JPH06317440A - 感熱式マイクロブリッジ型流量計 - Google Patents
感熱式マイクロブリッジ型流量計Info
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- JPH06317440A JPH06317440A JP5108041A JP10804193A JPH06317440A JP H06317440 A JPH06317440 A JP H06317440A JP 5108041 A JP5108041 A JP 5108041A JP 10804193 A JP10804193 A JP 10804193A JP H06317440 A JPH06317440 A JP H06317440A
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- heating element
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い精度で流速検出が行え、発熱、測温に要
する投入電力の低減を計ることが可能な感熱式マイクロ
ブリッジ型流量計を提供する。 【構成】 基板１上に発熱体４と直列に接続された室温
較正用抵抗体７を設け、基板１の外部に電流量の計測を
行う発熱体４及び室温校正用抵抗体７に直列接続された
電流計測用抵抗体を設け、発熱体測温抵抗体５と流体測
温抵抗体６とバランス調整用抵抗体とが接続された電気
ブリッジ回路を設け、発熱体４の電圧降下値と発熱体４
及び室温校正用抵抗体７の電圧降下値と室温校正用抵抗
体７の電圧降下値と電流計測用抵抗体の電圧降下値とを
随時計測しデジタル信号として出力する電気計測回路１
３を設け、デジタル信号を記憶保持するデジタルメモリ
１５を設け、室温変化による誤差の除去の演算処理を行
う演算処理回路１４を設けた。
する投入電力の低減を計ることが可能な感熱式マイクロ
ブリッジ型流量計を提供する。 【構成】 基板１上に発熱体４と直列に接続された室温
較正用抵抗体７を設け、基板１の外部に電流量の計測を
行う発熱体４及び室温校正用抵抗体７に直列接続された
電流計測用抵抗体を設け、発熱体測温抵抗体５と流体測
温抵抗体６とバランス調整用抵抗体とが接続された電気
ブリッジ回路を設け、発熱体４の電圧降下値と発熱体４
及び室温校正用抵抗体７の電圧降下値と室温校正用抵抗
体７の電圧降下値と電流計測用抵抗体の電圧降下値とを
随時計測しデジタル信号として出力する電気計測回路１
３を設け、デジタル信号を記憶保持するデジタルメモリ
１５を設け、室温変化による誤差の除去の演算処理を行
う演算処理回路１４を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気体の流速を測定する
感熱式マイクロブリッジ型流速計に関する。
感熱式マイクロブリッジ型流速計に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における流速計としては、特開昭６
１−２３５７２６号公報に「マスフローメータ及び流量
制御装置」なる名称で開示されているものがある。この
基本構造は、基板上に異方性エッチングにより堀を形成
し、この堀の上空に梁を渡し、この梁上に電気抵抗体か
らなる発熱体とこの発熱体を感熱する感熱部とを配設し
てなるものであり、これにより感熱部の熱容量を低減せ
しめ、基板と梁への熱損を小さくすることが可能とな
り、発熱や測温に要する投入電力の低減を図ることがで
きる。
１−２３５７２６号公報に「マスフローメータ及び流量
制御装置」なる名称で開示されているものがある。この
基本構造は、基板上に異方性エッチングにより堀を形成
し、この堀の上空に梁を渡し、この梁上に電気抵抗体か
らなる発熱体とこの発熱体を感熱する感熱部とを配設し
てなるものであり、これにより感熱部の熱容量を低減せ
しめ、基板と梁への熱損を小さくすることが可能とな
り、発熱や測温に要する投入電力の低減を図ることがで
きる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の構成
では、梁を発熱体により熱し、その梁と流体との温度差
を一定するために投入された発熱体投入電力を感熱部か
ら出力として検出することにより流速の計測を行う方法
がとられている。
では、梁を発熱体により熱し、その梁と流体との温度差
を一定するために投入された発熱体投入電力を感熱部か
ら出力として検出することにより流速の計測を行う方法
がとられている。
【０００４】しかし、このような計測方法では、以下に
述べるような問題がある。すなわち、梁と室温（流体）
との間の温度差を一定にするように梁上の発熱体への電
力供給を調整するが、室温（Ｔｒ）が上昇すると、その
上昇分（ΔＴｒ）と発熱体抵抗材料の温度係数（α）か
ら算出される抵抗値変化分（αとΔＴｒとの積）が発熱
体出力に含まれてしまう。このようなことから、室温が
変化する毎に出力値が変化し正確な流速の検出を行うこ
とができなくなるという問題がある。
述べるような問題がある。すなわち、梁と室温（流体）
との間の温度差を一定にするように梁上の発熱体への電
力供給を調整するが、室温（Ｔｒ）が上昇すると、その
上昇分（ΔＴｒ）と発熱体抵抗材料の温度係数（α）か
ら算出される抵抗値変化分（αとΔＴｒとの積）が発熱
体出力に含まれてしまう。このようなことから、室温が
変化する毎に出力値が変化し正確な流速の検出を行うこ
とができなくなるという問題がある。
【０００５】また、流量計の長期使用に伴い、高温と高
い通電量にさらされる発熱体は熱的な劣化を受けてしま
うため、抵抗温度係数に経時変化を起こす結果となる。
このような経時変化により、長期間における正確な流速
の計測ができなくなるという問題がある。
い通電量にさらされる発熱体は熱的な劣化を受けてしま
うため、抵抗温度係数に経時変化を起こす結果となる。
このような経時変化により、長期間における正確な流速
の計測ができなくなるという問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、基板をエッチングすることにより堀を形成し、この
堀の上空を跨ぐように梁を形成し、この梁上に発熱体と
この発熱体の温度を計測する発熱体測温抵抗体とを設
け、前記基板上に流体の温度を計測する流体測温抵抗体
が設けられた感熱式マイクロブリッジ型流量計におい
て、前記基板上に流速出力信号の補正を行う前記発熱体
と直列に接続された室温校正用抵抗体を設け、基板外部
に電流量の計測を行う前記発熱体及び前記室温校正用抵
抗体に直列接続された電流計測用抵抗体を設け、前記発
熱体と前記流体測温抵抗体との温度差を一定にするため
に前記発熱体測温抵抗体と前記流体測温抵抗体とバラン
ス調整用抵抗体とが接続された電気ブリッジ回路を設
け、前記発熱体両端の電圧降下値と前記発熱体及び前記
室温校正用抵抗体の両端の電圧降下値と前記室温校正用
抵抗体両端の電圧降下値と前記電流計測用抵抗体両端の
電圧降下値との各電圧降下値を随時計測しデジタル信号
として出力する電気計測回路を設け、前記デジタル信号
を記憶保持するデジタルメモリを設け、室温変化による
誤差の除去の演算処理を行う演算処理回路を設けた。
は、基板をエッチングすることにより堀を形成し、この
堀の上空を跨ぐように梁を形成し、この梁上に発熱体と
この発熱体の温度を計測する発熱体測温抵抗体とを設
け、前記基板上に流体の温度を計測する流体測温抵抗体
が設けられた感熱式マイクロブリッジ型流量計におい
て、前記基板上に流速出力信号の補正を行う前記発熱体
と直列に接続された室温校正用抵抗体を設け、基板外部
に電流量の計測を行う前記発熱体及び前記室温校正用抵
抗体に直列接続された電流計測用抵抗体を設け、前記発
熱体と前記流体測温抵抗体との温度差を一定にするため
に前記発熱体測温抵抗体と前記流体測温抵抗体とバラン
ス調整用抵抗体とが接続された電気ブリッジ回路を設
け、前記発熱体両端の電圧降下値と前記発熱体及び前記
室温校正用抵抗体の両端の電圧降下値と前記室温校正用
抵抗体両端の電圧降下値と前記電流計測用抵抗体両端の
電圧降下値との各電圧降下値を随時計測しデジタル信号
として出力する電気計測回路を設け、前記デジタル信号
を記憶保持するデジタルメモリを設け、室温変化による
誤差の除去の演算処理を行う演算処理回路を設けた。
【０００７】請求項２記載の発明では、基板をエッチン
グすることにより堀を形成し、この堀の上空を跨ぐよう
に梁を形成し、この梁上に発熱体とこの発熱体の温度を
計測する発熱体測温抵抗体とを設け、前記基板上に流体
の温度を計測する流体測温抵抗体が設けられた感熱式マ
イクロブリッジ型流量計において、前記基板上に流速出
力信号の補正を行う前記発熱体と直列に接続された室温
校正用抵抗体を設け、基板外部に電流量の計測を行う前
記発熱体及び前記室温校正用抵抗体に直列接続された電
流計測用抵抗体を設け、前記発熱体と前記流体測温抵抗
体との温度差を一定にするために前記発熱体測温抵抗体
と前記流体測温抵抗体とバランス調整用抵抗体とが接続
された電気ブリッジ回路を設け、前記発熱体両端の電圧
降下値と前記室温校正用抵抗体両端の電圧降下値と前記
電流計測用抵抗体両端の電圧降下値との各電圧降下値を
随時計測しデジタル信号として出力する電気計測回路を
設け、前記デジタル信号を記憶保持するデジタルメモリ
を設け、室温変化による誤差と長期使用からくる熱的疲
労による抵抗体の温度係数の変化による誤差の除去の演
算処理を行う演算処理回路を設けた。
グすることにより堀を形成し、この堀の上空を跨ぐよう
に梁を形成し、この梁上に発熱体とこの発熱体の温度を
計測する発熱体測温抵抗体とを設け、前記基板上に流体
の温度を計測する流体測温抵抗体が設けられた感熱式マ
イクロブリッジ型流量計において、前記基板上に流速出
力信号の補正を行う前記発熱体と直列に接続された室温
校正用抵抗体を設け、基板外部に電流量の計測を行う前
記発熱体及び前記室温校正用抵抗体に直列接続された電
流計測用抵抗体を設け、前記発熱体と前記流体測温抵抗
体との温度差を一定にするために前記発熱体測温抵抗体
と前記流体測温抵抗体とバランス調整用抵抗体とが接続
された電気ブリッジ回路を設け、前記発熱体両端の電圧
降下値と前記室温校正用抵抗体両端の電圧降下値と前記
電流計測用抵抗体両端の電圧降下値との各電圧降下値を
随時計測しデジタル信号として出力する電気計測回路を
設け、前記デジタル信号を記憶保持するデジタルメモリ
を設け、室温変化による誤差と長期使用からくる熱的疲
労による抵抗体の温度係数の変化による誤差の除去の演
算処理を行う演算処理回路を設けた。
【０００８】
【作用】請求項１記載の発明においては、室温変動によ
る誤差成分を流速出力から随時自動的に除去することが
可能となる。
る誤差成分を流速出力から随時自動的に除去することが
可能となる。
【０００９】請求項２記載の発明においては、室温変動
による誤差成分を流速出力から除去することが可能であ
ると共に、発熱体の抵抗温度係数の長期使用中における
経時変化による変動成分を随時自動的に除去することが
可能となる。
による誤差成分を流速出力から除去することが可能であ
ると共に、発熱体の抵抗温度係数の長期使用中における
経時変化による変動成分を随時自動的に除去することが
可能となる。
【００１０】
【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１に基づ
いて説明する。基板１はＳｉからなっており、この基板
１面上に酸化処理法、スパッター真空成膜法を用いて熱
絶縁層である図示しないＳｉＯ2 膜を形成する。この熱
絶縁層としては、Ｓｉ3Ｎ4や、金属酸化物であるＴａ2
Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、さらには、ＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4膜と
を組み合わせた多層膜でもよい。この場合の膜厚として
は、０．５〜２μｍとする。次に、このような基板１の
表面をＫＯＨによる異方性エッチングを行うことによ
り、堀２を形成する。この堀２の深さとしては、測定す
る最少流速でできる熱境界層以上にする必要があり、こ
こでは１５０μｍ以上とした。次に、そのような異方性
エッチングを行うことにより堀２の上空を跨ぐように、
梁３を形成する。この梁３の面上には、この上部に形成
される膜との密着性を向上させるために、密着強度補強
層としてのＴａ2Ｏ5膜を形成する。なお、この密着強度
補強層としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＴｉＮ
を用いてもよい。次に、その梁３上に、発熱体（Ｒｈ）
４と、この発熱体４に隣接してその発熱体４の温度を計
測する発熱体測温抵抗体（Ｒｓ）５とを設ける。これら
発熱体４と発熱体測温抵抗体５の材料としては、比抵抗
の高い金属であるＰｔを用いるが、この他にＮｉ、Ｗ、
Ｔａを用いてもよい。なお、これらの材料に限定される
ものではなく、比抵抗特性に温度依存性をもつものであ
ればよい。次に、梁３と堀２の上流側に位置する基板１
上に、流体Ａの温度を計測する流体測温抵抗体（Ｒｆ）
６を設ける。この流体測温抵抗体６は、発熱体４から熱
的に隔離された基板１面上に設置されており、抵抗温度
係数の高いＰｔ等を用いる。このＰｔ層は臨界密度を十
分に下回るようにする条件と、抵抗値設定の条件とか
ら、５００〜５０００Åがよい。
いて説明する。基板１はＳｉからなっており、この基板
１面上に酸化処理法、スパッター真空成膜法を用いて熱
絶縁層である図示しないＳｉＯ2 膜を形成する。この熱
絶縁層としては、Ｓｉ3Ｎ4や、金属酸化物であるＴａ2
Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、さらには、ＳｉＯ2 膜とＳｉ3 Ｎ4膜と
を組み合わせた多層膜でもよい。この場合の膜厚として
は、０．５〜２μｍとする。次に、このような基板１の
表面をＫＯＨによる異方性エッチングを行うことによ
り、堀２を形成する。この堀２の深さとしては、測定す
る最少流速でできる熱境界層以上にする必要があり、こ
こでは１５０μｍ以上とした。次に、そのような異方性
エッチングを行うことにより堀２の上空を跨ぐように、
梁３を形成する。この梁３の面上には、この上部に形成
される膜との密着性を向上させるために、密着強度補強
層としてのＴａ2Ｏ5膜を形成する。なお、この密着強度
補強層としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、ＮｉＣｒ、ＴｉＮ
を用いてもよい。次に、その梁３上に、発熱体（Ｒｈ）
４と、この発熱体４に隣接してその発熱体４の温度を計
測する発熱体測温抵抗体（Ｒｓ）５とを設ける。これら
発熱体４と発熱体測温抵抗体５の材料としては、比抵抗
の高い金属であるＰｔを用いるが、この他にＮｉ、Ｗ、
Ｔａを用いてもよい。なお、これらの材料に限定される
ものではなく、比抵抗特性に温度依存性をもつものであ
ればよい。次に、梁３と堀２の上流側に位置する基板１
上に、流体Ａの温度を計測する流体測温抵抗体（Ｒｆ）
６を設ける。この流体測温抵抗体６は、発熱体４から熱
的に隔離された基板１面上に設置されており、抵抗温度
係数の高いＰｔ等を用いる。このＰｔ層は臨界密度を十
分に下回るようにする条件と、抵抗値設定の条件とか
ら、５００〜５０００Åがよい。
【００１１】次に、熱的に発熱体４から隔離されたヒー
トシンクとなるべき体積の大きい基板１の下流の縁部分
に、室温校正用抵抗体（Ｒｃ）７を配線する。この室温
校正用抵抗体７は、基板１上に流速出力信号の補正を行
う発熱体４と直列に接続されている。この室温校正用抵
抗体７の流体Ａの流れに対しての設置場所は特に限定し
ないが、熱容量を大きくとれる十分な体積をもった基板
１上に形成することが望ましい。次に、このようにして
形成された発熱体４と発熱体測温抵抗体５と流体測温抵
抗体６と室温校正用抵抗体７とを含む全面に渡ってその
上部にＴａ2Ｏ5層を介して保護層（ともに図示しない）
を積層する。このＴａ2Ｏ5層が保護層を兼ねてもよい。
トシンクとなるべき体積の大きい基板１の下流の縁部分
に、室温校正用抵抗体（Ｒｃ）７を配線する。この室温
校正用抵抗体７は、基板１上に流速出力信号の補正を行
う発熱体４と直列に接続されている。この室温校正用抵
抗体７の流体Ａの流れに対しての設置場所は特に限定し
ないが、熱容量を大きくとれる十分な体積をもった基板
１上に形成することが望ましい。次に、このようにして
形成された発熱体４と発熱体測温抵抗体５と流体測温抵
抗体６と室温校正用抵抗体７とを含む全面に渡ってその
上部にＴａ2Ｏ5層を介して保護層（ともに図示しない）
を積層する。このＴａ2Ｏ5層が保護層を兼ねてもよい。
【００１２】なお、上述したような構成において、密着
強度補強層であるＴａ2Ｏ5層は薄いほどよいが、ＳｉＯ
2 （Ｓｉ3Ｎ4でもよい）からなる保護層を形成する場合
は、Ｐｔとの整合性を確保するために１００〜７００Å
程度がよい。また、保護層は、測温抵抗体感度の向上の
ためには熱容量を減少させるという目的と、量産性を向
上させるという目的から薄い方がよいが、保護膜として
は厚い方が好ましく、このため８００〜５０００Åの範
囲に膜厚を抑えるようにするとよい。さらに、密着強度
補強層と各抵抗体層とは、蒸着法、ＥＢ蒸着法、スパッ
ター法等の真空成膜法により形成することができる。ま
た、形状切り出しは、リフトオフ法、Ａｒスパッターエ
ッチング法等により行うことができる。
強度補強層であるＴａ2Ｏ5層は薄いほどよいが、ＳｉＯ
2 （Ｓｉ3Ｎ4でもよい）からなる保護層を形成する場合
は、Ｐｔとの整合性を確保するために１００〜７００Å
程度がよい。また、保護層は、測温抵抗体感度の向上の
ためには熱容量を減少させるという目的と、量産性を向
上させるという目的から薄い方がよいが、保護膜として
は厚い方が好ましく、このため８００〜５０００Åの範
囲に膜厚を抑えるようにするとよい。さらに、密着強度
補強層と各抵抗体層とは、蒸着法、ＥＢ蒸着法、スパッ
ター法等の真空成膜法により形成することができる。ま
た、形状切り出しは、リフトオフ法、Ａｒスパッターエ
ッチング法等により行うことができる。
【００１３】また、上述したような基板構造とされた本
感熱式マイクロブリッジ型流速計は、以下のような各種
測定回路を備えている。すなわち、図２は、図１の基板
１上の各抵抗体の配線回路のみを取り出したものであ
る。基板外部には電流量の計測を行う電流計測用抵抗体
（Ｒｉ）８が設けられており、この電流計測用抵抗体８
は発熱体４及び室温校正用抵抗体７に直列接続されてい
る。また、発熱体４と流体測温抵抗体６との温度差を一
定にするために、電気ブリッジ回路としてのホイースト
ンブリッジ回路８が設けられている。このホイーストン
ブリッジ８は、発熱体測温抵抗体５と流体測温抵抗体６
とバランス調整用抵抗体１０ａ，１０ｂとを接続して構
成されている。
感熱式マイクロブリッジ型流速計は、以下のような各種
測定回路を備えている。すなわち、図２は、図１の基板
１上の各抵抗体の配線回路のみを取り出したものであ
る。基板外部には電流量の計測を行う電流計測用抵抗体
（Ｒｉ）８が設けられており、この電流計測用抵抗体８
は発熱体４及び室温校正用抵抗体７に直列接続されてい
る。また、発熱体４と流体測温抵抗体６との温度差を一
定にするために、電気ブリッジ回路としてのホイースト
ンブリッジ回路８が設けられている。このホイーストン
ブリッジ８は、発熱体測温抵抗体５と流体測温抵抗体６
とバランス調整用抵抗体１０ａ，１０ｂとを接続して構
成されている。
【００１４】さらに、図１に示すように、駆動補正回路
１１とＡ／Ｄ変換回路１２とからなる電気計測回路１３
が本流量計の基板１の回路と接続されている。この電気
計測回路１３は、発熱体４両端の電圧降下値Ｖｈと、発
熱体４及び室温校正用抵抗体７の両端の電圧降下値Ｖou
t と、室温校正用抵抗体７両端の電圧降下値Ｖｃと、電
流計測用抵抗体８両端の電圧降下値Ｖｉとの各電圧降下
値を随時計測し、デジタル信号に変換して出力する。ま
た、このような電気計測回路１３は、室温変化による誤
差の除去の演算処理を行う演算処理回路１４と接続され
ている。この演算処理回路１４には、デジタル信号を記
憶保持するデジタルメモリとしての不揮発性メモリ１５
が付設されている。
１１とＡ／Ｄ変換回路１２とからなる電気計測回路１３
が本流量計の基板１の回路と接続されている。この電気
計測回路１３は、発熱体４両端の電圧降下値Ｖｈと、発
熱体４及び室温校正用抵抗体７の両端の電圧降下値Ｖou
t と、室温校正用抵抗体７両端の電圧降下値Ｖｃと、電
流計測用抵抗体８両端の電圧降下値Ｖｉとの各電圧降下
値を随時計測し、デジタル信号に変換して出力する。ま
た、このような電気計測回路１３は、室温変化による誤
差の除去の演算処理を行う演算処理回路１４と接続され
ている。この演算処理回路１４には、デジタル信号を記
憶保持するデジタルメモリとしての不揮発性メモリ１５
が付設されている。
【００１５】このような構成において、以下、室温変動
成分を流速Ａの流速出力から除去する演算処理について
述べる。ただし、ここでは、発熱体４はＲｈ、発熱体測
温抵抗体５はＲｓ、流体測温抵抗体６はＲｆ、室温校正
用抵抗体７はＲｃ、電流計測用抵抗体８はＲｉとして説
明する。
成分を流速Ａの流速出力から除去する演算処理について
述べる。ただし、ここでは、発熱体４はＲｈ、発熱体測
温抵抗体５はＲｓ、流体測温抵抗体６はＲｆ、室温校正
用抵抗体７はＲｃ、電流計測用抵抗体８はＲｉとして説
明する。
【００１６】図２の回路において、予め校正温度点を設
定し、Ｔｏ（例えば、２０°Ｃ）とする。ＲｃとＲｈの
Ｔｏにおける校正抵抗値を計測しておき、その値をＲco
とＲhoとする。ＲｃとＲｈは同一抵抗材料からなるた
め、同じ抵抗温度係数（α）をもつ。センサ素子の電気
駆動回路に駆動電圧Ｖｄを印加すると、ＲｈとＲｃとＲ
ｉには電流ｉが流れる。そして、今、駆動時に室温Ｔｒ
が更正点ＴｏからΔＴｒだけ変動したとする。目標とす
る室温と梁３の温度との差をΔＴとすると、Ｒｈの温度
上昇ΔＴｈは、 ΔＴｈ＝ΔＴ＋ΔＴｒ …（１） となる。この場合、（１）式におけるΔＴのみによるＲ
ｈの出力を室温の変動ΔＴｒの大きさにかかかわらず計
測することが本実施例における目的である。そこで、Ｒ
ｈとＲｃとの両端の電圧降下値Ｖout と、Ｒｃのみの電
圧降下値Ｖｃとを計測する。さらに、ＲｈとＲｃを流れ
る電流値を監視する目的で温度係数の非常に小さいＲｉ
を直列に接続し、この電圧降下値Ｖｉを計測し電流値ｉ
を算出しておく。通電している時、Ｒｈは（１）式に示
したようにΔＴｈの温度上昇をし、そのＲｈの値は、 Ｒｈ＝Ｒho（１＋α・ΔＴｈ） …（２） となる。また、Ｒｃは、発熱部から熱的に隔離されてい
るため、校正点からの室温変化であるΔＴｒのみの温度
上昇をし、そのＲｃの値は、 Ｒｃ＝Ｒco（１＋α・ΔＴｒ） …（３） となる。ここで、ＲhoとＲcoとは、校正温度Ｔｃにおけ
る抵抗値であり、予め計測してあり定数である。αはＲ
ｈとＲｃの温度係数である。この場合、ＲｃをＲｈに直
列に接続するため、Ｒｃの配置される基板１における発
熱が生じ問題になりそうであるが、しかし、Ｓｉからな
る基板１は熱伝導率が非常に高いため、この発熱に対し
てヒートシンクとして働き、実際には基板１は非常に小
さい温度の上昇しかない。さらに、計測は熱的定常状態
になった時点で行うため、Ｒｃ自己発熱による基板温度
の上昇はいわゆるΔＴｒに含まれるので何ら問題はな
い。
定し、Ｔｏ（例えば、２０°Ｃ）とする。ＲｃとＲｈの
Ｔｏにおける校正抵抗値を計測しておき、その値をＲco
とＲhoとする。ＲｃとＲｈは同一抵抗材料からなるた
め、同じ抵抗温度係数（α）をもつ。センサ素子の電気
駆動回路に駆動電圧Ｖｄを印加すると、ＲｈとＲｃとＲ
ｉには電流ｉが流れる。そして、今、駆動時に室温Ｔｒ
が更正点ＴｏからΔＴｒだけ変動したとする。目標とす
る室温と梁３の温度との差をΔＴとすると、Ｒｈの温度
上昇ΔＴｈは、 ΔＴｈ＝ΔＴ＋ΔＴｒ …（１） となる。この場合、（１）式におけるΔＴのみによるＲ
ｈの出力を室温の変動ΔＴｒの大きさにかかかわらず計
測することが本実施例における目的である。そこで、Ｒ
ｈとＲｃとの両端の電圧降下値Ｖout と、Ｒｃのみの電
圧降下値Ｖｃとを計測する。さらに、ＲｈとＲｃを流れ
る電流値を監視する目的で温度係数の非常に小さいＲｉ
を直列に接続し、この電圧降下値Ｖｉを計測し電流値ｉ
を算出しておく。通電している時、Ｒｈは（１）式に示
したようにΔＴｈの温度上昇をし、そのＲｈの値は、 Ｒｈ＝Ｒho（１＋α・ΔＴｈ） …（２） となる。また、Ｒｃは、発熱部から熱的に隔離されてい
るため、校正点からの室温変化であるΔＴｒのみの温度
上昇をし、そのＲｃの値は、 Ｒｃ＝Ｒco（１＋α・ΔＴｒ） …（３） となる。ここで、ＲhoとＲcoとは、校正温度Ｔｃにおけ
る抵抗値であり、予め計測してあり定数である。αはＲ
ｈとＲｃの温度係数である。この場合、ＲｃをＲｈに直
列に接続するため、Ｒｃの配置される基板１における発
熱が生じ問題になりそうであるが、しかし、Ｓｉからな
る基板１は熱伝導率が非常に高いため、この発熱に対し
てヒートシンクとして働き、実際には基板１は非常に小
さい温度の上昇しかない。さらに、計測は熱的定常状態
になった時点で行うため、Ｒｃ自己発熱による基板温度
の上昇はいわゆるΔＴｒに含まれるので何ら問題はな
い。
【００１７】一方、各抵抗体の電圧降下値は、 Ｖｈ＝ｉ・Ｒｈ …（４） Ｖｃ＝ｉ・Ｒｃ …（５） のようになる。（１）式から室温変動分を取り除いた温
度上昇は、 ΔＴ＝ΔＴｈ−ΔＴｒ …（６） となる。変動成分を取り除いたＲｈの真の電圧降下値Ｖ
trueである出力信号は、 Ｖtrue＝ｉ・｛Ｒho（１＋α・ΔＴ）｝ …（７） となる。（２）〜（５）式から各々の抵抗体における温
度変化は、 ΔＴｈ＝（１／α）｛Ｖｈ／（ｉ・Ｒho）−１｝ …（８） ΔＴｒ＝（１／α）｛Ｖｃ／（ｉ・Ｒco）−１｝ …（９） となり、（６）、（８）、（９）式を（７）式に代入す
ることによって、室温変動成分が除去された出力信号
は、 Ｖtrue＝Ｖｈ＋ｉ・Ｒho−Ｖｃ・Ｒho／Ｒco …（１０） と表わすことができる。
度上昇は、 ΔＴ＝ΔＴｈ−ΔＴｒ …（６） となる。変動成分を取り除いたＲｈの真の電圧降下値Ｖ
trueである出力信号は、 Ｖtrue＝ｉ・｛Ｒho（１＋α・ΔＴ）｝ …（７） となる。（２）〜（５）式から各々の抵抗体における温
度変化は、 ΔＴｈ＝（１／α）｛Ｖｈ／（ｉ・Ｒho）−１｝ …（８） ΔＴｒ＝（１／α）｛Ｖｃ／（ｉ・Ｒco）−１｝ …（９） となり、（６）、（８）、（９）式を（７）式に代入す
ることによって、室温変動成分が除去された出力信号
は、 Ｖtrue＝Ｖｈ＋ｉ・Ｒho−Ｖｃ・Ｒho／Ｒco …（１０） と表わすことができる。
【００１８】本実施例においては、予め、（１０）式の
ＲhoとＲcoとを計測しておき、その値を不揮発性メモリ
１５に保持しておく。そして、Ｖｈ（若しくは、Ｖou
t)、Ｖｃ、Ｖｉの３つの電圧値降下値を駆動補正回路１
１にて随時検出を行っていく。次に、このようにして検
出されたアナログ電圧降下値をＡ／Ｄ変換回路１２を用
いてＡ／Ｄ変換をしてデジタル値に変換した後、演算処
理回路１４において（１０）式に基づいたデジタル演算
処理を行う。この演算処理の際に、校正した同信号強度
を予め不揮発性メモリ１５に保持してある補間関数若し
くは補間参照データ表を用いて流速値に変換する。
ＲhoとＲcoとを計測しておき、その値を不揮発性メモリ
１５に保持しておく。そして、Ｖｈ（若しくは、Ｖou
t)、Ｖｃ、Ｖｉの３つの電圧値降下値を駆動補正回路１
１にて随時検出を行っていく。次に、このようにして検
出されたアナログ電圧降下値をＡ／Ｄ変換回路１２を用
いてＡ／Ｄ変換をしてデジタル値に変換した後、演算処
理回路１４において（１０）式に基づいたデジタル演算
処理を行う。この演算処理の際に、校正した同信号強度
を予め不揮発性メモリ１５に保持してある補間関数若し
くは補間参照データ表を用いて流速値に変換する。
【００１９】従って、このような一連の処理を行うこと
によって、室温変動の影響を取り除いた正確な流速を検
出することができる。このように本実施例では、室温変
動による誤差を随時自動的に除去することができるた
め、流速の検出を高い精度で行うことができる。また、
図１のような基板構造では従来の基板構造に比べて２つ
の抵抗体Ｒｃ，Ｒｉが増加する結果となるが、Ｒｃは素
子が配設される基板１に同一の抵抗体パターンで作れ、
Ｒｉは外付け用部品として１個だけ増えるだけであり、
全体的な電気回路の構成としては複雑化しないため、生
産性に何ら影響を及ぼすようなことはない。
によって、室温変動の影響を取り除いた正確な流速を検
出することができる。このように本実施例では、室温変
動による誤差を随時自動的に除去することができるた
め、流速の検出を高い精度で行うことができる。また、
図１のような基板構造では従来の基板構造に比べて２つ
の抵抗体Ｒｃ，Ｒｉが増加する結果となるが、Ｒｃは素
子が配設される基板１に同一の抵抗体パターンで作れ、
Ｒｉは外付け用部品として１個だけ増えるだけであり、
全体的な電気回路の構成としては複雑化しないため、生
産性に何ら影響を及ぼすようなことはない。
【００２０】次に、請求項２記載の発明の一実施例につ
いて説明する。なお、請求項１記載の発明と同一部分に
ついての説明は省略し、その同一部分については同一符
号を用いる。
いて説明する。なお、請求項１記載の発明と同一部分に
ついての説明は省略し、その同一部分については同一符
号を用いる。
【００２１】本実施例では、図１の電気計測回路１３及
び演算処理回路１４の内部構成を替えたものである。す
なわち、電気計測回路１３は、発熱体（Ｒｈ）４の両端
の電圧降下値Ｖｈと、室温校正用抵抗体（Ｒｃ）７の両
端の電圧降下値Ｖｃと、電流計測用抵抗体（Ｒｉ）８の
両端の電圧降下値Ｖｉとの各電圧降下値を随時計測しデ
ジタル信号として出力するようにしたものである。ま
た、演算処理回路１４は、室温変化ΔＴｒによる誤差の
除去のみならず、長期使用からくる熱的疲労による抵抗
体の温度係数の変化による誤差の除去をも演算処理する
ようにしたものである。
び演算処理回路１４の内部構成を替えたものである。す
なわち、電気計測回路１３は、発熱体（Ｒｈ）４の両端
の電圧降下値Ｖｈと、室温校正用抵抗体（Ｒｃ）７の両
端の電圧降下値Ｖｃと、電流計測用抵抗体（Ｒｉ）８の
両端の電圧降下値Ｖｉとの各電圧降下値を随時計測しデ
ジタル信号として出力するようにしたものである。ま
た、演算処理回路１４は、室温変化ΔＴｒによる誤差の
除去のみならず、長期使用からくる熱的疲労による抵抗
体の温度係数の変化による誤差の除去をも演算処理する
ようにしたものである。
【００２２】このような構成において、以下、室温変動
成分と発熱体抵抗温度係数の経時変化による変動成分を
共に流速出力から除去する演算処理について述べる。長
期間のおける流速計の使用においては、Ｒｈは熱的な疲
労劣化をおこし、抵抗温度係数αにゆるやかな変化をも
たらす。そこで、今、流速計としての使用の前に素子を
十分にエージング処理を行う、これにより安定化した時
の抵抗温度係数をα0とし、不揮発性メモリ１５に保持
しておく。実際の使用においては、抵抗温度係数はほぼ
線形に変動するため、 α＝β・α0≒（１＋ｘ）α0 …（１１） に近似する。
成分と発熱体抵抗温度係数の経時変化による変動成分を
共に流速出力から除去する演算処理について述べる。長
期間のおける流速計の使用においては、Ｒｈは熱的な疲
労劣化をおこし、抵抗温度係数αにゆるやかな変化をも
たらす。そこで、今、流速計としての使用の前に素子を
十分にエージング処理を行う、これにより安定化した時
の抵抗温度係数をα0とし、不揮発性メモリ１５に保持
しておく。実際の使用においては、抵抗温度係数はほぼ
線形に変動するため、 α＝β・α0≒（１＋ｘ）α0 …（１１） に近似する。
【００２３】ここで、高温に熱せられるＲｈは疲労を受
けやすく、ヒートシンクに形成されたＲｃは疲労を受け
にくいことに注目する。このことから、（２）式のＲｈ
は、 Ｒｈ＝Ｒho（１＋β・α0・ΔＴｈ） …（１２） となるが、（３）式のＲｃは影響を受けない。これと同
様に、（７）式も、 Ｖtrue＝ｉ・Ｒho（１＋β・α0・ΔＴｈ） …（１３） となり、これにより求めたい室温変動成分を除去した流
速出力は、 Ｖtrue＝Ｖｈ＋β・ｉ・Ｒho−β・Ｖｃ・Ｒho／Ｒco …（１４） となる。
けやすく、ヒートシンクに形成されたＲｃは疲労を受け
にくいことに注目する。このことから、（２）式のＲｈ
は、 Ｒｈ＝Ｒho（１＋β・α0・ΔＴｈ） …（１２） となるが、（３）式のＲｃは影響を受けない。これと同
様に、（７）式も、 Ｖtrue＝ｉ・Ｒho（１＋β・α0・ΔＴｈ） …（１３） となり、これにより求めたい室温変動成分を除去した流
速出力は、 Ｖtrue＝Ｖｈ＋β・ｉ・Ｒho−β・Ｖｃ・Ｒho／Ｒco …（１４） となる。
【００２４】次に、βの値を求める。Ｖｈ、Ｖｃは、 Ｖｈ＝ｉ・Ｒho（１＋β・α0・ΔＴｈ） …（１５） Ｖｃ＝ｉ・Ｒco（１＋β・α0・ΔＴｈ） …（１６） であるため、ここで整理しなおすと、 β・α0・ΔＴｈ＝Ｖｈ／（ｉ・Ｒho）−１ …（１７） α0・ΔＴｒ＝Ｖｃ／（ｉ・Ｒco）−１ …（１８） となる。そして、（１７）と（１８）との差をとると、 α0（β・ΔＴｈ−ΔＴｒ）＝Ｖｈ／（ｉ・Ｒho）−Ｖｃ／（ｉ・Ｒco） …（１９） となる。
【００２５】ここで、β≒（１＋ｘ）であるため、ｘを
求めることにより流速出力の（１４）式を解くことがで
きる。そして、（１９）式をｘについて展開すると、
求めることにより流速出力の（１４）式を解くことがで
きる。そして、（１９）式をｘについて展開すると、
【００２６】
【数１】
【００２７】の式を得ることができる。この場合、計測
値であるＶｃの値は判明しているため、ΔＴｒの値は
（９）式から算出することができる。また、（２０）式
内の係数は、予め計っておいた定数か、随時計測された
値か、随時演算処理から得られる値であるため、抵抗温
度係数の変動成分であるｘは随時求めることができる。
このｘの値を（１４）式のβに代入することによって、
抵抗温度係数の経時変化による誤差を取り除くと共に、
室温の変動成分ΔＴｒを取り除いた流速計測を行うこと
ができる。
値であるＶｃの値は判明しているため、ΔＴｒの値は
（９）式から算出することができる。また、（２０）式
内の係数は、予め計っておいた定数か、随時計測された
値か、随時演算処理から得られる値であるため、抵抗温
度係数の変動成分であるｘは随時求めることができる。
このｘの値を（１４）式のβに代入することによって、
抵抗温度係数の経時変化による誤差を取り除くと共に、
室温の変動成分ΔＴｒを取り除いた流速計測を行うこと
ができる。
【００２８】従って、本実施例では、室温変動による誤
差成分ΔＴｒを流速出力から除去することができると共
に、Ｒｈの抵抗温度係数の長期使用中における経時変化
による変動成分ｘを随時自動的に除去することができ、
これにより、流速検出を高い精度で長期間行うことがで
きる。
差成分ΔＴｒを流速出力から除去することができると共
に、Ｒｈの抵抗温度係数の長期使用中における経時変化
による変動成分ｘを随時自動的に除去することができ、
これにより、流速検出を高い精度で長期間行うことがで
きる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、基板をエッチン
グすることにより堀を形成し、この堀の上空を跨ぐよう
に梁を形成し、この梁上に発熱体とこの発熱体の温度を
計測する発熱体測温抵抗体とを設け、前記基板上に流体
の温度を計測する流体測温抵抗体が設けられた感熱式マ
イクロブリッジ型流量計において、前記基板上に流速出
力信号の補正を行う前記発熱体と直列に接続された室温
校正用抵抗体を設け、基板外部に電流量の計測を行う前
記発熱体及び前記室温校正用抵抗体に直列接続された電
流計測用抵抗体を設け、前記発熱体と前記流体測温抵抗
体との温度差を一定にするために前記発熱体測温抵抗体
と前記流体測温抵抗体とバランス調整用抵抗体とが接続
された電気ブリッジ回路を設け、前記発熱体両端の電圧
降下値と前記発熱体及び前記室温校正用抵抗体の両端の
電圧降下値と前記室温校正用抵抗体両端の電圧降下値と
前記電流計測用抵抗体両端の電圧降下値との各電圧降下
値を随時計測しデジタル信号として出力する電気計測回
路を設け、前記デジタル信号を記憶保持するデジタルメ
モリを設け、室温変化による誤差の除去の演算処理を行
う演算処理回路を設けたので、室温変動による誤差成分
を流速出力から随時自動的に除去することができ、これ
により高い精度で流速検出を行うことができるものであ
る。
グすることにより堀を形成し、この堀の上空を跨ぐよう
に梁を形成し、この梁上に発熱体とこの発熱体の温度を
計測する発熱体測温抵抗体とを設け、前記基板上に流体
の温度を計測する流体測温抵抗体が設けられた感熱式マ
イクロブリッジ型流量計において、前記基板上に流速出
力信号の補正を行う前記発熱体と直列に接続された室温
校正用抵抗体を設け、基板外部に電流量の計測を行う前
記発熱体及び前記室温校正用抵抗体に直列接続された電
流計測用抵抗体を設け、前記発熱体と前記流体測温抵抗
体との温度差を一定にするために前記発熱体測温抵抗体
と前記流体測温抵抗体とバランス調整用抵抗体とが接続
された電気ブリッジ回路を設け、前記発熱体両端の電圧
降下値と前記発熱体及び前記室温校正用抵抗体の両端の
電圧降下値と前記室温校正用抵抗体両端の電圧降下値と
前記電流計測用抵抗体両端の電圧降下値との各電圧降下
値を随時計測しデジタル信号として出力する電気計測回
路を設け、前記デジタル信号を記憶保持するデジタルメ
モリを設け、室温変化による誤差の除去の演算処理を行
う演算処理回路を設けたので、室温変動による誤差成分
を流速出力から随時自動的に除去することができ、これ
により高い精度で流速検出を行うことができるものであ
る。
【００３０】請求項２記載の発明は、基板をエッチング
することにより堀を形成し、この堀の上空を跨ぐように
梁を形成し、この梁上に発熱体とこの発熱体の温度を計
測する発熱体測温抵抗体とを設け、前記基板上に流体の
温度を計測する流体測温抵抗体が設けられた感熱式マイ
クロブリッジ型流量計において、前記基板上に流速出力
信号の補正を行う前記発熱体と直列に接続された室温校
正用抵抗体を設け、基板外部に電流量の計測を行う前記
発熱体及び前記室温校正用抵抗体に直列接続された電流
計測用抵抗体を設け、前記発熱体と前記流体測温抵抗体
との温度差を一定にするために前記発熱体測温抵抗体と
前記流体測温抵抗体とバランス調整用抵抗体とが接続さ
れた電気ブリッジ回路を設け、前記発熱体両端の電圧降
下値と前記室温校正用抵抗体両端の電圧降下値と前記電
流計測用抵抗体両端の電圧降下値との各電圧降下値を随
時計測しデジタル信号として出力する電気計測回路を設
け、前記デジタル信号を記憶保持するデジタルメモリを
設け、室温変化による誤差と長期使用からくる熱的疲労
による抵抗体の温度係数の変化による誤差の除去の演算
処理を行う演算処理回路を設けたので、室温変動による
誤差成分を流速出力から除去することができると共に、
発熱体の抵抗温度係数の長期使用中における経時変化に
よる変動成分を随時自動的に除去することができ、これ
により、一段と高い精度で流速検出を長期間行うことが
できるものである。
することにより堀を形成し、この堀の上空を跨ぐように
梁を形成し、この梁上に発熱体とこの発熱体の温度を計
測する発熱体測温抵抗体とを設け、前記基板上に流体の
温度を計測する流体測温抵抗体が設けられた感熱式マイ
クロブリッジ型流量計において、前記基板上に流速出力
信号の補正を行う前記発熱体と直列に接続された室温校
正用抵抗体を設け、基板外部に電流量の計測を行う前記
発熱体及び前記室温校正用抵抗体に直列接続された電流
計測用抵抗体を設け、前記発熱体と前記流体測温抵抗体
との温度差を一定にするために前記発熱体測温抵抗体と
前記流体測温抵抗体とバランス調整用抵抗体とが接続さ
れた電気ブリッジ回路を設け、前記発熱体両端の電圧降
下値と前記室温校正用抵抗体両端の電圧降下値と前記電
流計測用抵抗体両端の電圧降下値との各電圧降下値を随
時計測しデジタル信号として出力する電気計測回路を設
け、前記デジタル信号を記憶保持するデジタルメモリを
設け、室温変化による誤差と長期使用からくる熱的疲労
による抵抗体の温度係数の変化による誤差の除去の演算
処理を行う演算処理回路を設けたので、室温変動による
誤差成分を流速出力から除去することができると共に、
発熱体の抵抗温度係数の長期使用中における経時変化に
よる変動成分を随時自動的に除去することができ、これ
により、一段と高い精度で流速検出を長期間行うことが
できるものである。
【図１】本発明の一実施例である感熱式マイクロブリッ
ジ型流量計を示す構成図である。
ジ型流量計を示す構成図である。
【図２】各種抵抗体を接続してなる電気回路構成を示す
回路図である。
回路図である。
１ 基板 ２ 堀 ３ 梁 ４ 発熱体 ５ 発熱体測温抵抗体 ６ 流体測温抵抗体 ７ 室温校正用抵抗体 ８ 電流計測用抵抗体 ９ 電気ブリッジ回路 １０ａ，１０ｂ バランス調整用抵抗体 １３ 電気計測回路 １４ 演算処理回路 １５ デジタルメモリ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板をエッチングすることにより堀を形
成し、この堀の上空を跨ぐように梁を形成し、この梁上
に発熱体とこの発熱体の温度を計測する発熱体測温抵抗
体とを設け、前記基板上に流体の温度を計測する流体測
温抵抗体が設けられた感熱式マイクロブリッジ型流量計
において、前記基板上に流速出力信号の補正を行う前記
発熱体と直列に接続された室温校正用抵抗体を設け、基
板外部に電流量の計測を行う前記発熱体及び前記室温校
正用抵抗体に直列接続された電流計測用抵抗体を設け、
前記発熱体と前記流体測温抵抗体との温度差を一定にす
るために前記発熱体測温抵抗体と前記流体測温抵抗体と
バランス調整用抵抗体とが接続された電気ブリッジ回路
を設け、前記発熱体両端の電圧降下値と前記発熱体及び
前記室温校正用抵抗体の両端の電圧降下値と前記室温校
正用抵抗体両端の電圧降下値と前記電流計測用抵抗体両
端の電圧降下値との各電圧降下値を随時計測しデジタル
信号として出力する電気計測回路を設け、前記デジタル
信号を記憶保持するデジタルメモリを設け、室温変化に
よる誤差の除去の演算処理を行う演算処理回路を設けた
ことを特徴とする感熱式マイクロブリッジ型流量計。 - 【請求項２】 基板をエッチングすることにより堀を形
成し、この堀の上空を跨ぐように梁を形成し、この梁上
に発熱体とこの発熱体の温度を計測する発熱体測温抵抗
体とを設け、前記基板上に流体の温度を計測する流体測
温抵抗体が設けられた感熱式マイクロブリッジ型流量計
において、前記基板上に流速出力信号の補正を行う前記
発熱体と直列に接続された室温校正用抵抗体を設け、基
板外部に電流量の計測を行う前記発熱体及び前記室温校
正用抵抗体に直列接続された電流計測用抵抗体を設け、
前記発熱体と前記流体測温抵抗体との温度差を一定にす
るために前記発熱体測温抵抗体と前記流体測温抵抗体と
バランス調整用抵抗体とが接続された電気ブリッジ回路
を設け、前記発熱体両端の電圧降下値と前記室温校正用
抵抗体両端の電圧降下値と前記電流計測用抵抗体両端の
電圧降下値との各電圧降下値を随時計測しデジタル信号
として出力する電気計測回路を設け、前記デジタル信号
を記憶保持するデジタルメモリを設け、室温変化による
誤差と長期使用からくる熱的疲労による抵抗体の温度係
数の変化による誤差の除去の演算処理を行う演算処理回
路を設けたことを特徴とする感熱式マイクロブリッジ型
流量計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10804193A JP3238984B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 感熱式マイクロブリッジ型流量計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10804193A JP3238984B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 感熱式マイクロブリッジ型流量計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317440A true JPH06317440A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3238984B2 JP3238984B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=14474448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10804193A Expired - Fee Related JP3238984B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 感熱式マイクロブリッジ型流量計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3238984B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1762851A2 (en) | 2005-09-07 | 2007-03-14 | Hitachi, Ltd. | Flow sensor with metal film resistor |
| JP2011508974A (ja) * | 2007-12-28 | 2011-03-17 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハキャリア駆動装置およびそれを動作させるための方法 |
| CN114288503A (zh) * | 2017-09-13 | 2022-04-08 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 呼吸机 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP10804193A patent/JP3238984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1762851A2 (en) | 2005-09-07 | 2007-03-14 | Hitachi, Ltd. | Flow sensor with metal film resistor |
| US7404320B2 (en) | 2005-09-07 | 2008-07-29 | Hitachi, Ltd. | Flow sensor using a heat element and a resistance temperature detector formed of a metal film |
| EP2293084A1 (en) | 2005-09-07 | 2011-03-09 | Hitachi, Ltd. | Flow sensor with metal film resistor |
| USRE43660E1 (en) | 2005-09-07 | 2012-09-18 | Hitachi, Ltd. | Flow sensor using a heat element and a resistance temperature detector formed of a metal film |
| JP2011508974A (ja) * | 2007-12-28 | 2011-03-17 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハキャリア駆動装置およびそれを動作させるための方法 |
| CN114288503A (zh) * | 2017-09-13 | 2022-04-08 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 呼吸机 |
| CN114288503B (zh) * | 2017-09-13 | 2023-12-15 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 呼吸机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3238984B2 (ja) | 2001-12-17 |
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