JPH06317787A - 透明基板 - Google Patents
透明基板Info
- Publication number
- JPH06317787A JPH06317787A JP21295792A JP21295792A JPH06317787A JP H06317787 A JPH06317787 A JP H06317787A JP 21295792 A JP21295792 A JP 21295792A JP 21295792 A JP21295792 A JP 21295792A JP H06317787 A JPH06317787 A JP H06317787A
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- JP
- Japan
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- substrate
- pattern
- thin film
- transparent substrate
- glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程中に透明基板の裏表、左右上下の識
別を容易にできるようにする。 【構成】 透明基板上に、上下及び左右非対称型の形状
を成し、かつ、該透明基板上に形成された半導体素子ま
たは薄膜のうち、半透明または不透明な膜と同一材料で
形成された認識マークを形成する。
別を容易にできるようにする。 【構成】 透明基板上に、上下及び左右非対称型の形状
を成し、かつ、該透明基板上に形成された半導体素子ま
たは薄膜のうち、半透明または不透明な膜と同一材料で
形成された認識マークを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス等の透明基板に
関するものであり、さらに詳しくは、主表面上に金属又
は半導体薄膜等を形成し、又は該薄膜をフォトエッチン
グ等によりパターニングを行なう透明基板の構造に関す
るものである。
関するものであり、さらに詳しくは、主表面上に金属又
は半導体薄膜等を形成し、又は該薄膜をフォトエッチン
グ等によりパターニングを行なう透明基板の構造に関す
るものである。
【０００２】近年ＣＲＴに代わる大容量表示装置とし
て、液晶、ＥＣＤ、プラズマ、ＥＬ等を用いた表示装置
が研究されており、一部商品化もされている。これらの
表示装置は小型軽量及び平面タイプである事等から、今
後ますます開発が活発化する情勢に有る。
て、液晶、ＥＣＤ、プラズマ、ＥＬ等を用いた表示装置
が研究されており、一部商品化もされている。これらの
表示装置は小型軽量及び平面タイプである事等から、今
後ますます開発が活発化する情勢に有る。
【０００３】
【従来の技術】図１に液晶を用いたアクティブマトリッ
クスアレーによる表示パネルの構造を示す。１はガラス
板であり、この主表面上へシリコンの半導体薄膜２を形
成し、パターニングし、ゲート絶縁膜３を介してゲート
電極４を配線する。さらにパシベーション用絶縁膜５を
形成するとともにコンタクトホールを開けてソース電極
６を配線し、透明駆動電極７をドレインに接続する。こ
れにより薄膜トランジスターをスイッチング素子とした
アクティブマトリックスアレーがガラス基板１の上に構
成される。
クスアレーによる表示パネルの構造を示す。１はガラス
板であり、この主表面上へシリコンの半導体薄膜２を形
成し、パターニングし、ゲート絶縁膜３を介してゲート
電極４を配線する。さらにパシベーション用絶縁膜５を
形成するとともにコンタクトホールを開けてソース電極
６を配線し、透明駆動電極７をドレインに接続する。こ
れにより薄膜トランジスターをスイッチング素子とした
アクティブマトリックスアレーがガラス基板１の上に構
成される。
【０００４】次に透明導電性薄膜９を形成した他のガラ
ス板８をマトリックスアレー基板１と平行に対立させ、
その間に液晶１０を封入して表示パネルが完成する。こ
の例の様にアクティブマトリックスアレーを構成する為
には、数回以上の薄膜の形成及びそのパターニングが必
要とする。
ス板８をマトリックスアレー基板１と平行に対立させ、
その間に液晶１０を封入して表示パネルが完成する。こ
の例の様にアクティブマトリックスアレーを構成する為
には、数回以上の薄膜の形成及びそのパターニングが必
要とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラス等の透
明基板の場合、たとえ形成した薄膜が不透明であって
も、目視で基板の表裏を見わける事は難しく、次の工程
でさらに薄膜を形成、又は薄膜をパターニングするフォ
トエッチングを行なう為の基板の取り扱い時に重大な支
障をきたす。
明基板の場合、たとえ形成した薄膜が不透明であって
も、目視で基板の表裏を見わける事は難しく、次の工程
でさらに薄膜を形成、又は薄膜をパターニングするフォ
トエッチングを行なう為の基板の取り扱い時に重大な支
障をきたす。
【０００６】さらに図２にマトリックスアレーの平面構
成を示す。ガラス基板１１上に複数のゲートライン１２
が互いに平行に配列され、これと直交して複数のソース
ライン１３がやはり互いに平行して配列されている。又
各ゲートラインとソースラインの交差する位置にはスイ
ッチング素子としての薄膜トランジスター１４が配置さ
れている。通常薄膜トランジスターの大きさは数十ミク
ロン〜１００ミクロンの大きさであるので、目視では基
板上のゲートラインとソースラインしか見えない。
成を示す。ガラス基板１１上に複数のゲートライン１２
が互いに平行に配列され、これと直交して複数のソース
ライン１３がやはり互いに平行して配列されている。又
各ゲートラインとソースラインの交差する位置にはスイ
ッチング素子としての薄膜トランジスター１４が配置さ
れている。通常薄膜トランジスターの大きさは数十ミク
ロン〜１００ミクロンの大きさであるので、目視では基
板上のゲートラインとソースラインしか見えない。
【０００７】従って、図からわかる様に上下対称であっ
て、さらに左右対称でもあるので基板の天地方向及び表
裏はマトリックスパターンを見ても判定が難しい。特に
製造工程の途中では、例えば、ゲートラインしか形成さ
れていないとか、又はトランジスターのパターンのみが
形成されている時などは、さらに基板の表裏、天地の見
分けは難かしく、量産時の能率向上に大きな障害とな
る。
て、さらに左右対称でもあるので基板の天地方向及び表
裏はマトリックスパターンを見ても判定が難しい。特に
製造工程の途中では、例えば、ゲートラインしか形成さ
れていないとか、又はトランジスターのパターンのみが
形成されている時などは、さらに基板の表裏、天地の見
分けは難かしく、量産時の能率向上に大きな障害とな
る。
【０００８】本発明は以上の欠点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、ガラス等の透明基板の表裏及び天
地方向を目視で容易に識別可能とし、透明基板を用いた
製造工程の能率を高める事にある。
であり、その目的は、ガラス等の透明基板の表裏及び天
地方向を目視で容易に識別可能とし、透明基板を用いた
製造工程の能率を高める事にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の透明基板は、基
板上に複数の半導体素子及び薄膜を有する透明基板にお
いて、該透明基板上に、上下及び左右非対称型の形状を
成し、かつ、該透明基板上に形成された半導体素子また
は薄膜のうち半透明または不透明な膜と同一材料で形成
された認識マークを有することを特徴とする。
板上に複数の半導体素子及び薄膜を有する透明基板にお
いて、該透明基板上に、上下及び左右非対称型の形状を
成し、かつ、該透明基板上に形成された半導体素子また
は薄膜のうち半透明または不透明な膜と同一材料で形成
された認識マークを有することを特徴とする。
【００１０】
【実施例】以下本発明を図面により詳細に説明する。
【００１１】（実施例１）図３は本発明を図２の例に示
すアクティブマトリックスアレー基板に実施した一例を
示したものである。図２と同様１２は複数のゲートライ
ン、１３はやはり複数のソースライン、１４は薄膜トラ
ンジスターである。又１１はガラス基板である。図中１
５のパターンが本発明を実施したものであり、ガラス基
板１１の右上の、ゲートライン１２、ソースライン１３
及び薄膜トランジスター１４を配置しない領域に、例え
ば図１中のシリコン薄膜層２を配置する。シリコン薄膜
は膜厚約５００オングストローム以上有れば光の干渉色
によりその存在が目視で認識可能である。１５のパター
ンサイズは大きい程良いが、１ミリメートル以上有れば
十分である。
すアクティブマトリックスアレー基板に実施した一例を
示したものである。図２と同様１２は複数のゲートライ
ン、１３はやはり複数のソースライン、１４は薄膜トラ
ンジスターである。又１１はガラス基板である。図中１
５のパターンが本発明を実施したものであり、ガラス基
板１１の右上の、ゲートライン１２、ソースライン１３
及び薄膜トランジスター１４を配置しない領域に、例え
ば図１中のシリコン薄膜層２を配置する。シリコン薄膜
は膜厚約５００オングストローム以上有れば光の干渉色
によりその存在が目視で認識可能である。１５のパター
ンサイズは大きい程良いが、１ミリメートル以上有れば
十分である。
【００１２】このパターン１５の形成方法は、図１にお
いてシリコン薄膜２を形成し、フォトエッチングによっ
て図の様にトランジスターパターンを形成する時に同時
に図３の１５の様にシリコン薄膜層を残せば良く、従っ
て従来のマトリックスアレー基板の製造工程を変える必
要は全く無い。この様にパターン１５をガラス基板に残
す事により、このパターンが基板の右上になる様に基板
を見た時に対面している基板面が主表面であり、アレパ
ターンの天地方向と基板の上下方向が一致する事にな
る。従って常にパターン１５を見る事によりマトリック
スアレーのパターンがガラス基板のどちらの面に形成さ
れているが容易に認識出来る為、基板の製造工程ごとの
取り扱いに支障がなくなって作業能率が格段に向上す
る。
いてシリコン薄膜２を形成し、フォトエッチングによっ
て図の様にトランジスターパターンを形成する時に同時
に図３の１５の様にシリコン薄膜層を残せば良く、従っ
て従来のマトリックスアレー基板の製造工程を変える必
要は全く無い。この様にパターン１５をガラス基板に残
す事により、このパターンが基板の右上になる様に基板
を見た時に対面している基板面が主表面であり、アレパ
ターンの天地方向と基板の上下方向が一致する事にな
る。従って常にパターン１５を見る事によりマトリック
スアレーのパターンがガラス基板のどちらの面に形成さ
れているが容易に認識出来る為、基板の製造工程ごとの
取り扱いに支障がなくなって作業能率が格段に向上す
る。
【００１３】この場合のパターン１５は、上述の例の様
にシリコン薄膜２のみでなく他の部材であっても、半透
明又は不透明であって、目視で認識可能な薄膜であれば
応用可能である。さらに一つの層のみでは干渉色が薄い
場合は、他の層を重ねても良い。さらにパターン形状も
図３の１５に限らなく、他の形状でもかまわなく、又こ
れを配置する位置も、基板右上の１箇所だけでなく、必
要に応じて左上又は右下、左下等複数配置しても良い。
要するにパターンを１箇所だけ設ける場合そのパターン
が基板の中心軸に対し左右対称でもなく、又上下対称で
もない様に設け、又複数の場合はそれぞれ異なった形状
とする等対称とならない様であれば良い。さらに、パタ
ーン１５は薄膜層を残したパターンに限らず、特にその
薄膜が基板上の大部分をおおう場合には、空のヌキパタ
ーンであってもその効果は変わる事が無い。
にシリコン薄膜２のみでなく他の部材であっても、半透
明又は不透明であって、目視で認識可能な薄膜であれば
応用可能である。さらに一つの層のみでは干渉色が薄い
場合は、他の層を重ねても良い。さらにパターン形状も
図３の１５に限らなく、他の形状でもかまわなく、又こ
れを配置する位置も、基板右上の１箇所だけでなく、必
要に応じて左上又は右下、左下等複数配置しても良い。
要するにパターンを１箇所だけ設ける場合そのパターン
が基板の中心軸に対し左右対称でもなく、又上下対称で
もない様に設け、又複数の場合はそれぞれ異なった形状
とする等対称とならない様であれば良い。さらに、パタ
ーン１５は薄膜層を残したパターンに限らず、特にその
薄膜が基板上の大部分をおおう場合には、空のヌキパタ
ーンであってもその効果は変わる事が無い。
【００１４】（実施例２）図４は本発明の他の実施例を
示したガラス基板の平面図である。１６はガラス基板で
あり、破線１７で囲まれた領域がマトリックスアレーの
領域であるが、パターンは省略してある。通常、基板上
にパターン、薄膜等を構成する場合、ピンセットでの取
り扱い、基板のケースへの出し入れ等の為に、有効マト
リックスアレー１７の領域外に、基板１６にデットスペ
ースが必要である。図４はこの様な場合の例であって、
上記のデットスペースにパターン１８を設ける。このパ
ターンの製造工程、材質、配置は、図３の場合と全く同
一である。
示したガラス基板の平面図である。１６はガラス基板で
あり、破線１７で囲まれた領域がマトリックスアレーの
領域であるが、パターンは省略してある。通常、基板上
にパターン、薄膜等を構成する場合、ピンセットでの取
り扱い、基板のケースへの出し入れ等の為に、有効マト
リックスアレー１７の領域外に、基板１６にデットスペ
ースが必要である。図４はこの様な場合の例であって、
上記のデットスペースにパターン１８を設ける。このパ
ターンの製造工程、材質、配置は、図３の場合と全く同
一である。
【００１５】図４の例の場合、マトリックスアレーの完
成後に、基板のデットスペースを切り離して表示パネル
の組み立てに用いるので、最終的には表示装置にパター
ン１８は残らなくてすむ。
成後に、基板のデットスペースを切り離して表示パネル
の組み立てに用いるので、最終的には表示装置にパター
ン１８は残らなくてすむ。
【００１６】以上、本発明をアクティブマトリックスア
レーを用いた液晶表示パネルを例にとり説明したが、本
発明の効果はこれに限らず、要するに、ガラス等の透明
基板上に薄膜等を形成しパターニングする工程を有する
ものであればいかなるものでも応用可能であって、その
効果に何ら変わる事は無く、本発明の実施により透明基
板を用いた薄膜の形成、フォトエッチング等の工程の能
率が大巾に向上する事が期待出来るものである。
レーを用いた液晶表示パネルを例にとり説明したが、本
発明の効果はこれに限らず、要するに、ガラス等の透明
基板上に薄膜等を形成しパターニングする工程を有する
ものであればいかなるものでも応用可能であって、その
効果に何ら変わる事は無く、本発明の実施により透明基
板を用いた薄膜の形成、フォトエッチング等の工程の能
率が大巾に向上する事が期待出来るものである。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の透明基板で
は、以下のような顕著な効果を示すものである。
は、以下のような顕著な効果を示すものである。
【００１８】（ａ）識別マークにより、該透明基板の裏
表、縦方向、横方向が容易に識別できるため、透明基板
上へ薄膜を形成する工程中の効率及び歩留りが向上す
る。すなわち、識別マーク形成後の工程において、薄膜
形成、または、薄膜のパターニングを行う際に、基板の
裏に薄膜を形成したり、パターニングの方向が上下左右
逆になることを防止できる。
表、縦方向、横方向が容易に識別できるため、透明基板
上へ薄膜を形成する工程中の効率及び歩留りが向上す
る。すなわち、識別マーク形成後の工程において、薄膜
形成、または、薄膜のパターニングを行う際に、基板の
裏に薄膜を形成したり、パターニングの方向が上下左右
逆になることを防止できる。
【００１９】（ｂ）識別マークは、透明基板上へ薄膜を
形成する際に、識別マーク形成用の余分な工程を加える
必要がないため、工程の増加に伴う歩留まりの低下がな
い。
形成する際に、識別マーク形成用の余分な工程を加える
必要がないため、工程の増加に伴う歩留まりの低下がな
い。
【図１】 液晶表示パネルの構造を示す断面図である。
【図２】 従来におけるアクティブマトリックスアレー
基板の構造の例を示した平面図である。
基板の構造の例を示した平面図である。
【図３】 本発明を実施したアクティブマトリックスア
レー基板の構造の例を示した平面図である。
レー基板の構造の例を示した平面図である。
【図４】 本発明の他の実施例を示す透明基板の平面外
観図である。
観図である。
１，１１，１６…ガラス基板 ２…シリコン薄膜 ３…ゲート酸化膜 ４…ゲート電極 ５…パシベーション膜 ６…ソース電極 ７…駆動電極 ８…ガラス板 ９…透明導電膜 １０…液晶 １２…ゲートライン １３…ソースライン １４…薄膜トランジスター １５，１８…認識用パターン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に複数の半導体素子及び薄膜を有
する透明基板において、該透明基板上に、上下及び左右
非対称型の形状を成し、かつ、該透明基板上に形成され
た半導体素子または薄膜のうち半透明または不透明な膜
と同一材料で形成された認識マークを有することを特徴
とする透明基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212957A JP2576339B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212957A JP2576339B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 液晶表示パネル |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002079A Division JPS59126623A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 透明基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317787A true JPH06317787A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2576339B2 JP2576339B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=16631095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212957A Expired - Lifetime JP2576339B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576339B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100429670C (zh) * | 2003-04-25 | 2008-10-29 | 三星电子株式会社 | 图像识别装置及具有该图像识别装置的液晶显示器 |
| US9966264B2 (en) | 2015-01-23 | 2018-05-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166207U (ja) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | ||
| JPS55162219A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor wafer |
| JPS5752022A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP4212957A patent/JP2576339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55166207U (ja) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | ||
| JPS55162219A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor wafer |
| JPS5752021A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Citizen Watch Co Ltd | Manufacture of liquid crystal display cell |
| JPS5752022A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100429670C (zh) * | 2003-04-25 | 2008-10-29 | 三星电子株式会社 | 图像识别装置及具有该图像识别装置的液晶显示器 |
| US9966264B2 (en) | 2015-01-23 | 2018-05-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10249500B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-04-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing substrate for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2576339B2 (ja) | 1997-01-29 |
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