JPH04303984A - 面発光型光第二高調波素子 - Google Patents
面発光型光第二高調波素子Info
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- JPH04303984A JPH04303984A JP9334291A JP9334291A JPH04303984A JP H04303984 A JPH04303984 A JP H04303984A JP 9334291 A JP9334291 A JP 9334291A JP 9334291 A JP9334291 A JP 9334291A JP H04303984 A JPH04303984 A JP H04303984A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子、特に光
第二高調波発生素子に関する。
第二高調波発生素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体により青色の発光を得る事はむず
かしく、光第二高調波発生による青色発光が試みられて
いる。非線形材料として半導体を用いる事は、励起光源
として半導体レーザを用いる上で適合性が高い（ジャー
ナル オブ クリスタル グロウス〔Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ〕第
１０１巻５５０ページ，１９９０年）。
かしく、光第二高調波発生による青色発光が試みられて
いる。非線形材料として半導体を用いる事は、励起光源
として半導体レーザを用いる上で適合性が高い（ジャー
ナル オブ クリスタル グロウス〔Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ〕第
１０１巻５５０ページ，１９９０年）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザ
と光第二高調波素子を同一基板上に形成する事は非常に
むずかしく、実用化に至っていない。
と光第二高調波素子を同一基板上に形成する事は非常に
むずかしく、実用化に至っていない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明が提供する手段は、半導体基板上に結晶成長
したＩＩＩ−Ｖ 族化合物半導体材料の多層膜からなる
第一ω反射膜と、ＩＩＩ−Ｖ 族化合物半導体からなる
角周波数ω、波長λ（ω）である光を発光する活性膜と
、前記活性層上に結晶成長した２次の非線形光学特性を
有し、角周波数２ωの光を透過するＩＩ−ＩＩＩ族半導
体材料からなる光第二高調波発生領域と、半導体または
誘電体材料多層膜からなる第二ω反射膜とを有し、前記
光第二高調波発生領域の層構造が、ω光と２ω光とのコ
ヒーレント長の整数分の一の層厚である少なくとも１つ
以上の層からなる周期構造であり、また前記第二ω反射
膜がω光を反射し２ω光と透過する事を特徴とする面発
光型素子である。
めに本発明が提供する手段は、半導体基板上に結晶成長
したＩＩＩ−Ｖ 族化合物半導体材料の多層膜からなる
第一ω反射膜と、ＩＩＩ−Ｖ 族化合物半導体からなる
角周波数ω、波長λ（ω）である光を発光する活性膜と
、前記活性層上に結晶成長した２次の非線形光学特性を
有し、角周波数２ωの光を透過するＩＩ−ＩＩＩ族半導
体材料からなる光第二高調波発生領域と、半導体または
誘電体材料多層膜からなる第二ω反射膜とを有し、前記
光第二高調波発生領域の層構造が、ω光と２ω光とのコ
ヒーレント長の整数分の一の層厚である少なくとも１つ
以上の層からなる周期構造であり、また前記第二ω反射
膜がω光を反射し２ω光と透過する事を特徴とする面発
光型素子である。
【０００５】さらに、前記活性層と前記光第二高調波発
生領域との間に結晶成長したＩＩ−ＶＩ族半導体材料多
層膜からなる２ω反射膜を有し、前記２ω反射膜がω光
を透過し２ω光を反射するようにした上記面発光型素子
によれば、前記課題を一層よく解決できる。
生領域との間に結晶成長したＩＩ−ＶＩ族半導体材料多
層膜からなる２ω反射膜を有し、前記２ω反射膜がω光
を透過し２ω光を反射するようにした上記面発光型素子
によれば、前記課題を一層よく解決できる。
【０００６】
【作用】活性層で発光した角周波数ω波長λωの光は第
一ω反射膜および第二ω反射膜により反射され、活性層
の領域で定在波を作りレーザ発振する。レーザ発振した
光は光第二高調波発生領域で角周波数２ωの光に変換さ
れる。２ωへの変換効率は、ω光の強度と移相整合条件
によって決まる。光第二高調波発生領域が、第一ω反射
膜と第二ω反射膜で形成される共振器内にあるため、ω
光の強度は、共振器外部での強度の１００倍以上であり
、変換効率が非常に高くなる。また、光第二高調波発生
領域でのω光、２ω光の波数をｋ（ω）ｋ（２ω）とす
ると、コヒーレント長Ｌｃ は Ｌｃ ＝２π／｛ｋ（２ω）−２ｋ（ω）｝となり、高
調波発生領域の多層膜構造に、ｎを整数として ｄ＝Ｌｃ ／ｎ の周期構造を導入する事により位相整合させる事ができ
る。また光第二高調波発生領域の層厚が単層でコヒーレ
ント長Ｌｃ 以下であれば、位相不整合の問題はない。 このような層構造の導入により、ωから２ω光への変換
は位相不整合の問題なく、高効率で行なえる。また、光
第二高調波発生領域は結晶成長による高品質の膜であり
、２ω光に対する損失が少ない。
一ω反射膜および第二ω反射膜により反射され、活性層
の領域で定在波を作りレーザ発振する。レーザ発振した
光は光第二高調波発生領域で角周波数２ωの光に変換さ
れる。２ωへの変換効率は、ω光の強度と移相整合条件
によって決まる。光第二高調波発生領域が、第一ω反射
膜と第二ω反射膜で形成される共振器内にあるため、ω
光の強度は、共振器外部での強度の１００倍以上であり
、変換効率が非常に高くなる。また、光第二高調波発生
領域でのω光、２ω光の波数をｋ（ω）ｋ（２ω）とす
ると、コヒーレント長Ｌｃ は Ｌｃ ＝２π／｛ｋ（２ω）−２ｋ（ω）｝となり、高
調波発生領域の多層膜構造に、ｎを整数として ｄ＝Ｌｃ ／ｎ の周期構造を導入する事により位相整合させる事ができ
る。また光第二高調波発生領域の層厚が単層でコヒーレ
ント長Ｌｃ 以下であれば、位相不整合の問題はない。 このような層構造の導入により、ωから２ω光への変換
は位相不整合の問題なく、高効率で行なえる。また、光
第二高調波発生領域は結晶成長による高品質の膜であり
、２ω光に対する損失が少ない。
【０００７】第二ω反射膜はωのみを反射し、２ωと透
過するため、ωから２ωへの変換効率を１００％近くま
で上げる事ができる。
過するため、ωから２ωへの変換効率を１００％近くま
で上げる事ができる。
【０００８】２ω反射膜は、第二高調波発生領域で発生
し、基板方向へ進む２ω光を反射するため、活性層領域
での２ω光の吸収を減らし、外部への２ω光の取り出し
を２倍にする。
し、基板方向へ進む２ω光を反射するため、活性層領域
での２ω光の吸収を減らし、外部への２ω光の取り出し
を２倍にする。
【０００９】
【実施例１】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は請求項１に記載の発明の一実施例を示す断面
図である。（０，１，−１）面Ｐ形ＧａＡｓからなる半
導体基板１上にＰ形のＧａＡｓ（厚さ６７．２ｎｍ）、
ＡｌＡｓ（厚さ８０ｎｍ）２４周期からなる第一ω反射
膜２、Ｐ形Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ（厚さ１１７
ｎｍ）からなる第一スペーサー層３、Ｐ形Ａｌ０．２
Ｇａ０．８ Ａｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる第一光閉じ
込め層４、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ（厚さ１０ｎ
ｍ）からなる活性層５、ｎ形Ａｌ０．２ Ｇａ０．８Ａ
ｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる第二光閉じ込め層６、ｎ形
Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ（厚さ１１７ｎｍ）から
なる第二スペーサー層７、ｎ形のＺｎＳｅ（厚さ１μｍ
）／ＺｎＳ０．２ Ｓｅ０．８ （厚さ１μｍ）２周期
からなる光第二高調波発生領域８、ｎ形のＺｎＳｅ（厚
さ１００ｎｍ）／ＺｎＳ０．２ Ｓｅ０．８ （厚さ１
０２ｎｍ）５周期からなる第二ω反射膜９を分子線エピ
タキシー法により結晶成長したのち、ドライエッチング
により直径２μｍの円柱状にエッチングしたのち、真空
蒸着によりＰ電極１０、ｎ電極１１を形成した。
る。図１は請求項１に記載の発明の一実施例を示す断面
図である。（０，１，−１）面Ｐ形ＧａＡｓからなる半
導体基板１上にＰ形のＧａＡｓ（厚さ６７．２ｎｍ）、
ＡｌＡｓ（厚さ８０ｎｍ）２４周期からなる第一ω反射
膜２、Ｐ形Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ（厚さ１１７
ｎｍ）からなる第一スペーサー層３、Ｐ形Ａｌ０．２
Ｇａ０．８ Ａｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる第一光閉じ
込め層４、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ（厚さ１０ｎ
ｍ）からなる活性層５、ｎ形Ａｌ０．２ Ｇａ０．８Ａ
ｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる第二光閉じ込め層６、ｎ形
Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ（厚さ１１７ｎｍ）から
なる第二スペーサー層７、ｎ形のＺｎＳｅ（厚さ１μｍ
）／ＺｎＳ０．２ Ｓｅ０．８ （厚さ１μｍ）２周期
からなる光第二高調波発生領域８、ｎ形のＺｎＳｅ（厚
さ１００ｎｍ）／ＺｎＳ０．２ Ｓｅ０．８ （厚さ１
０２ｎｍ）５周期からなる第二ω反射膜９を分子線エピ
タキシー法により結晶成長したのち、ドライエッチング
により直径２μｍの円柱状にエッチングしたのち、真空
蒸着によりＰ電極１０、ｎ電極１１を形成した。
【００１０】ＧａＡｓとＺｎＳｅの格子定数はほぼ等し
く、良好な結晶が得られる。ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅの２
次の非線形感受率が大きいため、ωから２ω光への変換
効率は高い。半導体基板１が（０，１，−１）面であり
、ω光の電界が基板面に平行な［１，１，１］方向であ
るとき、２ωの電界も［１，１，１］方向となり、［０
，１，−１］方向へ伝搬していく。
く、良好な結晶が得られる。ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅの２
次の非線形感受率が大きいため、ωから２ω光への変換
効率は高い。半導体基板１が（０，１，−１）面であり
、ω光の電界が基板面に平行な［１，１，１］方向であ
るとき、２ωの電界も［１，１，１］方向となり、［０
，１，−１］方向へ伝搬していく。
【００１１】活性層５からの発光（角周波数ω）は真空
中での波長でλ（ω０）＝１μｍである。第一ω反射膜
２および第二ω反射膜９はω光に対しλ（ω）／４とな
る層厚からなる多層膜であり、ω光の反射率は９９．９
％以上であった。この構造では２ωの光に対しては透過
的になるため、第二ω反射膜９は２ωの光を透過する。
中での波長でλ（ω０）＝１μｍである。第一ω反射膜
２および第二ω反射膜９はω光に対しλ（ω）／４とな
る層厚からなる多層膜であり、ω光の反射率は９９．９
％以上であった。この構造では２ωの光に対しては透過
的になるため、第二ω反射膜９は２ωの光を透過する。
【００１２】電流注入により活性層５で発光したω光は
第一ω反射膜２と第二ω反射膜９に反射されレーザ発振
する。レーザ発振したω光は光第二高調波発生領域８で
２ωの光に変換される。ＺｎＳｅでのコヒーレント長Ｌ
ｃ は Ｌｃ ＝２π／｛ｋ（２ω）−２ｋ（ω）｝＝λ（ω）
／［２｛ｎ（２ω）−ｎ（ω）｝］で表わされる。ここ
でｋ（ω），ｋ（２ω）およびｎ（ω），ｎ（２ω）は
ω光、２ω光に対する波数と屈折率である。ｎ（ω）＝
２．４８ｎ（２ω）＝２．７３であるからＬｃ ＝２μ
ｍとなる。光第二高調波発生領域８は周期２μｍであり
、位相整合している。
第一ω反射膜２と第二ω反射膜９に反射されレーザ発振
する。レーザ発振したω光は光第二高調波発生領域８で
２ωの光に変換される。ＺｎＳｅでのコヒーレント長Ｌ
ｃ は Ｌｃ ＝２π／｛ｋ（２ω）−２ｋ（ω）｝＝λ（ω）
／［２｛ｎ（２ω）−ｎ（ω）｝］で表わされる。ここ
でｋ（ω），ｋ（２ω）およびｎ（ω），ｎ（２ω）は
ω光、２ω光に対する波数と屈折率である。ｎ（ω）＝
２．４８ｎ（２ω）＝２．７３であるからＬｃ ＝２μ
ｍとなる。光第二高調波発生領域８は周期２μｍであり
、位相整合している。
【００１３】光第二高調波発生領域８でのω光の強度が
強く位相整合しているため、変換効率３０％で波長５０
０ｎｍの青色光が３ｍＷ得られた。
強く位相整合しているため、変換効率３０％で波長５０
０ｎｍの青色光が３ｍＷ得られた。
【００１４】
【実施例２】図２は請求項２に記載の発明の実施例を示
す断面図である。（０，１，−１）面ｎ形ＧａＡｓから
なる半導体基板１２上に、ｎ形のＧａＡｓ（厚さ６７．
２ｎｍ）、ＡｌＡｓ（厚さ８０ｎｍ）２４周期からなる
第一ω反射膜１３、ｎ形Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ
（厚さ１１７ｎｍ）からなる第一スペーサー層１４、ｎ
形Ａｌ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ（厚さ２０ｎｍ）から
なる第一光閉じ込め層１５、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８
Ａｓ（厚さ１０ｎｍ）からなる活性層１６、Ｐ形Ａｌ０
．２ Ｇａ０．８Ａｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる第二光
閉じ込め層１７、Ｐ形Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ（
厚さ１１７ｎｍ）からなる第二スペーサー層１８、Ｚｎ
Ｓｅ（厚さ４６ｎｍ）／ＺｎＳ０．２ Ｓｅ０．８ （
厚さ４６ｎｍ）２周期からなる２ω反射膜１９、ＺｎＳ
ｅ（厚さ１μｍ）からなる光第二高調波発生領域２０を
分子線エピタキシー法により結晶成長したのち、ドライ
エッチングにより直径２μｍの円柱状にエッチングした
のち、真空蒸着によりｎ電極２１、Ｐ電極２２を形成し
、スパッタ蒸着により、アモルファスＳｉ／ＳｉＯ２
のλ（２ω）／４層よりなる第二ω反射膜２３を形成し
た。コヒーレント長Ｌｃ ＝２μｍであり、厚さがコヒ
ーレント長Ｌｃ の半分である光第二高調波発生領域２
０では位相の不整合は問題にならない。
す断面図である。（０，１，−１）面ｎ形ＧａＡｓから
なる半導体基板１２上に、ｎ形のＧａＡｓ（厚さ６７．
２ｎｍ）、ＡｌＡｓ（厚さ８０ｎｍ）２４周期からなる
第一ω反射膜１３、ｎ形Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ
（厚さ１１７ｎｍ）からなる第一スペーサー層１４、ｎ
形Ａｌ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ（厚さ２０ｎｍ）から
なる第一光閉じ込め層１５、Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８
Ａｓ（厚さ１０ｎｍ）からなる活性層１６、Ｐ形Ａｌ０
．２ Ｇａ０．８Ａｓ（厚さ２０ｎｍ）からなる第二光
閉じ込め層１７、Ｐ形Ａｌ０．５ Ｇａ０．５ Ａｓ（
厚さ１１７ｎｍ）からなる第二スペーサー層１８、Ｚｎ
Ｓｅ（厚さ４６ｎｍ）／ＺｎＳ０．２ Ｓｅ０．８ （
厚さ４６ｎｍ）２周期からなる２ω反射膜１９、ＺｎＳ
ｅ（厚さ１μｍ）からなる光第二高調波発生領域２０を
分子線エピタキシー法により結晶成長したのち、ドライ
エッチングにより直径２μｍの円柱状にエッチングした
のち、真空蒸着によりｎ電極２１、Ｐ電極２２を形成し
、スパッタ蒸着により、アモルファスＳｉ／ＳｉＯ２
のλ（２ω）／４層よりなる第二ω反射膜２３を形成し
た。コヒーレント長Ｌｃ ＝２μｍであり、厚さがコヒ
ーレント長Ｌｃ の半分である光第二高調波発生領域２
０では位相の不整合は問題にならない。
【００１５】光第二高調波発生領域２０で２ωに変換さ
れた光のうち、基板下方へ進む光は、２ω光に対しλ（
２ω）／４板となる２ω反射膜１９によって反射され、
上面より外部に取り出される。これにより２倍の出力が
得られる。活性層１６から発光したωの光は２ω反射膜
１９を透過し、第一ω反射膜１３と第二ω反射膜２３に
より反射され、外部には出力されず、効率よく２ω光に
変換される。得られた２ω光は、波長５００ｎｍ変換効
率５０％出力５ｍＷであった。
れた光のうち、基板下方へ進む光は、２ω光に対しλ（
２ω）／４板となる２ω反射膜１９によって反射され、
上面より外部に取り出される。これにより２倍の出力が
得られる。活性層１６から発光したωの光は２ω反射膜
１９を透過し、第一ω反射膜１３と第二ω反射膜２３に
より反射され、外部には出力されず、効率よく２ω光に
変換される。得られた２ω光は、波長５００ｎｍ変換効
率５０％出力５ｍＷであった。
【００１６】上述の第一，第二の実施例ではＩＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体材料として、ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅを
用いたがこれに限らず、ＺｎＳＳｅ超格子やＺｎＴｅな
ど他の材料系を用いても良い。
Ｉ族化合物半導体材料として、ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅを
用いたがこれに限らず、ＺｎＳＳｅ超格子やＺｎＴｅな
ど他の材料系を用いても良い。
【００１７】前述の実施例ではＩＩＩ−Ｖ 族化合物半
導体材料としてＡｌＧａＩｎＡｓ系材料を用いたが、こ
れに限らずＩｎＧａＡｓＰ系など他の材料系を用いても
良い。
導体材料としてＡｌＧａＩｎＡｓ系材料を用いたが、こ
れに限らずＩｎＧａＡｓＰ系など他の材料系を用いても
良い。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、半
導体レーザと一体化した超小型の光第二高調波発生素子
が容易に得られる。
導体レーザと一体化した超小型の光第二高調波発生素子
が容易に得られる。
【図１】第１の発明の実施例を示す断面図である。
【図２】第１の発明に第２の発明を適用した実施例の断
面図である。
面図である。
１，１２ 半導体基板
２，１３ 第一ω反射膜
３，１４ 第一スペーサー層
４，１５ 第一光閉じ込め層
５，１６ 活性層
６，１７ 第二光閉じ込め層
７，１８ 第二スペーサー層
８，２０ 光第二高調波発生領域９，２３
第二ω反射膜 １０，２２ Ｐ電極 １１，２１ ｎ電極 １９ ２ω反射膜
第二ω反射膜 １０，２２ Ｐ電極 １１，２１ ｎ電極 １９ ２ω反射膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に結晶成長したＩＩＩ−
Ｖ 族化合物半導体材料の多層膜からなる第一ω反射膜
と、ＩＩＩ−Ｖ 族化合物半導体からなる角周波数ω、
波長λ（ω）である光を発光する活性層と、前記活性層
上に結晶成長した２次の非線形光学特性を有し、角周波
数２ωの光を透過するＩＩ−ＶＩ 族半導体材料からな
る光第二高調波発生領域と、半導体または誘電体材料多
層膜からなる第二ω反射膜とを有し、前記光第二高調波
発生領域の層構造が、ω光と２ω光とのコヒーレント長
の整数分の一の層厚である少なくとも１つ以上の層から
なる周期構造であり、また前記第二ω反射膜がω光を反
射し２ω光と透過する事を特徴とする面発光型素子。 - 【請求項２】 前記活性層と前記光第二高調波発生領
域との間に結晶成長したＩＩ−ＶＩ 族半導体材料多層
膜からなる２ω反射膜を存し、前記２ω反射膜がω光を
透過し２ω光を反射する事を特徴とする請求項１に記載
の面発光型素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3093342A JP2751656B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 面発光型光第二高調波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3093342A JP2751656B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 面発光型光第二高調波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04303984A true JPH04303984A (ja) | 1992-10-27 |
| JP2751656B2 JP2751656B2 (ja) | 1998-05-18 |
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ID=14079597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3093342A Expired - Fee Related JP2751656B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 面発光型光第二高調波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751656B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632553A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Hewlett-Packard Company | Surface emitting second harmonic generating device |
| US5422903A (en) * | 1993-04-15 | 1995-06-06 | Yamada; Norihide | Surface emitting second harmonic generating device |
| JP2005322857A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光共振器および光共振器の製造方法 |
| JP2008124287A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Ricoh Co Ltd | 波長変換素子 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3093342A patent/JP2751656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422903A (en) * | 1993-04-15 | 1995-06-06 | Yamada; Norihide | Surface emitting second harmonic generating device |
| EP0632553A2 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | Hewlett-Packard Company | Surface emitting second harmonic generating device |
| EP0632553A3 (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-25 | Hewlett Packard Co | |
| JP2005322857A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光共振器および光共振器の製造方法 |
| JP2008124287A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Ricoh Co Ltd | 波長変換素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751656B2 (ja) | 1998-05-18 |
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