JPH06310708A - Composite semiconductor device - Google Patents
Composite semiconductor deviceInfo
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- JPH06310708A JPH06310708A JP10071293A JP10071293A JPH06310708A JP H06310708 A JPH06310708 A JP H06310708A JP 10071293 A JP10071293 A JP 10071293A JP 10071293 A JP10071293 A JP 10071293A JP H06310708 A JPH06310708 A JP H06310708A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁ゲート電極でオ
ン，オフできる半導体装置において、オン時の抵抗損失
が小さく、特に高耐圧または大電流化に適した複合半導
体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device which can be turned on and off by an insulated gate electrode and which has a small resistance loss when turned on and is particularly suitable for high breakdown voltage or large current.
【０００２】[0002]
【従来の技術】インバータ装置を始めとする電力変換器
の高性能化の要求から、高速，低損失の半導体スイッチ
ング素子の開発が望まれている。近年、これに応える半
導体装置としてＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Tra
nsistor）が注目されている。ＩＧＢＴはMISFET（Metal
Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)
に比較し、低いオン電圧が実現できる特長がある。また
ＧＴＯサイリスタ等の電流制御型素子に比較し、高速性
に優れており、ゲート回路が簡便で小型化できるなどの
利点から、比較的小容量のインバータ装置を中心にその
応用範囲を広げつつある。2. Description of the Related Art Due to the demand for higher performance of power converters such as inverter devices, the development of high-speed, low-loss semiconductor switching elements has been desired. In recent years, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) have been used as a semiconductor device to meet this demand.
nsistor) is attracting attention. IGBT is MISFET (Metal
(Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)
Compared with, there is a feature that low on-voltage can be realized. Further, compared with current control type elements such as GTO thyristors, they are superior in high speed, and because of the advantages that the gate circuit is simple and can be miniaturized, their application range is expanding centering on inverter devices of relatively small capacity. .
【０００３】このようなＩＧＢＴは、例えばアイ・エス
・ピー・エス・ディー(１９９１年)第２２０−第２２５
頁（Proceedings of 1991 International Symposium on
Power Semiconductor Device & ICs,Tokyo,pp.２２０−
２２５）おいて論じられている。図１３にその概略断面
構造を示す。図において、４００は主表面４１１に隣接
するｎ-層、４０１はｎ-層４００に隣接するそれより高
不純物濃度を有するｎ層、４０２はｎ層４０１及び主表
面４１２に隣接するｐ+ 層、４０３は主表面４１１から
ｎ- 層４００内に延びそれより高不純物濃度を有するｐ
層、４０４は主表面４１１からｐ層４０３内に延びそれ
より高不純物濃度を有するｎ+ 層、４０５は主表面４１
１においてｎ+ 層４０４及びｐ層４０３に接触するカソ
ード電極、４０６は主表面４１２においてｐ+ 層４０２
に接触するアノード電極、４０７は主表面４１１の少な
くともｐ層４０３上に絶縁膜４０８を介して形成された
絶縁ゲート電極である。この半導体装置は、ｐ+層４０
２，ｎ-層４００，ｐ層４０３から成るｐｎｐトランジ
スタ（Ｑ1）と、ｎ-層４００，ｐ層４０３，ｎ+層４０
４から成るｎｐｎトランジスタ（Ｑ2）と、絶縁ゲート
電極４０７，ｎ+層４０４，ｐ層４０３，ｎ-層４００か
らなるｎチャネルMISFET(Ｍ1）を有している。通常、ｐ
層４０３の横方向抵抗ｒは十分に小さく設計されるので
ｎｐｎトランジスタ（Ｑ2）が動作することはない。即
ち、このような半導体装置はMISFETとｐｎｐトランジス
タを複合したものとみなせる。図１４は図１３の半導体
装置の等価回路を示す。以下、図１３及び図１４を用い
て動作原理を述べる。まず、半導体装置をターンオンさ
せるには、カソード電極４０５に負の電位、アノード電
極４０６に正の電位を印加し、絶縁ゲート電極４０７に
カソード電極４０５よりも正側に大きい電位を加える。
これにより絶縁ゲート電極４０７下のｐ層４０３表面に
反転層（チャネル）が形成され、ｎ+層４０４とｎ-層４
００が短絡されｎチャネルMISFET(Ｍ1）がオンする。こ
の結果、カソード電極４０５からｎチャネルMISFET
(Ｍ1）を通して注入された電子(ＭＩＳ電流）がｎ-層４
００を通過しｐ+ 層４０２に流れ込むと、ｐ+層４０２
よりホールがｎ-層４００へ注入される。このキャリア
蓄積によりｎ-層４００の電導率変調が起こり、ｎ-層４
００の抵抗Ｒが低下し、半導体装置がオン状態となる。
前述したようにｐ層４０３の横方向抵抗ｒは十分に小さ
く設計されるので、ｎ+層４０４,ｐ層４０３，ｎ-層４
００，ｐ+層４０２（Ｑ1，Ｑ2）からなる寄生サイリス
タは極めて動作しづらくなっている。Such an IGBT is disclosed in, for example, I.S.P.S.D. (1991) No. 220-225.
Page (Proceedings of 1991 International Symposium on
Power Semiconductor Device & ICs, Tokyo, pp.220-
225). FIG. 13 shows a schematic sectional structure thereof. In the figure, 400 is an n − layer adjacent to the main surface 411, 401 is an n layer adjacent to the n − layer 400 and having a higher impurity concentration, 402 is a p + layer adjacent to the n layer 401 and the main surface 412, 403 extends from the main surface 411 into the n @-layer 400 and has a higher impurity concentration than that of p.
The layer 404 is an n + layer extending from the main surface 411 into the p layer 403 and having a higher impurity concentration than that, and 405 is the main surface 41.
1 is a cathode electrode in contact with the n + layer 404 and the p layer 403, and 406 is a p + layer 402 at the main surface 412.
An anode electrode 407 in contact with is an insulated gate electrode formed on at least the p layer 403 of the main surface 411 via an insulating film 408. This semiconductor device has a p + layer 40
A pnp transistor (Q 1 ) composed of 2, n − layer 400 and p layer 403, and n − layer 400, p layer 403 and n + layer 40.
4 has an npn transistor (Q 2 ) and an n-channel MISFET (M 1 ) composed of an insulated gate electrode 407, an n + layer 404, a p layer 403, and an n − layer 400. Usually p
The lateral resistance r of the layer 403 is designed to be sufficiently small so that the npn transistor (Q 2 ) will not operate. That is, such a semiconductor device can be regarded as a combination of MISFET and pnp transistor. FIG. 14 shows an equivalent circuit of the semiconductor device of FIG. The operating principle will be described below with reference to FIGS. 13 and 14. First, in order to turn on the semiconductor device, a negative potential is applied to the cathode electrode 405, a positive potential is applied to the anode electrode 406, and a potential larger than the cathode electrode 405 is applied to the insulated gate electrode 407.
As a result, an inversion layer (channel) is formed on the surface of the p layer 403 below the insulated gate electrode 407, and the n + layer 404 and the n − layer 4 are formed.
00 is short-circuited and the n-channel MISFET (M 1 ) is turned on. As a result, from the cathode electrode 405 to the n-channel MISFET
Electrons (MIS current) injected through (M 1 ) are n-layer 4
After passing through 00 and flowing into the p + layer 402, the p + layer 402
More holes are injected into n-layer 400. This carrier accumulation causes a conductivity modulation of the n-layer 400,
The resistance R of 00 decreases and the semiconductor device is turned on.
Since the lateral resistance r of the p layer 403 is designed to be sufficiently small as described above, the n + layer 404, the p layer 403, and the n− layer 4 are formed.
00, p + layer 402 (Q 1 , Q 2 ), the parasitic thyristor is extremely difficult to operate.
【０００４】一方、半導体装置をターンオフするには、
絶縁ゲート電極４０７の電位をカソード電極４０５と同
電位にするか、或いはカソード電極４０５の電位よりも
負の電位にすることで、絶縁ゲート電極４０７の下のｐ
層４０３表面の反転層が消滅し、ｎ+層４０４からの電
子注入が遮断される結果、ｐ+層４０２からのホール注
入もなくなり、半導体装置はオフ状態になる。On the other hand, to turn off the semiconductor device,
By setting the potential of the insulated gate electrode 407 to be the same as that of the cathode electrode 405 or a potential that is negative than the potential of the cathode electrode 405, p under the insulated gate electrode 407 is reduced.
As the inversion layer on the surface of the layer 403 disappears and electron injection from the n + layer 404 is blocked, hole injection from the p + layer 402 also disappears and the semiconductor device is turned off.
【０００５】かかるＩＢＧＴは、ｐ+層４０２からのホ
ール注入によりｎ-層４００の電導率変調が起こるの
で、MISFETに比較し低いオン電圧が実現できる特長があ
る。また、バイポ−ラトランジスタのエミッタとなるｎ
+ 層４０４からの電子がゲート電位により瞬時に注入ま
たは遮断されるのでMISFETに近い高速スイッチングが可
能になる。The IBGT has a feature that a lower on-voltage can be realized as compared with the MISFET because the conductivity modulation of the n-layer 400 occurs due to the hole injection from the p + layer 402. In addition, n which becomes the emitter of the bipolar transistor
Since the electrons from the + layer 404 are instantaneously injected or blocked by the gate potential, high-speed switching close to MISFET becomes possible.
【０００６】また、近年絶縁ゲート電極でサイリスタを
制御する新しいタイプの半導体装置が提案されており、
例えばアイ・エス・ピー・エス・ディー（１９９２年）
第２５６−第２６０頁(Proceedings of 1992 Inter-nat
ional Symposium on PowerSemiconductor Device & IC
s,Tokyo,pp.２５６−２６０）おいて論じられている。
図１６は上記文献のＦｉｇ．１に記載されている半導体
装置で、主表面５１１に隣接するｎ-層５００，ｎ-層５
００に隣接しそれより高不純物濃度を有するｎ層５０
１，ｎ層５０１及び主表面５１２に隣接しｎ層５０１よ
り高不純物濃度を有するｐ1+層５０２，主表面５１１か
らｎ-層５００内に延びｎ-層５００より高不純物濃度を
有するｐ2+層５０３，ｐ2+層５０３に隣接し主表面５１
１からｎ-層５００内に延びｎ-層５００とｐ2+層５０３
との間の不純物濃度を有するｐ-層５０４，主表面５１
１からｐ2+層５０３及びｐ-層５０４内に延びｐ2+ 層５
０３より高不純物濃度を有するｎ1+層５０５，ｎ1+層５
０５から離れた個所において主表面５１１からｐ-層５
０４内に延びｐ-層５０４より高不純物濃度を有するｎ2
+層５０６，ｎ1+層５０５及びｐ2+層５０３に接触する
カソード電極，ｐ1+層５０２に接触するアノード電極５
１０，ｎ1+層５０５とｎ2+層５０６との間に露出するｐ
- 層５０４の露出面上に絶縁膜を介して形成された第１
の絶縁ゲート電極Ｇ1 ，ｎ-層５００とｎ2+層５０６と
の間に露出するｐ-層５０４の露出面上に絶縁膜を介し
て形成された第２の絶縁ゲート電極Ｇ2 から構成されて
いる。この半導体装置は、ｐ1+層５０２，ｎ-層５０
０，ｐ-層５０４からなるｐｎｐトランジスタ(Ｑ1）
と、ｎ-層５００，ｐ-層５０４，ｎ2+層５０６からなる
ｎｐｎトランジスタ(Ｑ2）とで構成されるサイリスタを
内蔵している。また、第１の絶縁ゲート電極Ｇ1，ｎ1+
層５０５，ｐ-層５０４，ｎ2+層５０６からなるｎチャ
ネルMISFET(Ｍ1）と第２の絶縁ゲート電極Ｇ2，ｎ2+層
５０６，ｐ-層５０４，ｎ- 層５００からなるｎチャネ
ルMISFET(Ｍ2）を有している。更に、寄生素子として、
ｎ1+層５０５，ｐ2+層５０３，ｎ- 層５００，ｐ1+層５
０２からなる寄生サイリスタを含んでいる。Further, in recent years, a new type of semiconductor device has been proposed in which an insulated gate electrode controls a thyristor.
For example, IPS PDS (1992)
256-260 (Proceedings of 1992 Inter-nat
ional Symposium on PowerSemiconductor Device & IC
s, Tokyo, pp. 256-260).
FIG. 16 shows FIG. 1. In the semiconductor device described in No. 1, the n − layer 500 and the n − layer 5 adjacent to the main surface 511.
N layer 50 adjacent to 00 and having a higher impurity concentration
1, a p 1 + layer 502 adjacent to the n layer 501 and the main surface 512 and having a higher impurity concentration than the n layer 501, and a p 2 extending from the main surface 511 into the n − layer 500 and having a higher impurity concentration than the n − layer 500. Main surface 51 adjacent to + layer 503 and p 2 + layer 503
1 through n-layer 500 and n-layer 500 and p 2 + layer 503
P-layer 504 having a concentration of impurities between
1 into the p 2 + layer 503 and the p − layer 504 and the p 2 + layer 5
N 1 + layers 505 and n 1 + layers 5 having a higher impurity concentration than 03.
From the main surface 511 to the p-layer 5 at a position away from 05
N 2 having a higher impurity concentration than the p − layer 504.
Cathode electrode in contact with + layer 506, n 1 + layer 505 and p 2 + layer 503, anode electrode 5 in contact with p 1 + layer 502
10, p exposed between n 1 + layer 505 and n 2 + layer 506
-A first layer formed on the exposed surface of the layer 504 through an insulating film
Insulated gate electrode G 1 , a second insulated gate electrode G 2 formed on the exposed surface of the p − layer 504 exposed between the n − layer 500 and the n 2 + layer 506 via an insulating film. Has been done. This semiconductor device has a p 1 + layer 502 and an n − layer 50.
Pnp transistor (Q 1 ) consisting of 0, p-layer 504
And an npn transistor (Q 2 ) composed of the n − layer 500, the p − layer 504, and the n 2 + layer 506. In addition, the first insulated gate electrodes G 1 , n 1 +
An n-channel MISFET (M 1 ) composed of the layer 505, the p − layer 504 and the n 2 + layer 506, and an n composed of the second insulated gate electrode G 2 , n 2 + layer 506, the p − layer 504 and the n − layer 500. It has a channel MISFET (M 2 ). Furthermore, as a parasitic element,
n 1 + layer 505, p 2 + layer 503, n − layer 500, p 1 + layer 5
It includes a parasitic thyristor consisting of 02.
【０００７】図１７は図１６の半導体装置の等価回路を
示す。以下、図１６及び図１７を用いて動作原理を述べ
る。まず、半導体装置をターンオンさせるにはカソード
電極５０９に負の電位、アノード電極５１０に正の電位
を印加し、第１及び第２の絶縁ゲート電極Ｇ1，Ｇ2にカ
ソード電極５０９よりも正側に大きい電位を印加する。
これにより第１及び第２の絶縁ゲート電極Ｇ1，Ｇ2の下
のｐ- 層５０４の表面に反転層が形成され、ｎ1+層５０
５，ｎ2+層５０６及びｎ- 層５００が短絡され、ｎチャ
ネルMISFET(Ｍ1）及び、ｎチャネルMISFET(Ｍ2）がオン
する。この結果、カソード電極５０９からｎチャネルMI
SFET(Ｍ1）及びｎチャネルMISFET(Ｍ2）を通して注入さ
れた電子（ＭＩＳ電流）がｎ-層５００を通過しｐ1+層
５０２に流れ込むと、ｐ1+層５０２よりホールがｎ- 層
５００へ注入される。このホール電流がｐ-層５０４に
達してカソード電極５０９へ流れると、ｐ-層５０４の
横方向抵抗ｒ2によって電位差が生じる。この電位差が
ｐ-層５０４とｎ2+層５０６の拡散電位(シリコンでは室
温では約０.７Ｖ）を超えると、ｎ2+層５０６から電子
が直接ｎ- 層５００に注入されるようになり、Ｑ1とＱ2
からなるサイリスタが点弧し、半導体装置がオン状態と
なる。尚、抵抗ｒ1 はｐ2+層５０３が高不純物濃度であ
るため十分に小さく、Ｑ3とＱ4からなる寄生サイリスタ
はオンしづらい。一方、ターンオフするには、第１及び
第２の絶縁ゲート電極Ｇ1，Ｇ2の電位をカソード電極５
０９と同電位にするか或いはカソード電極５０９の電位
よりも負の電位にすることで、第１及び第２の絶縁ゲー
ト電極Ｇ1及びＧ2の下のｐ- 層５０４表面の反転層が消
滅し、ｎ2+層５０６からの電子の注入が遮断される結
果、ｐ1+層５０２からのホール注入もなくなり、半導体
装置はオフ状態になる。FIG. 17 shows an equivalent circuit of the semiconductor device of FIG. The operating principle will be described below with reference to FIGS. First, in order to turn on the semiconductor device, a negative potential is applied to the cathode electrode 509 and a positive potential is applied to the anode electrode 510 so that the first and second insulated gate electrodes G 1 and G 2 are on the positive side of the cathode electrode 509. A large potential is applied to.
As a result, an inversion layer is formed on the surface of the p − layer 504 below the first and second insulated gate electrodes G 1 and G 2 , and the n 1 + layer 50 is formed.
5, the n 2 + layer 506 and the n − layer 500 are short-circuited, and the n-channel MISFET (M 1 ) and the n-channel MISFET (M 2 ) are turned on. As a result, from the cathode electrode 509 to the n-channel MI
When electrons (MIS current) injected through the SFET (M 1 ) and the n-channel MISFET (M 2 ) pass through the n − layer 500 and flow into the p 1 + layer 502, holes are generated from the p 1 + layer 502 to the n − layer. Injected into 500. When this hole current reaches p − layer 504 and flows to cathode electrode 509, a potential difference occurs due to lateral resistance r 2 of p − layer 504. When this potential difference exceeds the diffusion potential of p − layer 504 and n 2 + layer 506 (about 0.7 V at room temperature in silicon), electrons are directly injected from n 2 + layer 506 into n − layer 500. , Q 1 and Q 2
The thyristor consisting of 1 is fired and the semiconductor device is turned on. The resistance r 1 is sufficiently small because the p 2 + layer 503 has a high impurity concentration, and the parasitic thyristor composed of Q 3 and Q 4 is difficult to turn on. On the other hand, in order to turn off, the potentials of the first and second insulated gate electrodes G 1 and G 2 are set to the cathode electrode 5
09 or by making the potential of the cathode electrode 509 negative than that of the cathode electrode 509, the inversion layer on the surface of the p − layer 504 under the first and second insulated gate electrodes G 1 and G 2 disappears. Then, as a result of blocking the injection of electrons from the n 2 + layer 506, the hole injection from the p 1 + layer 502 is also eliminated, and the semiconductor device is turned off.
【０００８】このような半導体装置の特徴は、サイリス
タ動作を用いることにより、カソード電極５０９からｎ
チャネルMISFET(Ｍ1）を通して供給される電子が、ｎ2+
層５０６の横方向に広がって流れるため、導通時のオン
電圧（抵抗損失）を従来のＩＧＢＴに比べて小さくでき
ることにある。また、絶縁ゲート電極への電位の印加・
除去によってオン・オフすることができ、従来のＩＧＢ
Ｔと同様にゲート回路が極めて簡略化される特長を有し
ている。The characteristic of such a semiconductor device is that the cathode electrodes 509 to n can be formed by using the thyristor operation.
The electrons supplied through the channel MISFET (M 1 ) are n 2 +
Since the layer 506 spreads in the lateral direction and flows, the on-voltage (resistance loss) during conduction can be made smaller than that of the conventional IGBT. In addition, applying a potential to the insulated gate electrode
It can be turned on and off by removing it, and the conventional IGB
Similar to T, it has a feature that the gate circuit is extremely simplified.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
半導体装置の内ＩＧＢＴは高耐圧化及び大電流化が難し
いことから、大容量のインバータ装置への適用が難しい
という問題点を持っている。図１５にＩＧＢＴの定常オ
ン状態でのカソード側の電流流線シミュレーション結果
を示す。カソード電極４０５から反転層（ｎチャネル）
を通してｎ- 層４００に流入する電子は、ゲート電極４
０７直下のｎ- 層４００表面に形成されるｎ+蓄積層で
若干横方向に広がるが、ｎ+蓄積層の抵抗が大きいため
十分には広がりきらない。従って、カソード電極４０５
から遠いところ（図１５では右側の絶縁ゲート電極の
下）では電流が流れ難く、このためオン電圧が大きくな
る。一方、ｐ層４０３の下部領域もｎ- 層４００の電位
降下による空乏化のため電流が流れ難い。この現象は、
ｎ- 層４００の不純物濃度が低い高耐圧のもの程顕著に
なる。即ち、高耐圧になるもの程ゲート長を長くする必
要があり、この結果上記横方向への電流広がりが更に悪
くなる。換言すれば、カソード側からの電子の供給が少
なく、電導率変調効果が小さい。このため、ＩＧＢＴで
は高耐圧化するとオン電圧の増加が著しく、大容量化が
難しい問題があった。However, it is difficult to increase the withstand voltage and current of the above-mentioned IGBT in the semiconductor device, so that it is difficult to apply the IGBT to a large-capacity inverter device. FIG. 15 shows a current streamline simulation result on the cathode side in the steady ON state of the IGBT. From the cathode electrode 405 to the inversion layer (n channel)
Electrons flowing into the n- layer 400 through the gate electrode 4
The n + storage layer formed on the surface of the n− layer 400 immediately below 07 spreads slightly in the lateral direction, but cannot fully spread because the resistance of the n + storage layer is large. Therefore, the cathode electrode 405
It is difficult for a current to flow in a place far away from (below the insulated gate electrode on the right side in FIG. 15), and therefore the on-voltage increases. On the other hand, in the lower region of p layer 403, it is difficult for current to flow due to depletion due to the potential drop of n − layer 400. This phenomenon is
The higher the breakdown voltage of n- layer 400 having a lower impurity concentration, the more remarkable it becomes. That is, the higher the breakdown voltage is, the longer the gate length must be made, and as a result, the current spreading in the lateral direction is further deteriorated. In other words, the supply of electrons from the cathode side is small and the conductivity modulation effect is small. Therefore, in the IGBT, when the breakdown voltage is increased, the on-state voltage is remarkably increased, and there is a problem that it is difficult to increase the capacity.
【００１０】また、上述のＭＩＳゲート型サイリスタ
は、点弧しづらいという問題がある。従来装置では、前
述したようにターンオン時にまず絶縁ゲート電極Ｇ1，
Ｇ2の下のｐ-層５０４表面に反転層が形成され、ｎチャ
ネルMISFET(Ｍ1)及びｎチャネルMISFET(Ｍ2）がオン
し、ｎ1+層５０５，ｎ2+層５０６，ｎ- 層５００が短絡
される。この結果、カソード電極５０９からｎ- 層５０
０に注入される電子（ＭＩＳ電流）は、図１７の等価回
路からも明らかなように、Ｍ1及びＭ2の２つのMISFETの
反転層（チャネル）を通らなければならず、このチャネ
ル抵抗によって電子電流が制限される。従って、ｐ1+層
５０２からのホール電流も小さいため、Ｑ1 及びＱ2か
らなるサイリスタが点弧しづらい。これを防ぐために、
Ｍ2のエリア（チャネル幅）を大きくするか、或いはｎ2
+層５０６のエリアを小さくする方法もあるが、これは
半導体装置全体に占める主電流を流すサイリスタ領域の
面積を小さくすることであり、導通時の抵抗損失（オン
電圧）が大きくなってしまい、従来のＩＧＢＴと同様な
問題が生ずる。Further, the above-mentioned MIS gate type thyristor has a problem that it is difficult to fire. In the conventional device, as described above, the insulated gate electrode G 1 ,
An inversion layer is formed on the surface of the p − layer 504 below G 2 , the n-channel MISFET (M 1 ) and the n-channel MISFET (M 2 ) are turned on, and the n 1 + layer 505, n 2 + layer 506, n − Layer 500 is shorted. As a result, from the cathode electrode 509 to the n − layer 50
The electrons (MIS current) injected into 0 must pass through the inversion layers (channels) of the two MISFETs M 1 and M 2 as is clear from the equivalent circuit of FIG. The electron current is limited. Therefore, since the hole current from the p 1 + layer 502 is also small, the thyristor composed of Q 1 and Q 2 is hard to fire. To prevent this
Increase the area (channel width) of M 2 or n 2
There is also a method of reducing the area of the + layer 506, but this is to reduce the area of the thyristor region in which the main current occupies the entire semiconductor device, and the resistance loss (ON voltage) during conduction increases, A problem similar to that of the conventional IGBT occurs.
【００１１】本発明の目的は、従来の欠点を除去して、
導通時の抵抗損失（オン電圧）が小さく、高耐圧化に適
した絶縁ゲート電極を有する複合半導体装置を提供する
ことにある。The object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art,
It is an object of the present invention to provide a composite semiconductor device having a small resistance loss (ON voltage) when conducting and having an insulated gate electrode suitable for high breakdown voltage.
【００１２】本発明の他の目的は、以下の実施例の説明
から明らかとなろう。Other objects of the present invention will be apparent from the following description of the embodiments.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明複合半導体装置の
特徴とするところは、ＩＧＢＴ領域とサイリスタ領域が
半導体基体内に隣接配置され、半導体基体の両主表面に
一対の主電極が設けられ、ＩＧＢＴ領域は一対の主電極
に直接接続され、サイリスタ領域のカソード側の端部領
域はＩＧＢＴ領域に存在するＭＩＳＦＥＴ領域を介して
カソード側の主電極に接続され、アノード側の端部領域
はアノード側の主電極に直接接続されている構成とした
点にある。The composite semiconductor device of the present invention is characterized in that an IGBT region and a thyristor region are arranged adjacent to each other in a semiconductor substrate, and a pair of main electrodes are provided on both main surfaces of the semiconductor substrate. The IGBT region is directly connected to the pair of main electrodes, the cathode side end region of the thyristor region is connected to the cathode side main electrode through the MISFET region existing in the IGBT region, and the anode side end region is the anode side. It is configured to be directly connected to the main electrode of.
【００１４】本発明複合半導体装置の特徴を具体的にい
えば、一対の主表面を有し、一方導電型の第１の半導体
層と、一方の主表面及び第１の半導体層とに隣接し第１
の半導体層より高不純物濃度を有する他方導電型の第２
の半導体層と、他方の主表面から第１の半導体層内に延
び第１の半導体層より高不純物濃度を有する他方導電型
の第３の半導体層と、他方の主表面から第３の半導体層
内に延び第３の半導体層より高不純物濃度を有する一方
導電型の第４の半導体層と、他方の主表面から第１の半
導体層内に延び一部が第３の半導体層に接し第４の半導
体層から離れ第３の半導体層より高不純物濃度を有する
一方導電型の第５の半導体層と、第１の半導体層及び第
５の半導体層との間に位置し第３の半導体層から離れ第
１の半導体層と第５の半導体層との間の不純物濃度を有
する他方導電型の第６の半導体層とを有する半導体基
体，半導体基体の一方の主表面において、第２の半導体
層に低抵抗接触する第１の主電極，半導体基体の他方の
主表面において、第３の半導体層及び第４の半導体層に
低抵抗接触する第２の主電極，半導体基体の他方の主表
面において、第４の半導体層と第５の半導体層との間に
露出する第３の半導体層表面に絶縁膜を介して形成され
た制御電極を具備する点にある。Specifically, the feature of the composite semiconductor device of the present invention is that it has a pair of main surfaces and is adjacent to one conductivity type first semiconductor layer and one main surface and the first semiconductor layer. First
Second conductivity type having a higher impurity concentration than the second semiconductor layer
Semiconductor layer, a third semiconductor layer of the other conductivity type extending from the other main surface into the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer, and a third semiconductor layer from the other main surface. A fourth semiconductor layer of one conductivity type that extends into the first semiconductor layer and has a higher impurity concentration than the third semiconductor layer, and extends from the other main surface into the first semiconductor layer, and a part of the fourth semiconductor layer contacts the third semiconductor layer. Located between the first semiconductor layer and the fifth semiconductor layer and one conductivity type fifth semiconductor layer having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer. A semiconductor substrate having a second conductivity type sixth semiconductor layer having an impurity concentration between the first semiconductor layer and the fifth semiconductor layer and a second semiconductor layer formed on one main surface of the semiconductor substrate. At the first main electrode in low resistance contact and the other main surface of the semiconductor substrate, Second semiconductor electrode in low resistance contact with the semiconductor layer and the fourth semiconductor layer, and the third semiconductor exposed between the fourth semiconductor layer and the fifth semiconductor layer on the other main surface of the semiconductor substrate. The point is that a control electrode is formed on the surface of the layer via an insulating film.
【００１５】本発明の他の特徴は以下の実施例の説明か
ら明らかとなろう。Other features of the present invention will be apparent from the following description of the embodiments.
【００１６】[0016]
【作用】本発明複合半導体装置によれば、ＩＧＢＴ領域
にサイリスタ領域を最良の形で複合化したことにより、
点弧特性を損なうことなく、カソード電極からＭＩＳチ
ャネルを通って供給される電子がサイリスタ領域に十分
に広がって流れるので、オン電圧が十分低くできる。即
ち、ＩＧＢＴ領域のｐベース層とサイリスタ領域のｐベ
ース層を分離して設け、サイリスタ領域のｎエミッタ層
が部分的にｎベース層に接するようにしたことにより、
ＩＧＢＴ領域に存在する一個のＭＩＳＦＥＴでＩＧＢＴ
電流とサイリスタ電流を制御できる。即ち、サイリスタ
領域を点弧させるに必要なＭＩＳ電流がＭＩＳＦＥＴの
チャネル抵抗を一つだけしか介さないので、小さなＩＧ
ＢＴ（またはＭＩＳ）領域で容易にサイリスタを点弧で
きる。また、サイリスタ領域もＭＩＳＦＥＴのチャネル
抵抗を一つだけしか介さないので、十分に低いオン電圧
が実現できる。According to the composite semiconductor device of the present invention, by combining the thyristor region with the IGBT region in the best form,
Since the electrons supplied from the cathode electrode through the MIS channel spread sufficiently in the thyristor region without impairing the ignition characteristics, the on-voltage can be made sufficiently low. That is, the p base layer in the IGBT region and the p base layer in the thyristor region are separately provided, and the n emitter layer in the thyristor region is partially in contact with the n base layer.
IGBT with one MISFET existing in the IGBT region
Current and thyristor current can be controlled. That is, since the MIS current necessary for firing the thyristor region passes through only one channel resistance of the MISFET, a small IG
The thyristor can be easily ignited in the BT (or MIS) area. Moreover, since the thyristor region also has only one channel resistance of the MISFET, a sufficiently low on-voltage can be realized.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明を実施例として示した図面を用
いて詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings showing the embodiments.
【００１８】図１は本発明複合半導体装置の一実施例を
示す概略断面図である。図において、１は一対の主表面
１１，１２と、両主表面から離れて形成され第１の層部
分１３１(ｎ-）及び第１の層部分１３１に隣接しそれよ
り高不純物濃度を有する第２の層部分１３２とからなる
ｎ層１３と、ｎ層１３の第２の層部分１３２と主表面１
２に隣接し第２の層部分１３２より高不純物濃度を有す
るｐ1+層１４と、主表面１１及びｎ層１３の第１の層部
分１３１に隣接し第１の層部分１３１より高不純物濃度
を有する第１の層部分１５１と主表面１１から第１の層
部分１５１内に延びそれより高不純物濃度を有する第２
の層部分１５２とからなるｐ層１５と、主表面１１から
ｐ層１５内に延び大部分が第２の層部分１５２に隣接す
る第２の層部分１５２より高不純物濃度を有するｎ1+層
１６と、主表面１１に隣接しｎ層１３の第１の層部分１
３１及びｐ層１５の第１の層部分１５１内に延び両者よ
り高不純物濃度を有するｎ2+層１７と、ｐ層１５の第１
の層部分１５１から離れｎ層１３の第１の層部分１３１
とｎ2+層１７との間に形成され両者の間の不純物濃度を
有するｐ- 層１８とを具備する半導体基体である。２は
半導体基体の主表面１１においてｎ1+層１６及びｐ層１
５の第２の層部分１５２に低抵抗接触したカソード電
極、３は半導体基体の主表面１２においてｐ1+層１４に
低抵抗接触したアノード電極、４は半導体基体の主表面
１１においてｎ1+層１６とｎ2+層１７との間に露出する
ｐ層１５の第１の層部分１５１の表面上に絶縁膜５を介
して載置した絶縁ゲート電極である。ｐ層１５の第２の
層部分１５２は絶縁ゲート電極４から離れた個所におい
てｎ1+層１６に隣接し、ｐ- 層１８は絶縁ゲート電極４
から離れた個所においてｎ2+層１７に隣接している。こ
の複合半導体装置は、ｐ1+層１４，ｎ層１３，ｐ-層１
８で構成されるｐｎｐトランジスタ（Ｑ1）と、ｎ層１
３，ｐ-層１８，ｎ2+層１７で構成されるｎｐｎトラン
ジスタ（Ｑ2）からなるサイリスタを内蔵している。更
に、絶縁ゲート電極４，ｎ1+層１６，ｐ層１５の第１の
層部分１５１，ｎ2+層１７からなるｎチャネルMISFET
(Ｍ1）と、ｎ1+層１７，ｐ層１５，ｎ層１３からなるｎ
ｐｎトランジスタ(Ｑ3）と、ｐ層１５，ｎ層１３，ｐ1+
層１４からなるｐｎｐトランジスタ(Ｑ4）から構成され
るＩＧＢＴ領域が存在する。即ち、図１の複合半導体装
置は、図２の等価回路で示すようにＩＧＢＴとサイリス
タをカソ−ド側で共通のｎチャネルMISFET(Ｍ1）で接続
した複合装置とみなすことができる。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the composite semiconductor device of the present invention. In the figure, 1 is a pair of main surfaces 11 and 12, and a first layer portion 131 (n-) formed apart from both main surfaces and adjacent to the first layer portion 131 (n-) and having a higher impurity concentration than that. N layer 13 composed of two layer portions 132, a second layer portion 132 of n layer 13 and main surface 1
P 1 + a layer 14, high impurity concentration than the first layer portion 131 adjacent to the first layer portion 131 of the main surface 11 and the n layer 13 having a high impurity concentration than the second layer portion 132 adjacent to the 2 A first layer portion 151 having a and a second layer extending from the main surface 11 into the first layer portion 151 and having a higher impurity concentration.
A p layer 15 having a layer portion 152. of, n 1 + layer where most extends p layer 15 from the main surface 11 has a high impurity concentration than the second layer portion 152 adjacent to the second layer portion 152 16 and the first layer portion 1 of the n-layer 13 adjacent to the main surface 11
31 and the n 2 + layer 17 extending into the first layer portion 151 of the p-layer 15 and having a higher impurity concentration than both, and the first p-layer 15
Away from the layer portion 151 of the first layer portion 131 of the n-layer 13
And the n 2 + layer 17 and the p − layer 18 having an impurity concentration between the two. 2 is an n 1 + layer 16 and a p layer 1 on the main surface 11 of the semiconductor substrate.
5 is a cathode electrode in low resistance contact with the second layer portion 152 of the electrode 5, 3 is an anode electrode in low resistance contact with the p 1 + layer 14 on the main surface 12 of the semiconductor substrate, and 4 is n 1 + on the main surface 11 of the semiconductor substrate. The insulated gate electrode is placed on the surface of the first layer portion 151 of the p layer 15 exposed between the layer 16 and the n 2 + layer 17 with the insulating film 5 interposed therebetween. The second layer portion 152 of the p-layer 15 is adjacent to the n 1 + layer 16 at a position apart from the insulated gate electrode 4, and the p − layer 18 is connected to the insulated gate electrode 4.
Adjacent to the n 2 + layer 17 at a location remote from. This composite semiconductor device includes a p 1 + layer 14, an n layer 13, and a p − layer 1.
Pnp transistor (Q 1 ) composed of 8 and n layer 1
A thyristor composed of an npn transistor (Q 2 ) composed of 3, p − layer 18 and n 2 + layer 17 is built in. Further, an n-channel MISFET including the insulated gate electrode 4, the n 1 + layer 16, the first layer portion 151 of the p layer 15 and the n 2 + layer 17 is formed.
(M 1 ) and n 1 + layer 17, p layer 15 and n layer 13
pn transistor (Q 3 ), p layer 15, n layer 13, p 1 +
There is an IGBT region consisting of a pnp transistor (Q 4 ) consisting of layer 14. That is, the composite semiconductor device of FIG. 1 can be regarded as a composite device in which the IGBT and the thyristor are connected by the common n-channel MISFET (M 1 ) on the cathode side as shown in the equivalent circuit of FIG.
【００１９】以下、図１及び図２を用いて動作原理を述
べる。まず、複合半導体装置をターンオンさせるには、
カソード電極２に負の電位、アノード電極３に正の電位
を印加し、絶縁ゲート電極４にカソード電極２よりも正
に大きい電位を加える。これにより絶縁ゲート電極４の
下のｐ層１５の第１の層部分１５１表面に反転層（チャ
ネル）が形成され、ｎ1+層１６とｎ2+層１７とがｎ層１
３の第１の層部分131の反転層を介して接続され、所謂
ｎチャネルMISFET(Ｍ1）がオンする。この結果、カソー
ド電極２からｎチャネルMISFET(Ｍ1）を通して注入され
た電子（ＭＩＳ電流）がｎ層１３を通過してｐ1+層１４
に流れ込み、ｎｐｎトランジスタ(Ｑ1）が動作し、ｐ1+
層１４よりホールがｎ層１３へ注入される。このホール
電流がｐ層１５へ流れ込むと、ｐ層１５の電位がもち上
がる（これはｐ層１５とｎ2+層１７が極めて大きな抵抗
ｒｏで結ばれていると見なすことができる）。この電位
差がｐ層１５とｎ2+層１７の拡散電位(シリコンでは室
温では約０.７Ｖ）を超えるとｎｐｎトランジスタ
(Ｑ2）が動作し、ｎ2+層１７から電子が直接にｎ層１３
に注入されるようになる。この結果、ｎｐｎトランジス
タ（Ｑ1）と（Ｑ2）からなるサイリスタが点弧し、複合
半導体装置がオン状態となる。尚、抵抗ｒ2 はｐ層１５
の第２の層部分１５２が高不純物濃度であるため十分に
小さく、ｎ1+層１６，ｐ層１５の第２の層部分１５２，
ｎ層１３，ｐ1+層１４からなる寄生サイリスタは極めて
オンしづらい。また、比較的高不純物濃度のｎ層１３の
第２の層部分１３２はｎｐｎトランジスタ（Ｑ1）及び
（Ｑ2）のホール注入効率を抑えるものであり、寄生サ
イリスタのラッチアップ防止やターンオフ時のテール電
流により生ずる損失を低減する目的で設けられたもので
ある。従って、その不純物濃度や厚みは、必要とされて
いる複合半導体装置の特性によって設定されるべきもの
であり、ホール注入効率を抑えるものなら他の手段を用
いてもよい。例えばｎ層１３の第２の層部分１３２が部
分的にアノード電極３に短絡している構造や、ｐ1+層１
４とｎ層１３の接合近傍の第２の層部分１３２に少数キ
ャリアのライフタイムを下げる手段を備えてもよい。The operation principle will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. First, to turn on the composite semiconductor device,
A negative potential is applied to the cathode electrode 2, a positive potential is applied to the anode electrode 3, and a potential larger than the cathode electrode 2 is applied to the insulated gate electrode 4. As a result, an inversion layer (channel) is formed on the surface of the first layer portion 151 of the p layer 15 under the insulated gate electrode 4, and the n 1 + layer 16 and the n 2 + layer 17 are formed as the n layer 1
The third so-called n-channel MISFET (M 1 ) is turned on. As a result, electrons (MIS current) injected from the cathode electrode 2 through the n-channel MISFET (M 1 ) pass through the n-layer 13 and the p 1 + layer 14
Flow into the npn transistor (Q 1 ) and the p 1 +
Holes are injected into the n-layer 13 from the layer 14. When this hole current flows into the p layer 15, the potential of the p layer 15 rises (this can be regarded as the p layer 15 and the n 2 + layer 17 being connected by an extremely large resistance ro). When this potential difference exceeds the diffusion potential of the p layer 15 and the n 2 + layer 17 (about 0.7 V at room temperature in silicon), the npn transistor
(Q 2 ) operates and electrons are directly emitted from the n 2 + layer 17 to the n layer 13
Will be injected into. As a result, the thyristor composed of the npn transistors (Q 1 ) and (Q 2 ) is fired, and the composite semiconductor device is turned on. The resistance r 2 is the p-layer 15
Of the second layer portion 152 of the n 1 + layer 16 and the p layer 15 are sufficiently small because the second layer portion 152 of
The parasitic thyristor composed of the n layer 13 and the p 1 + layer 14 is extremely difficult to turn on. Further, the second layer portion 132 of the n layer 13 having a relatively high impurity concentration suppresses the hole injection efficiency of the npn transistors (Q 1 ) and (Q 2 ), and prevents the parasitic thyristor from latching up or is turned off. It is provided for the purpose of reducing the loss caused by the tail current. Therefore, the impurity concentration and the thickness should be set according to the required characteristics of the composite semiconductor device, and other means may be used as long as the hole injection efficiency is suppressed. For example, the structure in which the second layer portion 132 of the n layer 13 is partially short-circuited to the anode electrode 3 or the p 1 + layer 1
The second layer portion 132 in the vicinity of the junction between the 4 and the n layer 13 may be provided with a means for reducing the minority carrier lifetime.
【００２０】一方、ターンオフするには、絶縁ゲート電
極４の電位をカソード電極２と同電位にするか、或いは
カソード電極２の電位よりも負の電位にすることで、絶
縁ゲート電極４下のｐ層１５の第１の層部分１５１表面
の反転層が消滅し、ｎ1+層１６からｎ2+層１７への電子
注入が遮断されると同時に、ｎ2+層１７からｎ層１３へ
の電子注入が遮断される。この結果、ｐ1+層１４からの
ホール注入もなくなり、複合半導体装置はオフ状態にな
る。On the other hand, in order to turn off, the potential of the insulated gate electrode 4 is made equal to that of the cathode electrode 2 or is set to be a potential more negative than the potential of the cathode electrode 2, so that p under the insulated gate electrode 4 is turned on. The inversion layer on the surface of the first layer portion 151 of the layer 15 disappears, electron injection from the n 1 + layer 16 to the n 2 + layer 17 is blocked, and at the same time, the n 2 + layer 17 to the n layer 13 The electron injection is cut off. As a result, hole injection from the p 1 + layer 14 is also eliminated, and the composite semiconductor device is turned off.
【００２１】図１の複合半導体装置の定常オン状態での
カソード電極２側の電流流線シミュレーション結果を図
３に示す。ＩＧＢＴにサイリスタ領域を最良の形で付加
したことにより、図１５に示した従来のＩＧＢＴの電流
流線と比較して、カソード電極２からＭＩＳチャネルを
通って供給される電子がサイリスタ領域に十分に広がっ
て一様に流れるのが分かる。このためオン電圧が十分低
くできる。また、IGBT領域に位置するｐ層１５の第１の
層部分１５１とサイリスタ領域に位置するｐ-層１８と
が分離しているため、サイリスタ領域のｎ2+層１７が部
分的にｎ層１３に接するようにしたことにより、一つの
ｎチャネルMISFET(Ｍ1）でＭＩＳ電流とサイリスタ電流
を制御できる。即ち、サイリスタを点弧させるに必要な
ＭＩＳ電流がｎチャネルMISFET(Ｍ1）のチャネル抵抗を
一つだけ通ればよく、また、サイリスタ部もチャネル抵
抗を一つだけしか通らないので、小さなＭＩＳＦＥＴ領
域（チャネル幅）で容易にサイリスタを点弧できる。Ｍ
ＩＳＦＥＴ領域（チャネル幅）を小さくできることは、
素子全体に占めるサイリスタ領域の面積を大きくできる
ことであり、オン電圧の十分な低減が可能となる。即
ち、高耐圧化または大電流化が容易に達成できることに
なる。更に、従来装置よりも絶縁ゲート電極の面積を格
段に小さくできるので、ゲートの充放電電流が小さくて
済み、スイッチング動作の高速化とゲート回路の小型化
が図れるという利点もある。FIG. 3 shows a result of current streamline simulation on the cathode electrode 2 side in the steady ON state of the composite semiconductor device of FIG. By adding the thyristor region to the IGBT in the best form, electrons supplied from the cathode electrode 2 through the MIS channel are sufficiently supplied to the thyristor region as compared with the current streamline of the conventional IGBT shown in FIG. You can see that it spreads and flows evenly. Therefore, the on-voltage can be made sufficiently low. Further, since the first layer portion 151 of the p layer 15 located in the IGBT region and the p − layer 18 located in the thyristor region are separated, the n 2 + layer 17 in the thyristor region is partially in the n layer 13 By contacting the MIS current and the thyristor current, one n-channel MISFET (M 1 ) can control the MIS current and the thyristor current. That is, the MIS current required for firing the thyristor needs to pass only one channel resistance of the n-channel MISFET (M 1 ), and the thyristor portion also passes only one channel resistance, so that the MISFET region is small. (Channel width) makes it easy to ignite the thyristor. M
Being able to reduce the ISFET region (channel width)
Since the area of the thyristor region in the entire device can be increased, the on-voltage can be sufficiently reduced. That is, higher breakdown voltage or higher current can be easily achieved. Further, since the area of the insulated gate electrode can be remarkably reduced as compared with the conventional device, there is an advantage that the charging / discharging current of the gate can be reduced, the switching operation can be speeded up, and the gate circuit can be downsized.
【００２２】また、図１の複合半導体装置は、絶縁ゲー
ト電極への電位の印加・除去によって容易にオン・オフ
することができ、ｎチャネルMISFET(Ｍ1）の飽和特性を
利用しているので、サイリスタ動作であるにも係らず、
限流作用を持つという特徴がある。通常、図１の構造を
１つのセルとして、これを同一の半導体基体に数百から
数万個集積化して並列動作をさせるようにして製品化さ
れる。この時、限流作用を各セルがもっていると１つの
セルに電流が集中することなく、均一に各セルが電流を
分担するため、電流集中による半導体装置の破壊を防止
できる。即ち、従来装置よりも大きな電流を極めて簡略
化されたゲート回路で半導体装置を破壊することなくオ
ン・オフ制御できる利点がある。Further, the composite semiconductor device of FIG. 1 can be easily turned on / off by applying / removing a potential to the insulated gate electrode and utilizes the saturation characteristic of the n-channel MISFET (M 1 ). , Despite the thyristor operation,
It is characterized by having a current limiting effect. Usually, the structure shown in FIG. 1 is made into one cell, and hundreds to tens of thousands of the cells are integrated on the same semiconductor substrate to be operated in parallel. At this time, if each cell has a current limiting action, the current is not concentrated in one cell and the cells share the current uniformly, so that the breakdown of the semiconductor device due to the current concentration can be prevented. That is, there is an advantage that a larger current than that of the conventional device can be controlled to be turned on / off without damaging the semiconductor device with the gate circuit which is extremely simplified.
【００２３】図４は、図１の実施例と同じ半導体装置の
単位セルの具体例を示す平面図及び断面鳥瞰図である。
図１と異なる部分のみを説明する。カソード電極２はｎ
1+層１６，ｐ層１５の第２の層部分１５２とそれぞれオ
ーミック接触し、絶縁ゲート電極４及びｎ2+層１７とは
それぞれ絶縁膜６によって電気的に絶縁されて、主表面
１１全面に設けられている。但し、図面では絶縁ゲート
電極の形状が分かり易いように、カソード電極２及び絶
縁膜６を部分的に除去して示してある。このようにする
ことによって、カソード電極２の微細な加工が不要であ
るばかりでなく、カソード電極２から各セルのｎ1+層１
７及びｐ層１５の第２の層部分１５２までの電気抵抗を
小さくできる。また、半導体基体１からの放熱効率もよ
くなる効果がある。尚、本図に示す左右の絶縁ゲート電
極２は、独立のものではなく図示以外の個所で互いに接
続されているものである。FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional bird's-eye view showing a specific example of the unit cell of the same semiconductor device as that of the embodiment of FIG.
Only the parts different from FIG. 1 will be described. The cathode electrode 2 is n
The 1 + layer 16 and the second layer portion 152 of the p layer 15 are in ohmic contact with each other, and the insulated gate electrode 4 and the n 2 + layer 17 are electrically insulated from each other by the insulating film 6, and the entire main surface 11 is covered. It is provided. However, in the drawings, the cathode electrode 2 and the insulating film 6 are partially removed so that the shape of the insulated gate electrode can be easily understood. By doing so, not only the fine processing of the cathode electrode 2 is unnecessary, but also the cathode electrode 2 is used to remove the n 1 + layer 1 of each cell.
7 and the second layer portion 152 of the p layer 15 can have a low electric resistance. Further, there is an effect that the heat radiation efficiency from the semiconductor substrate 1 is improved. The left and right insulated gate electrodes 2 shown in the figure are not independent, but are connected to each other at points other than those shown.
【００２４】図５は本発明の他の実施例を示す概略断面
図である。この複合半導体装置と図４のそれとの相違点
は、図の左側ではｎ2+層１７がｐ- 層１８によって包囲
されていること、及びｐ層１５の第１の層部分１５１が
ｎ層１３の第１の層部分131によってｐ-層１８から離れ
ていることで、右側ではｐ-層１８とｐ層１５の第１の
層部分１５１とが接触するように形成したことでそれぞ
れ相違している。絶縁ゲート電極４のゲート長は左側に
配置されている部分４１が右側に配置されている部分４
２のそれより長く形成されている。この実施例の複合半
導体装置は、ｐ1+層１４，ｎ層１３，ｐ層１５で構成さ
れるｐｎｐトランジスタ（Ｑ1）と、ｎ層１３，ｐ層１
５，ｎ2+層１７で構成されるｎｐｎトランジスタ
（Ｑ2）からなるサイリスタを内蔵している。更に、絶
縁ゲート電極４の左側の部分４１，ｎ1+層１６，ｐ層１
５，ｎ層１３から構成されるｎチャネルMISFET(Ｍ1）
と、絶縁ゲート電極４の左側の部分４２，ｎ1+層１６，
ｐ層１５，ｎ層１３，ｐ1+層１４（Ｑ3，Ｑ4）からなる
ＩＧＢＴ領域と、左側の絶縁ゲート電極４，ｎ層１３，
ｐ- 層１８，ｎ2+層１７で構成されるｎチャネルMISFET
(Ｍ2）と、絶縁ゲート電極４の右側の部分４２，ｎ1+層
１６，ｐ層１５の第１の層部分１５１，ｎ2+層１７で構
成されるｎチャネルMISFET(Ｍ3）を有している。即ち、
ＩＧＢＴとサイリスタを複合した半導体装置とみなせ
る。図６は図５の複合半導体装置の等価回路を示す。FIG. 5 is a schematic sectional view showing another embodiment of the present invention. The difference between this composite semiconductor device and that of FIG. 4 is that the n 2 + layer 17 is surrounded by the p − layer 18 on the left side of the figure, and that the first layer portion 151 of the p layer 15 is the n layer 13 The first layer portion 131 of FIG. 2 is apart from the p − layer 18, and the right side is formed so that the p − layer 18 and the first layer portion 151 of the p layer 15 are in contact with each other. There is. Regarding the gate length of the insulated gate electrode 4, a portion 41 arranged on the left side is a portion 4 arranged on the right side.
It is formed longer than that of 2. The composite semiconductor device of this embodiment includes a pnp transistor (Q 1 ) composed of a p 1 + layer 14, an n layer 13 and a p layer 15, and an n layer 13 and a p layer 1.
5, a thyristor composed of an npn transistor (Q 2 ) composed of the n 2 + layer 17 is incorporated. Furthermore, the left side portion 41 of the insulated gate electrode 4, the n 1 + layer 16, the p layer 1
N channel MISFET (M 1 ) composed of 5 and n layers 13
And the left side portion 42 of the insulated gate electrode 4, the n 1 + layer 16,
The IGBT region including the p layer 15, the n layer 13, and the p 1 + layer 14 (Q 3 , Q 4 ), the left-side insulated gate electrode 4, the n layer 13,
n-channel MISFET composed of p- layer 18 and n 2 + layer 17
(M 2 ) and the right side portion 42 of the insulated gate electrode 4, the n 1 + layer 16, the first layer portion 151 of the p layer 15 and the n 2 + layer 17 are connected to form an n-channel MISFET (M 3 ). Have That is,
It can be regarded as a semiconductor device that combines an IGBT and a thyristor. FIG. 6 shows an equivalent circuit of the composite semiconductor device of FIG.
【００２５】以下、図５及び図６を用いて動作原理を述
べる。まず、この複合半導体装置をターンオンさせるに
は、カソード電極２に負の電位、アノード電極３に正の
電位を印加し、絶縁ゲート電極４にカソード電極２より
も正に大きい電位を加える。これにより、カソード電極
２からｎチャネルMISFET(Ｍ1）を通して注入された電子
（ＭＩＳ電流）がｎ層１３を通過し、ｐ1+層１３に流れ
込むとｐｎｐトランジスタ(Ｑ1）が動作し、ｐ1+層１３
よりホールがｎ層１３に注入される。このホール電流が
ｐ-層１８へ流れ込むと、ｐ-層１８の抵抗ｒ2の電圧降
下により、ｐ-層１８の電位が上昇する。ｐ-層１８の電
位がｐ-層１８とｎ2+層１７との間の拡散電位を超える
と、ｎ1+層１６からｎチャネルMISFET(Ｍ3）を通してｎ
2+層１７に流れ込んだ電子がｎｐｎトランジスタ(Ｑ2）
の動作でｎ層１３に注入されるようになる。これと同時
にｎ1+層１６からｎチャネルMISFET(Ｍ1）とｎチャネル
MISFET(Ｍ2）を通してｎ2+層１７に流れ込んだ電子がｎ
ｐｎトランジスタ(Ｑ2）の動作でｎ層１３に注入され
る。この結果、ｐ1+層１４からのホール注入が更に増大
し、ｐｎｐトランジスタ（Ｑ1）とｎｐｎトランジスタ
（Ｑ2）からなるサイリスタが点弧し、複合半導体装置
がオン状態となる。尚、抵抗ｒ2 はｐ層１５の第２の層
部分１５２が高不純物濃度であるため十分に小さく、ｎ
1+層１６，ｐ層１５の第２の層部分１５２，ｎ層１３，
ｐ1+層１３からなる寄生サイリスタは極めてオンしづら
い。The operation principle will be described below with reference to FIGS. First, in order to turn on the composite semiconductor device, a negative potential is applied to the cathode electrode 2, a positive potential is applied to the anode electrode 3, and a potential larger than the cathode electrode 2 is applied to the insulated gate electrode 4. As a result, when electrons (MIS current) injected from the cathode electrode 2 through the n-channel MISFET (M 1 ) pass through the n layer 13 and flow into the p 1 + layer 13, the pnp transistor (Q 1 ) operates and p 1 + layer 13
More holes are injected into the n layer 13. When this hole current flows into the p − layer 18, the potential of the p − layer 18 rises due to the voltage drop of the resistance r 2 of the p − layer 18. When the potential of p − layer 18 exceeds the diffusion potential between p − layer 18 and n 2 + layer 17, n 1 + layer 16 passes through n channel MISFET (M 3 ) to n.
The electrons flowing into the 2 + layer 17 are npn transistors (Q 2 )
By this operation, the n-layer 13 is implanted. At the same time, from the n 1 + layer 16 to the n channel MISFET (M 1 ) and the n channel
The electrons flowing into the n 2 + layer 17 through the MISFET (M 2 ) are n
It is injected into the n layer 13 by the operation of the pn transistor (Q 2 ). As a result, hole injection from the p 1 + layer 14 is further increased, the thyristor including the pnp transistor (Q 1 ) and the npn transistor (Q 2 ) is fired, and the composite semiconductor device is turned on. The resistance r 2 is sufficiently small because the second layer portion 152 of the p layer 15 has a high impurity concentration, and
1 + layer 16, second layer portion 152 of the p layer 15, n layer 13,
The parasitic thyristor made of the p 1 + layer 13 is extremely difficult to turn on.
【００２６】一方、ターンオフするには、絶縁ゲート電
極４の電位をカソード電極２と同電位にするか或いはカ
ソード電極２の電位よりも負の電位にすることで、ｎチ
ャネルMISFET(Ｍ1），ｎチャネルMISFET(Ｍ2），ｎチャ
ネルMISFET(Ｍ3）がオフし、ｎ1+層１６からｎ層１３へ
の電子電流と、ｎ1+層１６からｎ2+層１７への電子電流
が遮断され、ｎ2+層１７からｎ層１３への電子注入が遮
断される。この結果、ｐ1+層１４からのホール注入もな
くなり、複合半導体装置はオフ状態になる。On the other hand, in order to turn off, the potential of the insulated gate electrode 4 is made to be the same as that of the cathode electrode 2 or is made a potential more negative than the potential of the cathode electrode 2, whereby the n-channel MISFET (M 1 ), The n-channel MISFET (M 2 ) and the n-channel MISFET (M 3 ) are turned off, and an electron current from the n 1 + layer 16 to the n layer 13 and an electron current from the n 1 + layer 16 to the n 2 + layer 17 are generated. Then, the electron injection from the n 2 + layer 17 to the n layer 13 is blocked. As a result, hole injection from the p 1 + layer 14 is also eliminated, and the composite semiconductor device is turned off.
【００２７】この実施例の複合半導体装置は、サイリス
タを点弧させるに必要なＭＩＳ電流がｎチャネルMISFET
(Ｍ1）のチャネル抵抗を一つだけ通ればよく、また、サ
イリスタの電子電流も少なくともｎチャネルMISFET
(Ｍ3）のチャネル抵抗の一つを通ればよいので、小さな
ＭＩＳＦＥＴ領域（チャネル幅）で容易にサイリスタが
点弧し、その電圧降下は十分に小さくできる。ＭＩＳＦ
ＥＴ領域（チャネル幅）を小さくできることは、素子全
体に占めるサイリスタ領域の面積を大きくできることで
あり、オン電圧の十分な低減が可能となる。即ち、高耐
圧化、または大電流化が容易に達成できる。In the composite semiconductor device of this embodiment, the MIS current necessary for firing the thyristor is the n-channel MISFET.
Only one channel resistance of (M 1 ) needs to be passed, and the electron current of the thyristor is at least n-channel MISFET.
Since it is sufficient to pass one of the channel resistances of (M 3 ), the thyristor is easily ignited in a small MISFET region (channel width), and its voltage drop can be made sufficiently small. MISF
Reducing the ET region (channel width) can increase the area of the thyristor region occupying the entire element, and can sufficiently reduce the on-voltage. That is, high breakdown voltage or large current can be easily achieved.
【００２８】また、この実施例の複合半導体装置は、絶
縁ゲート電極４への電位の付与・除去によって容易にオ
ン・オフさせることができ、ｎチャネルMISFET(Ｍ1）の
飽和特性を利用しているので、サイリスタ動作であるに
も係らず、限流作用を持っている。通常、図５の構造を
１つのセルとして、これを１個の半導体基体に数百から
数万個集積化し、並列動作させる。この時、限流作用を
各セルがもっているので１つのセルに電流が集中するこ
となく、均一に各セルが電流を分担するため、電流集中
による半導体装置の破壊を防止できる。即ち、従来装置
よりも大きな電流を極めて簡略化されたゲート回路で半
導体装置が破壊せずにオン・オフできる特長がある。Further, the composite semiconductor device of this embodiment can be easily turned on / off by applying / removing a potential to the insulated gate electrode 4, and utilizing the saturation characteristic of the n-channel MISFET (M 1 ). Therefore, even though it is a thyristor operation, it has a current limiting action. Usually, the structure of FIG. 5 is used as one cell, and hundreds to tens of thousands of the cells are integrated on one semiconductor substrate and operated in parallel. At this time, since each cell has a current limiting action, the current is not concentrated in one cell and the current is uniformly shared by each cell, so that the breakdown of the semiconductor device due to the current concentration can be prevented. That is, there is a feature that a semiconductor device can be turned on / off with a gate circuit that is extremely simplified compared to a conventional device without breaking the current.
【００２９】この実施例は図１に示す複合半導体装置に
比較して耐圧の再現性が優れ、製造しやすいという利点
がある。即ち、図１の複合半導体装置ではｎ2+層１７が
ｎ層１３の第１の層部分１３１に直接接触する部分があ
り、この部分の幅によって耐圧が左右される。例えば、
幅が狭くなると耐圧低下はないが、幅が広すぎると耐圧
が低下してしまう。従って、この幅を再現性よく形成し
なければならないという製造上の制約を受ける。これに
対し、図５に示す構造にするとｎ2+層１７がｎ層１３の
第１の層部分１３１に直接接触する部分がなくなり、か
つ通常のセルフアライン技術によって実現できることか
ら図１のような問題は解消できる。Compared with the composite semiconductor device shown in FIG. 1, this embodiment has the advantages of excellent withstand voltage reproducibility and being easy to manufacture. That is, in the composite semiconductor device of FIG. 1, there is a portion where the n 2 + layer 17 is in direct contact with the first layer portion 131 of the n layer 13, and the breakdown voltage depends on the width of this portion. For example,
When the width is narrow, the breakdown voltage does not decrease, but when the width is too wide, the breakdown voltage decreases. Therefore, there is a manufacturing constraint that the width must be reproducibly formed. On the other hand, in the structure shown in FIG. 5, the n 2 + layer 17 has no portion in direct contact with the first layer portion 131 of the n layer 13 and can be realized by a normal self-alignment technique. The problem can be solved.
【００３０】図７は図５に示す複合半導体装置の変形例
を示す概略斜視断面図である。尚、（ｂ）は主表面１１
上から電極及び絶縁膜を除去した状態を示している。断
面は左右が反対になっているが図５と同一である。図５
との相違点は、絶縁ゲート電極４が一方向に沿って図５
の左側に示したゲート長の長い部分４１と右側に示した
ゲート長の短い部分４２とが交互に形成された形状とな
っていることにある。このように形成することによっ
て、サイリスタ領域が半導体基体全体で均等に動作しオ
ン電圧を低減できるという効果がある。即ち、図６の等
価回路から判るように、サイリスタ領域に流れる電流は
カソ−ド電極からｎチャネルMISFET(Ｍ1）とｎチャネル
MISFET(Ｍ2）を介する第１の通路と、ｎチャネルMISFET
(Ｍ3）を介する第２の通路とが存在する。ＭＩＳＦＥＴ
のオン抵抗を考慮すると第２の通路が低抵抗のため、サ
イリスタ領域に流れる電流は主として第２の通路を通っ
て流れる。従って、サイリスタ領域の両側にゲート長の
長い部分４１とゲート長の短い部分４２とが均一に分布
する構成にすれば、サイリスタ領域全面が導通に寄与す
ることになり、オン電圧を低減できるのである。FIG. 7 is a schematic perspective sectional view showing a modified example of the composite semiconductor device shown in FIG. Incidentally, (b) is the main surface 11
It shows a state in which the electrodes and the insulating film are removed from above. The cross section is the same as in FIG. 5, though the left and right sides are opposite. Figure 5
The difference is that the insulated gate electrode 4 is arranged along one direction in FIG.
The long gate length portion 41 shown on the left side and the short gate length portion 42 shown on the right side are alternately formed. By forming in this way, there is an effect that the thyristor region operates uniformly in the entire semiconductor substrate and the ON voltage can be reduced. That is, as can be seen from the equivalent circuit of FIG. 6, the current flowing in the thyristor region is n channel MISFET (M 1 ) and n channel MISFET (M 1 ) from the cathode electrode.
First channel through MISFET (M 2 ) and n-channel MISFET
There is a second passage through (M 3 ). MISFET
Considering the on-resistance of the above, since the second passage has a low resistance, the current flowing in the thyristor region mainly flows through the second passage. Therefore, if the long gate portion 41 and the short gate portion 42 are uniformly distributed on both sides of the thyristor region, the entire surface of the thyristor region contributes to conduction, and the ON voltage can be reduced. .
【００３１】また、カソード電極２は絶縁膜７によって
絶縁ゲート電極４から電気的に絶縁されて主表面１１全
面に設けられている。但し、図では絶縁ゲート電極の形
状が判り易いように、カソ−ド電極２と絶縁膜７を部分
的に除去して示してある。このようにすることによっ
て、カソード電極２の微細な加工が不要であるばかりで
なく、カソード電極２から各セルのｎ1+層１７及びｐ層
１５の第２の層部分152までの電気抵抗を小さくでき
る。また、半導体基体からの放熱効率もよくなる効果が
ある。この複合半導体装置は、断面では複雑な形状に見
えるが、図７から判るように平面的には極めて単純な形
状でよい。ｐ層１５の第１の層部分１５１とｐ- 層１８
をゲート・セルフアライメントに形成し、絶縁ゲート電
極４のゲート長の長い部分４１のゲート長ををｐ層１５
の第１の層部分１５１とｐ- 層１８の拡散深さの和より
も大きくに設定し、絶縁ゲート電極４のゲート長の短い
部分４２のゲート長をｐ層１５の第１の層部分１５１と
ｐ- 層１８の拡散深さの和以下（望ましくはｐ層１５の
第１の層部分１５１の拡散深さ以下）に設定すれば、絶
縁ゲート電極４のゲート長の長い部分４１の下にはｎチ
ャネルMISFET(Ｍ1），（Ｍ2)、そしてゲート長の短い部
分４２の下にはｎチャネルMISFET(Ｍ3）がセルフアライ
メントで形成される。従って、この複合半導体装置は、
複雑な平面形状や特別な製造技術を用いずに容易に製作
できるのである。The cathode electrode 2 is provided on the entire main surface 11 by being electrically insulated from the insulated gate electrode 4 by the insulating film 7. However, in the drawing, the cathode electrode 2 and the insulating film 7 are partially removed so that the shape of the insulated gate electrode can be easily understood. By doing so, not only fine processing of the cathode electrode 2 is unnecessary, but also the electric resistance from the cathode electrode 2 to the second layer portion 152 of the n 1 + layer 17 and the p layer 15 of each cell is increased. Can be made smaller. Further, there is an effect that the heat radiation efficiency from the semiconductor substrate is improved. This composite semiconductor device has a complicated shape in cross section, but as shown in FIG. 7, it may have an extremely simple shape in plan view. The first layer portion 151 of the p-layer 15 and the p- layer 18
Is formed into a gate self-alignment, and the gate length of the long gate length portion 41 of the insulated gate electrode 4 is set to the p-layer 15
Is set to be larger than the sum of the diffusion depths of the first layer portion 151 and the p- layer 18, and the gate length of the short gate portion 42 of the insulated gate electrode 4 is set to the first layer portion 151 of the p layer 15. And below the sum of the diffusion depths of the p- layer 18 (preferably less than the diffusion depth of the first layer portion 151 of the p layer 15), the insulating gate electrode 4 is formed below the portion 41 having a long gate length. Are n-channel MISFETs (M 1 ) and (M 2 ), and n-channel MISFETs (M 3 ) are formed by self-alignment under the portion 42 having a short gate length. Therefore, this composite semiconductor device is
It can be easily manufactured without using complicated plane shapes and special manufacturing techniques.
【００３２】図８〜図１０は図７で示した複合半導体装
置の変形例を示す絶縁ゲート電極側の概略平面図であ
る。図８は絶縁ゲート電極４のゲート長の長い部分４１
と短い部分４２とを一方向に沿って交互に形成する場合
に、一方向とは直角方向に並設される複数個の絶縁ゲー
ト電極の隣接相互間においてゲート長の長い部分４１と
短い部分４２とが隣接するようにした場合を、図９はゲ
ート長の長い部分４１とゲート長の長い部分４１，短い
部分４２と短い部分４２がそれぞれ隣接するようにした
場合を、図１０は図９においてゲート長の長い部分４１
相互を接続した場合をそれぞれ示している。図８の構成
にすれば、ＩＧＢＴ領域が均一に分布するため、オンオ
フ動作を速くできる。図９の構成にすれば、ゲート長の
短い部分４２のｎチャネルMISFET(Ｍ3）に隣接するサイ
リスタ領域が広く、絶縁ゲート電極４のゲート長の長い
部分４１のｎチャネルMISFET(Ｍ1），(Ｍ2）に隣接する
サイリスタ領域が狭くなっているため、サイリスタ領域
を有効に動作させることができ、オン電圧を低減でき
る。図１０の構成にすれば、図９と同様にオン電圧を低
減できる。これらの例はあくまでも一例にすぎず、他に
も種々の変形が考えられる。しかし、ゲート電極の面積
は小さい方がサイリスタ領域の面積を大きくできるので
オン電圧が低減でき、また、絶縁ゲート電極で形成され
るコンデンサの充放電電流も小さくできるので好まし
い。従って、複合半導体装置の点弧特性および消弧特性
を損なわない範囲で、絶縁ゲート電極の面積をできるだ
け小さくできる平面構造が望ましい。尚、図７〜図９に
示した絶縁ゲート電極は、それぞれが独立のものではな
く、図示以外の個所で互いに接続されているものであ
る。8 to 10 are schematic plan views on the insulated gate electrode side showing a modification of the composite semiconductor device shown in FIG. FIG. 8 shows a long gate portion 41 of the insulated gate electrode 4.
And short portions 42 are alternately formed along one direction, a portion 41 having a long gate length and a portion 42 having a short gate length are formed between adjacent ones of a plurality of insulated gate electrodes arranged in a direction perpendicular to the one direction. 9 and FIG. 9 show the case where the long gate length portion 41 and the long gate length portion 41 and the short gate portion 42 and the short gate portion 42 are adjacent to each other. Long gate length 41
The case where they are connected to each other is shown. With the configuration shown in FIG. 8, the IGBT regions are uniformly distributed, so that the on / off operation can be speeded up. According to the configuration of FIG. 9, the thyristor region adjacent to the n-channel MISFET (M 3 ) of the short gate length portion 42 is wide and the n-channel MISFET (M 1 ) of the long gate length portion 41 of the insulated gate electrode 4, Since the thyristor region adjacent to (M 2 ) is narrow, the thyristor region can be effectively operated and the ON voltage can be reduced. With the configuration of FIG. 10, the on-voltage can be reduced as in the case of FIG. 9. These examples are merely examples, and various other modifications are possible. However, it is preferable that the area of the gate electrode is smaller because the area of the thyristor region can be increased and the on-voltage can be reduced and the charge / discharge current of the capacitor formed by the insulated gate electrode can be reduced. Therefore, it is desirable to have a planar structure in which the area of the insulated gate electrode can be made as small as possible without impairing the firing characteristics and the extinguishing characteristics of the composite semiconductor device. The insulated gate electrodes shown in FIGS. 7 to 9 are not independent of each other, but are connected to each other at points other than those shown.
【００３３】図１１は図７に示した複合半導体装置の変
形例を示す概略斜視図である。図７と異なる点のみを説
明する。ｎ1+層１６，ｎ2+層１７，ｐ層１５の第２の層
部分１５２及び絶縁ゲート電極４上に低抵抗層８を設け
て、各層の横方向抵抗を低減したものである。低抵抗層
８として、例えばチタンシリサイドを４００ｎｍ形成す
ると、そのシート抵抗は約０.５Ω／□ となる。これに
より、特にｎ2+層１７の横方向抵抗が小さくなること
で、ｎ1+層１６からｎチャネルMISFET(Ｍ3）を通してｎ
2+層１７に流れ込んだ電子がｎ2+層１７全体に拡がりや
すくなる。この結果、ｐ1+層１４，ｎ層１３，ｐ-層１
８で構成されるｐｎｐトランジスタ（Ｑ1）と、ｎ層１
３，ｐ-層１８，ｎ2+層１７で構成されるｎｐｎトラン
ジスタ（Ｑ2）からなるサイリスタの動作がｎ2+層１７
全面で一様に起きやすくなり、オン電圧の更なる低減が
可能となる。また、絶縁ゲート電極の横方向抵抗が小さ
くなることで、絶縁ゲート電極で形成されるコンデンサ
の充放電時間の短縮と、複合半導体装置内に分散して配
置されている複数のセルの動作の均一性が図られるの
で、スイッチング速度と破壊耐量が向上する効果があ
る。FIG. 11 is a schematic perspective view showing a modification of the composite semiconductor device shown in FIG. Only points different from FIG. 7 will be described. The low resistance layer 8 is provided on the second layer portion 152 of the n 1 + layer 16, the n 2 + layer 17, the p layer 15 and the insulated gate electrode 4 to reduce the lateral resistance of each layer. If, for example, titanium silicide having a thickness of 400 nm is formed as the low resistance layer 8, the sheet resistance thereof becomes about 0.5 Ω / □. As a result, in particular, the lateral resistance of the n 2 + layer 17 becomes small, so that the n 1 + layer 16 passes through the n-channel MISFET (M 3 ) to reach n.
The electrons flowing into the 2 + layer 17 are likely to spread throughout the n 2 + layer 17. As a result, p 1 + layer 14, n layer 13, p − layer 1
Pnp transistor (Q 1 ) composed of 8 and n layer 1
3, the operation of the thyristor composed of the npn transistor (Q 2 ) composed of the p − layer 18 and the n 2 + layer 17 is the n 2 + layer 17
It tends to occur uniformly over the entire surface, and the on-voltage can be further reduced. In addition, since the lateral resistance of the insulated gate electrode is reduced, the charging / discharging time of the capacitor formed by the insulated gate electrode is shortened and the operation of the plurality of cells dispersed in the composite semiconductor device is made uniform. Therefore, the switching speed and the breakdown resistance are improved.
【００３４】図１２は本発明の複合半導体装置を用いて
構成した電動機駆動用インバータ装置の一例を示す電気
回路図である。図において、Ｔ1及びＴ2は直流電源に接
続される一対の直流端子、Ｔ3，Ｔ4及びＴ5 は三相誘導
電動機に接続され交流側の相数と同数の交流端子、ＳＷ
11，ＳＷ12，ＳＷ21，ＳＷ22，ＳＷ31，ＳＷ32は２個ず
つ直列接続されて一対の直流端子Ｔ1 及びＴ2 間に三相
分並列接続された本発明の複合半導体装置である。２個
の複合半導体装置の直列接続点はそれぞれ交流端子
Ｔ3，Ｔ4及びＴ5 に接続されている。Ｄ11，Ｄ12，
Ｄ21，Ｄ22，Ｄ31，Ｄ32は各複合半導体装置に逆並列接
続されたフライホイールダイオード，ＳＢ11，ＳＢ12，
ＳＢ21，ＳＢ22，ＳＢ31，ＳＢ32はダイオ−ドと抵抗と
の並列回路にコンデンサを直列接続して構成されたスナ
バ回路で各複合半導体装置に並列接続されている。本発
明の複合半導体装置は、絶縁ゲート電極への電位の印加
・除去によって容易にオン・オフすることができ、従来
の例えばＧＴＯサイリスタのようにゲート電極によって
多量の電流を流し込んだり、引き出す必要がなく、ゲー
ト回路が極めて簡略化される特長がある。更に、内蔵さ
れたＭＩＳＦＥＴの飽和特性を利用しているので、サイ
リスタ動作であるにも拘らず限流作用をもたせることが
でき、大きな電流を低いオン電圧で素子破壊せずに高速
で制御できる特長がある。従って、例えばＧＴＯサイリ
スタを用いた場合に比べ、高周波化や易制御性によるイ
ンバータ装置の小型，軽量，低損失化および低雑音化等
が達成できる。また、例えばＩＧＢＴを用いた場合に比
べ、低オン電圧化によるインバータ装置の大容量化，低
損失化等が達成できる。FIG. 12 is an electric circuit diagram showing an example of an inverter device for driving a motor constructed by using the composite semiconductor device of the present invention. In the figure, T 1 and T 2 are a pair of DC terminals connected to a DC power source, T 3 , T 4 and T 5 are AC terminals connected to a three-phase induction motor and the same number of AC terminals as the number of phases on the AC side, SW
Two of 11 , SW 12 , SW 21 , SW 22 , SW 31 , and SW 32 are connected in series, and the composite semiconductor device of the present invention is connected in parallel for three phases between a pair of DC terminals T 1 and T 2. . The series connection points of the two composite semiconductor devices are connected to AC terminals T 3 , T 4 and T 5 , respectively. D 11 , D 12 ,
D 21 , D 22 , D 31 , and D 32 are flywheel diodes anti-parallel connected to the respective composite semiconductor devices, SB 11 , SB 12 ,
SB 21 , SB 22 , SB 31 , and SB 32 are snubber circuits configured by connecting a capacitor in series to a parallel circuit of a diode and a resistor, and are connected in parallel to each composite semiconductor device. The composite semiconductor device of the present invention can be easily turned on / off by applying / removing a potential to / from the insulated gate electrode, and it is necessary to flow a large amount of current into or out of the gate electrode like a conventional GTO thyristor, for example. The advantage is that the gate circuit is extremely simplified. Furthermore, since the saturation characteristics of the built-in MISFET are used, it is possible to have a current limiting function despite the thyristor operation, and it is possible to control a large current at a low ON voltage at high speed without destroying the element. There is. Therefore, as compared with the case where a GTO thyristor is used, for example, the inverter device can be reduced in size, weight, loss, and noise due to higher frequencies and easier control. Further, as compared with the case of using an IGBT, for example, it is possible to achieve a large capacity and a low loss of the inverter device due to the low on-voltage.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、ＩＧＢＴにサイリスタ
領域を最良の形で付加したことにより、カソード電極か
らＭＩＳチャネルを通って供給される電子がサイリスタ
領域に十分に広がって流れるので、点孤特性を損なうこ
となく、オン電圧を十分低くできる。即ち、ＩＧＢＴの
ｐベース層とサイリスタ領域のｐベース層を分離して設
け、サイリスタ領域のｎエミッタ層が部分的にｎベース
層に接しているようにして、一つ（一直列）のMISFETだ
けを通ってＭＩＳ電流（電子）とサイリスタ電流（電
子）が流れるようにしたので、点弧が容易で低いオン電
圧（大電流化）が達成できる。また、ＩＧＢＴのｐベー
ス層とサイリスタ領域のｐベース層をゲート電極下で分
離された領域を部分的に設けることにより、ＭＩＳ電流
（電子）とサイリスタ電流（電子）が少なくとも部分的
には一つのMISFETのチャネル抵抗だけを通って流れるよ
うにしたので、点弧が容易で低いオン電圧が達成でき
る。従って、半導体装置を高耐圧化または大電流化でき
る効果がある。According to the present invention, by adding the thyristor region in the best mode to the IGBT, the electrons supplied from the cathode electrode through the MIS channel spread sufficiently to the thyristor region, so that it is isolated. The on-voltage can be lowered sufficiently without impairing the characteristics. That is, the p base layer of the IGBT and the p base layer of the thyristor region are separately provided, and the n emitter layer of the thyristor region is partially in contact with the n base layer so that only one (one series) MISFET is provided. Since the MIS current (electrons) and the thyristor current (electrons) flow therethrough, ignition is easy and a low on-voltage (increased current) can be achieved. Further, by partially providing the region where the p base layer of the IGBT and the p base layer of the thyristor region are separated under the gate electrode, the MIS current (electrons) and the thyristor current (electrons) are at least partially one. Since it is designed to flow only through the channel resistance of the MISFET, it can be easily ignited and a low on-voltage can be achieved. Therefore, there is an effect that the semiconductor device can have a high breakdown voltage or a large current.
【図１】本発明複合半導体装置の一実施例を示す概略断
面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a composite semiconductor device of the present invention.
【図２】図１に示す複合半導体装置の等価回路図であ
る。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図３】図１に示す複合半導体装置のオン状態での電流
流線図である。FIG. 3 is a current stream diagram in the ON state of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図４】図１に示す複合半導体装置の具体例を示す概略
平面図及び斜視断面図である。4A and 4B are a schematic plan view and a perspective sectional view showing a specific example of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図５】本発明複合半導体装置の他の実施例を示す概略
断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the composite semiconductor device of the present invention.
【図６】図５に示す複合半導体装置の等価回路図であ
る。6 is an equivalent circuit diagram of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図７】図５に示す複合半導体装置の変形例を示す断面
斜視断面図である。7 is a sectional perspective sectional view showing a modified example of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図８】図７で示した複合半導体装置の一変形例を示す
絶縁ゲート電極側の概略平面図である。8 is a schematic plan view on the insulated gate electrode side showing a modified example of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図９】図７で示した複合半導体装置の他の変形例を示
す絶縁ゲート電極側の概略平面図である。9 is a schematic plan view on the insulated gate electrode side showing another modified example of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図１０】図７で示した複合半導体装置の更に他の変形
例を示す絶縁ゲート電極側の概略平面図である。10 is a schematic plan view on the insulated gate electrode side showing still another modified example of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図１１】図７に示した複合半導体装置の変形例を示す
概略斜視図である。11 is a schematic perspective view showing a modified example of the composite semiconductor device shown in FIG.
【図１２】本発明複合半導体装置を用いて構成した電動
機駆動用インバータ装置の概略回路図である。FIG. 12 is a schematic circuit diagram of an inverter device for driving an electric motor configured by using the composite semiconductor device of the present invention.
【図１３】本発明の従来技術として示したＩＧＢＴの概
略断面図である。FIG. 13 is a schematic sectional view of an IGBT shown as a prior art of the present invention.
【図１４】図１３に示すＩＧＢＴの等価回路図である。FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of the IGBT shown in FIG.
【図１５】図１３に示すＩＧＢＴのオン状態での電流流
線図である。FIG. 15 is a current stream diagram in the ON state of the IGBT shown in FIG.
【図１６】本発明の従来技術として示した絶縁ゲート電
極でサイリスタを制御するようにした半導体装置の概略
断面図である。FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor device in which an insulated gate electrode shown in the related art of the present invention controls a thyristor.
【図１７】図１６に示す半導体装置の等価回路図であ
る。17 is an equivalent circuit diagram of the semiconductor device shown in FIG.
１…半導体基体、１１，１２…主表面、１３…ｎ層、１
４…ｐ1+層、１５…ｐ層、１６…ｎ1+層、１７…ｎ2+
層、１８…ｐ- 層、２…カソード電極、３…アノード電
極、４…絶縁ゲート電極。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor substrate, 11, 12 ... Main surface, 13 ... N layer, 1
4 ... p 1 + layer, 15 ... p layer, 16 ... n 1 + layer, 17 ... n 2 +
Layer, 18 ... P- layer, 2 ... Cathode electrode, 3 ... Anode electrode, 4 ... Insulated gate electrode.
Claims (8)
半導体層と、一方の主表面及び第１の半導体層とに隣接
し第１の半導体層より高不純物濃度を有する他方導電型
の第２の半導体層と、他方の主表面から第１の半導体層
内に延び第１の半導体層より高不純物濃度を有する他方
導電型の第３の半導体層と、他方の主表面から第３の半
導体層内に延び第３の半導体層より高不純物濃度を有す
る一方導電型の第４の半導体層と、他方の主表面から第
１の半導体層内に延び一部が第３の半導体層に接し第４
の半導体層から離れ第３の半導体層より高不純物濃度を
有する一方導電型の第５の半導体層と、第１の半導体層
及び第５の半導体層との間に位置し第３の半導体層から
離れ第１の半導体層と第５の半導体層との間の不純物濃
度を有する他方導電型の第６の半導体層とを有する半導
体基体、 半導体基体の一方の主表面において、第２の半導体層に
低抵抗接触する第１の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第３の半導体層及
び第４の半導体層に低抵抗接触する第２の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第４の半導体層と
第５の半導体層との間に露出する第３の半導体層表面に
絶縁膜を介して形成された制御電極を具備することを特
徴とする複合半導体装置。1. A first semiconductor layer of one conductivity type having a pair of main surfaces, and a second semiconductor layer adjacent to the one main surface and the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer. A second semiconductor layer of conductivity type, a third semiconductor layer of the other conductivity type extending from the other main surface into the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer, and from the other main surface A fourth semiconductor layer of one conductivity type that extends into the third semiconductor layer and has a higher impurity concentration than the third semiconductor layer; and a third semiconductor that partially extends from the other main surface into the first semiconductor layer Touching layer 4th
Located between the first semiconductor layer and the fifth semiconductor layer and one conductivity type fifth semiconductor layer having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer. A semiconductor body having a separate semiconductor type sixth semiconductor layer having an impurity concentration between the first semiconductor layer and the fifth semiconductor layer, and a second semiconductor layer formed on one main surface of the semiconductor body. A first main electrode in low resistance contact, on the other main surface of the semiconductor substrate, a second main electrode in low resistance contact with the third semiconductor layer and the fourth semiconductor layer, on the other main surface of the semiconductor substrate, A composite semiconductor device comprising a control electrode formed on an exposed surface of a third semiconductor layer between a fourth semiconductor layer and a fifth semiconductor layer via an insulating film.
の層部分とそれより高不純物濃度を有し第２の半導体層
に隣接する第２の層部分とから構成され、第３の半導体
層が第１の半導体層が第１の層部分及び第５の半導体層
に隣接する第１の層部分とそれより高不純物濃度を有し
第２の主電極に接触する他方の主表面及び第４の半導体
層の制御電極から離れた個所に隣接する第２の層部分と
から構成されていることを特徴とする複合半導体装置。2. The first semiconductor layer according to claim 1, wherein the first semiconductor layer is the first.
And a second layer portion having a higher impurity concentration and adjacent to the second semiconductor layer, the third semiconductor layer is the first semiconductor layer, the first semiconductor layer is the first layer portion, and the fifth semiconductor layer is the fifth layer. Of the first layer adjacent to the semiconductor layer of the second semiconductor layer and a second layer adjacent to a portion of the other main surface having a higher impurity concentration and in contact with the second main electrode and away from the control electrode of the fourth semiconductor layer. And a layer portion of the composite semiconductor device.
半導体層と、一方の主表面及び第１の半導体層とに隣接
し第１の半導体層より高不純物濃度を有する他方導電型
の第２の半導体層と、他方の主表面から第１の半導体層
内に延び第１の半導体層より高不純物濃度を有する他方
導電型の第３の半導体層と、他方の主表面から第３の半
導体層内に延び第３の半導体層より高不純物濃度を有す
る他方導電型の第４の半導体層と、他方の主表面から第
４の半導体層内に延び第４の半導体層より高不純物濃度
を有する他方導電型の第５の半導体層と、他方の主表面
から第５の半導体層内に延び第５の半導体層より高不純
物濃度を有する一方導電型の第６の半導体層と、他方の
主表面から第５の半導体層内に延び第６の半導体層から
離れ第５の半導体層より高不純物濃度を有する一方導電
型の第７の半導体層とを有する半導体基体、 半導体基体の一方の主表面において、第２の半導体層に
低抵抗接触する第１の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第３の半導体層，
第４の半導体層，第５の半導体層及び第７の半導体層に
低抵抗接触する第２の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第４の半導体層と
第６の半導体層との間に露出する第３の半導体層，第１
の半導体層及び第５の半導体層表面に絶縁膜を介して形
成された第１の制御電極、 半導体基体の他方の主表面において、第６の半導体層と
第７の半導体層との間に露出する第５の半導体層表面に
絶縁膜を介して形成された第２の制御電極を具備するこ
とを特徴とする複合半導体装置。3. A first semiconductor layer having a pair of main surfaces, one conductivity type, and the other adjacent to the one main surface and the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer. A second semiconductor layer of conductivity type, a third semiconductor layer of the other conductivity type extending from the other main surface into the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer, and from the other main surface A fourth semiconductor layer of the other conductivity type which extends into the third semiconductor layer and has a higher impurity concentration than the third semiconductor layer; and a fourth semiconductor layer which extends from the other main surface into the fourth semiconductor layer and is higher than the fourth semiconductor layer. A fifth semiconductor layer of the other conductivity type having an impurity concentration, and a sixth semiconductor layer of the one conductivity type extending from the other main surface into the fifth semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the fifth semiconductor layer, The fifth semiconductor extends from the other main surface into the fifth semiconductor layer and is separated from the sixth semiconductor layer. A semiconductor substrate having a one-conductivity-type seventh semiconductor layer having a higher impurity concentration; a first main electrode in low resistance contact with the second semiconductor layer on one main surface of the semiconductor substrate; the other of the semiconductor substrates A third semiconductor layer on the main surface of
A second main electrode in low-resistance contact with the fourth semiconductor layer, the fifth semiconductor layer, and the seventh semiconductor layer; and a fourth semiconductor layer and a sixth semiconductor layer on the other main surface of the semiconductor substrate. A third semiconductor layer exposed between
A first control electrode formed on the surfaces of the semiconductor layer and the fifth semiconductor layer via an insulating film, and exposed between the sixth semiconductor layer and the seventh semiconductor layer on the other main surface of the semiconductor substrate. And a second control electrode formed on the surface of the fifth semiconductor layer via an insulating film.
２の制御電極が半導体基体の他方の主表面の一方向に延
びていることを特徴とする複合半導体装置。4. The composite semiconductor device according to claim 3, wherein the first control electrode and the second control electrode extend in one direction of the other main surface of the semiconductor substrate.
極の一方向と直角方向の幅が第２の制御電極のそれより
長いことを特徴とする複合半導体装置。5. The composite semiconductor device according to claim 3, wherein the width of the first control electrode in the direction perpendicular to one direction is longer than that of the second control electrode.
体内に隣接配置され、半導体基体の両主表面に一対の主
電極が設けられ、ＩＧＢＴ領域は一対の主電極に直接接
続され、サイリスタ領域のカソード側の端部領域はＩＧ
ＢＴ領域に存在するMISFET領域を介してカソード側の主
電極に接続され、アノード側の端部領域はアノード側の
主電極に直接接続されていることを特徴とする複合半導
体装置。6. An IGBT region and a thyristor region are arranged adjacent to each other in a semiconductor substrate, a pair of main electrodes are provided on both main surfaces of the semiconductor substrate, the IGBT region is directly connected to the pair of main electrodes, and a cathode in the thyristor region is provided. Side end area is IG
A composite semiconductor device, characterized in that it is connected to a main electrode on the cathode side through a MISFET region existing in the BT region, and an end region on the anode side is directly connected to the main electrode on the anode side.
子と逆極性のダイオードの並列回路を２個直列接続した
構成からなり、並列回路の相互接続点が異なる交流端子
に接続された交流出力の相数と同数のインバータ単位と
を具備し、スイッチング素子が一対の主表面を有し、一
方導電型の第１の半導体層と、一方の主表面及び第１の
半導体層とに隣接し第１の半導体層より高不純物濃度を
有する他方導電型の第２の半導体層と、他方の主表面か
ら第１の半導体層内に延び第１の半導体層より高不純物
濃度を有する他方導電型の第３の半導体層と、他方の主
表面から第３の半導体層内に延び第３の半導体層より高
不純物濃度を有する一方導電型の第４の半導体層と、他
方の主表面から第１の半導体層内に延び一部が第３の半
導体層に接し第４の半導体層から離れ第３の半導体層よ
り高不純物濃度を有する一方導電型の第５の半導体層
と、第１の半導体層及び第５の半導体層との間に位置し
第３の半導体層から離れ第１の半導体層と第５の半導体
層との間の不純物濃度を有する他方導電型の第６の半導
体層とを有する半導体基体、 半導体基体の一方の主表面において、第２の半導体層に
低抵抗接触する第１の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第３の半導体層及
び第４の半導体層に低抵抗接触する第２の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第４の半導体層と
第５の半導体層との間に露出する第３の半導体層表面に
絶縁膜を介して形成された制御電極を具備することを特
徴とする電力変換装置。7. A structure in which a pair of direct current terminals, an alternating current terminal having the same number as the number of phases of alternating current output, and a pair of direct current terminals are connected in series, and two parallel circuits each having a switching element and a diode of opposite polarity are connected in series. The parallel circuit comprises the same number of inverter units as the number of alternating-current output phases connected to different alternating-current terminals, and the switching element has a pair of main surfaces, while the conductive type first A semiconductor layer, a second semiconductor layer adjacent to the one main surface and the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than that of the first semiconductor layer, and a second conductivity type second semiconductor layer, and the other main surface to the first semiconductor layer A third semiconductor layer of the other conductivity type extending inward and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer, and one extending from the other main surface into the third semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer Conductive fourth semiconductor layer, etc. A fifth conductivity type semiconductor layer that extends from the main surface into the first semiconductor layer and has a portion in contact with the third semiconductor layer and separated from the fourth semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer. A sixth conductive type having a dopant concentration between the first semiconductor layer and the fifth semiconductor layer and separated from the third semiconductor layer and having an impurity concentration between the first semiconductor layer and the fifth semiconductor layer. A semiconductor substrate having a semiconductor layer of, a first main electrode that makes low resistance contact with a second semiconductor layer on one main surface of the semiconductor substrate, and a third semiconductor layer and a third main layer on the other main surface of the semiconductor substrate. A second main electrode in low resistance contact with the fourth semiconductor layer, and an insulating film on the third semiconductor layer surface exposed between the fourth semiconductor layer and the fifth semiconductor layer on the other main surface of the semiconductor substrate. Power conversion device characterized by including a control electrode formed through Place
子と逆極性のダイオードの並列回路を２個直列接続した
構成からなり、並列回路の相互接続点が異なる交流端子
に接続された交流出力の相数と同数のインバータ単位と
を具備し、スイッチング素子が一対の主表面を有し、一
方導電型の第１の半導体層と、一方の主表面及び第１の
半導体層とに隣接し第１の半導体層より高不純物濃度を
有する他方導電型の第２の半導体層と、他方の主表面か
ら第１の半導体層内に延び第１の半導体層より高不純物
濃度を有する他方導電型の第３の半導体層と、他方の主
表面から第３の半導体層内に延び第３の半導体層より高
不純物濃度を有する他方導電型の第４の半導体層と、他
方の主表面から第４の半導体層内に延び第４の半導体層
より高不純物濃度を有する他方導電型の第５の半導体層
と、他方の主表面から第５の半導体層内に延び第５の半
導体層より高不純物濃度を有する一方導電型の第６の半
導体層と、他方の主表面から第５の半導体層内に延び第
６の半導体層から離れ第５の半導体層より高不純物濃度
を有する一方導電型の第７の半導体層とを有する半導体
基体、 半導体基体の一方の主表面において、第２の半導体層に
低抵抗接触する第１の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第３の半導体層，
第４の半導体層，第５の半導体層及び第７の半導体層に
低抵抗接触する第２の主電極、 半導体基体の他方の主表面において、第４の半導体層と
第６の半導体層との間に露出する第３の半導体層，第１
の半導体層及び第５の半導体層表面に絶縁膜を介して形
成された第１の制御電極、 半導体基体の他方の主表面において、第６の半導体層と
第７の半導体層との間に露出する第５の半導体層表面に
絶縁膜を介して形成された第２の制御電極を具備するこ
とを特徴とする電力変換装置。8. A structure in which a pair of direct current terminals, an alternating current terminal having the same number as the number of phases of alternating current output, and a pair of direct current terminals are connected, and two parallel circuits of a switching element and a diode of opposite polarity are connected in series. The parallel circuit comprises the same number of inverter units as the number of alternating-current output phases connected to different alternating-current terminals, and the switching element has a pair of main surfaces, while the conductive type first A semiconductor layer, a second semiconductor layer adjacent to the one main surface and the first semiconductor layer and having a higher impurity concentration than that of the first semiconductor layer, and a second conductivity type second semiconductor layer, and the other main surface to the first semiconductor layer The other conductive third semiconductor layer extending inwardly and having a higher impurity concentration than the first semiconductor layer, and the other extending from the main surface into the third semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the third semiconductor layer. Conductive fourth semiconductor layer, etc. A fifth semiconductor layer of the other conductivity type extending from the main surface into the fourth semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the fourth semiconductor layer, and a fifth semiconductor layer extending from the other main surface into the fifth semiconductor layer. A sixth semiconductor layer of one conductivity type having a higher impurity concentration than the semiconductor layer, and extending from the other main surface into the fifth semiconductor layer and separated from the sixth semiconductor layer and having a higher impurity concentration than the fifth semiconductor layer A semiconductor substrate having a conductive seventh semiconductor layer, a first main electrode in low resistance contact with the second semiconductor layer on one main surface of the semiconductor substrate, a second main surface of the semiconductor substrate on the other main surface 3 semiconductor layers,
A second main electrode in low-resistance contact with the fourth semiconductor layer, the fifth semiconductor layer, and the seventh semiconductor layer; and a fourth semiconductor layer and a sixth semiconductor layer on the other main surface of the semiconductor substrate. A third semiconductor layer exposed between
A first control electrode formed on the surfaces of the semiconductor layer and the fifth semiconductor layer via an insulating film, and exposed between the sixth semiconductor layer and the seventh semiconductor layer on the other main surface of the semiconductor substrate. A power conversion device comprising a second control electrode formed on the surface of the fifth semiconductor layer via an insulating film.
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|---|---|---|---|
| JP5100712A JP2797890B2 (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Composite semiconductor device |
| DE69421749T DE69421749T2 (en) | 1993-04-27 | 1994-04-25 | Semiconductor switch with IGBT and thyristor |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP2797890B2 JP2797890B2 (en) | 1998-09-17 |
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|---|---|---|---|
| JP5100712A Expired - Lifetime JP2797890B2 (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Composite semiconductor device |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743461A (en) * | 1980-06-26 | 1982-03-11 | Siemens Ag | Controllable semiconductor switch |
| JPH04196359A (en) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Hitachi Ltd | Composite semiconductor device and power conversion device provided therewith |
| JPH06112496A (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | Insulated-gate semiconductor device |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5100712A patent/JP2797890B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743461A (en) * | 1980-06-26 | 1982-03-11 | Siemens Ag | Controllable semiconductor switch |
| JPH04196359A (en) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Hitachi Ltd | Composite semiconductor device and power conversion device provided therewith |
| JPH06112496A (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Toshiba Corp | Insulated-gate semiconductor device |
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|---|---|
| JP2797890B2 (en) | 1998-09-17 |
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