JPH06311756A - インバータ装置 - Google Patents

インバータ装置

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JPH06311756A
JPH06311756A JP5098197A JP9819793A JPH06311756A JP H06311756 A JPH06311756 A JP H06311756A JP 5098197 A JP5098197 A JP 5098197A JP 9819793 A JP9819793 A JP 9819793A JP H06311756 A JPH06311756 A JP H06311756A
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switching
circuit
inductor
switching element
energy
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Takashi Kanbara
隆 神原
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】負荷短絡時のように、負荷回路への出力電圧が
電源電圧と比べて小さい場合でも容易に電力制御を行う
ことができ、しかも回路構成が容易で、小型化に適する
インバータ装置を提供する。 【構成】直流電源Vsからの電流を高周波的にオン・オ
フさせるスイッチング回路Saと、スイッチング回路S
aが導通状態であるときに直流電源Vsから流れる電流
によりエネルギーを蓄積されるインダクタンス要素Ln
と、インダクタンス要素Lnに蓄積されたエネルギーを
スイッチング回路Saが非導通状態であるときに放出さ
れる負荷回路Zと、前記負荷回路Zに放出される電流の
極性をスイッチング回路Saに比べて十分に低い周波数
で交互に反転させるためのスイッチング回路Sbとを備
える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、直流入力電源を任意の
低周波電圧に変換して負荷回路を駆動するインバータ装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図22は従来のインバータ装置の回路図
である。Vsは直流電源であり、例えば、12Vの車載
用のバッテリよりなる。CHPは昇圧チョッパーであ
り、昇圧用のインダクタL0 ,L1 とスイッチング素子
Q、逆流阻止用のダイオードD0及び平滑用のコンデン
サC0 よりなり、低圧の直流電源Vsを昇圧して、例え
ば、300V程度の電圧Vcを作成している。スイッチ
ング素子Qがオンのときに、インダクタL0 にエネルギ
ーを蓄積し、スイッチング素子Qがオフのときに、その
エネルギーを直流電源Vsに重畳して、昇圧された電圧
VcをコンデンサC 0 に供給する。INVは降圧チョッ
パー兼用の矩形波インバータであり、スイッチング素子
1 ,Q2 ,Q3 ,Q4 と、ダイオードD1 ,D2 ,D
3 ,D4 、限流用インダクタL2 、負荷回路Zよりな
り、スイッチング素子Q1 ,Q2 ,Q3,Q4 のスイッ
チング周波数及びデューティを制御することにより、負
荷回路Zへの供給電力を制御している。負荷回路Zは、
放電灯LPと、ローパスフィルタ用のインダクタL及び
コンデンサCよりなり、インバータINVから負荷回路
Zへ流れる電流は、略三角波状の高周波リップルを含む
ので、この高周波リップルをインダクタLとコンデンサ
Cで構成されるローパスフィルタにより減少させて、放
電灯Zに矩形波電力を供給するものである。放電灯LP
は高圧放電灯よりなり、例えば、自動車の前照灯に用い
られるものである。
【0003】図23はインバータINVの動作波形図で
ある。スイッチング素子Q1 ,Q3は高周波動作(数1
0〜数100KHz)、スイッチング素子Q2 ,Q4
低周波動作(数10〜数100Hz)を行う。スイッチ
ング素子Q1 ,Q4 が同時にオンのとき、コンデンサC
0 からスイッチング素子Q1 、インダクタL2 、負荷回
路Z、スイッチング素子Q4 、コンデンサC0 の経路で
電流が流れ、負荷回路Zに電力を供給する。このとき、
インダクタL2 にはエネルギーが蓄えられる。次に、ス
イッチング素子Q1 がオフ、スイッチング素子Q4 がオ
ンのときに、インダクタL2 のエネルギーが転流して電
源となり、インダクタL2 、負荷回路Z、スイッチング
素子Q4 、ダイオードD2 、インダクタL2 の経路で放
出される。負荷回路Zへの電力供給は、スイッチング素
子Q1 のスイッチング周波数やデューティを可変とする
ことにより制御される。次に、極性反転を行う場合は、
図23に示すように、まず、スイッチング素子Q2 ,Q
3 を同時オンして、次に、スイッチング素子Q3 のみを
オフして、ダイオードD1 をオンさせることにより、降
圧チョッパー動作をさせる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来例にあっては、回路構成が複雑で、部品点数
が多いため、インバータ装置全体の形状が大きくなる傾
向があり、搭載スペースが限られる用途(例えば、自動
車や飛行機等のような移動体)においては、設置場所を
確保するのが難しいという欠点があった。
【0005】そこで、図24に示すように、昇圧チョッ
パー回路とインバータ回路とでスイッチング素子Q1
2 ,Q3 ,Q4 を共有化した方式(例えば、特願平3
−343224号)が提案されている。図25はその動
作波形図であり、(a)はスイッチング素子Q1
(b)はスイッチング素子Q3 、(c)はスイッチング
素子Q2 、(d)はスイッチング素子Q4 の動作を示し
ている。この方式では、負荷のインピーダンス変動に対
して十分な電力制御が効かない場合があった。具体的に
例を挙げると、図24において、負荷Zのインピーダン
スが低く、負荷Zの両端電圧が直流電源Vsの電圧より
も低い場合には、インダクタL2 に流れる電流がゼロに
はならない。したがって、極性反転が困難になる、電力
の制御が困難になる等の問題があった。
【0006】本発明は上述のような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、例えば、負荷短
絡時のように、負荷回路への出力電圧が電源電圧と比べ
て小さい場合でも容易に電力制御を行うことができ、し
かも回路構成が容易で、小型化に適するインバータ装置
を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のインバータ装置
にあっては、上記の課題を解決するために、図1に示す
ように、直流電源Vsからの電流を高周波的にオン・オ
フさせる第1のスイッチング回路Saと、第1のスイッ
チング回路Saが導通状態であるときに直流電源Vsか
ら第1のスイッチング回路Saを介して流れる電流によ
りエネルギーを蓄積されるインダクタンス要素Lnと、
インダクタンス要素Lnに蓄積されたエネルギーを第1
のスイッチング回路Saが非導通状態であるときに放出
される負荷回路Zと、前記インダクタンス要素Lnから
負荷回路Zに放出される電流の極性を第1のスイッチン
グ回路Saのスイッチング周波数に比べて十分に低い周
波数で交互に反転させるための第2のスイッチング回路
Sbとを備えることを特徴とするものである。ここで、
インダクタンス要素Lnとしては、コイル、トランス、
オートトランス等のインダクタンス成分を任意に用いる
ことができる。
【0008】
【作用】図1の回路では、第1のスイッチング回路Sa
が導通状態であるとき、直流電源Vs、第1のスイッチ
ング回路Sa、インダクタンス要素Ln、直流電源Vs
の閉回路を形成し、直流電源Vsからインダクタンス要
素Lnに電流が流れ、インダクタンス要素Lnにその電
流値に応じたエネルギーが蓄積される。第1のスイッチ
ング回路Saが非導通状態になると、インダクタンス要
素Ln、第2のスイッチング回路Sb、負荷回路Z、イ
ンダクタンス要素Lnの閉回路を形成し、インダクタン
ス要素Lnに蓄えられたエネルギーは、インダクタンス
要素Ln、第1のスイッチング回路Sb、負荷回路Z、
インダクタンス要素Lnの経路で負荷回路Zに放出され
る。第1のスイッチング回路Saは上記の動作を高周波
で行い、第2のスイッチング回路Sbは第1のスイッチ
ング回路Saと非同期で低周波でオン・オフ動作を行
う。第2のスイッチング回路Sbのオン・オフ動作によ
り、負荷回路Zへ供給される電力の極性が交番し、負荷
回路Zには略矩形波状の低周波電力が供給される。ま
た、負荷回路ZにコンデンサCを設けることにより、高
周波リップルの低減を図ることもできる。
【0009】
【実施例】図2は本発明の一実施例の回路図である。以
下、その回路構成について説明する。トランスTの1次
巻線L1 ,L2 の一端は図示された極性で接続されてお
り、トランスTのセンタータップとして、直流電源Vs
の正極に接続されている。また、トランスTの1次巻線
1 ,L2 の他端は、それぞれトランジスタQ1 ,Q2
のコレクタに接続されている。トランジスタQ1 ,Q2
のエミッタは、直流電源Vsの負極に接続されている。
トランスTの2次巻線L3 の一端は、トランジスタQ3
のコレクタに接続されると共にトランジスタQ4 のエミ
ッタに接続されている。トランジスタQ3 のエミッタと
トランジスタQ4 のコレクタは、負荷回路Zを介してト
ランスTの2次巻線L3 の他端に接続されている。負荷
回路Zは、放電灯LPとインダクタLの直列回路にコン
デンサCを並列接続して成るものである。
【0010】図3は本実施例の動作波形図であり、トラ
ンジスタQ3 ,Q4 は低周波(数Hz〜数百Hz)で交
互にオン・オフする。トランジスタQ1 はトランジスタ
3がオンしている区間で、トランジスタQ2 はトラン
ジスタQ4 がオンしている区間で、それぞれ高周波(数
kHz〜数百kHz)でオン・オフする。このトランジ
スタQ1 ,Q2 のスイッチング動作により、フライバッ
クの動作を行い、負荷回路Zに電力を供給する。また、
トランジスタQ1 ,Q3 とトランジスタQ2 ,Q4 のス
イッチング動作の切り換えにより、負荷回路Zに供給す
る電力の極性を切り換える。
【0011】例えば、図3のt1 〜t2 の区間におい
て、トランジスタQ1 ,Q3 がオンのとき、直流電源V
sから電流は、1次巻線L1 、トランジスタQ1 、直流
電源Vsの経路で流れ、1次巻線L1 にはトランジスタ
1 がオフする直前のピーク電流値に応じたエネルギー
が蓄えられる。次に、トランジスタQ1 がオフすると、
1次巻線L1 に蓄えられたエネルギーは、それと磁気結
合している2次巻線L3に移り、2次巻線L3 から、ト
ランジスタQ3 、負荷回路Z、2次巻線L3 の経路で電
流が流れる。このとき、負荷回路Zにおけるコンデンサ
Cの電圧Vcが正となる極性で充電される。負荷回路Z
に対する極性反転は、トランジスタQ4 をオンし、コン
デンサCに蓄えられたエネルギーをコンデンサC、トラ
ンジスタQ 4 、2次巻線L3 、コンデンサCの経路で電
流として流して、電圧Vcの極性を反転させる。続い
て、t2 〜t3 の区間においては、同様に、トランジス
タQ2,Q4 がオンのとき、1次巻線L2 にエネルギー
を蓄積し、トランジスタQ2 がオフ、トランジスタQ4
がオンのとき、2次巻線L3 から負荷回路Zに対してエ
ネルギーを放出する。このとき、コンデンサCの電圧V
cは負となる。これにより、コンデンサCの両端電圧V
c及び放電灯LPに流れる電流Iは、図3に示すように
なる。放電灯LPに流れる電流Iは、低周波で交番する
略矩形波電流になる。なお、コンデンサCを設けない場
合においては、放電灯LPに流れる高周波リップルは増
加するが、同様のスイッチング動作を行う。
【0012】以上のような回路構成及び動作により、負
荷回路Zの両端電圧Vcが直流電源Vsの電圧よりも低
い状態(例えば、負荷回路Zが短絡した場合や、放電灯
LPが低インピーダンスになった場合等)においても、
負荷回路Zへ電力を供給する際に、直流電源Vsが切り
離されているため、トランスTに蓄えられているエネル
ギーがすべて放出されれば、直流電源Vsからのエネル
ギーの供給が無くなり、負荷回路Zに流れる電流は減少
してゼロとなる。それにより、負荷回路Zの両端電圧V
cが直流電源Vsの電圧よりも低い状態でも十分に制御
可能となる。また、回路構成も簡単になり、インバータ
装置の小型化が図れる。
【0013】図4は本発明の他の実施例の回路図であ
る。以下、その回路構成について説明する。直流電源V
sには、トランジスタQを介してトランスTの1次巻線
1 が接続されている。トランスTの2次巻線L2
は、トランジスタQ1 ,Q2 の直列回路と、トランジス
タQ3 ,Q4 の直列回路が並列的に接続されている。ト
ランジスタQ1 ,Q2 の接続点と、トランジスタQ3
4 の接続点の間には、負荷回路Zが接続されている。
負荷回路Zは放電灯LPとインダクタLの直列回路にコ
ンデンサCを並列接続して成るものである。すなわち、
上述の図2の実施例では、負荷回路Zの極性をトランス
Tの1次側と2次側のスイッチング動作の組み合わせに
より決定していたが、図4の回路においては、トランス
Tの1次側のトランジスタQでフライバック動作を行
い、2次側のトランジスタQ1 〜Q4 で負荷電圧の極性
を決めている。これにより、トランスTの1次巻線が1
つで済み、トランスTの小型化が図れる。
【0014】図5は図4の回路の動作波形図である。ト
ランジスタQ1 ,Q2 ,Q3 ,Q4は低周波(数Hz〜
数百kHz)で動作し、トランジスタQは高周波(数k
Hz〜数百kHz)で動作する。トランスTの2次側の
トランジスタQ1 ,Q4 が同時にオンする動作と、トラ
ンジスタQ2 ,Q3 が同時にオンする動作とが低周波的
に切り換わることにより、負荷Zの両端電圧Vcの極性
を決めて、トランジスタQを高周波でフライバック動作
させることにより、負荷回路Zに略矩形波の低周波電力
を供給する。
【0015】例えば、図5のt1 〜t3 の区間において
は、トランスTの2次側のトランジスタQ1 ,Q4 はオ
ンであり、トランスTの1次側のトランジスタQがオン
のとき、直流電源Vsから、トランスTの1次巻線L
1 、トランジスタQ、直流電源Vsの経路で電流が流
れ、トランスTの1次巻線L1 には、その電流値に応じ
たエネルギーが蓄積される。次に、トランジスタQがオ
フすると、1次巻線L1 に蓄えられたエネルギーは、そ
れと磁気結合している2次巻線L2 から、トランジスタ
1 、負荷回路Z、トランジスタQ4 、2次巻線L2
経路で電流として放出され、負荷回路Zに電力が供給さ
れる。このとき、負荷回路ZにおけるコンデンサCの電
圧Vcの極性は正となる。負荷回路Zに対する極性反転
は、トランジスタQ2 ,Q3 をオンし、コンデンサCの
電荷を電源として、コンデンサC、トランジスタQ2
トランスTの2次巻線L2 、トランジスタQ3 、コンデ
ンサCの経路で電流を流すことにより行う。続いて、t
2 〜t3 の区間においては、同様に、トランスTの2次
側のトランジスタQ2 ,Q3 がオンであり、トランスT
の1次側のトランジスタQがオンのとき、トランスTの
1次巻線L1 にエネルギーが蓄積され、トランジスタQ
がオフすると、トランスTの2次巻線L2 よりトランジ
スタQ3 、負荷回路Z、トランジスタQ2 、2次巻線L
2 の経路でエネルギーを放出し、負荷回路Zに供給す
る。このとき、コンデンサCの電圧Vcの極性は負とな
る。これにより、負荷回路ZにおけるコンデンサCの電
圧Vc及び放電灯LPに流れる電流Iは、図5に示すよ
うになり、放電灯LPに流れる電流Iは低周波で交番す
る略矩形波電流となる。また、負荷回路Zにコンデンサ
Cを設けない場合、放電灯LPに流れる高周波のリップ
ルは増加するが、同様のスイッチング動作を行うもので
ある。
【0016】以上のような回路構成及び動作により、負
荷回路Zの両端電圧Vcが直流電源Vsの電圧よりも低
い状態(例えば、負荷回路Zが短絡した場合や、放電灯
LPが低インピーダンスになった場合等)においても、
負荷回路Zへ電力を供給する際に、直流電源Vsが切り
離されているため、トランスTに蓄えられているエネル
ギーがすべて放出されれば、直流電源Vsからのエネル
ギーの供給が無くなり、負荷回路Zに流れる電流は減少
してゼロとなる。それにより、負荷回路Zの両端電圧V
cが直流電源Vsの電圧よりも低い状態でも十分に制御
可能となる。また、回路構成も簡単になり、インバータ
装置の小型化が図れる。
【0017】図6は本発明の別の実施例の回路図であ
る。本実施例では、インダクタL1 ,L2 がオートトラ
ンス構造となっている。電源側のトランジスタQは高周
波的にオン・オフ動作を行うものであり、負荷側のトラ
ンジスタQ1 ,Q2 ,Q3 ,Q 4 は、図5の動作波形図
のように低周波的にオン・オフ動作を行うものである。
トランジスタQ1 ,Q4 がオン状態である場合におい
て、トランジスタQがオンすると、直流電源Vs、トラ
ンジスタQ、インダクタL1 、直流電源Vsで電流が流
れ、インダクタL1 にエネルギーが蓄積される。トラン
ジスタQがオフすると、インダクタL1 に蓄積されたエ
ネルギーが磁気結合により、インダクタL1,L2
り、トランジスタQ1 、負荷回路Z、トランジスタQ
4 、インダクタL 2 ,L1 の経路で電流として放出され
る。このとき、負荷回路ZにおけるコンデンサCの電圧
Vcの極性は正となる。その他の動作は、図4の実施例
と同様である。また、コンデンサCが無くても同様のス
イッチング動作を行うものである。以上のように、本実
施例では、インダクタL1 にエネルギーを蓄積し、イン
ダクタL1 ,L2 より負荷回路Zに電力を供給する動作
であるため、図4の実施例と比較すると、トランスの巻
数が、同じ動作条件ではインダクタL1 の分だけ少なく
て済む利点がある。
【0018】図7は本発明の第4実施例の回路図であ
る。図6の実施例が直流電源Vsの負側を安定電位点
(グランド)としているのに対して、本実施例では、直
流電源Vsの正側を安定電位点(グランド)としてい
る。このような実施例は、自動車等に応用する場合の要
求に応えるものである。
【0019】図8は請求項4に記載された発明の一実施
例の回路図であり、図9はその動作波形図である。本実
施例では、スイッチング素子S3 とS4 は低周波で交互
にオン・オフする。また、スイッチング素子S1 及びS
2 は、スイッチング素子S3,S4 と同期して、前記低
周波の半サイクル毎に高周波でのオン・オフ動作とオン
状態を繰り返す。スイッチング素子S1 (又はS2 )が
高周波動作を行っているとき、スイッチング素子S2
(又はS1 )、S3 (又はS4 )はオンである。このよ
うに、スイッチング素子S1 ,S2 ,S3 ,S4 を動作
させることにより、負荷回路Zには、略矩形波の低周波
電力が供給される。
【0020】本実施例では、インダクタL1 と磁気結合
したインダクタL2 ,L3 を設けて、昇圧型のチョッパ
ー動作をスイッチング素子S1 とS2 で、つまり、ブリ
ッジ回路の片側で行うことにより、インダクタL1 とL
2 (又はL3 )の巻数比に応じて、スイッチング素子S
1 ,S2 の耐圧を低減できる。
【0021】なお、負荷回路Zとしては、抵抗成分のみ
でも良いし、抵抗成分にコンデンサを並列接続したもの
でも良いし、抵抗成分とインダクタの直列回路にコンデ
ンサを並列接続したものでも良い。コンデンサを並列接
続した場合には、高周波リップルが低減されるという効
果がある。
【0022】以下、図9の動作波形図を参照しながら、
本実施例の動作について説明する。図8の回路では、図
9に示すように、t1 〜t2 の第1の制御期間とt2
3の第2の制御期間という2つの動作モードが存在す
るが、簡単のために、ここではt1 〜t2 の動作モード
について説明する。この動作モードにおける動作波形を
図10に示す。図10では、スイッチング素子S1 ,S
4 がオン状態、スイッチング素子S3 がオフ状態である
ときに、スイッチング素子S2 が高周波でオン・オフ動
作を行う。スイッチング素子S2 がオンすると、直流電
源Vs、インダクタL1 、スイッチング素子S1 、スイ
ッチング素子S2 、直流電源Vsの経路で電流Iが流れ
て、tbの時点でインダクタL1 にはIpの電流が流
れ、その電流に応じたエネルギーが蓄積される。次に、
スイッチング素子S2 がオフすると、電流は直流電源V
s、インダクタL1 、スイッチング素子S1 、負荷回路
Z、インダクタL3 、スイッチング素子S4 、ダイオー
ドD4 、直流電源Vsの経路で流れて、インダクタL1
とインダクタL2 ,L3 の巻数比Nに応じて、そのピー
ク値をIp/(N+1)に低下されて流れるものであ
り、負荷回路Zには、直流電源V1 並びにインダクタL
1 ,L3 からエネルギーが供給される。そして、このと
き、スイッチング素子S2 に加わる電圧Vs2 は、V1
+(V2 −V1 )/(N+1)となり、その最大値は、
1 +(V2 max−V1 )/(N+1)となり、スイ
ッチング素子S2 に加わる電圧Vs2 のピーク値を低減
できる。図10では、電流Iが0となる区間tc〜td
を設けているが、電流Iが連続して流れる場合でも上述
のことは成り立つ。また、図9におけるt2 〜t3 の第
2の制御期間の動作モードについても同様に、スイッチ
ング素子S1 に加わる電圧は低減される。
【0023】次に、請求項5に記載された制御手段によ
る動作波形を図11に示す。回路構成は図8と同様であ
る。この場合も、スイッチング素子S1 ,S2 に加わる
電圧の最大値は低減され、V1 +V2 max/Nとな
る。続いて、請求項6に記載された制御手段による動作
波形を図12に示す。ここでも、回路構成は図8と同様
である。また、スイッチング素子S1 ,S2 に加わる電
圧は、V1 +(V1 −V 2 min)/(N+1)、又
は、V1 +V2 max/Nを越えることはない。以上の
請求項4、請求項5、請求項6に記載の各制御手段を例
示したが、請求項4の制御手段は昇圧モード動作(V1
<V2 )であり、請求項5の制御手段は昇降圧モード動
作であり、請求項6の制御手段は降圧モード動作(V1
>V2 )である。昇圧モードは電源が常に利用されてい
るため、電源の利用率が高く、回路効率が高い。また、
昇降圧モードは負荷出力電圧V2 が電源電圧V1 よりも
低い場合でも、出力を制御することが可能である。さら
に、降圧モードは電源電圧V1が負荷出力電圧V2 に比
べて高い場合に有効である。
【0024】図8の回路を放電灯点灯回路に応用した例
を図13に示した。この実施例では、放電灯LPに高周
波リップルを加えないように、インダクタLとコンデン
サCからなるローパスフィルタを付加している。動作波
形については、昇圧モード、昇降圧モード、降圧モード
のそれぞれを図15、図16、図17に示した。また、
このとき、放電灯LPに流れる電流Iは図14のように
なる。ここでは、スイッチング素子としてバイポーラト
ランジスタを例示したが、例えば、パワーMOSFET
を用いる場合には、寄生ダイオードが逆並列接続されて
いるため、ダイオードD1 ,D2 は省略できる。また、
他の半導体素子(IGBT、GTO等)を用いても構わ
ない。
【0025】図18は別の実施例を示している。本実施
例では、図13の回路に新たにトランジスタQを付加し
たものである。昇圧モード並びに昇降圧モードにおい
て、インダクタL1 にエネルギーを蓄えるとき、トラン
ジスタQ1 (又はQ2 )と同時に高周波でトランジスタ
Qをオン・オフしてやることにより、エネルギー蓄積時
の経路のインピーダンスを下げることができ、回路損失
が低減され、回路効率を向上させることができる。この
ときの動作を図19、図20に示す。図19は昇圧モー
ド時、図20は昇降圧モード時の動作を示している。ま
た、トランジスタQのみを高周波動作させる図21に示
すような動作も可能である。このときのモードは昇圧モ
ードであるが、昇降圧モードについても同様のことが可
能である。
【0026】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、負荷が短
絡等で低インピーダンスとなって、負荷回路電圧が電源
電圧値を下回った場合においても、電力制御が容易に行
えるインバータ装置を提供できるという効果があり、ま
た、回路構成が簡単となり、インバータ装置を小型化で
きるという効果がある。また、従来、負荷に矩形波電力
を供給する場合には、電源電圧を昇圧する昇圧部と、そ
の電圧を降圧して矩形波として負荷に供給するインバー
タ部が必要であり、その間には電解コンデンサ等の大型
素子も介在していたが、本発明では、電源電圧の昇圧部
とインバータ部が一体となっており、そのため、電解コ
ンデンサの介在が不要であると共に、インバータ部にお
ける降圧限流用のチョークコイルも不要となるという利
点がある。また、請求項2記載の発明によれば、トラン
スの1次側に2つの巻線を設けてトランスの1次側に流
れる電流の極性を反転させるように構成したので、極性
反転のために使用するスイッチング素子の個数を低減で
きるという効果がある。さらに、請求項3記載の発明に
よれば、トランスの2次側の極性転換回路を有している
ので、トランスの1次側に2つの巻線を設ける必要がな
くなり、トランスの構成が簡単になるという効果があ
る。
【0027】請求項4記載の発明によれば、電源側の第
1のインダクタと磁気結合した第2及び第3のインダク
タを設け、それぞれを第3及び第4のスイッチング素子
と直列に挿入することにより、第1のインダクタにエネ
ルギーを蓄えるときの電流経路上に存在する第1及び第
2のスイッチング素子の耐圧を下げることができるとい
う効果がある。その結果、第1及び第2のスイッチング
素子として大電流に適したスイッチング素子を使用する
ことが可能となり、回路損失を低減して、回路効率を高
めることが可能となる。また、請求項4に記載された昇
圧モードでの動作のほかに、請求項5に記載された昇降
圧モード、請求項6に記載された降圧モードでの動作も
可能であるので、負荷の状況等に応じて、モードを切り
換えたり、又はその負荷に適した動作モードを用いるこ
とにより、従来は出力の制御が困難であった領域におい
ても出力の制御が可能となり、回路効率も向上するとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基本構成を示す回路図である。
【図2】本発明の第1実施例の回路図である。
【図3】本発明の第1実施例の動作波形図である。
【図4】本発明の第2実施例の回路図である。
【図5】本発明の第2実施例の動作波形図である。
【図6】本発明の第3実施例の回路図である。
【図7】本発明の第4実施例の回路図である。
【図8】本発明の第5実施例の回路図である。
【図9】本発明の第5実施例の動作波形図である。
【図10】本発明の第5実施例の第1の制御期間の動作
波形図である。
【図11】本発明の第6実施例の動作波形図である。
【図12】本発明の第7実施例の動作波形図である。
【図13】本発明の第8実施例の回路図である。
【図14】本発明の第8実施例の出力電圧と出力電流の
波形図である。
【図15】本発明の第8実施例の動作波形図である。
【図16】本発明の第9実施例の動作波形図である。
【図17】本発明の第10実施例の動作波形図である。
【図18】本発明の第11実施例の回路図である。
【図19】本発明の第11実施例の動作波形図である。
【図20】本発明の第12実施例の動作波形図である。
【図21】本発明の第13実施例の動作波形図である。
【図22】第1の従来例の回路図である。
【図23】第1の従来例の動作波形図である。
【図24】第2の従来例の回路図である。
【図25】第2の従来例の動作波形図である。
【符号の説明】
Vs 直流電源 Z 負荷回路 Ln インダクタンス要素 C コンデンサ Sa 第1のスイッチング回路 Sb 第2のスイッチング回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源からの電流を高周波的にオン
    ・オフさせる第1のスイッチング回路と、第1のスイッ
    チング回路が導通状態であるときに直流電源から第1の
    スイッチング回路を介して流れる電流によりエネルギー
    を蓄積されるインダクタンス要素と、インダクタンス要
    素に蓄積されたエネルギーを第1のスイッチング回路が
    非導通状態であるときに放出される負荷回路と、前記イ
    ンダクタンス要素から負荷回路に放出される電流の極性
    を第1のスイッチング回路のスイッチング周波数に比べ
    て十分に低い周波数で交互に反転させるための第2のス
    イッチング回路とを備えることを特徴とするインバータ
    装置。
  2. 【請求項2】 直流電源からの電流を高周波的にオン
    ・オフさせる第1及び第2のスイッチング素子と、負荷
    回路に供給される電流の極性を低周波的に切り換えるた
    めの第3及び第4のスイッチング素子と、第1又は第2
    のスイッチング素子を介して直流電源から供給される電
    流によりエネルギーを蓄積されて、第3又は第4のスイ
    ッチング素子を介して負荷回路にエネルギーを放出され
    るインダクタンス要素と、第1のスイッチング素子をオ
    ンさせてインダクタンス要素にエネルギーを蓄積し、第
    1のスイッチング素子をオフさせたときに第3のスイッ
    チング素子を介して負荷回路にエネルギーを放出する第
    1の制御期間と、第2のスイッチング素子をオンさせて
    インダクタンス要素にエネルギーを蓄積し、第2のスイ
    ッチング素子をオフさせたときに第4のスイッチング素
    子を介して負荷回路にエネルギーを放出する第2の制御
    期間とを低周波的に交番させる制御手段とを備えること
    を特徴とするインバータ装置。
  3. 【請求項3】 直流電源からの電流を高周波的にオン
    ・オフさせるスイッチング素子と、負荷回路に供給され
    る電流の極性を低周波的に切り換えるための極性転換回
    路と、前記スイッチング素子を介して直流電源から供給
    される電流によりエネルギーを蓄積されて、前記極性転
    換回路を介して負荷回路にエネルギーを放出されるイン
    ダクタンス要素と、前記スイッチング素子をオンさせて
    インダクタンス要素にエネルギーを蓄積し、前記スイッ
    チング素子をオフさせたときに前記極性転換回路を介し
    て負荷回路にエネルギーを一方向に放出する第1の制御
    期間と、前記スイッチング素子をオンさせてインダクタ
    ンス要素にエネルギーを蓄積し、前記スイッチング素子
    をオフさせたときに前記極性転換回路を介して負荷回路
    にエネルギーを逆方向に放出する第2の制御期間とを低
    周波的に交番させる制御手段とを備えることを特徴とす
    るインバータ装置。
  4. 【請求項4】 第1及び第2のスイッチング素子の直
    列回路と、前記直列回路を介して直流電源に接続された
    第1のインダクタと、第1のインダクタに磁気結合され
    た第2及び第3のインダクタと、第1及び第2のスイッ
    チング素子の接続点に一端を接続された負荷回路と、負
    荷回路と第1のスイッチング素子の直列回路に第2のイ
    ンダクタを並列接続するための第3のスイッチング素子
    と、負荷回路と第2のスイッチング素子の直列回路に第
    3のインダクタを並列接続するための第4のスイッチン
    グ素子と、第1及び第2のスイッチング素子をオンさせ
    て直流電源から第1及び第2のスイッチング素子を介し
    て第1のインダクタに流れる電流により第1のインダク
    タにエネルギーを蓄積し、第2及び第3のスイッチング
    素子をオフさせて第1及び第4のスイッチング素子をオ
    ンさせることにより、第1のインダクタ及び第1のイン
    ダクタに磁気結合された第3のインダクタから負荷回路
    にエネルギーを放出する動作を高周波的に繰り返す第1
    の制御期間と、第1及び第2のスイッチング素子をオン
    させて直流電源から第1及び第2のスイッチング素子を
    介して第1のインダクタに流れる電流により第1のイン
    ダクタにエネルギーを蓄積し、第1及び第4のスイッチ
    ング素子をオフさせて第2及び第3のスイッチング素子
    をオンさせることにより、第1のインダクタ及び第1の
    インダクタに磁気結合された第2のインダクタから負荷
    回路にエネルギーを放出する動作を高周波的に繰り返す
    第2の制御期間を低周波的に交番させる制御手段を備え
    ることを特徴とするインバータ装置。
  5. 【請求項5】 第1及び第2のスイッチング素子の直
    列回路と、前記直列回路を介して直流電源に接続された
    第1のインダクタと、第1のインダクタに磁気結合され
    た第2及び第3のインダクタと、第1及び第2のスイッ
    チング素子の接続点に一端を接続された負荷回路と、負
    荷回路と第1のスイッチング素子の直列回路に第2のイ
    ンダクタを並列接続するための第3のスイッチング素子
    と、負荷回路と第2のスイッチング素子の直列回路に第
    3のインダクタを並列接続するための第4のスイッチン
    グ素子と、第1及び第2のスイッチング素子をオンさせ
    て直流電源から第1及び第2のスイッチング素子を介し
    て第1のインダクタに流れる電流により第1のインダク
    タにエネルギーを蓄積し、第1及び第3のスイッチング
    素子をオフさせて第2及び第4のスイッチング素子をオ
    ンさせることにより、第1のインダクタに磁気結合され
    た第3のインダクタから負荷回路にエネルギーを放出す
    る動作を高周波的に繰り返す第1の制御期間と、第1及
    び第2のスイッチング素子をオンさせて直流電源から第
    1及び第2のスイッチング素子を介して第1のインダク
    タに流れる電流により第1のインダクタにエネルギーを
    蓄積し、第2及び第4のスイッチング素子をオフさせて
    第1及び第3のスイッチング素子をオンさせることによ
    り、第1のインダクタに磁気結合された第2のインダク
    タから負荷回路にエネルギーを放出する動作を高周波的
    に繰り返す第2の制御期間を低周波的に交番させる制御
    手段を備えることを特徴とするインバータ装置。
  6. 【請求項6】 第1及び第2のスイッチング素子の直
    列回路と、前記直列回路を介して直流電源に接続された
    第1のインダクタと、第1のインダクタに磁気結合され
    た第2及び第3のインダクタと、第1及び第2のスイッ
    チング素子の接続点に一端を接続された負荷回路と、負
    荷回路と第1のスイッチング素子の直列回路に第2のイ
    ンダクタを並列接続するための第3のスイッチング素子
    と、負荷回路と第2のスイッチング素子の直列回路に第
    3のインダクタを並列接続するための第4のスイッチン
    グ素子と、第1及び第4のスイッチング素子をオンさせ
    て直流電源から第1及び第4のスイッチング素子を介し
    て第1及び第3のインダクタに流れる電流により第1及
    び第3のインダクタにエネルギーを蓄積し、第1のスイ
    ッチング素子をオフさせて第2のスイッチング素子をオ
    ンさせることにより、第1及び第3のインダクタから負
    荷回路にエネルギーを放出する動作を高周波的に繰り返
    す第1の制御期間と、第2及び第3のスイッチング素子
    をオンさせて直流電源から第2及び第3のスイッチング
    素子を介して第1及び第2のインダクタに流れる電流に
    より第1及び第2のインダクタにエネルギーを蓄積し、
    第2のスイッチング素子をオフさせて第1のスイッチン
    グ素子をオンさせることにより、第1及び第2のインダ
    クタから負荷回路にエネルギーを放出する動作を高周波
    的に繰り返す第2の制御期間を低周波的に交番させる制
    御手段を備えることを特徴とするインバータ装置。
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