JPH06310816A - シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子 - Google Patents
シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子Info
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- JPH06310816A JPH06310816A JP12087893A JP12087893A JPH06310816A JP H06310816 A JPH06310816 A JP H06310816A JP 12087893 A JP12087893 A JP 12087893A JP 12087893 A JP12087893 A JP 12087893A JP H06310816 A JPH06310816 A JP H06310816A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 間接遷移型シリコン半導体を１〜２０ｎｍの
サイズに微結晶化しその表面にシリコンクラスターを結
合させることによって高効率な発光を引き起こさせるこ
とを目的とする。 【構成】 シリコン微結晶発光媒質を光または電気的な
手法を用いて励起することによってキャリアの生成が微
結晶内で起こるようになる。生成されたキャリアはこの
微結晶表面に付着した発光媒体であるシリコンクラスタ
ーに効率よくトランスファーされる。この結果、表面の
シリコンクラスター準位には反転分布状態が形成され、
レーザー発振が引き起こされるようになる。
サイズに微結晶化しその表面にシリコンクラスターを結
合させることによって高効率な発光を引き起こさせるこ
とを目的とする。 【構成】 シリコン微結晶発光媒質を光または電気的な
手法を用いて励起することによってキャリアの生成が微
結晶内で起こるようになる。生成されたキャリアはこの
微結晶表面に付着した発光媒体であるシリコンクラスタ
ーに効率よくトランスファーされる。この結果、表面の
シリコンクラスター準位には反転分布状態が形成され、
レーザー発振が引き起こされるようになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン微結晶発光媒
質及びこれを用いた素子に関するもので、光通信、自発
光型ディスプレー、光源、光集積回路等に用いることが
出来る。
質及びこれを用いた素子に関するもので、光通信、自発
光型ディスプレー、光源、光集積回路等に用いることが
出来る。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体は間接遷移型半導体であ
るために発光素子の実現は不可能であるとされてきた。
そのため、従来より発光素子にはII−VI属、III −V 属
並びにIV−VI属の化合物半導体が用いられてきた。しか
しこれらの半導体はシリコン半導体と比較して、材料
の安定性が悪い，単結晶作製技術が低く大面積の基板
を安価に供給できない，デバイス設計、作製技術が低
いため高集積化が難しく信頼性の高い論理、演算、駆動
回路を作ることが難しい，材料が有害であり、廃物処
理を行う際大きな環境問題を引き起こす，等数々の問題
点を持つ。
るために発光素子の実現は不可能であるとされてきた。
そのため、従来より発光素子にはII−VI属、III −V 属
並びにIV−VI属の化合物半導体が用いられてきた。しか
しこれらの半導体はシリコン半導体と比較して、材料
の安定性が悪い，単結晶作製技術が低く大面積の基板
を安価に供給できない，デバイス設計、作製技術が低
いため高集積化が難しく信頼性の高い論理、演算、駆動
回路を作ることが難しい，材料が有害であり、廃物処
理を行う際大きな環境問題を引き起こす，等数々の問題
点を持つ。
【０００３】そこでシリコン半導体をナノメーター構造
にして発光させる試みが幾つかなされている。その例と
して、Ｓｉ／ＳｉX Ｇｅ1-X の超格子を作製してバン
ドの折り返し効果により直接遷移型半導体構造を作り出
す方法（Ｅ．Ａ．Ｍｏｎｔｉｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６，３４０（１９９
０）），シリコンの一次元鎖構造（ポリシラン）を作
製して一次元励起子閉じ込め効果により高効率な発光を
生み出す方法（Ｓ．Ｆｕｒｕｋａｗａ ｅｔ ａｌ．，
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３１，２１１４（１９８５）），
シリコンを数ナノメーターのサイズに微結晶化しキャ
リアの閉じ込め効果を引き起こすことによって高効率な
発光を生み出す方法（Ｈ．Ｔａｋａｇｉ ｅｔ ａ
ｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６，２３７９
（１９９０）），等があるが単に量子閉じ込め効果を発
光に結び付けようとする上記，，の方法は発光効
率の低さ、材料の安定性等に問題点を持つ。
にして発光させる試みが幾つかなされている。その例と
して、Ｓｉ／ＳｉX Ｇｅ1-X の超格子を作製してバン
ドの折り返し効果により直接遷移型半導体構造を作り出
す方法（Ｅ．Ａ．Ｍｏｎｔｉｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６，３４０（１９９
０）），シリコンの一次元鎖構造（ポリシラン）を作
製して一次元励起子閉じ込め効果により高効率な発光を
生み出す方法（Ｓ．Ｆｕｒｕｋａｗａ ｅｔ ａｌ．，
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ３１，２１１４（１９８５）），
シリコンを数ナノメーターのサイズに微結晶化しキャ
リアの閉じ込め効果を引き起こすことによって高効率な
発光を生み出す方法（Ｈ．Ｔａｋａｇｉ ｅｔ ａ
ｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６，２３７９
（１９９０）），等があるが単に量子閉じ込め効果を発
光に結び付けようとする上記，，の方法は発光効
率の低さ、材料の安定性等に問題点を持つ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記実情に基
づいてなされたものであり、シリコン間接遷移型半導体
から非常に高効率な発光、ひいてはレーザー発振をおこ
させることを目的としたものである。
づいてなされたものであり、シリコン間接遷移型半導体
から非常に高効率な発光、ひいてはレーザー発振をおこ
させることを目的としたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に関する間接遷移
型半導体から高輝度な発光及びレーザー発振をおこさせ
る方法はナノメートルオーダーのシリコン微結晶と微結
晶の表面にシリコン原子の個数が１〜１００個程度の数
で構成されるシリコンクラスターを結合させた系を用い
ることを特徴としている。
型半導体から高輝度な発光及びレーザー発振をおこさせ
る方法はナノメートルオーダーのシリコン微結晶と微結
晶の表面にシリコン原子の個数が１〜１００個程度の数
で構成されるシリコンクラスターを結合させた系を用い
ることを特徴としている。
【０００６】
【作用】以下本発明の作用について図１を参照しながら
説明する。バルクのシリコン結晶は図１（ａ）に示すよ
うに間接遷移型のバンド構造を有するため発光の効率は
非常に弱い。ところがこのシリコン半導体を１〜２０ｎ
ｍの微結晶サイズにすることによって、この中に励起さ
れたキャリアは微結晶内に強く閉じ込められ、量子力学
的効果を引き起こすようになる。この量子力学的効果は
図１（ｂ）に示すように、価電子帯と導伝帯の間のエネ
ルギーギャップをワイドニングさせ、かつそのバンド構
造を不連続準位化させるようになる。この結果図１
（ａ）に示すように、通常の結晶シリコンが有する連続
準位に較べて、量子閉じ込め効果によって形成された不
連続準位内では図１（ｂ）に示すようにフォノンの放出
による緩和が抑制され準位内の緩和時間が非常に遅くな
ることが期待される（およそｎｓからｍｓのオーダ
ー）。
説明する。バルクのシリコン結晶は図１（ａ）に示すよ
うに間接遷移型のバンド構造を有するため発光の効率は
非常に弱い。ところがこのシリコン半導体を１〜２０ｎ
ｍの微結晶サイズにすることによって、この中に励起さ
れたキャリアは微結晶内に強く閉じ込められ、量子力学
的効果を引き起こすようになる。この量子力学的効果は
図１（ｂ）に示すように、価電子帯と導伝帯の間のエネ
ルギーギャップをワイドニングさせ、かつそのバンド構
造を不連続準位化させるようになる。この結果図１
（ａ）に示すように、通常の結晶シリコンが有する連続
準位に較べて、量子閉じ込め効果によって形成された不
連続準位内では図１（ｂ）に示すようにフォノンの放出
による緩和が抑制され準位内の緩和時間が非常に遅くな
ることが期待される（およそｎｓからｍｓのオーダ
ー）。
【０００７】ところで１〜２０ｎｍの微結晶内で励起さ
れたキャリアはその微結晶表面または界面にｆｓからｐ
ｓのオーダーで非常に速くキャリアトランスファーする
ことが知られている（Ｔ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ ｅｔ
ａｌ．，ＥｘｔｅｎｄｅｄＡｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔ
ｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｔｓｕｋｕｂａ，１９
９２，ｐｐ．４７８）。そこでこのシリコン微結晶表面
にシリコンクラスター等のような発光媒体を結合させて
おくと微結晶内で励起されたキャリアが非常に効率よく
表面の発光媒体にトランスファーされるようになる。こ
の発光媒質を光または電気的手法を用いて励起すること
によって、図２に示すようにキャリアの生成は微結晶内
で起こり、発光は微結晶表面のシリコンクラスターで起
こる、４準位が関与する緩和過程が引き起こされる。こ
の表面に結合したシリコンクラスターはｎｓからｍｓの
非常に遅い緩和を示すので図２に示すように励起の強度
を上げていくことによって表面準位には反転分布状態が
容易に形成されるようになり、最終的にレーザー発振を
引き起こすことが可能となる。
れたキャリアはその微結晶表面または界面にｆｓからｐ
ｓのオーダーで非常に速くキャリアトランスファーする
ことが知られている（Ｔ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ ｅｔ
ａｌ．，ＥｘｔｅｎｄｅｄＡｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔ
ｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｔｓｕｋｕｂａ，１９
９２，ｐｐ．４７８）。そこでこのシリコン微結晶表面
にシリコンクラスター等のような発光媒体を結合させて
おくと微結晶内で励起されたキャリアが非常に効率よく
表面の発光媒体にトランスファーされるようになる。こ
の発光媒質を光または電気的手法を用いて励起すること
によって、図２に示すようにキャリアの生成は微結晶内
で起こり、発光は微結晶表面のシリコンクラスターで起
こる、４準位が関与する緩和過程が引き起こされる。こ
の表面に結合したシリコンクラスターはｎｓからｍｓの
非常に遅い緩和を示すので図２に示すように励起の強度
を上げていくことによって表面準位には反転分布状態が
容易に形成されるようになり、最終的にレーザー発振を
引き起こすことが可能となる。
【０００８】上記シリコンクラスターとしては図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、線状のもの、平
面状のもの、または立体構造を持つものなどが考えられ
る。このようなナノメートル構造を持つシリコン半導体
微結晶を図４のように配置することによって実際にこれ
らの媒質からレーザー発振を起こさせることが可能にな
る。この方法を用いて発光またはレーザー発振の波長を
短波長化するには、微結晶サイズ並びにクラスターサイ
ズを小さくすればよい。即ち、微結晶内のバンド端は微
結晶サイズを小さくしていくことによって高エネルギー
側にシフトさせることができる。このとき表面に結合し
ているシリコンクラスターの種類、次元または大きさを
同時に小さくすることによって、表面準位も同時に高エ
ネルギー側にシフトすることになるので、より高エネル
ギー領域での発光ならびにレーザー発振が可能となる。
この結果、３００ｎｍから２μｍの間で波長可変なレー
ザー媒質を、シリコン系材料で構成することが可能とな
る。
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、線状のもの、平
面状のもの、または立体構造を持つものなどが考えられ
る。このようなナノメートル構造を持つシリコン半導体
微結晶を図４のように配置することによって実際にこれ
らの媒質からレーザー発振を起こさせることが可能にな
る。この方法を用いて発光またはレーザー発振の波長を
短波長化するには、微結晶サイズ並びにクラスターサイ
ズを小さくすればよい。即ち、微結晶内のバンド端は微
結晶サイズを小さくしていくことによって高エネルギー
側にシフトさせることができる。このとき表面に結合し
ているシリコンクラスターの種類、次元または大きさを
同時に小さくすることによって、表面準位も同時に高エ
ネルギー側にシフトすることになるので、より高エネル
ギー領域での発光ならびにレーザー発振が可能となる。
この結果、３００ｎｍから２μｍの間で波長可変なレー
ザー媒質を、シリコン系材料で構成することが可能とな
る。
【０００９】このとき上記１〜２０ナノメートルオーダ
ーのシリコン微結晶は次のような方法で作製することが
可能である。シリコン基板またはポリシリコン膜等を
ＨＦ中で陽極化成する方法、シリコン基板またはポリ
シリコン膜等をＫＯＨ溶液等で異方性エッチングする方
法、シリコン基板とＳｉＯ2 ガラスをＲＦスパッター
する方法、シリコン基板をレーザーアブレーションす
る方法、シリコン基板をアルゴンガスでスパッターし
た後アルゴンガス中で蒸着する方法。また図３に示すよ
うなシリコンクラスターは、有機合成法、シリコン
基板をレーザースパッタリングする方法、シリコン基
板をアルゴンガスでスパッタリングする方法、等を用い
て作製される。これらの微結晶とシリコンクラスターを
気相中または液相中で反応させることによって微結晶表
面をクラスターの凝集状態にすることができる。
ーのシリコン微結晶は次のような方法で作製することが
可能である。シリコン基板またはポリシリコン膜等を
ＨＦ中で陽極化成する方法、シリコン基板またはポリ
シリコン膜等をＫＯＨ溶液等で異方性エッチングする方
法、シリコン基板とＳｉＯ2 ガラスをＲＦスパッター
する方法、シリコン基板をレーザーアブレーションす
る方法、シリコン基板をアルゴンガスでスパッターし
た後アルゴンガス中で蒸着する方法。また図３に示すよ
うなシリコンクラスターは、有機合成法、シリコン
基板をレーザースパッタリングする方法、シリコン基
板をアルゴンガスでスパッタリングする方法、等を用い
て作製される。これらの微結晶とシリコンクラスターを
気相中または液相中で反応させることによって微結晶表
面をクラスターの凝集状態にすることができる。
【００１０】また、この様な方法以外にも、微結晶表面
に例えば水素または水酸基のような一価の安定な原子、
基または分子を気相中または液相中で結合させ、微結晶
表面をこれらの結合で終端するような方法も考えられ
る。これらの方法によって微結晶表面を疑似的に強く発
光するシリコンクラスターの凝集した状態にさせること
ができる。以上の様な方法を用いることによって発光効
率の高く安定な発光媒質を作製することが可能となる。
に例えば水素または水酸基のような一価の安定な原子、
基または分子を気相中または液相中で結合させ、微結晶
表面をこれらの結合で終端するような方法も考えられ
る。これらの方法によって微結晶表面を疑似的に強く発
光するシリコンクラスターの凝集した状態にさせること
ができる。以上の様な方法を用いることによって発光効
率の高く安定な発光媒質を作製することが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の詳細を実施例に基づき図を参照
しながら説明する。 （実施例１）図４は本発明における間接遷移型半導体微
結晶の量子効果を利用したレーザー発振の１実施例を示
す模式図である。ポンピングレーザー光１を半導体微結
晶媒質２に照射することによって図２に示したように微
結晶内で励起されたキャリアが表面準位にトランスファ
ーし表面準位には反転分布が形成されることになる。こ
のときポンピングレーザー光としては、ＣＷ−Ａｒイオ
ンレーザー、パルスＹＡＧレーザーの第二、第三高調
波、ＣＷ Ｈｅ−Ｃｄレーザー等が適当である。微結晶
媒質をミラー３，４ではさみ、共振器を組むことによっ
てレーザー発振５を引き起こすことが可能となる。
しながら説明する。 （実施例１）図４は本発明における間接遷移型半導体微
結晶の量子効果を利用したレーザー発振の１実施例を示
す模式図である。ポンピングレーザー光１を半導体微結
晶媒質２に照射することによって図２に示したように微
結晶内で励起されたキャリアが表面準位にトランスファ
ーし表面準位には反転分布が形成されることになる。こ
のときポンピングレーザー光としては、ＣＷ−Ａｒイオ
ンレーザー、パルスＹＡＧレーザーの第二、第三高調
波、ＣＷ Ｈｅ−Ｃｄレーザー等が適当である。微結晶
媒質をミラー３，４ではさみ、共振器を組むことによっ
てレーザー発振５を引き起こすことが可能となる。
【００１２】このときミラー３は全反射するものを、ま
たミラー４は数％から数十％透過するものを選ぶ。この
ときポンプレーザー光強度が高い場合には微結晶媒質が
熱的にまたは空気中の酸素によって損傷または酸化を受
け易い状態にあるので媒質２をペルチェ素子６等で冷却
を行う。微結晶媒質の表面が光学的に粗い場合、または
微結晶が空気中の酸化に対して弱い場合にはその表面に
屈折率が同じで可視光に対して透明であり空気中で安定
なＡＲコート膜７を微結晶媒質２の両面にコートする。
このコートによって微結晶表面が粗い場合でも光散乱に
よる損失を抑えることができるようになるので上記手法
はレーザー発振をさせる際に非常に有効な手法となる。
たミラー４は数％から数十％透過するものを選ぶ。この
ときポンプレーザー光強度が高い場合には微結晶媒質が
熱的にまたは空気中の酸素によって損傷または酸化を受
け易い状態にあるので媒質２をペルチェ素子６等で冷却
を行う。微結晶媒質の表面が光学的に粗い場合、または
微結晶が空気中の酸化に対して弱い場合にはその表面に
屈折率が同じで可視光に対して透明であり空気中で安定
なＡＲコート膜７を微結晶媒質２の両面にコートする。
このコートによって微結晶表面が粗い場合でも光散乱に
よる損失を抑えることができるようになるので上記手法
はレーザー発振をさせる際に非常に有効な手法となる。
【００１３】（実施例２）図５は電流注入でシリコン半
導体微結晶からレーザー発振を起こさせるための実施例
を示す図である。シリコン半導体微結晶膜２を２と同じ
屈折率を持つ導電性の膜８で挟み、粗い表面を持つ膜構
造においても散乱による損失が少なくなるようにする。
その膜８の両側にシリコン半導体微結晶膜２に電流注入
を行うためのＰ型層の膜９とＮ型層の膜１０を付ける。
このときＰ型層の膜９とＮ型層の膜１０はシリコン微結
晶膜２と較べて広いギャップを有する半導体膜でなけれ
ばならないので微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン膜等が適している。この微結晶含有シリコンカーボン
膜のＰ型はＢ2 Ｈ6 ガスを入れることによって、またＮ
型はＰＨ3 を入れることによって作製することができ
る。このＰ型およびＮ型注入層の両側に共振器を構成す
るための反射膜１１，１２を付けることによってシリコ
ン半導体微結晶を用いた電流注入型のレーザーを構成す
ることが可能となる。このとき反射膜としては３００ｎ
ｍから２μｍの光の波長を反射しかつ導電性を有する
金，アルミ等の金属または、半導体の多層膜等が適して
いる。この結果、通常の集積回路の駆動電圧と同じ電圧
で十分な輝度をもつ面発光レーザーを作製することが可
能となる。
導体微結晶からレーザー発振を起こさせるための実施例
を示す図である。シリコン半導体微結晶膜２を２と同じ
屈折率を持つ導電性の膜８で挟み、粗い表面を持つ膜構
造においても散乱による損失が少なくなるようにする。
その膜８の両側にシリコン半導体微結晶膜２に電流注入
を行うためのＰ型層の膜９とＮ型層の膜１０を付ける。
このときＰ型層の膜９とＮ型層の膜１０はシリコン微結
晶膜２と較べて広いギャップを有する半導体膜でなけれ
ばならないので微結晶を含有する非晶質シリコンカーボ
ン膜等が適している。この微結晶含有シリコンカーボン
膜のＰ型はＢ2 Ｈ6 ガスを入れることによって、またＮ
型はＰＨ3 を入れることによって作製することができ
る。このＰ型およびＮ型注入層の両側に共振器を構成す
るための反射膜１１，１２を付けることによってシリコ
ン半導体微結晶を用いた電流注入型のレーザーを構成す
ることが可能となる。このとき反射膜としては３００ｎ
ｍから２μｍの光の波長を反射しかつ導電性を有する
金，アルミ等の金属または、半導体の多層膜等が適して
いる。この結果、通常の集積回路の駆動電圧と同じ電圧
で十分な輝度をもつ面発光レーザーを作製することが可
能となる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によればシリコン半導体をナノメ
ートルオーダーの微結晶サイズにすることによって波長
可変なレーザー発振を起こさせることができるので自発
光型ディスプレー、光通信、光集積回路、等の高輝度な
光源をシリコン半導体で提供することができる。
ートルオーダーの微結晶サイズにすることによって波長
可変なレーザー発振を起こさせることができるので自発
光型ディスプレー、光通信、光集積回路、等の高輝度な
光源をシリコン半導体で提供することができる。
【図１】シリコンバルクのバンド構造及びシリコン微結
晶のバンド構造を示す模式図である。
晶のバンド構造を示す模式図である。
【図２】微結晶表面準位からレーザー発振することを示
す模式図である。
す模式図である。
【図３】１次元、２次元、３次元シリコンクラスターを
示す模式図である。
示す模式図である。
【図４】光励起によりシリコン微結晶をレーザー発振さ
せるための１実施例を示す図である。
せるための１実施例を示す図である。
【図５】電流注入によりシリコン微結晶をレーザー発振
させるための１実施例を示す図である。
させるための１実施例を示す図である。
１ ポンピングレーザー光 ２ シリコン半導体微結晶媒質 ３，４ ミラー ５ レーザー発振 ６ ペルチェ素子 ７ ＡＲコート膜 ８ レーザー媒質との屈折率マッチングをとった導電
性膜 ９ Ｐ型層 １０ Ｎ型層 １１，１２ 反射膜
性膜 ９ Ｐ型層 １０ Ｎ型層 １１，１２ 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三村 秀典 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新日 本製鐵株式会社先端技術研究所内 (72)発明者 玉木 輝幸 神奈川県相模原市淵野辺５丁目10番１号 新日本製鐵株式会社エレクトロニクス研究 所内
Claims (9)
- 【請求項１】 直径が１〜２０ｎｍのシリコン微結晶表
面にシリコン原子の個数が、１〜１００個からなるシリ
コンクラスターを結合させたシリコン微結晶媒質。 - 【請求項２】 請求項１記載のシリコン微結晶媒質を有
する発光素子。 - 【請求項３】 請求項１記載のシリコン微結晶媒質を有
するレーザ素子。 - 【請求項４】 前記シリコン微結晶媒質の表面が光学的
に粗い場合、この媒質と屈折率がほぼ同じで可視光に対
して透明な無反射コートを施したことを特徴とする請求
項２記載の発光素子。 - 【請求項５】 前記シリコン微結晶媒質の表面が光学的
に粗い場合、この媒質と屈折率がほぼ同じで、可視光に
対して透明な無反射コートを施したことを特徴とする請
求項３記載のレーザ素子。 - 【請求項６】 前記無反射コート膜は導電性を有するも
のであることを特徴とする請求項４記載の発光素子。 - 【請求項７】 前記無反射コート膜は導電性を有するも
のであることを特徴とする請求項５記載のレーザ素子。 - 【請求項８】 前記導電性を有する無反射コート膜を施
したシリコン微結晶媒質の両側に、該媒質より広いバン
ドギャップを有するＰ型およびＮ型の半導体膜を付け電
流注入で発光させることを特徴とする請求項６記載の発
光素子。 - 【請求項９】 前記ＰＮ接合半導体膜の両側に、３００
ｎｍから２μｍの波長の光を反射し、かつ導電性を有す
る膜をつけ電流注入でレーザ発振を引き起こさせること
を特徴とする請求項７記載のレーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12087893A JPH06310816A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12087893A JPH06310816A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310816A true JPH06310816A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14797205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12087893A Withdrawn JPH06310816A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | シリコン微結晶発光媒質及びそれを用いた素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310816A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163400A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-06-18 | Kdd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2003092455A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| JP2004207724A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ヴァーティカルエミッション型半導体レーザー |
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1993
- 1993-04-23 JP JP12087893A patent/JPH06310816A/ja not_active Withdrawn
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