を得る転写工程
と, 上記焼成板から上記転写用シートを除去して回路基板を
得る除去工程とよりなることを特徴とする回路基板の製
造方法。
2. A preparatory step of preparing a green sheet for forming a low temperature sinterable ceramics substrate containing glass and a transfer sheet which is not sintered at the sintering temperature of the green sheet, and the transfer sheet. A printing step of printing a wiring pattern such as a conductor or a resistor on the green sheet, and a sintering step of firing the green sheet at a sintering temperature of the green sheet to sinter the green sheet to obtain a ceramic substrate. By laminating the transfer sheet on the ceramic substrate obtained in the sintering step and thermocompression-bonding the laminated sheet, a sheet laminating step is performed, and by firing the laminated sheet at the sintering temperature of the green sheet. A transfer step of transferring the wiring pattern on the transfer sheet to the ceramic substrate side to obtain a fired plate, and Method of manufacturing a circuit board, characterized in that the use sheet is removed becomes more and removing step to obtain a circuit board.
【請求項3】 転写用シートに導体または抵抗体等の配
線パターンを印刷する印刷工程と, 予め焼成されたセラミックス基板の上にガラス質を含有
する中間層を塗布し,乾燥する中間層塗布工程と, 上記中間層の上に上記転写用シートを載置すると共に熱
圧着することにより積層板を得るシート積層工程と, 上記中間層が軟化する温度で上記積層板を焼成すること
により,上記中間層を軟化させると共に,上記転写用シ
ート上の配線パターンを中間層側に転写して焼成板を得
る転写工程と, 上記焼成板から上記転写用シートを除去して回路基板を
得る除去工程とよりなることを特徴とする回路基板の製
造方法。
3. A printing step of printing a wiring pattern such as a conductor or a resistor on a transfer sheet, and an intermediate layer applying step of applying an intermediate layer containing glass on a ceramic substrate that has been fired in advance and drying it. A sheet laminating step of obtaining the laminated sheet by placing the transfer sheet on the intermediate layer and thermocompression bonding, and firing the laminated sheet at a temperature at which the intermediate layer softens A transfer process of softening the layer and transferring the wiring pattern on the transfer sheet to the intermediate layer side to obtain a fired plate, and a removing process of removing the transfer sheet from the fired plate to obtain a circuit board. A method of manufacturing a circuit board, comprising:
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