JPS63164489A - Manufacture of non-oxide ceramics wiring board - Google Patents
Manufacture of non-oxide ceramics wiring boardInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大型コンピュータ一本体の主要部を形成する
ＬＳＩ実装用基板に関し、特に高密度の配線回路を有す
る実装用基板に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an LSI mounting board forming a main part of a large computer body, and particularly to a mounting board having a high-density wiring circuit.
（従来の技術と問題点）
今日、半導体工業の飛躍的進展によってＩＣ１ＬＳＩの
大容量化、高速化、小型化か要請され、ＬＳＩにあって
は高密度化が図られている。これらの要請に伴ない、Ｌ
ＳＩ実装用基板も高密度の配線回路か要求され、導体幅
、導体間隔、スルホール孔径が微細化されつつある。(Prior Art and Problems) Today, with the dramatic progress of the semiconductor industry, there is a demand for larger capacity, higher speed, and smaller IC1 LSIs, and higher density LSIs are being sought. In line with these requests, L.
SI mounting boards are also required to have high-density wiring circuits, and conductor widths, conductor spacing, and through-hole diameters are becoming smaller.
ところで、従来ＬＳＩ実装用基板は、一般にグリーンシ
ート積層法によって製造されているか、一般にグリーン
シート積層法（メタライズ同時焼成）は、
■セラミックス、メタライズ層の一括焼成のため、相互
拡散現象が生じ易い。By the way, conventional LSI mounting substrates are generally manufactured by the green sheet lamination method, or in general, the green sheet lamination method (metallization co-firing) is: (1) Because the ceramic and metallization layers are fired at the same time, mutual diffusion tends to occur.
■導体ペーストの脱バインダーが難かしく、残炭した炭
素かセラミックス中へ侵入し易い。■It is difficult to remove the binder from the conductor paste, and residual carbon easily penetrates into the ceramics.
■層内に回路、が閉じこめられてしまうため、脱バイン
ダーが難かしく、導体ペースト中のバインダー類が炭化
し導体層に残り易い。■Since the circuit is confined within the layer, it is difficult to remove the binder, and the binder in the conductor paste tends to carbonize and remain in the conductor layer.
等の問題点を有している。その結果、導体及び抵抗体の
シート抵抗値の不良、抵抗体のノイズ発生、隣接導体間
あるいは多層配線導体の絶縁抵抗不良、耐電圧劣化、静
電容量（誘電率）の増大、スルホール導通抵抗値の増大
等の現象か発生し易いものであった。It has the following problems. As a result, poor sheet resistance of conductors and resistors, noise generation in resistors, poor insulation resistance between adjacent conductors or multilayer wiring conductors, deterioration of withstand voltage, increase in capacitance (permittivity), and through-hole conduction resistance. Phenomena such as an increase in the amount of water were likely to occur.
また、ＬＳＩが大容量化、高速化し、チップサイズか大
きくなると、入出力端子、電源供給用端子が増加する。Furthermore, as LSIs become larger in capacity, faster, and chip size increases, the number of input/output terminals and power supply terminals increases.
そのため、セラミックス基板側のボンディングバット部
の面積が足りなくなる。そこで、ＬＳＩ実装用基板に、
フリップチップ形式の配線基板が要求されつつある。Therefore, the area of the bonding butt portion on the ceramic substrate side becomes insufficient. Therefore, on the LSI mounting board,
There is an increasing demand for flip-chip type wiring boards.
フリップチップ形式の配線基板が特に具備すべき性質と
しては、
■チップと基板の熱膨張係数の差によってストレスを受
けるため、強度補償から基板厚みを厚くする。The characteristics that a flip-chip type wiring board should have in particular are as follows: (1) Since it is subjected to stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the chip and the board, the thickness of the board should be increased to compensate for the strength.
■チップからの熱伝導性を高くする。■Improve thermal conductivity from the chip.
等が必要である。その結果、セラミックスシート（厚膜
シート）のメタライズ技術が必要になる。また、チップ
からの熱伝導性を考えると、ハンダバンプからの放熱性
を高めるため、メタライズ層は緻密で、かつジュール熱
を発生させないように、メタライズの比抵抗を理論値に
近づけること等が重要な条件となっている。etc. are necessary. As a result, metallization technology for ceramic sheets (thick film sheets) is required. In addition, considering the thermal conductivity from the chip, it is important that the metallized layer is dense in order to improve heat dissipation from the solder bumps, and that the specific resistance of the metallized layer is close to the theoretical value so as not to generate Joule heat. It is a condition.
本発明者らは、これらの特性を具備した基板を得るべく
研究を行ない、特に高熱伝導性及び高密度配線化に着目
して種々検討した結果、本焼成する前に仮焼成を行った
セラミックスシートへ、高融点金属元素を主成分とした
導体ペーストを印刷し本焼成することが、高熱伝導性に
優れたメタライズ層を形成し、高密度配線化に有効であ
ることを新規に知見し、本発明を完成したのである。The present inventors conducted research to obtain a substrate with these characteristics, and as a result of various studies focusing on high thermal conductivity and high-density wiring, we found a ceramic sheet that was pre-fired before main firing. We have newly discovered that printing and firing a conductor paste containing high melting point metal elements as the main component forms a metallized layer with excellent thermal conductivity and is effective for high-density wiring. He completed his invention.
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、以上の実情に鑑みてなされたもので、その解
決しようとする問題は、フリップチップ形式の配線基板
を製造するに際しての、セラミックスとメタライズ層間
の相互拡散現象、導体ペーストの残炭した炭素がセラミ
ックス層中へ侵入する現象、導体層の金属の炭化現象、
メタライズ層の緻密化不足現象である。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances. mutual diffusion phenomenon, phenomenon in which residual carbon from conductor paste penetrates into the ceramic layer, carbonization phenomenon of metal in conductor layer,
This is a phenomenon of insufficient densification of the metallized layer.
そして１本発明の目的とするところは、前述した従来の
セラミックス配線基板の欠点を除去せしめて、熱伝導性
の優れたフリップチップ形式のセラミックス高密度配線
基板を得るための製造方法を提供することにある。One object of the present invention is to provide a manufacturing method for obtaining a flip-chip type ceramic high-density wiring board with excellent thermal conductivity by eliminating the drawbacks of the conventional ceramic wiring board mentioned above. It is in.
（問題点を解決するための手段）
以上の問題点を解決するために本発明が採った手段は、
非酸化物系セラミックスを主成分とするグリーンシート
（１０）を非酸化性雰囲気中て仮焼成した後、この仮焼
成体であるセラミックスシート（１５）に金属元素を主
成分とする導体ペースト（３０）を使用して配線回路を
形成し１次いで非酸化性雰囲気中で焼成することを特徴
とする非酸化物系セラミックス配線基板の製造方法であ
る。(Means for Solving the Problems) The means taken by the present invention to solve the above problems is to temporarily place a green sheet (10) mainly composed of non-oxide ceramics in a non-oxidizing atmosphere. After firing, a wiring circuit is formed on the ceramic sheet (15), which is the pre-fired body, using a conductive paste (30) containing a metal element as a main component, and then fired in a non-oxidizing atmosphere. This is a method for manufacturing a non-oxide ceramic wiring board.
すなわち、本発明にあっては、まず非酸化物系セラミッ
クスを主成分とするシートに、第１図に示したような生
成形体（１０） （通常グリーンシートと呼ばれている
）を形成するのである。また、必要に応じてこのグリー
ンシート（１０）には、貫通孔（１１）を設ける。フリ
ップチップ形式のセラミックス高密度配線基板の場合、
スルホールとなるべき貫通孔（１１）は、通常多数必要
であるので、ポンチによる打ち抜きか、あるいは多軸ド
リルによる貫通孔加工によりて、必要な数の貫通孔（１
１）を同時に形成するとよい。That is, in the present invention, first, a formed body (10) as shown in FIG. 1 (usually called a green sheet) is formed on a sheet mainly composed of non-oxide ceramics. be. Further, the green sheet (10) is provided with a through hole (11) if necessary. For flip-chip type ceramic high-density wiring boards,
Since a large number of through holes (11) are usually required, the required number of through holes (11) are punched out with a punch or through hole processing with a multi-axis drill.
1) is preferably formed at the same time.
そして、このように形成したグリーンシート（ｌＯ）を
非酸化性雰囲気中で仮焼成するのである。The green sheet (lO) thus formed is then pre-fired in a non-oxidizing atmosphere.
この場合、グリーンシート（ｌＯ）は、酸化防止のため
、非酸化性雰囲気中で有機系のバインダーを十分に飛散
できるような昇温条件を含めて仮焼成するとよい。また
、仮焼成によって前記セラミックス粒子が一部結合でき
る温度かよく、１０００〜１７００℃の温度て、ｌＯ分
間以」二仮焼成するのが好ましい。仮焼成をする理由は
以下にある。In this case, in order to prevent oxidation, the green sheet (lO) is preferably calcined in a non-oxidizing atmosphere under heating conditions that allow the organic binder to be sufficiently dispersed. Further, it is preferable to carry out a second calcination at a temperature of 1000 to 1700° C. for 10 minutes so that the ceramic particles can be partially bonded by the calcination. The reason for pre-firing is as follows.
■セラミックス粒子が一部結合するため、セラミックス
シートの強度が増加する。つまり、グリーンシート上に
印刷する場合より、仮焼成後のセラミックスシート上に
印刷した場合の方か、シートの破損が極めて少ない。■The strength of the ceramic sheet increases because the ceramic particles are partially bonded. In other words, the sheet is far less likely to be damaged when printed on a pre-fired ceramic sheet than when printed on a green sheet.
■セラミツクス粒子が一部結合するため、印刷時におけ
る導体ペースト中の溶媒及びバインダーか、仮焼成後の
セラミックスシートへ侵入する割合が少なくなる。その
結果、本焼成後のセラミックスが絶縁性に優れる。■Because the ceramic particles are partially bonded, the proportion of solvent and binder in the conductor paste during printing that penetrates into the ceramic sheet after pre-firing is reduced. As a result, the ceramic after main firing has excellent insulation properties.
、 ■仮焼成後のセラミックスシートに、導体ペース
トを印刷し本焼成した場合、セラミックスとメタライズ
層間の相互拡散現象がほとんどなく、緻密で電気比抵抗
が理論値に極めて近い優れた導体層を形成できる。, ■ When a conductor paste is printed on a pre-fired ceramic sheet and then fired, there is almost no interdiffusion phenomenon between the ceramic and metallized layers, and an excellent conductor layer can be formed that is dense and has an electrical resistivity that is extremely close to the theoretical value. .
そして、このように形成されたセラミックスシート（１
５）は、その表面に、例えばローラー（円筒形） （４
０）を利用することを特徴とした装置を用いて、金属物
質がバインダーや溶媒等と混合されて形成された導体ペ
ースト（３０）により、配線回路が形成され、次いで非
酸化性雰囲気中で焼成される。この場合の焼成は、 １
７００〜２１００℃の温度で実施することが好ましい。Then, the ceramic sheet (1
5) has a roller (cylindrical) (4
0), a wiring circuit is formed using a conductor paste (30) formed by mixing a metal substance with a binder, a solvent, etc., and then baked in a non-oxidizing atmosphere. be done. Firing in this case is 1
Preferably it is carried out at a temperature of 700-2100°C.
前記導体ペースト（３０）を構成する金属は、セラミッ
クス基板として使用されるセラミックスの焼成温度と同
等もしくは、より高い融点を有するものがよく、Ｗ、Ｗ
ｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ、あるいはそれらの化合物
から選ばれるいずれか少なくとも１種であるのが好まし
い。The metal constituting the conductive paste (30) preferably has a melting point equal to or higher than the firing temperature of the ceramic used as the ceramic substrate, and includes W, W,
The material is preferably at least one selected from O, Mn, Ni, Pd, Ti, or compounds thereof.
前記導体ペースト（３０）のバインダーとしては、エチ
ルセルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂、ビニ
ル系の合成樹脂、アルキッドフェノール系の合成樹脂、
エポキシ樹脂などを有利に使用することができ、また前
記溶媒としては、バインダーの種類により適宜選択する
ことが必要であり、例えばバインダーとしてエチルセル
ロースを使用した場合には、トルエン、キシレン等の芳
香族溶媒やメチルエチルケトン等のケトン系溶媒を使用
することが有利である。The binder of the conductive paste (30) includes ethyl cellulose, nitrocellulose, acrylic resin, vinyl-based synthetic resin, alkyd phenol-based synthetic resin,
Epoxy resins etc. can be advantageously used, and the solvent needs to be selected appropriately depending on the type of binder. For example, when ethyl cellulose is used as the binder, aromatic solvents such as toluene and xylene can be used. It is advantageous to use ketone solvents such as or methyl ethyl ketone.
なお、第２図に示した装こにあっては、仮焼成後のセラ
ミックスシート（！５）の上をメタルマスク（２０）に
よって覆い、ローラー（４０）を所定の速度で移動させ
る。勿論、メタルマスク（２０）には、仮焼成後のセラ
ミックスシート（１５）に形成した貫通孔（１１）に対
応する貫通孔（２１）が形成しである。この移動詩にメ
タルマスク（２０）の上からペースト状にした導体ペー
スト（３０）を流し込み、メタルマスク（２０）の上に
配置させたローラー（４０）によって、この導体ペース
ト（３０）を各貫通孔（１１）（２１）内に充填するの
である。In the mounting shown in FIG. 2, the pre-fired ceramic sheet (!5) is covered with a metal mask (20), and the roller (40) is moved at a predetermined speed. Of course, the metal mask (20) is provided with through holes (21) corresponding to the through holes (11) formed in the pre-fired ceramic sheet (15). A conductor paste (30) made into a paste is poured into this moving poem from above the metal mask (20), and the conductor paste (30) is passed through each hole by a roller (40) placed on the metal mask (20). It fills the holes (11) and (21).
導体ペースト（３０）を貫通孔（１１）（２１）に充填
させる技術において、従来から一般に知られているスキ
ジーの移動による導体ペースト（３０）の充填は、セラ
ミックスシート（１５）か厚い場合、特に貫通孔（１１
）（２１）の孔径が小さい場合に貫通孔（１１）（２１
）への充填能力が著しく低下する。その結果、未充填の
貫通孔（ｔｔ）（２１）が発生し易く、導通不良の原因
となる。これに比ベロージー（４０）を利用した充填方
法は、ローラー（４０）の回転力が垂直方向にセラミッ
クスシート（１５）に加わることによって、導体ペース
ト（３０）を貫通孔（１１）（２１）に充填できるので
ある。つまり、セラミックスシート（１５）が厚い場合
や１貫通孔（１１）（２１）の孔径が小さい場合にも容
易に充填することができるのである。In the technique of filling the through-holes (11) and (21) with the conductor paste (30), filling the conductor paste (30) by moving a squeegee, which has been generally known, is particularly difficult when the ceramic sheet (15) is thick. Through hole (11
) (21) is small, the through holes (11) (21)
) will be significantly reduced. As a result, unfilled through holes (tt) (21) are likely to occur, causing poor conduction. On the other hand, the filling method using bellowsies (40) applies the rotational force of the roller (40) vertically to the ceramic sheet (15), thereby applying the conductive paste (30) to the through holes (11) and (21). It can be filled. In other words, it is possible to easily fill the ceramic sheet (15) even when the ceramic sheet (15) is thick or when the diameter of each through hole (11) (21) is small.
このように、導体ペースト（３０）により配線回路を形
成したセラミックスシート（１５）を、非酸化雰囲気中
で再度焼成する。なお、上下に同じ組成からなるセラミ
ックス板（１７）を重ね、第３図に示したような焼成装
２ｔ（５０）によって加圧しながら、かつセラミックス
の焼成温度で焼成しても良い。この場合、焼成装置（５
Ｇ）の加熱部は普通カーボンによってできており、焼成
時に貫通孔（１１）内の金属の炭化を防止するために、
上下に同じ組成からなるセラミックス板（１７）を重ね
て焼成するのである。また、各貫通孔（１１）は、その
中に充填した金属によって保護されているから、焼成装
ｆｉｔ（５０）によって仮焼成後のセラミックスシート
（１５）に圧力が加えられても、この貫通孔（１１）の
形状が変化することはほとんどない。The ceramic sheet (15) on which the wiring circuit has been formed using the conductive paste (30) in this manner is fired again in a non-oxidizing atmosphere. Note that ceramic plates (17) having the same composition may be stacked one above the other and fired at the ceramic firing temperature while being pressurized using a firing apparatus 2t (50) as shown in FIG. In this case, the baking device (5
The heating part G) is usually made of carbon, and in order to prevent the metal in the through hole (11) from carbonizing during firing,
Ceramic plates (17) having the same composition are stacked one above the other and fired. In addition, since each through hole (11) is protected by the metal filled therein, even if pressure is applied to the pre-fired ceramic sheet (15) by the firing device fit (50), the through hole The shape of (11) rarely changes.
なお、第３図に示した焼成装ｆｆｌ （５０）にあって
は、その上ラムと下ラム間に配置された上記のセラミッ
クス材料を両ラムによって加圧しながら焼成を行なうよ
うにしたものである。In addition, in the firing apparatus ffl (50) shown in Fig. 3, firing is performed while the above-mentioned ceramic material placed between the upper ram and the lower ram is pressurized by both rams. .
次に、本発明を実施例によって説明する。Next, the present invention will be explained by examples.
（実施例１）
ドクターブレード法で作成した厚み１ｍｍの窒化アルミ
ニウム賀の生成形体（１０）を、４５ｍｍｘ４５ｍｍの
角板に切断し、さらに金型を使用したパンチング加工に
よって、第１図に示したような直径φ０．１ｍｍの貫通
孔（１１）を０．６３６ｍｍピッチの間隔で７６０個設
けた。(Example 1) An aluminum nitride formed body (10) with a thickness of 1 mm prepared by the doctor blade method was cut into square plates of 45 mm x 45 mm, and further punched using a mold as shown in Fig. 1. 760 through holes (11) each having a diameter of 0.1 mm were provided at a pitch of 0.636 mm.
次いで、窒素雰囲気中で生成形体な脱指した後、 １５
００℃で２時間保持して仮焼成を行った。仮焼成を行っ
たセラミックスシート（１５）をＳＥＭｉｌｌ察してみ
ると、窒化アルミ粒子が一部結合しているのが確認され
た。Then, after removing the formed product in a nitrogen atmosphere, 15
Temporary firing was performed by holding at 00°C for 2 hours. When the pre-fired ceramic sheet (15) was inspected using a SEM mill, it was confirmed that some aluminum nitride particles were bonded together.
次いで、ダンゲステン粉とアクリル系バインダーとを配
合してペースト状にした組成物を、メタルマスク（２０
）及びローラー（４０）を用いてセラミックスシート（
１５）の各貫通孔（１１）内へ充填して乾燥した。Next, a paste-like composition made by blending dungesten powder and an acrylic binder was applied to a metal mask (20
) and a roller (40) to form a ceramic sheet (
15) was filled into each through hole (11) and dried.
このように各貫通孔（１１）内に組成物を充填した仮焼
成後のセラミックスシート（１５）を、黒鉛性焼結袋２
２ （５０）内に挿入し、真空状態で導体ペースト（３
０）中のバインダーを分解させ脱指した後、加圧焼成し
た。この場合の焼成は常温〜１５００°Ｃまでの間は３
５℃／分で昇温した後、さらに１０℃／分の割合で昇温
し、最高温度１９１０°Ｃで１時間保持した。The pre-fired ceramic sheet (15) with the composition filled in each through-hole (11) in this way is placed in the graphite sintered bag 2.
2 (50) and apply the conductive paste (3) in a vacuum state.
0) After the binder inside was decomposed and removed, pressure firing was performed. In this case, the firing time is 3 times between room temperature and 1500°C.
After the temperature was raised at a rate of 5°C/min, the temperature was further raised at a rate of 10°C/min, and the maximum temperature was maintained at 1910°C for 1 hour.
常温〜１５００℃までの間は減圧で昇温し、１５００°
Ｃで１〜１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒまで到達させた。１５
００°Ｃより高温域では、大気圧の窒素気流とした。成
形圧力は常温〜１５００℃までは、無加圧、１５００°
Ｃよりも高温域では３００Ｋｇ／ｃｍ”の圧力を付与し
た。The temperature is raised under reduced pressure between room temperature and 1500°C, and then heated to 1500°C.
C to reach 1 to 10-'T o r r. 15
In the temperature range higher than 00°C, a nitrogen stream was used at atmospheric pressure. Molding pressure is 1500° without pressure from room temperature to 1500°C.
In a higher temperature range than C, a pressure of 300 kg/cm'' was applied.
（実施例２）
上記実施例１と同様に作成した生成形体（ｌＯ）の切断
、及びパンチング加工は、常圧焼結によって収縮する割
合を予め計算したものである。生成形体（１口）には、
焼結助剤としてＹ２０□が５ｗｔ％含まれている。この
生成形体（１０）を窒素雰囲気中で脱脂した後、１５０
０℃で２時間保持して仮焼成した。タングステン導体ベ
ースド（高融点金属ペースト） （３Ｇ）をメタルマス
ク（２０）及びローラー（４０）を用いて、仮焼成後の
セラミックスシー） （１５）の貫通孔（Ｕ）内へ充填
して乾焼させた０次に、ＢＮ粉末で被覆した黒鉛るつぼ
中に設置し、ｈ空状態で導体ペースト（３０）中のバイ
ンダーを分解させ脱脂した後、常圧焼結した。この場合
の焼成は、常温〜１５００℃まての間は３５℃／分で昇
温した後、さらに１０℃／分の割合で昇温し、最高温度
１９１０°Ｃで１時間保持した。常温〜１５００℃まで
の間は、減圧で昇温しり５００℃で１ ％ １０−’Ｔ
ｏ ｒ ｒまで到達させた。１５００℃より高温域で
は、大気圧の窒素気流とした。(Example 2) The cutting and punching of the formed body (lO) produced in the same manner as in Example 1 was performed by calculating in advance the shrinkage rate due to pressureless sintering. The generated form (1 bite) includes:
5 wt% of Y20□ is included as a sintering aid. After degreasing this formed body (10) in a nitrogen atmosphere,
Temporary firing was performed by holding at 0°C for 2 hours. Tungsten conductor based (high melting point metal paste) (3G) is filled into the through hole (U) of the pre-fired ceramic sheet (15) using a metal mask (20) and roller (40) and then dried. Next, the crucible was placed in a graphite crucible coated with BN powder, and the binder in the conductor paste (30) was decomposed and degreased in an empty state, followed by pressureless sintering. In this case, the firing was performed by raising the temperature at a rate of 35°C/min from room temperature to 1500°C, then further increasing the temperature at a rate of 10°C/min, and holding the temperature at a maximum temperature of 1910°C for 1 hour. From normal temperature to 1500℃, increase the temperature under reduced pressure and then increase the temperature to 500℃ by 1% 10-'T
I made it to o r r. In the high temperature range above 1500°C, a nitrogen stream was used at atmospheric pressure.
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明にあっては、上記各実施例
にて例示した如く、非酸化物系セラミックスを主成分と
するグリーンシートを非酸化性雰囲気中で仮焼成した後
、このセラミックシートに高融点金属元素を主成分とす
る導体ペーストを使用して配線回路を形成し、次いで非
酸化性雰囲気中で焼成することに特徴があり、従来の技
術であるセラミックス生成形体へ導体ペーストを印刷し
て、加圧しながら非酸化性雰囲気で焼結させたセラミッ
クス配線基板とを比べると、
■Ａ９．Ｎセラミックスの絶縁性が高くなる。(Effects of the Invention) As detailed above, in the present invention, as exemplified in each of the above embodiments, a green sheet mainly composed of non-oxide ceramics is pre-sintered in a non-oxidizing atmosphere. After that, a wiring circuit is formed on this ceramic sheet using a conductive paste whose main component is a high-melting point metal element, and then it is fired in a non-oxidizing atmosphere. Comparing with a ceramic wiring board in which a conductive paste is printed on a shape and sintered in a non-oxidizing atmosphere under pressure, ■A9. The insulation properties of N ceramics become higher.
■Ｗメタライズの緻密化が促進される。■The densification of W metallization is promoted.
■Ｗメタライズの比抵抗が理論値に極めて近くなる。■The specific resistance of W metallization becomes extremely close to the theoretical value.
等の効果があった。There were other effects.
（以下、余白）
Ｗメタライズの特性と絶縁性
Ｗメタライズの比抵抗理論値
５．５ｘ ｔｏ−６Ω”ｃｍ
第４図は、本発明によって作成された基板、即ち仮焼成
した後１本焼成して作成した基板の断面組織を示す走査
型電子顕微鏡写真（１５００倍）であり、第５図は、従
来の技術によって作成された基板、即ち生成形体を焼成
して作成した基板の断面組織を示す走査型電子′ＷＪ微
鏡写真（１５００倍）である。(The following is a blank space) Characteristics of W metallization and insulating Theoretical resistivity value of W metallization 5.5x to-6Ω”cm FIG. 5 is a scanning electron micrograph (1500x) showing the cross-sectional structure of the produced substrate; FIG. This is a type electron 'WJ micrograph (1500x).
この２つの図から明らかであるように、製造方法によっ
て異質のＡＪＩＮ組織ができること、またタングステン
メタライズ層が本発明の基板にあっては緻密化している
ことが解る。本発明によって作成されたＡ又Ｎ組織は、
絶縁性が高く、タングステンメタライズの比抵抗は、理
論値に極めて近づいた。As is clear from these two figures, it can be seen that a different AJIN structure is formed depending on the manufacturing method, and that the tungsten metallized layer is denser in the substrate of the present invention. The A or N organization created by the present invention is
The insulating properties are high, and the specific resistance of the tungsten metallization is extremely close to the theoretical value.
第１図はスルーホールとなる貫通孔を有する生成形体の
斜視図、第２図は本発明に係る方法において使用される
金属ペースト印刷のための装置を示す部分側面図、第３
図は本発明に係る方法において使用される焼成装置の縦
断面図、第４図は本発明に係る方法で製造された非酸化
物系セラミ・ンクス配線基板の断面組織を示す走査型゛
重子顕微鏡写真（１５００倍）、第５図は従来の方法で
製造された非酸化物系セラミックス配線基板の断面組織
を示す走査型電子顕微鏡写真（１５００倍）である。
符号の説明
１０・−・生成形体、グリーンシート
＋１・・・貫通孔
１５・−・セラミックスシート
Ｉ７・・・セラミックス板
２０・・・メタルマスク ２■・・・貫通孔３０・・・
導体ペースト ４０・−・ローラー５０・・−焼成袋をFIG. 1 is a perspective view of a produced body having through holes, FIG. 2 is a partial side view showing an apparatus for printing metal paste used in the method according to the invention, and FIG.
The figure is a vertical cross-sectional view of the firing apparatus used in the method according to the present invention, and FIG. FIG. 5 is a scanning electron micrograph (1500 times) showing the cross-sectional structure of a non-oxide ceramic wiring board manufactured by a conventional method. Explanation of symbols 10 - Production form, green sheet +1... Through hole 15 - Ceramic sheet I7... Ceramic plate 20... Metal mask 2■... Through hole 30...
Conductor paste 40...Roller 50...-Baking bag
Claims (1)
シートを非酸化性雰囲気中で仮焼成した後、この仮焼成
体に金属元素を主成分とする導体ペーストを使用して配
線回路を形成し、次いで非酸化性雰囲気中で焼成するこ
とを特徴とする非酸化物系セラミックス配線基板の製造
方法。 ２）、前記グリーンシートは、貫通孔を有するものであ
る特許請求の範囲第１項記載の非酸化物系セラミックス
配線基板の製造方法。 ３）、前記非酸化物系セラミックスは、ＡｌＮ、ＳｉＣ
、Ｓｉ＿３Ｎ＿４から選択されるいずれか少なくとも１
種を主成分とするものである特許請求の範囲第１項記載
の非酸化物系セラミックス配線基板の製造方法。 ４）、前記金属元素は、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｔｉから選択されるいずれか少なくとも１種である特許
請求の範囲第１項記載の非酸化物系セラミックス配線基
板の製造方法。 ５）、前記グリーンシートを１０００〜１７００℃の温
度で、１０分間以上仮焼成する特許請求の範囲第１項記
載の非酸化物系セラミックス配線基板の製造方法。 ６）、前記仮焼成体に金属元素を主成分とする導体ペー
ストを使用して配線回路を形成した後、１７００〜２１
００℃の温度で焼成する特許請求の範囲第１項記載の非
酸化物系セラミックス配線基板の製造方法。 ７）、前記配線回路は、ローラー印刷によって形成され
てなる特許請求の範囲第１項記載の非酸化物系セラミッ
クス配線基板の製造方法。[Claims] 1) After pre-firing a green sheet mainly composed of non-oxide ceramics in a non-oxidizing atmosphere, a conductive paste mainly composed of metal elements is used in this pre-sintered body. 1. A method for producing a non-oxide ceramic wiring board, which comprises forming a wiring circuit using the wafer, and then firing it in a non-oxidizing atmosphere. 2) The method for manufacturing a non-oxide ceramic wiring board according to claim 1, wherein the green sheet has through holes. 3) The non-oxide ceramics are AlN, SiC
, Si_3N_4
The method for manufacturing a non-oxide ceramic wiring board according to claim 1, wherein the main component is a seed. 4) The metal element is W, Mo, Mn, Ni, Pd,
The method for manufacturing a non-oxide ceramic wiring board according to claim 1, wherein at least one selected from Ti is used. 5) The method for manufacturing a non-oxide ceramic wiring board according to claim 1, wherein the green sheet is pre-sintered at a temperature of 1000 to 1700°C for 10 minutes or more. 6) After forming a wiring circuit on the pre-fired body using a conductor paste containing a metal element as a main component,
The method for manufacturing a non-oxide ceramic wiring board according to claim 1, wherein the non-oxide ceramic wiring board is fired at a temperature of 0.000C. 7) The method of manufacturing a non-oxide ceramic wiring board according to claim 1, wherein the wiring circuit is formed by roller printing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313813A JPH069296B2 (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Manufacturing method of non-oxide ceramic wiring board |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313813A JPH069296B2 (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Manufacturing method of non-oxide ceramic wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164489A true JPS63164489A (en) | 1988-07-07 |
| JPH069296B2 JPH069296B2 (en) | 1994-02-02 |
Family
ID=18045821
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP61313813A Expired - Lifetime JPH069296B2 (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Manufacturing method of non-oxide ceramic wiring board |
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| JP (1) | JPH069296B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007137430A (en) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Daizo:Kk | Aerosol product, and content dispenser used therefor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263488A (en) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | 株式会社東芝 | Manufacturing thick film substrate |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61313813A patent/JPH069296B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263488A (en) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | 株式会社東芝 | Manufacturing thick film substrate |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007137430A (en) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Daizo:Kk | Aerosol product, and content dispenser used therefor |
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| JPH069296B2 (en) | 1994-02-02 |
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