JPH0631962A - サーマルヘッド及びそのサーマルヘッドの製造方法 - Google Patents

サーマルヘッド及びそのサーマルヘッドの製造方法

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JPH0631962A
JPH0631962A JP20953492A JP20953492A JPH0631962A JP H0631962 A JPH0631962 A JP H0631962A JP 20953492 A JP20953492 A JP 20953492A JP 20953492 A JP20953492 A JP 20953492A JP H0631962 A JPH0631962 A JP H0631962A
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JP
Japan
Prior art keywords
ceramic substrate
substrate
thermal head
glass epoxy
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP20953492A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuto Kamisaki
勝人 上崎
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高硬度モールドレジンを用いてサーマルヘッ
ドのドライバICを封止し、小型化、歩留向上を図ると
ともに、信頼性をも確保する。 【構成】 セラミック基板2上の封止該当部をシランカ
ップリング剤9等で表面改質する。また、高硬度モール
ドレジン8は、ワク囲いを描画、レベリングした後、内
側を充填する。そしてセラミック基板2とガラスエポキ
シ基板4との間には、低粘度、低応力のシリコンレジン
10を流し込む。 【効果】 モールドの寸法・形状が安定し、耐湿性やセ
ラミック基板の反りが問題のないレベルで形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ファクシミリなどに
用いられるサーマルヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は例えば三菱ファクシミリFシリー
ズのカタログ(1990年4月作成)に示される従来の
サーマルヘッドの斜視図及び一部断面正面図であり、図
において、1はアルミベース、2は導体パターン等が形
成されているセラミック基板、3は導体パターンの1つ
としての発熱抵抗体、4はファクシミリ等からの信号が
入力される回路が形成されるガラスエポキシ基板、5は
ドライバICを封止しているシリコンモールドレジン、
6はドライバIC、7はドライバIC6から導出されて
回路に接続される金などでできたワイヤである。セラミ
ック基板2とガラスエポキシ基板4とは、略平行に配さ
れて両面テープでアルミベース1に接着されている。ま
た、シリコンモールドレジン5は、セラミック基板2と
ガラスエポキシ基板4とにまたがって、ドライバIC6
とワイヤ7a,7bとを封止する構造になっている。
【0003】次に動作について説明する。ガラスエポキ
シ基板4上の回路に入力されたファクシミリ等の印字信
号は、ワイヤ7aを通してドライバIC6に入力され
る。入力された印字信号に応じて、ワイヤ7bを介して
導体パターンに電流が流され、発熱抵抗体3が発熱す
る。この発生した熱により、感熱紙等への記録を行う。
ドライバIC6及びワイヤ7a,7bは、シリコンモー
ルドレジン5で封止されて、外部からのゴミや、応力に
よるワイヤ7a,7bの倒れやハガレ等を防いでいる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のサーマルヘッド
は、以上のように構成されているので、シリコンモール
ドレジン5は強度が低いため、その上にモールド全体を
覆うようにカバーを取り付けなければならず、小型化の
妨げとなっていた。また、カバーを取り付ける前の取り
回しで、不注意に強くシリコンモールドレジン5をつか
んでしまうために起こるワイヤ7a,7bの倒れや断線
が問題となっていた。
【0005】そこで図4に示される様に、シリコン変性
エポキシ樹脂等の高硬度モールドレジン8を用いたサー
マルヘッドを試作した。図中1〜7までは、図3と共通
の符号である。しかし、そこで、次の3つの問題点が発
生した。 (1)寸法・形状の安定性が悪い(気泡、にじみ出し
等)。 (2)耐湿性が劣化する。 (3)セラミック基板2が反る(発熱抵抗体3の位置精
度が悪化する)。
【0006】上記(1)の問題を、図4について説明す
ると、セラミック基板2上は、グレーズドガラス層や導
体パターンで覆われている。そこへ高硬度モールドレジ
ン8を塗布すると、互いの濡れ性が悪いためにセラミッ
ク基板2上でにじみが発生してしまう。にじみの度合い
は0.5mm〜1mmぐらいの範囲であるが、小型化の推進
によりセラミック基板2の幅は小さくなってきているの
で設計寸法に大きな影響を及ぼす。また、セラミック基
板2とガラスエポキシ基板4との間の隙間や、ワイヤ7
a,7bの下側は、高硬度モールドレジン8が高粘度の
ため、ノズルから一度に全体を吐出形成すると完全に充
填することができず空間が生じやすい。その結果、高硬
度モールドレジン8を加熱硬化させる時、発泡が発生す
る確率が高くなる。発泡はもちろん外形不良となる。
【0007】上記(2)の問題は、耐湿性試験のため、
プレッシャークッカー試験(121℃2atm 100%R
H)に規定時間かけた場合、腐食等の原因のためサーマ
ルヘッドが破壊されてしまうという問題である。これ
は、(1)の問題の場合と同じ様に、セラミック基板2
とガラスエポキシ基板4との間の隙間等に高硬度モール
ドレジン8が充分に充填されず、水分等が入りこみ発生
するものと考えられる。実際に、セラミック基板上にの
み高硬度モールドレジンで封止を行なった別の機種の試
作では、プレッシャークッカー試験を規定時間かけた場
合でも異常は発生しなかった。
【0008】上記(3)の問題は、図5の上面図、グラ
フに見られる様にA4サイズ,B4サイズのサーマルヘ
ッドを試作した場合、アルミベース1端面からの発熱抵
抗体3の位置が加熱硬化処理後、大きく変位するという
問題である。例えば、下側のグラフの点線が加熱前の抵
抗体位置とすると、加熱硬化後は実線で示される様に弓
なりになってしまう。変位量(A),(C)部分と
(B)部分を比べるとおおよそ150μmぐらいであ
る。規格値は100μm以下であるので、組み付け誤差
等を考えると50μm以下にはしておかなければならな
い。原因はセラミック基板2とガラスエポキシ基板4の
線膨張係数の違いで、高硬度モールドレジン8を介して
セラミック基板2が引っ張られるために起こる。従来の
サーマルヘッドには上述したように種々の問題点があっ
た。
【0009】この発明は、上記の様な問題点を解決する
ためになされたもので、ドライバICを封止した高硬度
モールドレジンの寸法・形状を安定させ、耐湿性の劣化
やセラミック基板の反りを低減させることのできるサー
マルヘッドを得ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係るサ
ーマルヘッドは、セラミック基板上の高硬度モールドレ
ジン8封止該当部をシランカップリング剤等を用いて表
面改質し、濡れ性を改善するものである。
【0011】また、請求項2の発明に係るサーマルヘッ
ドの製造方法は、高硬度モールドレジンを少し高粘度の
ものでワイヤに浸透するようにワク囲いを描画してや
り、その後、それと同程度か低粘度の高硬度モールドレ
ジンワク囲いの内側を埋めて封止該当部を形成するもの
である。
【0012】請求項3の発明に係るサーマルヘッドは、
高硬度モールドレジン8でのワク囲い後、内側を充填す
るまえに、ワク囲いを土手として低粘度、低応力のシリ
コンレジン等をセラミック基板とガラスエポキシ基板と
の間隙に流し込むものである。
【0013】
【作用】請求項1の発明におけるサーマルヘッドは、セ
ラミック基板上の封止該当部がグレーズガラス層や導体
パターンで覆われているため、高硬度モールドレジンと
の濡れ性が悪く、はじいたり、にじんだりするのを防ぐ
ため、シランカップリング剤等で封止該当部を表面改質
しているので、安定した形状の高硬度モールドレジンを
セラミック基板上に形成できる。
【0014】また、請求項2の発明におけるサーマルヘ
ッドの製造方法は、高硬度モールドレジンを形成する
際、まず始めに少し高粘度のもので、ワイヤに沿ってワ
ク囲いを吐出描画する。これには、2つの理由があり、
1つは、後述する低粘度、低応力のシリコンレジンをセ
ラミック基板とガラスエポキシ基板との間に流し込む際
の土手にするためである。もう1つには、高硬度モール
ドレジンは1度に全体を吐出描画すると、ワイヤの下に
隙間ができて気泡発生のもととなるため、まずワク囲い
でワイヤの下にレジンを浸透させ、その後、内側を同程
度かそれ以下の粘度のレジンで充填することにより隙間
を少なくして気泡の発生を低減させるものである。
【0015】請求項3の発明におけるサーマルヘッド
は、セラミック基板とガラスエポキシ基板との間に低粘
度、低応力のシリコンレジンを、基板間の間隙が充分に
埋まる様に流し込むことで、基板相互の線膨張係数の違
いによる応力を緩和してセラミック基板の反りを低減
し、その上、気泡の発生の低減及び水分等の浸入による
耐湿性劣化の低減を図れる。
【0016】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1においては図4と同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。図1において、9は高硬度モール
ドレジン8内のセラミック基板2上に設けられたシラン
カップリング剤、10はセラミック基板2とガラスエポ
キシ基板4との間に流し込まれたシリコンレジンであ
る。
【0017】次に動作について説明する。図1のサーマ
ルヘッドの製造方法を図2を用いて説明する。図2にお
いて、(a)はドライバIC6封止前の状態を示してい
る。同図(b)では、セラミック基板2上に、シランカ
ップリング剤9を塗布し、乾燥させている。塗布は、極
細のノズルから定量吐出させて行い、乾燥は100℃以
上の乾燥炉で10分〜15分行うか、エアーブローによ
り行う。これによりセラミック基板2上の封止該当部が
表面改質され、高硬度モールドレジン8を塗布した場合
でも形状よく塗布できる。
【0018】同図(c)は、700Poise〜900
Poiseのやや高粘度の高硬度モールドレジン8をノ
ズルから定量吐出させて、ワク囲いを描画したところで
ある。この時、レジンの一部がワイヤ7a,7bにかか
る様にし、ワイヤ7a,7bの下の間隙に浸透させて気
泡発生のもととなる空間を減少させるようにしている。
同図(d)は、(c)で描画したワク囲いを土手とし
て、低粘度、低応力のシリコンレジン10をノズルから
定量吐出させて、セラミック基板2とガラスエポキシ基
板4との間に流し込む。シリコンレジン10は50Po
ise以下のシャンクションコーティングタイプのもの
を用い、セラミック基板2とガラスエポキシ基板4との
間隙が充分に埋まる様にする。
【0019】次に同図(e)に示される様に、ワク囲い
で使ったものと同等かそれ以下の粘度の高硬度モールド
レジン8を、少し太めのノズルを使って吐出し、内側を
埋める。その後、100℃で1時間ほどプリキュアを行
い、150℃で30分から1時間のキュアを行い加熱硬
化させて、高硬度のドライバIC6封止レジンを得る。
【0020】以上の様に構成されたサーマルヘッドで
は、ドライバIC6及びワイヤ7の封止は、従来の図3
のシリコンモールドレジン5に代わって高硬度モールド
レジン8でなされているので、封止部分を覆うカバー
は、不用もしくは縮小でき、サーマルヘッドの小型化に
有効である。また、工程内での取り回しで不注意にモー
ルドレジンを強くつかんでしまうことによるワイヤ7
a,7bの倒れや断線も防げる。そして、このような利
点を備えつつも従来の製法では、寸法・形状の安定性が
悪いことや、耐湿性が落ちること、セラミック基板2の
反りが発生するなどの問題点があり、実用は困難であっ
た。しかし、この発明においては、寸法・形状の安定性
が悪い事に関しては、セラミック基板2の封止該当部を
シランカップリング剤等で表面改質することにより、高
硬度モールドレジン8のにじみ、はじき等を押えて寸法
相安定性を良くした。
【0021】また、形状の不安定のもととなる気泡に関
しては、まずワイヤ7a,7bに沿ってレジンのワク囲
いを形成し、ワイヤ7a,7b下の空間を無くす様に浸
透させた後、全体を吐出形成することや、セラミック基
板2とガラスエポキシ基板4との間隙に低粘度、低応力
のシリコンレジン10を流しこむことでレジン内の空間
を減少させ、加熱硬化のためのキュア時に気泡が発生す
るのを大幅に低減させた。
【0022】次に耐湿性の劣化については、過去の事例
からセラミック基板2とガラスエポキシ基板4にまたが
ってモールドレジンが載っているものについてプレッシ
ャークッカー試験(121℃ 2atm 100%RH)で
規定時間経過後、不良が発生していることから基板間の
間隙から水分等が浸入することが原因と考えた。その対
策としても先に述べたセラミック基板2とガラスエポキ
シ基板4との間隙に低粘度、低応力のシリコンレジン1
0を流し込むことは有効で、耐湿性を問題のないレベル
で引き上げた。
【0023】そして、セラミック基板2の反りについて
は、これも、低粘度、低応力のシリコンレジン10が、
線膨張係数の違いによる応力を緩和し、セラミック基板
の反りを50μm以下にした。このようにして、サーマ
ルヘッドの小型化、歩留り向上の推進のため、高硬度モ
ールドレジン8を採用でき、それについての種々の問題
点も解決できた。
【0024】実施例2.なお、以上の実施例1では、ド
ライバIC6がワイヤ7a,7bで接続されたものに用
いたが、バンプ等で接続されたものに用いても良い。
【0025】実施例3.また、以上の実施例1,2で
は、サーマルヘッドの場合について述べたが、その他
に、セラミック基板上にグレーズガラス層や導体パター
ンが被覆されていて、その上にICを配置し、モールド
レジンで封止しなければならない電子デバイスについて
も、封止該当箇所をシランカップリング剤等で表面改質
しレジンとの濡れ性を良くすることで、レジンの形状を
安定させることができる。
【0026】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、セラミック基板上のドライバIC封止該当部にシラ
ンカップリング剤等を塗布する構成としたので、表面改
質が行われ、高硬度モールドレジンをにじみ、はじき等
を少なく形成することができる効果がある。
【0027】また、請求項2の発明によれば、やや高粘
度の高硬度モールドレジンでワク囲いを行い、その後、
同程度かそれ以下の粘度のレジンを内側に流し込むよう
にしたので、ワイヤ下等の空間を少なくでき、気泡の発
生を低減できる効果がある。
【0028】請求項3の発明によれば、セラミック基板
とガラスエポキシ基板との間に低粘度、低応力のシリコ
ンレジンを流し込む構成としたので、気泡の発生の低
減、耐湿性の向上、セラミック基板2の反りの低減を達
成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例によるサーマルヘッドを示
す斜視図及び一部断面正面図である。
【図2】この発明の実施例による製造工程を示す一部断
面正面図である。
【図3】従来のサーマルヘッドの構成を示す斜視図及び
一部断面正面図である。
【図4】従来のサーマルヘッドの構成を示す斜視図及び
一部断面正面図である。
【図5】従来のサーマルヘッドの基板の反り具合を示す
平面図及びグラフ図である。
【符号の説明】
1 アルミベース 2 セラミック基板 4 ガラスエポキシ基板 6 ドライバIC 8 高硬度モールドレジン 9 シランカップリング剤 10 シリコンレジン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミベース上に近接配置されたセラミ
    ック基板及びガラスエポキシ基板と、上記セラミック基
    板上に設けられたドライバICと、上記セラミック基板
    の端部と上記ガラスエポキシ基板の端部とにまたがって
    形成され上記ドライバICを封止する高硬度モールドレ
    ジンと、上記高硬度モールドレジンの内部における上記
    セラミック基板上に設けられたシランカップリング剤と
    を備えたサーマルヘッド。
  2. 【請求項2】 アルミベース上に近接配置されたセラミ
    ック基板及びガラスエポキシ基板と、上記セラミック基
    板上に設けられたドライバICと、上記セラミック基板
    の端部と上記ガラスエポキシ基板の端部とにまたがって
    形成され上記ドライバICを封止する高硬度モールドレ
    ジンとを備えたサーマルヘッドを製造するためのサーマ
    ルヘッドの製造方法において、上記高硬度モールドレジ
    ンによる封止を行う際に、先ず、やや高粘度の高硬度モ
    ールドレジンを用いてワク囲いを行い、レベリングを行
    った後、上記やや高粘度と同程度かそれ以下の粘度の高
    硬度モールドレジンを上記ワク囲いの内側に充填するこ
    とを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
  3. 【請求項3】 アルミベース上に近接配置されたセラミ
    ック基板及びガラスエポキシ基板と、上記セラミック基
    板上に設けられたドライバICと、上記セラミック基板
    の端部と上記ガラスエポキシ基板の端部とにまたがって
    形成され上記ドライバICを封止する高硬度モールドレ
    ジンと、上記セラミック基板とガラスエポキシ基板との
    間隙に設けられたシリコンレジンとを備えたサーマルヘ
    ッド。
JP20953492A 1992-07-15 1992-07-15 サーマルヘッド及びそのサーマルヘッドの製造方法 Pending JPH0631962A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4867599A (en) * 1987-10-15 1989-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Automotive column cover
JP2014188682A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Toshiba Hokuto Electronics Corp サーマルプリントヘッドおよびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4867599A (en) * 1987-10-15 1989-09-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Automotive column cover
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