JPH06317893A - リソグラフィックマスクおよびパターン形成方法 - Google Patents
リソグラフィックマスクおよびパターン形成方法Info
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- JPH06317893A JPH06317893A JP6049092A JP4909294A JPH06317893A JP H06317893 A JPH06317893 A JP H06317893A JP 6049092 A JP6049092 A JP 6049092A JP 4909294 A JP4909294 A JP 4909294A JP H06317893 A JPH06317893 A JP H06317893A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/34—Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上のイメージにブライトスポットが生じ
ないマスクを提供する。 【構成】 複数の位相シフト領域２４，２６，２８は、
エッジのイメージが分離する距離以下に離間されたエッ
ジを有し、位相をシフトしない物質上に、異なった任意
に選択可能な角度の方向（不平行と平行）を有し、作製
を容易にしイメージ面に任意のパターンで位相シフト領
域を書き込むのを容易にする平行な行と列のマトリクス
で配置される。少なくとも位相シフト領域の１つは、マ
スク１０ｂの露光によって位相シフト領域に対応する領
域を覆うフォトレジストの連続体でパターンを作るため
の最小距離以下に位相シフト領域の隣接するもののエッ
ジから離間したエッジを持った連結位相シフト領域２８
を構成する。
ないマスクを提供する。 【構成】 複数の位相シフト領域２４，２６，２８は、
エッジのイメージが分離する距離以下に離間されたエッ
ジを有し、位相をシフトしない物質上に、異なった任意
に選択可能な角度の方向（不平行と平行）を有し、作製
を容易にしイメージ面に任意のパターンで位相シフト領
域を書き込むのを容易にする平行な行と列のマトリクス
で配置される。少なくとも位相シフト領域の１つは、マ
スク１０ｂの露光によって位相シフト領域に対応する領
域を覆うフォトレジストの連続体でパターンを作るため
の最小距離以下に位相シフト領域の隣接するもののエッ
ジから離間したエッジを持った連結位相シフト領域２８
を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相をシフトする物質
の領域によって部分的に覆われた位相をシフトしない物
質の領域を与える透明部分を有する位相シフト・リソグ
ラフィックマスクに関する。特に、不連続な位相シフト
物質の複数の領域を有するマスクに関するものであり、
これら領域はエッジを有し、これらエッジは、エッジの
イメージが分離する距離以下の距離で異なる任意に選択
可能な角度の方向に離間されており、それゆえフォトレ
ジストの露光時に対応する任意の連続パターンを作り出
す。
の領域によって部分的に覆われた位相をシフトしない物
質の領域を与える透明部分を有する位相シフト・リソグ
ラフィックマスクに関する。特に、不連続な位相シフト
物質の複数の領域を有するマスクに関するものであり、
これら領域はエッジを有し、これらエッジは、エッジの
イメージが分離する距離以下の距離で異なる任意に選択
可能な角度の方向に離間されており、それゆえフォトレ
ジストの露光時に対応する任意の連続パターンを作り出
す。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィックマスクを作るた
めに、現在、Ｘ線、遠赤外線、成形ビームおよび位相シ
フトの４つの技術が使われている。
めに、現在、Ｘ線、遠赤外線、成形ビームおよび位相シ
フトの４つの技術が使われている。
【０００３】位相シフトマスクは、新世代の集積回路と
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡ
Ｍ）の製作を容易にするため最近考え出されたものであ
る。フォトレジストパターンを露光するための位相シフ
トマスクにおいて、位相をシフトする物質は、パターン
を通る電界を遅延し、位相をシフトしない物質の透明な
開口領域を通過する電界に対して、ほぼ１８０度の位相
ずれで到達する。（この明細書で使われているように、
「位相をシフトしない物質」とは、一定の位相シフトを
もたらす物質を意味し、そして「位相をシフトする物
質」とは、厚さ、屈折率勾配またはこの両者を組み合わ
せたものの相違によって追加の位相シフトをもたらす物
質を意味する。）これは、位相シフト領域のエッジで回
折された波動間に破壊的干渉を引き起こし、この干渉が
イメージのコントラストを強調して、マスクの暗い（即
ち、不透明な）領域を定める。２つの接近して離間され
た平行な暗い位相をシフトされたエッジからの暗い縁
が、単一の細い不透明な線のイメージよりも暗く、それ
ゆえ「より暗い」マスクと名付けられたものを与えるこ
とが知られている。
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡ
Ｍ）の製作を容易にするため最近考え出されたものであ
る。フォトレジストパターンを露光するための位相シフ
トマスクにおいて、位相をシフトする物質は、パターン
を通る電界を遅延し、位相をシフトしない物質の透明な
開口領域を通過する電界に対して、ほぼ１８０度の位相
ずれで到達する。（この明細書で使われているように、
「位相をシフトしない物質」とは、一定の位相シフトを
もたらす物質を意味し、そして「位相をシフトする物
質」とは、厚さ、屈折率勾配またはこの両者を組み合わ
せたものの相違によって追加の位相シフトをもたらす物
質を意味する。）これは、位相シフト領域のエッジで回
折された波動間に破壊的干渉を引き起こし、この干渉が
イメージのコントラストを強調して、マスクの暗い（即
ち、不透明な）領域を定める。２つの接近して離間され
た平行な暗い位相をシフトされたエッジからの暗い縁
が、単一の細い不透明な線のイメージよりも暗く、それ
ゆえ「より暗い」マスクと名付けられたものを与えるこ
とが知られている。
【０００４】２つのエッジがマージ（ｍｅｒｇｅ）する
正確な条件は、リソグラフィのために使用されるレジス
ト・プロセスによるが、一般には０．３５（縁が焼き付
けできるほどわずかに暗い場合）と０．６（２つのエッ
ジが２つの明瞭な暗い線に分離する場合）の間のｋ1 を
有するマスク形状で起こる。光学的に映し出された形状
の幅ｗは、 ｗ＝ｋ1 ・λ／ＮＡ で与えらる。ＮＡは開口数（最新のｉ−ラインステッパ
では一般に０．４５）であり、λは波長（ｉ−ラインス
テッパではλ＝０．３６５μｍ）である。
正確な条件は、リソグラフィのために使用されるレジス
ト・プロセスによるが、一般には０．３５（縁が焼き付
けできるほどわずかに暗い場合）と０．６（２つのエッ
ジが２つの明瞭な暗い線に分離する場合）の間のｋ1 を
有するマスク形状で起こる。光学的に映し出された形状
の幅ｗは、 ｗ＝ｋ1 ・λ／ＮＡ で与えらる。ＮＡは開口数（最新のｉ−ラインステッパ
では一般に０．４５）であり、λは波長（ｉ−ラインス
テッパではλ＝０．３６５μｍ）である。
【０００５】位相シフトマスクは、クロム層を含むこと
もあるし、含まないこともある。本発明は、暗い領域と
して焼き付けし、または投影する領域を作るために、ク
ロムまたは他の物質を含まない、改良された、いわゆる
透明位相シフトマスクに関するものである。
もあるし、含まないこともある。本発明は、暗い領域と
して焼き付けし、または投影する領域を作るために、ク
ロムまたは他の物質を含まない、改良された、いわゆる
透明位相シフトマスクに関するものである。
【０００６】本出願人に知られた最も適切な従来技術
は、（Ａ）Ｔｅｎｔｈ Ａｎｎｕａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｏｆ
ＢＡＣＵＳ，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９０において
発表されたＴｏｈ等の「Ｃｈｒｏｍｅｌｅｓｓ Ｐｈａ
ｓｅ−ｓｈｉｆｔｅｄＭａｓｋ；Ａ Ｎｅｗ Ａｐｐｒ
ｏａｃｈ ｔｏ Ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａ
ｓｋ」と、（Ｂ）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ
Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．Ｂ
９，Ｎｏ．６，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ／Ｄｅｃｅｍｂｅｒ
１９９１，ｐｐ．３１７２−３１７５において発売され
た渡辺等の「Ｓｕｂ−ｑｕａｒｔｅｒ−ｍｉｃｒｏｎ
Ｇａｔｅ Ｐａｔｔｅｒｎ ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＵ
ｓｉｎｇ ａ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｐｈａｓｅ
ＳｈｉｆｔｉｎｇＭａｓｋ」である。
は、（Ａ）Ｔｅｎｔｈ Ａｎｎｕａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｏｆ
ＢＡＣＵＳ，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９０において
発表されたＴｏｈ等の「Ｃｈｒｏｍｅｌｅｓｓ Ｐｈａ
ｓｅ−ｓｈｉｆｔｅｄＭａｓｋ；Ａ Ｎｅｗ Ａｐｐｒ
ｏａｃｈ ｔｏ Ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔｉｎｇ Ｍａ
ｓｋ」と、（Ｂ）Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ
Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．Ｂ
９，Ｎｏ．６，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ／Ｄｅｃｅｍｂｅｒ
１９９１，ｐｐ．３１７２−３１７５において発売され
た渡辺等の「Ｓｕｂ−ｑｕａｒｔｅｒ−ｍｉｃｒｏｎ
Ｇａｔｅ Ｐａｔｔｅｒｎ ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＵ
ｓｉｎｇ ａ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｐｈａｓｅ
ＳｈｉｆｔｉｎｇＭａｓｋ」である。
【０００７】文献（Ａ）は、透明な位相をシフトしない
物質の選択された領域を覆う位相をシフトする物質の接
近して離間された領域から連続構造のパターンを書き込
む透明な（即ち、クロムを含まない）位相シフト・リソ
グラフィックマスクについて述べている。一つの実施例
（Ｆｉｇ．１３の上部における）は、直角な曲がりを形
作る、２つの直交して一体に配置された位相シフト領域
を有するマスクである。しかし、（Ｆｉｇ．１３の下部
に示されているように）イメージの明暗度（ｉｎｔｅｎ
ｓｉｔｙ）は、曲がりの接合部における内側と外側のエ
ッジ間の対角線方向の距離が、曲がりの直線部分の平行
エッジ間の距離よりも大きいために不均一である。も
し、対角線方向の距離が十分に大きいならば、位相シフ
ト領域のイメージは、接合部においてマージしないであ
ろうし、そして、それゆえ作成された明るいスポット
（ブライトスポット）が、接合部においてフォトレジス
トの不所望な除去を引き起こすであろう。もう一つの実
施例（Ｆｉｇ．１４とＦｉｇ．１５に示されている）
は、位相をシフトする領域と位相をシフトしない領域の
チェッカー盤状の配置からなるマスクレイアウトパター
ンを示しており、位相シフト領域は、隣接した行と列で
連続コーナ接触を有している。
物質の選択された領域を覆う位相をシフトする物質の接
近して離間された領域から連続構造のパターンを書き込
む透明な（即ち、クロムを含まない）位相シフト・リソ
グラフィックマスクについて述べている。一つの実施例
（Ｆｉｇ．１３の上部における）は、直角な曲がりを形
作る、２つの直交して一体に配置された位相シフト領域
を有するマスクである。しかし、（Ｆｉｇ．１３の下部
に示されているように）イメージの明暗度（ｉｎｔｅｎ
ｓｉｔｙ）は、曲がりの接合部における内側と外側のエ
ッジ間の対角線方向の距離が、曲がりの直線部分の平行
エッジ間の距離よりも大きいために不均一である。も
し、対角線方向の距離が十分に大きいならば、位相シフ
ト領域のイメージは、接合部においてマージしないであ
ろうし、そして、それゆえ作成された明るいスポット
（ブライトスポット）が、接合部においてフォトレジス
トの不所望な除去を引き起こすであろう。もう一つの実
施例（Ｆｉｇ．１４とＦｉｇ．１５に示されている）
は、位相をシフトする領域と位相をシフトしない領域の
チェッカー盤状の配置からなるマスクレイアウトパター
ンを示しており、位相シフト領域は、隣接した行と列で
連続コーナ接触を有している。
【０００８】文献（Ｂ）は、（Ｆｉｇ．５において）位
相シフト物質からなる複数の離間された平行領域を表し
ている。
相シフト物質からなる複数の離間された平行領域を表し
ている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上の文献は、どちら
も、（１）出願人に現在知られているものよりもさらに
広い線幅を有するイメージを与えることができ、（２）
改良された焦点深度および／または露光処理窓における
回数と明暗度においてより大きな寛容度を与えることが
でき、（３）ある応用のためにマスクに１回の露光のみ
で書き込むことを可能にし、（４）副分解能（ｓｕｂｒ
ｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を必要とすることなく、光学的検
査技術が単一の電子ビーム書き込み操作でマスクの完全
性をチェックすることを可能にする、透明なリソグラフ
ィックマスクおよびその作製方法とを提供するために、
任意に選択可能な異なる角度の方向に離間された各位相
をシフトするエッジを有する位相シフト物質の不連続領
域を設けることを示せず、また間接的に提案していな
い。
も、（１）出願人に現在知られているものよりもさらに
広い線幅を有するイメージを与えることができ、（２）
改良された焦点深度および／または露光処理窓における
回数と明暗度においてより大きな寛容度を与えることが
でき、（３）ある応用のためにマスクに１回の露光のみ
で書き込むことを可能にし、（４）副分解能（ｓｕｂｒ
ｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を必要とすることなく、光学的検
査技術が単一の電子ビーム書き込み操作でマスクの完全
性をチェックすることを可能にする、透明なリソグラフ
ィックマスクおよびその作製方法とを提供するために、
任意に選択可能な異なる角度の方向に離間された各位相
をシフトするエッジを有する位相シフト物質の不連続領
域を設けることを示せず、また間接的に提案していな
い。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
位相シフト物質の不連続な多角形の領域が設けられ、各
々の領域は、前記エッジのイメージが分離して焼き付け
られる最小距離以下に離間されたエッジによって定まる
幅を有している。少なくとも位相シフト領域の１つは、
エッジを有する連結位相シフト領域を構成する。そのエ
ッジは、マスクの露光時に位相シフト領域に対応する領
域を覆うフォトレジストの連続体でパターンを作るため
に前記最小距離以下の距離だけ位相シフト領域の隣接す
るもののエッジから離間されている。位相シフト領域
は、位相をシフトしない物質上に、異なった任意に選択
できる角度の方向（不平行と平行）を有する。
位相シフト物質の不連続な多角形の領域が設けられ、各
々の領域は、前記エッジのイメージが分離して焼き付け
られる最小距離以下に離間されたエッジによって定まる
幅を有している。少なくとも位相シフト領域の１つは、
エッジを有する連結位相シフト領域を構成する。そのエ
ッジは、マスクの露光時に位相シフト領域に対応する領
域を覆うフォトレジストの連続体でパターンを作るため
に前記最小距離以下の距離だけ位相シフト領域の隣接す
るもののエッジから離間されている。位相シフト領域
は、位相をシフトしない物質上に、異なった任意に選択
できる角度の方向（不平行と平行）を有する。
【００１１】不連続な位相シフト領域は、平行な行と列
のマトリクスで配置して、作製を容易にし、そしてイメ
ージ面に任意のパターンで位相シフト領域を書き込むの
を容易にする。
のマトリクスで配置して、作製を容易にし、そしてイメ
ージ面に任意のパターンで位相シフト領域を書き込むの
を容易にする。
【００１２】位相シフト領域は、異なる透明度を与える
ために異なる透過係数、または異なるイメージ明暗度を
与えるために位相シフトの異なる度合いを有することが
できる。
ために異なる透過係数、または異なるイメージ明暗度を
与えるために位相シフトの異なる度合いを有することが
できる。
【００１３】
【実施例】以下に述べられる本発明を具体化するマスク
１０の各々は、石英のような透明な位相をシフトしない
物質１４内に、選択されたパターンでエッチングされた
位相をシフトする領域１２のみからなる。
１０の各々は、石英のような透明な位相をシフトしない
物質１４内に、選択されたパターンでエッチングされた
位相をシフトする領域１２のみからなる。
【００１４】図１（Ａ）は、直角に交差する２組の平行
線からなる「Ｌ」形のマスクパターンを有する従来技術
のマスク１０ａを示している。このパターンは、露光さ
れたとき、基板１５ａ上に完全に暗いＬ形のイメージ１
６ａを与えるように企図されているが、しかし、図１
（Ｂ）に示すように、ブライトスポット１８により損な
われている。このブライトスポットは、位相シフト物質
の各脚部２０，２２の平行エッジ間の距離（即ち、幅）
ｄが、Ｌの両脚部におけるイメージが、欠点なしで完全
に暗く書き込まれるのを確実にするほど、十分に小さい
のに、直角に配置され相互に連結された脚部２０，２２
の接合部における対角線方向の距離が、実際にはｄ√２
といったように大きくなるという事実に起因している。
これは、エッジ分離が起こる最小距離ｄmin を越えるに
十分であり、ｄmin は、使われるリソグラフィ露光装置
とフォトレジストの露光特性により変化する。明白な解
決法は、距離ｄ√２が、前記最小距離ｄmin 以内になる
ように距離ｄを減ずることである。しかしながら、これ
は、好ましくないことに、達成できる最大焼き付け可能
線幅を減ずるであろう。
線からなる「Ｌ」形のマスクパターンを有する従来技術
のマスク１０ａを示している。このパターンは、露光さ
れたとき、基板１５ａ上に完全に暗いＬ形のイメージ１
６ａを与えるように企図されているが、しかし、図１
（Ｂ）に示すように、ブライトスポット１８により損な
われている。このブライトスポットは、位相シフト物質
の各脚部２０，２２の平行エッジ間の距離（即ち、幅）
ｄが、Ｌの両脚部におけるイメージが、欠点なしで完全
に暗く書き込まれるのを確実にするほど、十分に小さい
のに、直角に配置され相互に連結された脚部２０，２２
の接合部における対角線方向の距離が、実際にはｄ√２
といったように大きくなるという事実に起因している。
これは、エッジ分離が起こる最小距離ｄmin を越えるに
十分であり、ｄmin は、使われるリソグラフィ露光装置
とフォトレジストの露光特性により変化する。明白な解
決法は、距離ｄ√２が、前記最小距離ｄmin 以内になる
ように距離ｄを減ずることである。しかしながら、これ
は、好ましくないことに、達成できる最大焼き付け可能
線幅を減ずるであろう。
【００１５】本出願人は、本発明により、図２（Ａ）に
示すようなパターンを持ったマスク１０ｂの使用が、基
板１５ｂ上に、図１（Ａ）と同じぐらいの距離ｄが離れ
た向かい合ったエッジを有するＬ形イメージ１６ｂを与
えるが、ブライトスポットを生じないことを発見した。
これは、位相シフト物質からなる２つの不連続な直角に
配置された３次元の脚部２４，２６の使用によって達成
され、その各々は、距離ｄ離れた平行エッジによって定
められた幅ｄを有する。これらの脚部は交わらず、追加
の位相シフト領域２８が配置されるギャップにより「接
合部」において分けられている。図示するように、領域
２８は、幅ｄと長さｄと脚部２４，２６の末端部を構成
する隣接横断エッジから距離ｘだけ離間されたエッジと
を有する。距離ｄと距離ｘは、前記の最小距離ｄmin を
越えない。この形状が、欠点なしに距離ｄ離れた脚部を
有する完全に暗いＬ形形状の焼き付けを可能にするの
で、今までよりも、より広い回路配線を、本発明を具体
化する透明な位相シフトマスクによって焼き付けること
ができる。
示すようなパターンを持ったマスク１０ｂの使用が、基
板１５ｂ上に、図１（Ａ）と同じぐらいの距離ｄが離れ
た向かい合ったエッジを有するＬ形イメージ１６ｂを与
えるが、ブライトスポットを生じないことを発見した。
これは、位相シフト物質からなる２つの不連続な直角に
配置された３次元の脚部２４，２６の使用によって達成
され、その各々は、距離ｄ離れた平行エッジによって定
められた幅ｄを有する。これらの脚部は交わらず、追加
の位相シフト領域２８が配置されるギャップにより「接
合部」において分けられている。図示するように、領域
２８は、幅ｄと長さｄと脚部２４，２６の末端部を構成
する隣接横断エッジから距離ｘだけ離間されたエッジと
を有する。距離ｄと距離ｘは、前記の最小距離ｄmin を
越えない。この形状が、欠点なしに距離ｄ離れた脚部を
有する完全に暗いＬ形形状の焼き付けを可能にするの
で、今までよりも、より広い回路配線を、本発明を具体
化する透明な位相シフトマスクによって焼き付けること
ができる。
【００１６】この発見を発展させ、本出願人は、離間さ
れたエッジを有し、他の位相シフト領域の隣接エッジ間
に接合部において挟んだ連結位相シフト領域を使用する
ことにより、マスクが多くの有用なパターンで作製でき
ることを発見した。
れたエッジを有し、他の位相シフト領域の隣接エッジ間
に接合部において挟んだ連結位相シフト領域を使用する
ことにより、マスクが多くの有用なパターンで作製でき
ることを発見した。
【００１７】例えば、図３（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、連結位相シフト領域３０は、位相シフト領域３２，
３４，３６の対面するエッジから距離ｄmin 以下に離間
されたエッジを有している。図示するように、これらの
領域３２，３４，３６の各々は、距離ｄmin を越えない
距離ｄだけ離間された平行エッジの組を有している。領
域３２，３４，３６は、露光したときにＹ形イメージ１
６ｃを作るため、ほぼＹ形形状で配置されている。しか
しながら、マスクパターンは、例えば、Ｔ形イメージを
作るために、種々の任意に選択可能な挟角を有する複数
の位相シフト領域で形成できることが理解されるであろ
う。唯一の必要条件は、連結領域３０の各エッジが、関
連した領域３２，３４，３６の対面するエッジから前記
距離ｄmin以下にあり、各領域の幅は距離ｄmin を越え
ないということである。
に、連結位相シフト領域３０は、位相シフト領域３２，
３４，３６の対面するエッジから距離ｄmin 以下に離間
されたエッジを有している。図示するように、これらの
領域３２，３４，３６の各々は、距離ｄmin を越えない
距離ｄだけ離間された平行エッジの組を有している。領
域３２，３４，３６は、露光したときにＹ形イメージ１
６ｃを作るため、ほぼＹ形形状で配置されている。しか
しながら、マスクパターンは、例えば、Ｔ形イメージを
作るために、種々の任意に選択可能な挟角を有する複数
の位相シフト領域で形成できることが理解されるであろ
う。唯一の必要条件は、連結領域３０の各エッジが、関
連した領域３２，３４，３６の対面するエッジから前記
距離ｄmin以下にあり、各領域の幅は距離ｄmin を越え
ないということである。
【００１８】図４（Ａ）には、マスクパターンが、各々
距離ｄmin を越えない幅ｄを有する位相シフト領域４
０，４２と連結領域４４を含むもう１つの形状が示され
ている。領域４０，４２は、連結領域４４の対向する横
断エッジから距離ｄmin 以下だけ離れた横断エッジを有
する。露光されたとき、このマスクは、図４（Ｂ）に示
すように、基板１５ｄ上にイメージ４６を作る。
距離ｄmin を越えない幅ｄを有する位相シフト領域４
０，４２と連結領域４４を含むもう１つの形状が示され
ている。領域４０，４２は、連結領域４４の対向する横
断エッジから距離ｄmin 以下だけ離れた横断エッジを有
する。露光されたとき、このマスクは、図４（Ｂ）に示
すように、基板１５ｄ上にイメージ４６を作る。
【００１９】図２，図３および図４に示された形状は、
破壊的干渉を引き起こす焦点設定の範囲が通常のクロム
・オン・グラス・リソグラフィックマスクが合焦する範
囲よりも大きいので、固定した部分的干渉性光源に対
し、改良された焦点深度を与える。それゆえ、広い線幅
を持った大きな接合部を、露光処理窓内に回数と明暗度
において、より大きな寛容度で作製できる。
破壊的干渉を引き起こす焦点設定の範囲が通常のクロム
・オン・グラス・リソグラフィックマスクが合焦する範
囲よりも大きいので、固定した部分的干渉性光源に対
し、改良された焦点深度を与える。それゆえ、広い線幅
を持った大きな接合部を、露光処理窓内に回数と明暗度
において、より大きな寛容度で作製できる。
【００２０】図５（Ａ）に、本発明のもう１つの実施例
にしたがって示されているように、マスク１０ｅは、グ
リッド状すなわち行と列のマトリックス配列で配置され
た複数の位相シフト領域を１２ｅを有する。領域１２ｅ
は、最小距離ｄmin 以下の距離だけ各隣接する領域１２
ｅの円周エッジから離間された円周エッジを有する。そ
の結果、図５（Ｂ）に示すように、基板１５ｅ上に、単
一の、ほぼ方形の完全に暗いイメージ１６ｅマスクパタ
ーンが焼き付けられる。
にしたがって示されているように、マスク１０ｅは、グ
リッド状すなわち行と列のマトリックス配列で配置され
た複数の位相シフト領域を１２ｅを有する。領域１２ｅ
は、最小距離ｄmin 以下の距離だけ各隣接する領域１２
ｅの円周エッジから離間された円周エッジを有する。そ
の結果、図５（Ｂ）に示すように、基板１５ｅ上に、単
一の、ほぼ方形の完全に暗いイメージ１６ｅマスクパタ
ーンが焼き付けられる。
【００２１】実際には、マスク１０ｅは、マトリックス
パターンで配列され、１．７５ミクロンのピッチ、すな
わち、隣接するスクウェアのエッジ間に０．２５ミクロ
ンの間隔を有する中空の０．７５ミクロン・スクウェア
の配置で作製された。円形の位相シフト領域１２ｅにエ
ッチングされたこれらのスクウェアは、直径がおよそ
１．２ミクロンである。このマスクは、次に、ニコンＮ
ＳＲ装置において５倍縮小で焼き付けられた。マスク１
０ｅ上のパターンは、シリコンウェーハ上のフォトレジ
ストを除去するために必要な通常の露光量の８倍までの
露光に対し、不透明体として焼き付け、そのマスクパタ
ーンは、大いに有効であることを示した。露光されたシ
リコンウェーファの顕微鏡写真は、露光過度に対して無
感応であることを明らかにした。マスクは、数ミクロン
の焦点はずれに対し同様に不透明体として焼き付けた。
パターンで配列され、１．７５ミクロンのピッチ、すな
わち、隣接するスクウェアのエッジ間に０．２５ミクロ
ンの間隔を有する中空の０．７５ミクロン・スクウェア
の配置で作製された。円形の位相シフト領域１２ｅにエ
ッチングされたこれらのスクウェアは、直径がおよそ
１．２ミクロンである。このマスクは、次に、ニコンＮ
ＳＲ装置において５倍縮小で焼き付けられた。マスク１
０ｅ上のパターンは、シリコンウェーハ上のフォトレジ
ストを除去するために必要な通常の露光量の８倍までの
露光に対し、不透明体として焼き付け、そのマスクパタ
ーンは、大いに有効であることを示した。露光されたシ
リコンウェーファの顕微鏡写真は、露光過度に対して無
感応であることを明らかにした。マスクは、数ミクロン
の焦点はずれに対し同様に不透明体として焼き付けた。
【００２２】本発明の特徴によれば、不連続な位相シフ
ト領域１２ｅのマトリックス配列を有するマスク１０ｅ
は、連続の位相シフト領域のチェッカー盤状の配列を有
するマスクよりも製作がより容易である。また、マスク
１０ｅは、画素すなわち”ペル（ｐｅｌｓ）”の高密度
マトリクスからなるモニタスクリーンと同じ様に、所望
の形状にパターニングすることができる。
ト領域１２ｅのマトリックス配列を有するマスク１０ｅ
は、連続の位相シフト領域のチェッカー盤状の配列を有
するマスクよりも製作がより容易である。また、マスク
１０ｅは、画素すなわち”ペル（ｐｅｌｓ）”の高密度
マトリクスからなるモニタスクリーンと同じ様に、所望
の形状にパターニングすることができる。
【００２３】選択可能な行と列にエッチングされた不連
続な位相シフト領域を使用することによって、どのよう
な所望の形状を有するマスクパターンをもたやすく作製
することができる。例えば、図６（Ａ）に例示されたマ
スク１０ｆ上の不連続な位相シフト領域１２ｆのパター
ンは、図６（Ｂ）に示すイメージ１６ｆを基板１５ｆ上
に作成する。図７（Ａ）に示されたマスク１０ｇ上の不
連続な位相シフト領域１２ｇのパターンは、図７（Ｂ）
に示すイメージ１６ｇを基板１５ｇ上に作成する。各々
の場合において、各領域１２ｆと１２ｇは、使われるリ
ソグラフィ露光装置とフォトレジストの露光特性のため
に、最小距離ｄmin を越えない距離だけ互いに離間され
ている。
続な位相シフト領域を使用することによって、どのよう
な所望の形状を有するマスクパターンをもたやすく作製
することができる。例えば、図６（Ａ）に例示されたマ
スク１０ｆ上の不連続な位相シフト領域１２ｆのパター
ンは、図６（Ｂ）に示すイメージ１６ｆを基板１５ｆ上
に作成する。図７（Ａ）に示されたマスク１０ｇ上の不
連続な位相シフト領域１２ｇのパターンは、図７（Ｂ）
に示すイメージ１６ｇを基板１５ｇ上に作成する。各々
の場合において、各領域１２ｆと１２ｇは、使われるリ
ソグラフィ露光装置とフォトレジストの露光特性のため
に、最小距離ｄmin を越えない距離だけ互いに離間され
ている。
【００２４】クロムを含まない位相シフトマスクのデザ
インにおいて重要な考慮すべき事柄は、たやすく再生で
きる製造プロセスを利用することである。そのようなプ
ロセスにおけるキーとなる工程は、所望の位相シフト領
域に生じるトポグラフィを作成するためにマスク基板材
をエッチングすることである。ドライエッチ・プロセス
（反応性イオンエッチング、即ちＲＩＥ）は、初めは魅
力的に思えるが、そのようなプロセスは、５×５インチ
マスク基板を作るために要求される広い範囲にわたって
均一なエッチレイト（＜５％エッチ深さ変動）を与える
ように制御するのが困難である。ＲＩＥ工程は、また、
エッチングされた領域の底部においてトポグラフィに粗
さを作り出しがちである。本出願人は、ウェットエッチ
・プロセスが、エッチングされた領域に滑らかな（５〜
１０オングストロームレベルで）トポグラフィを与える
という利点を有することを発見した。
インにおいて重要な考慮すべき事柄は、たやすく再生で
きる製造プロセスを利用することである。そのようなプ
ロセスにおけるキーとなる工程は、所望の位相シフト領
域に生じるトポグラフィを作成するためにマスク基板材
をエッチングすることである。ドライエッチ・プロセス
（反応性イオンエッチング、即ちＲＩＥ）は、初めは魅
力的に思えるが、そのようなプロセスは、５×５インチ
マスク基板を作るために要求される広い範囲にわたって
均一なエッチレイト（＜５％エッチ深さ変動）を与える
ように制御するのが困難である。ＲＩＥ工程は、また、
エッチングされた領域の底部においてトポグラフィに粗
さを作り出しがちである。本出願人は、ウェットエッチ
・プロセスが、エッチングされた領域に滑らかな（５〜
１０オングストロームレベルで）トポグラフィを与える
という利点を有することを発見した。
【００２５】特に、次の工程は、本出願人の透明な位相
シフトマスクを作るために行われた。所望のパターン
は、クロム−石英基板上に電子ビームリソグラフィまた
はレーザリソグラフィにより書き込まれた。次に、清浄
なクロムパターン化されたマスクは、１７〜２０℃の温
度に維持された市販の５：１緩衝フッ化水素酸（飽和重
フッ化アンモニア水／フッ化水素酸のモル比の溶液）
「酸化シリコン・エッチャント」に浸漬された。エッチ
レイトは、温度に強く依存しているので、エッチ時間
は、もしエッチャントの温度が、各エッチ進行に対して
±０．２℃に制御されなかったならば、各工程で調整し
なければならなかった。一度適切な長さの時間でエッチ
ングされると（エッチングされる形状サイズのためのエ
ッチレイトを所望のエッチ深さに経験的に相関させるこ
とによって）、マスク基板は、エッチ液から取り除か
れ、そして、すぐにエッチャントのすべての影響を取り
除くため、少なくとも５分間脱イオン水で洗い落とし
た。実際には、１７０秒のエッチ時間が、３４６０オン
グストロームのエッチ深さを達成するために必要とされ
た。次に、クロムは、石英基板上に所望の位相シフトパ
ターンを与えるためにマスクから剥がされた。２５００
〜４０００オングストロームのエッジ深さと０．４μｍ
以上の形状サイズで、このエッチ・プロセスは、かなり
の異方性を有するマスクを与える。エッチングされた壁
は、驚くほどにそして所望のように、丸みのあるコーナ
を作り、および全く等方性のエッチ・プロセスで予測さ
れるよりも、幾分、より大きく傾斜しているのが発見さ
れた。
シフトマスクを作るために行われた。所望のパターン
は、クロム−石英基板上に電子ビームリソグラフィまた
はレーザリソグラフィにより書き込まれた。次に、清浄
なクロムパターン化されたマスクは、１７〜２０℃の温
度に維持された市販の５：１緩衝フッ化水素酸（飽和重
フッ化アンモニア水／フッ化水素酸のモル比の溶液）
「酸化シリコン・エッチャント」に浸漬された。エッチ
レイトは、温度に強く依存しているので、エッチ時間
は、もしエッチャントの温度が、各エッチ進行に対して
±０．２℃に制御されなかったならば、各工程で調整し
なければならなかった。一度適切な長さの時間でエッチ
ングされると（エッチングされる形状サイズのためのエ
ッチレイトを所望のエッチ深さに経験的に相関させるこ
とによって）、マスク基板は、エッチ液から取り除か
れ、そして、すぐにエッチャントのすべての影響を取り
除くため、少なくとも５分間脱イオン水で洗い落とし
た。実際には、１７０秒のエッチ時間が、３４６０オン
グストロームのエッチ深さを達成するために必要とされ
た。次に、クロムは、石英基板上に所望の位相シフトパ
ターンを与えるためにマスクから剥がされた。２５００
〜４０００オングストロームのエッジ深さと０．４μｍ
以上の形状サイズで、このエッチ・プロセスは、かなり
の異方性を有するマスクを与える。エッチングされた壁
は、驚くほどにそして所望のように、丸みのあるコーナ
を作り、および全く等方性のエッチ・プロセスで予測さ
れるよりも、幾分、より大きく傾斜しているのが発見さ
れた。
【００２６】本発明の好適な実施例を、詳細に説明した
のが、これらの実施例への修正と応用を、発明の範囲か
ら逸脱することなく当業者が考え付くことは明らかであ
る。
のが、これらの実施例への修正と応用を、発明の範囲か
ら逸脱することなく当業者が考え付くことは明らかであ
る。
【００２７】
【発明の効果】本出願人の透明な位相シフトマスクは、
それゆえ、ただ一回の露光で書き込むことができる。し
かしながら、もし、異なる透過係数を有する位相シフト
領域が、異なる透明度を与えるために望まれるならば、
別個の露光工程が、各異なる透過係数のために要求され
る。
それゆえ、ただ一回の露光で書き込むことができる。し
かしながら、もし、異なる透過係数を有する位相シフト
領域が、異なる透明度を与えるために望まれるならば、
別個の露光工程が、各異なる透過係数のために要求され
る。
【００２８】また、位相シフトの異なる度合いを有する
位相シフト領域を与えることによって、異なるイメージ
明暗度が達成できる。
位相シフト領域を与えることによって、異なるイメージ
明暗度が達成できる。
【図１】（Ａ）は、暗い「Ｌ」曲げ形状のイメージを与
える２組の接近して離間された平行エッジを有する従来
技術の透明マスクを示す図であり、（Ｂ）は、マスクが
露光されたときに生じるブライトスポットを含むイメー
ジを示す図である。
える２組の接近して離間された平行エッジを有する従来
技術の透明マスクを示す図であり、（Ｂ）は、マスクが
露光されたときに生じるブライトスポットを含むイメー
ジを示す図である。
【図２】（Ａ）は、（Ｂ）に示すように、マスクが露光
されたときにブライトスポットが存在しない完全に暗い
「Ｌ」曲げ形状のイメージを与える本発明の一実施例に
よる透明マスクを示す図である。
されたときにブライトスポットが存在しない完全に暗い
「Ｌ」曲げ形状のイメージを与える本発明の一実施例に
よる透明マスクを示す図である。
【図３】（Ａ）は、本発明のさらに他の実施例に従っ
て、異なったマスクパターンを有する透明マスクを示す
図であり、（Ｂ）は、露光されたときに（Ａ）のパター
ンによって与えられたイメージを示す図である。
て、異なったマスクパターンを有する透明マスクを示す
図であり、（Ｂ）は、露光されたときに（Ａ）のパター
ンによって与えられたイメージを示す図である。
【図４】（Ａ）は、本発明のさらに他の実施例による、
異なったマスクパターンを有する透明マスクを示す図で
あり、（Ｂ）は、露光されたときに（Ａ）のパターンに
よって与えられたイメージを示す図である。
異なったマスクパターンを有する透明マスクを示す図で
あり、（Ｂ）は、露光されたときに（Ａ）のパターンに
よって与えられたイメージを示す図である。
【図５】（Ａ）は、本発明の他の実施例による、位相シ
フト領域の格子パターンを有する透明マスクを示す図で
あり、（Ｂ）は、露光されたときに（Ａ）のマスクによ
って与えられたイメージを示す図である。
フト領域の格子パターンを有する透明マスクを示す図で
あり、（Ｂ）は、露光されたときに（Ａ）のマスクによ
って与えられたイメージを示す図である。
【図６】（Ａ）は、位相シフト領域の格子パターンを有
する他の透明マスクを示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）
のマスクによって与えられたイメージを示す図である。
する他の透明マスクを示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）
のマスクによって与えられたイメージを示す図である。
【図７】（Ａ）は、位相シフト領域の格子パターンを有
する他の透明マスクを示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）
のマスクによって与えられたイメージを示す図である。
する他の透明マスクを示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）
のマスクによって与えられたイメージを示す図である。
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１
０ｇ マスク １２ａ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，３２，３４，３６，
４０，４２ 位相シフト領域 １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ，１
５ｇ 基板 １６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ，１
６ｇ，４６ イメージ １８ ブライトスポット ２０，２２，２４，２６ 脚部 ２８，３０，４４ 連結領域
０ｇ マスク １２ａ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，３２，３４，３６，
４０，４２ 位相シフト領域 １５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ，１
５ｇ 基板 １６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ，１
６ｇ，４６ イメージ １８ ブライトスポット ２０，２２，２４，２６ 脚部 ２８，３０，４４ 連結領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャックリン・アン・フランクリン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 ミル ピタス エスティー アンドリュース コ ート 1886 (72)発明者 フランクリン・マーク・シェレンベルグ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 クパ ティノ アルパイン ドライブ 10162 (72)発明者 ジウン・ティーセイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ノゼ スターリング ゲイト コート 7055
Claims (20)
- 【請求項１】複数の不連続な位相シフト領域で部分的に
覆われた位相をシフトしない領域を与える透明部分を有
し、 前記位相シフト領域の少なくとも１つは、位相シフト領
域の少なくとも他の１つから任意に選択可能で不平行な
方向に拡がり、 前記位相シフト領域の各々は、エッジを有し、これらの
エッジは、フォトレジストの露光特性により決定され、
前記エッジのイメージが分離する距離以下の距離だけ、
互いに離間し、かつ、隣接する位相シフト領域の対応す
るエッジから前記距離だけ離間している、フォトレジス
トを露光するためのリソグラフィックマスク。 - 【請求項２】前記位相シフト領域の少なくとも１つが、
連結位相シフト領域を形成し、この領域のエッジは、前
記位相シフト領域の隣接するものエッジから前記距離だ
け離間されて、マスクによるフォトレジストの露光にお
いて前記位相シフト領域に対応する領域を覆うフォトレ
ジストの連続体に光学的な明暗度パターンを作る、請求
項１記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項３】パターンが、Ｌ，Ｔ，または鋭角または鈍
角を有する形状からなるグループから採られた少なくと
も１つの形状を含む、請求項２記載のリソグラフィック
マスク。 - 【請求項４】前記距離が、ほぼ同じであり、前記不連続
な位相シフト領域が、平行な行と列のマトリクスで配置
されて、作製を容易にし、イメージ面上にいかなる任意
のパターンの位相シフト領域を書き込むことを容易にす
る、請求項１記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項５】位相シフト領域が中空の円の形をしてい
る、請求項４記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項６】位相シフト領域の少なくとも２つが、異な
る透過係数を有し、異なる透明度を与える、請求項１記
載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項７】位相シフト領域の少なくとも２つが、位相
シフトの異なる度合いを有し、異なるイメージ明暗度を
与える、請求項１記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項８】位相シフト領域の少なくとも２つが、異な
る透過係数と異なる位相シフトの度合いを有している、
請求項１記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項９】前記距離は、フォトレジストの厚さと回折
係数によって少なくとも部分的に決定される、請求項１
記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項１０】位相シフト領域が、位相をシフトしない
領域に対してほぼ１８０度の位相シフトを与える、請求
項１記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項１１】少なくとも１グループの３つの不連続な
位相シフト領域によって部分的に覆われた位相をシフト
しない領域を与える透明部分を有し、 前記３つの領域の少なくとも２つが、第３の領域から不
平行方向に拡がり、 前記３つの領域が、転写によって連続的なイメージが作
られるようにフォトレジストに転写されたときに、前記
領域が分離されたイメージで書き込まれる最小距離以下
の距離だけ離間された各エッジによって互いに分離され
ている、リソグラフィックマスク。 - 【請求項１２】前記第３の位相シフト領域が、前記２つ
の領域から離間されるが、前記２つの領域に隣接してい
る連結領域を構成し、連続するイメージを与える、請求
項１１記載のリソグラフィックマスク。 - 【請求項１３】前記第３の位相シフト領域は、２つのエ
ッジを有する連結領域を有し、これらエッジは、各々が
ほぼ距離ｄの長さであり、各々が前記２つの領域の各１
つの対応する隣接する端エッジから距離ｘに離間され、
前記２つの領域の各々が、前記距離ｄだけ離間した１組
の平行エッジを有し、各組の平行エッジが、他の組の平
行エッジに直角に配置され、前記距離ｄおよび距離ｘ
が、前記最小距離を越えず、前記２つの領域の直角接合
部でｄ√２の対角線方向の幅を有する連続構造を書き込
むことが可能な、請求項１１記載のリソグラフィックマ
スク。 - 【請求項１４】前記エッジが、マスク上に明瞭な多角形
状の位相シフト領域の境界を構成する、請求項１１記載
のリソグラフィックマスク。 - 【請求項１５】フォトレジストを露光するためのリソグ
ラフィックマスク上にパターンを形成する方法におい
て、 位相をシフトしない領域を有する透明媒体上に、連結領
域から不平行方向に拡がるが、連結領域から離間した２
つの位相シフト領域を含む、複数の不連続な位相シフト
領域を設けるステップと、 前記領域の幅を定めるエッジと、前記２つの領域のエッ
ジに隣接する連結領域のエッジとを、フォトレジストの
露光特性によって決定され、フォトレジストの露光時に
前記エッジのイメージが分離する最小距離以下の距離だ
け離間するようにするステップと、 フォトレジストを露光して、イメージ面上に光学的干渉
の結果としてパターンを形成するステップと、を含むパ
ターン形成方法。 - 【請求項１６】異なる透過係数を有する位相シフト領域
を使用して異なる透明度を与えるステップを含む、請求
項１５記載のパターン形成方法。 - 【請求項１７】位相シフトの異なる度合いを有する位相
シフト領域を使用して異なるイメージ明暗度を与えるス
テップを含む、請求項１５記載のパターン形成方法。 - 【請求項１８】単一のパターニングステップで透明領域
を書き込むステップを含む、請求項１５記載のパターン
形成方法。 - 【請求項１９】エッチング液にマスクを浸漬することに
よってパターンを形成するステップを含む、請求項１５
記載のパターン形成方法。 - 【請求項２０】前記エッチング液がフッ化水素酸と飽和
重フッ化アンモニア水からなる緩衝液とからなり、フッ
化水素酸と緩衝液の比率を選択し、所望の位相シフトと
壁角度を与える露光時間と温度を選択するステップを含
む、請求項１９記載のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US042316 | 1993-04-02 | ||
| US08/042,316 US5362584A (en) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | Phase-shifting transparent lithographic mask for writing contiguous structures from noncontiguous mask areas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317893A true JPH06317893A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=21921201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6049092A Pending JPH06317893A (ja) | 1993-04-02 | 1994-03-18 | リソグラフィックマスクおよびパターン形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362584A (ja) |
| EP (1) | EP0620498B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06317893A (ja) |
| DE (1) | DE69415577T2 (ja) |
| TW (1) | TW265509B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120023467A (ko) * | 2010-09-03 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 형성을 위한 마스크 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3393926B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | フォトマスク設計方法及びその装置 |
| KR0166836B1 (ko) * | 1996-05-02 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
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| WO1999047981A1 (en) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Asml Masktools Netherlands B.V. | METHOD OF PATTERNING SUB-0.25μ LINE FEATURES WITH HIGH TRANSMISSION, 'ATTENUATED' PHASE SHIFT MASKS |
| US6184041B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Fused hybrid resist shapes as a means of modulating hybrid resist space width |
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| IT1313154B1 (it) * | 1999-08-05 | 2002-06-17 | St Microelectronics Srl | Maschera litografica per dispositivi a semiconduttore con finestra discavo a sezione poligonale,in particolare avente una sezione di almeno |
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| US6335130B1 (en) | 2000-05-01 | 2002-01-01 | Asml Masktools Netherlands B.V. | System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features |
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