JPH06310628A - Hybrid integrated circuit - Google Patents

Hybrid integrated circuit

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Publication number
JPH06310628A
JPH06310628A JP9767093A JP9767093A JPH06310628A JP H06310628 A JPH06310628 A JP H06310628A JP 9767093 A JP9767093 A JP 9767093A JP 9767093 A JP9767093 A JP 9767093A JP H06310628 A JPH06310628 A JP H06310628A
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JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
integrated circuit
fixed
hybrid integrated
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP9767093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Susumu Ota
晋 太田
Katsumi Okawa
克実 大川
Noriaki Sakamoto
則明 坂本
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To improve heat radiation characteristics and reliability during a heat cycle by fixing switching elements on a heat sink. CONSTITUTION:This circuit is formed by prepaing a conductive route 3 on a metallic substrate 1 with an insulation layer 2 interposed in between and forming an invertor circuit thereon, and a switching means constituting the invertor circuit on a source side or a sink side has a plurality of switching elements 5 connected in parallel respectively. Then, each of the switching elements 5 constituting the switching means is respectively fixed on an individual heat sink 4. The heat sinks 4, whose surface area is divided into a plurality of areas by an insulation resin 3B such as a solder resist, etc., are fixed by respective divided areas, and further they are provided with covering resins 6 on their upper surfaces in order to cover/protect the elements 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は混成集積回路に関し、特
に複数のパワー半導体素子をヒートシンク上に実装する
実装構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated circuit, and more particularly to a mounting structure for mounting a plurality of power semiconductor elements on a heat sink.

【0002】[0002]

【従来の技術】パワー半導体素子が実装される一般的な
従来構造の混成集積回路を以下に説明する(図5参
照)。例えば、図6に示す如き、インバータ回路を図5
の基板(10)上に形成する場合、セラミックスあるい
は表面を陽極酸化したアルミニウム等の絶縁基板(1
0)上にインバータ回路用の導電路(11)を形成し、
その導電路(11)の所望位置にインバータ回路を動作
させるために必要なスイッチング素子(12)が固着さ
れたヒートシンク(13)を固着し、そのヒートシンク
(13)上にエポキシ系の封止樹脂(14)を塗布し、
スイッチング素子(12)を封止樹脂(14)で被覆保
護する構造であった。
2. Description of the Related Art A hybrid integrated circuit having a general conventional structure on which a power semiconductor device is mounted will be described below (see FIG. 5). For example, an inverter circuit as shown in FIG.
When it is formed on the substrate (10), the insulating substrate (1) made of ceramics or aluminum whose surface is anodized.
Forming a conductive path (11) for the inverter circuit on
A heat sink (13) to which a switching element (12) necessary for operating the inverter circuit is fixed is fixed to a desired position of the conductive path (11), and an epoxy-based sealing resin ( 14) is applied,
The structure was such that the switching element (12) was covered and protected with the sealing resin (14).

【0003】そして、パワートランジスタ(12)が固
着されるヒートシンク(13)上面には溝(15)が形
成されており、封止樹脂層(14)をヒートシンク(1
3)上に塗布した際、封止樹脂層(14)の一部が溝
(15)内に充填され、接着強度を向上させている。上
記のような従来構造の混成集積回路では、ヒートシンク
(13)に溝(15)を設けることによって、ヒートサ
イクルによる封止樹脂層(14)とヒートシンク(1
3)との界面の剥離を防止することができる。その結
果、パワー半導体素子(12)とヒートシンク(13)
とを固着する半田層の半田酸化を抑制し信頼性を向上さ
せていた。
A groove (15) is formed on the upper surface of the heat sink (13) to which the power transistor (12) is fixed, and the sealing resin layer (14) is attached to the heat sink (1).
3) When applied on top, a part of the sealing resin layer (14) is filled in the groove (15) to improve the adhesive strength. In the hybrid integrated circuit having the conventional structure as described above, by providing the groove (15) in the heat sink (13), the heat sealing resin layer (14) and the heat sink (1) are formed.
It is possible to prevent peeling of the interface with 3). As a result, the power semiconductor element (12) and the heat sink (13)
The reliability was improved by suppressing the solder oxidation of the solder layer that adheres to

【0004】上記のような技術は特開昭60−6555
3号公報に記載されている。また、パワートランジスタ
等のパワー半導体素子を封止樹脂で被覆保護する同様の
技術は特開昭58−40848号公報、実開昭56−4
3166号公報および実開昭59−26253号公報に
記載されている。
The technique as described above is disclosed in JP-A-60-6555.
No. 3 publication. A similar technique for covering and protecting a power semiconductor element such as a power transistor with a sealing resin is disclosed in JP-A-58-40848 and JP-A-56-4.
3166 and Japanese Utility Model Laid-Open No. 59-26253.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の混成集
積回路では、1つのヒートシンク上に1つのパワー半導
体素子を固着する構造であるため、例えば、上記した図
5のようなインバータ回路を絶縁基板上に実装する場合
に有効である。しかしながら、インバータ回路に流れる
電流量が50〜300A程度の大電流となる場合には、
図7に示す如く、インバータ回路のスイッチング手段
(スイッチング素子)は複数個が並列接続される。並列
接続された各スイッチング素子を図8に示す如く1つの
ヒートシンク(20)上に搭載し、エポキシ等の封止樹
脂(21)で被覆した場合には、ヒートシンク(20)
とエポキシ樹脂(21)との接触界面距離が長くなるた
めにヒートサイクル時にヒートシンク(20)とエポキ
シ樹脂(21)との界面にクラックが生じスイッチング
素子(22)とヒートシンク(20)を固着している半
田層が酸化する。その酸化によって半田層の熱抵抗が高
くなり経時変化と供にスイッチング素子が破壊するとい
う問題があった。
The above-mentioned conventional hybrid integrated circuit has a structure in which one power semiconductor element is fixed on one heat sink, and therefore, for example, an inverter circuit as shown in FIG. Effective when implemented on top. However, when the amount of current flowing through the inverter circuit is a large current of about 50 to 300 A,
As shown in FIG. 7, a plurality of switching means (switching elements) of the inverter circuit are connected in parallel. When each switching element connected in parallel is mounted on one heat sink (20) as shown in FIG. 8 and covered with a sealing resin (21) such as epoxy, the heat sink (20)
Since the contact interface distance between the epoxy resin (21) and the epoxy resin (21) becomes long, cracks occur at the interface between the heat sink (20) and the epoxy resin (21) during the heat cycle, and the switching element (22) and the heat sink (20) are fixed to each other. The solder layer is oxidized. There is a problem that the thermal resistance of the solder layer is increased by the oxidization and the switching element is destroyed along with the change with time.

【0006】また、図8で示すような構造では、ヒート
シンク上に複数のスイッチング素子が固着されるため
に、ヒートシンクと各スイッチング素子とを固着する半
田層の1つにポイドが発生した場合には不良品扱いとな
り歩留りが低下する問題があった。また、図7で示すよ
うなスイッチング素子のコレクタあるいはソース電極が
共通で且つ、基板上に形成されたパッドが共通使用され
る場合には、図8で示した他に、各スイッチング素子を
個別のヒートシンク上に固着し、ヒートシンクをパッド
上に半田固着することが考えられる。この際、各ヒート
シンクとパッドを接続する半田が溶融すると隣接する半
田同志がぬれ性により結合し、その結果各ヒートシンク
が密接して配置されることになる。各ヒートシンクが密
接配置された場合であっても電気的問題は何ら生じな
い。
Further, in the structure as shown in FIG. 8, since a plurality of switching elements are fixed on the heat sink, when a void is generated in one of the solder layers fixing the heat sink and each switching element, There was a problem that it was treated as a defective product and the yield decreased. When the collectors or source electrodes of the switching elements as shown in FIG. 7 are common and the pads formed on the substrate are commonly used, each switching element is individually connected in addition to that shown in FIG. It is conceivable to fix the heat sink on the heat sink and solder the heat sink on the pad. At this time, when the solder connecting the heat sinks and the pads melts, the adjacent solders bond with each other due to their wettability, and as a result, the heat sinks are closely arranged. Even if the heat sinks are closely arranged, no electrical problem occurs.

【0007】しかしながら、各ヒートシンクが密接配置
されると1つのヒートシンク上にのみ被覆樹脂を塗布し
ようとしても機械的等の問題により隣接したヒートシン
ク上にも連続状で塗布されることになる。隣接したヒー
トシンクと連続状で被覆樹脂が塗布されると、前述した
ヒートサイクルの問題が生じる。この発明は、上述した
課題に鑑みて為されたものであり、この発明の目的は、
電気的に共通使用されるパッド上にパワー半導体素子が
固着された複数のヒートシンクを固着し、且つ、そのヒ
ートシンク上に被覆樹脂が被覆される構造の混成集積回
路のヒートサイクルによる信頼性を向上させることであ
る。
However, when the heat sinks are closely arranged, even if the coating resin is applied only to one heat sink, it is continuously applied to the adjacent heat sinks due to mechanical problems. When the coating resin is continuously applied to the adjacent heat sink, the above-mentioned heat cycle problem occurs. This invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of this invention is to
Improving reliability by heat cycle of a hybrid integrated circuit having a structure in which a plurality of heat sinks to which a power semiconductor element is fixed are fixed to an electrically commonly used pad and a coating resin is applied to the heat sinks. That is.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、この発明に係わる第1の混成集積
回路は、絶縁基板上に形成された所望形状の導電路のパ
ッド領域上にパワー半導体素子が固着された複数のヒー
トシンクを固着した混成集積回路であって、パッド領域
はソルダーレジスト等の絶縁樹脂膜で複数領域に分割さ
れ、その分割された各領域毎にヒートシンクが隣接され
る状態で固着されていることを特徴としている。
[Means for Solving the Problems]
To achieve the object, a first hybrid integrated circuit according to the present invention is a hybrid integrated circuit in which a plurality of heat sinks to which power semiconductor elements are fixed are fixed on a pad region of a conductive path of a desired shape formed on an insulating substrate. The circuit is characterized in that the pad region is divided into a plurality of regions by an insulating resin film such as a solder resist, and a heat sink is fixed to each of the divided regions so as to be adjacent thereto.

【0009】また、この発明に係わる第2の混成集積回
路は、金属基板上に絶縁層を介して形成された導電路上
にインバータ回路が形成される混成集積回路であって、
インバータ回路を構成するソース側あるいはシンク側の
スイッチング手段は複数のスイッチング素子が並列接続
されており、スイッチング手段を構成する各スイッチン
グ素子はそれぞれ個別のヒートシンク上に固着され、そ
のヒートシンクはその表面領域がソルダーレジスト等の
絶縁樹脂で複数の領域に分割された各分割領域毎に固着
され、且つ、その上面にスイッチング素子を被覆保護す
る被覆樹脂が設けられていることを特徴としている。
A second hybrid integrated circuit according to the present invention is a hybrid integrated circuit in which an inverter circuit is formed on a conductive path formed on a metal substrate via an insulating layer.
A plurality of switching elements are connected in parallel in the switching means on the source side or the sink side that constitutes the inverter circuit, and each switching element that constitutes the switching means is fixed on an individual heat sink. It is characterized in that it is fixed to each of the divided areas divided into a plurality of areas by an insulating resin such as a solder resist, and a coating resin for covering and protecting the switching element is provided on the upper surface thereof.

【0010】[0010]

【作用】以上のように構成される混成集積回路において
は、複数のヒートシンクが固着されるパッド領域をソル
ダーレジスト等の絶縁樹脂膜で複数領域に分割し、その
分割された領域毎にヒートシンクを固着することによ
り、各ヒートシンクを半田固着する場合、半田が溶融し
てもレジストインクによって溶融半田がせき止められて
いるために隣接する溶融半田と結合することを防止する
ことができる。
In the hybrid integrated circuit configured as described above, the pad region to which a plurality of heat sinks are fixed is divided into a plurality of regions by an insulating resin film such as solder resist, and the heat sinks are fixed to each of the divided regions. By doing so, when fixing each heat sink with solder, it is possible to prevent the molten solder from being coupled with the adjacent molten solder because the molten solder is blocked by the resist ink even if the solder melts.

【0011】その結果、隣接するヒートシンクが密接す
ることがなく、確実に一定距離のスペースを確保するこ
とができ、1つのヒートシンク上にのみ被覆樹脂を塗布
することが可能となる。
As a result, the adjacent heat sinks do not come into close contact with each other, a space of a certain distance can be surely secured, and the coating resin can be applied only on one heat sink.

【0012】[0012]

【実施例】以下に図1〜図4に示した実施例に基づいて
本発明の混成集積回路を説明する。図1および図2に示
す如く、本発明の混成集積回路は、絶縁基板(1)と、
この基板(1)上に形成された所望形状の導電路(3)
と、この導電路(3)の所定位置のパッド(3A)領域
上に固着された複数のヒートシンク(4)と、パッド
(3A)領域を分割する絶縁樹脂膜(3B)と、この各
ヒートシンク(4)上に固着されたパワー半導体素子
(5)と、パワー半導体素子(5)を被覆保護する被覆
樹脂(6)とから構成される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A hybrid integrated circuit of the present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. As shown in FIGS. 1 and 2, the hybrid integrated circuit of the present invention comprises an insulating substrate (1),
Conductive path (3) of desired shape formed on this substrate (1)
A plurality of heat sinks (4) fixed on the pad (3A) region at a predetermined position of the conductive path (3), an insulating resin film (3B) dividing the pad (3A) region, and each heat sink ( 4) A power semiconductor element (5) fixed onto the power semiconductor element (5) and a coating resin (6) for coating and protecting the power semiconductor element (5).

【0013】絶縁基板(1)としてはセラミックスある
いは絶縁処理が施された金属基板が用いられ、この実施
例では、放熱特性および加工性を考慮して約2〜5mm
厚のアルミニウム基板あるいは銅基板が使用される。そ
の基板(1)は所定サイズで矩形状に形成され、混成集
積回路が完成する前あるいは後に所望サイズに分割プレ
スされる。アルミニウム基板を用いる場合には、そのア
ルミニウム基板の表面を薄膜の酸化アルミニウムで被覆
してもよい。また、銅基板を用いる場合には、その銅基
板の表面はニッケルあるいはクロムメッキが行われ表面
保護が行われている。
As the insulating substrate (1), a ceramic or a metal substrate subjected to an insulating treatment is used. In this embodiment, considering the heat radiation characteristics and workability, it is about 2 to 5 mm.
Thick aluminum or copper substrates are used. The substrate (1) is formed in a rectangular shape with a predetermined size and divided and pressed into a desired size before or after the hybrid integrated circuit is completed. When an aluminum substrate is used, the surface of the aluminum substrate may be covered with a thin film of aluminum oxide. When a copper substrate is used, the surface of the copper substrate is plated with nickel or chromium to protect the surface.

【0014】アルミニウム基板(1)の一主面上には、
エポキシあるいはポリイミド樹脂等の接着性を有する熱
硬化性絶縁樹脂と約35〜105μm厚の銅箔とのクラ
ッド材が温度150〜180℃、1平方センチメートル
当り50〜100Kgの圧力でホットプレスされる。前
記クラッド材を基板(1)上にホットプレスすることに
より前記熱硬化性絶縁樹脂が絶縁層(2)となり、その
絶縁層(2)上の銅箔をホトエッチング等して所望形状
の導電路(3)が形成される。
On one main surface of the aluminum substrate (1),
A clad material composed of a thermosetting insulating resin having adhesiveness such as epoxy or polyimide resin and a copper foil having a thickness of about 35 to 105 μm is hot-pressed at a temperature of 150 to 180 ° C. and a pressure of 50 to 100 kg per 1 cm 2. The thermosetting insulating resin becomes an insulating layer (2) by hot pressing the clad material onto the substrate (1), and the copper foil on the insulating layer (2) is photo-etched to form a conductive path having a desired shape. (3) is formed.

【0015】基板(1)上に形成される導電路(3)
は、例えば図7に示したインバータ回路が形成される。
導電路(3)の所定位置、即ち、上記インバータ回路の
スイッチング手段(スイッチング素子)を固着したヒー
トシンク(4)を固着するためのパッド(3A)領域上
には、図3に示す如く、スクリーン印刷により印刷した
ソルダーペーストがスクリーン印刷等により付着されて
半田層(8)が形成される。半田層(8)は図3に示す
如く、パッド(3A)の領域内に所定の間隔を設けて複
数カ所に形成される。そして、パッド(3A)領域は十
字状に設けられたソルダレジスト等の絶縁樹脂膜(3
B)によって複数に分割される。上記した半田層(8)
は樹脂膜(3B)によって分割された分割領域内に配置
されることになり、隣接する各半田層(8)は樹脂膜
(3B)で区画されることになる。樹脂膜(3B)は熱
抵抗を考慮してその巾は約0.5〜1mm程度となるよ
うに形成される。また、本実施例では樹脂膜(3B)は
十字状に形成されているが、樹脂膜(3B)の形状はこ
れに限られるものではない。
Conductive paths (3) formed on the substrate (1)
For example, the inverter circuit shown in FIG. 7 is formed.
As shown in FIG. 3, screen printing is performed at a predetermined position of the conductive path (3), that is, on a pad (3A) region for fixing the heat sink (4) to which the switching means (switching element) of the inverter circuit is fixed. The solder paste printed by is attached by screen printing or the like to form a solder layer (8). As shown in FIG. 3, the solder layer (8) is formed in a plurality of places at predetermined intervals in the area of the pad (3A). The pad (3A) region is formed in a cross shape with an insulating resin film (3) such as a solder resist.
It is divided into a plurality according to B). Solder layer described above (8)
Will be arranged in a divided region divided by the resin film (3B), and each adjacent solder layer (8) will be divided by the resin film (3B). The width of the resin film (3B) is about 0.5 to 1 mm in consideration of thermal resistance. Further, in this embodiment, the resin film (3B) is formed in a cross shape, but the shape of the resin film (3B) is not limited to this.

【0016】ところで、図7に示したインバータ回路の
第1電源ライン(例えばVCCライン)、第2電源ライン
(例えばアースライン)および電流を供給する出力ライ
ンは約50〜300Aの大電流に対応できるようにする
必要から銅箔の厚みを約35〜105μ程度の肉厚を有
する。その厚みで不十分な場合には、その銅箔上に約1
〜5mm程度の肉厚を有した銅板を固着することも考え
られる。
By the way, the first power supply line (for example, V CC line), the second power supply line (for example, earth line) and the output line for supplying the current of the inverter circuit shown in FIG. 7 correspond to a large current of about 50 to 300 A. The thickness of the copper foil is about 35 to 105 μ because it is necessary to make it possible. If the thickness is not enough, about 1 on the copper foil
It is also conceivable to fix a copper plate having a wall thickness of about 5 mm.

【0017】本発明の混成集積回路では約100A以上
の電流に対応できるものとするために各スイッチング素
子は、例えば図7に示す如く、4並列接続されている。
並列接続された各スイッチング素子は、銅、インバ−銅
−インバ−の合金あるいはDBC等の金属あるいは合金
材よりなる、ヒートシンク(4)毎に半田(9)を介し
て半田固着される。
In the hybrid integrated circuit of the present invention, in order to be able to handle a current of about 100 A or more, each switching element is connected in parallel as shown in FIG.
The switching elements connected in parallel are soldered to each heat sink (4) via a solder (9) made of a metal or an alloy material such as copper, an invar-copper-invar alloy, or DBC.

【0018】スイッチング素子(5)が固着された各ヒ
ートシンク(4)は図4に示す如く、パッド(3A)領
域上に設けられた各半田層(8)上に載置され、半田リ
フロー工程により半田層(8)を溶融させ、パッド(3
A)上に各ヒートシンク(4)が半田固着される。各半
田層(8)を溶融した際、パッド(3A)領域は絶縁樹
脂膜(3B)で分割されているために、各半田層(8)
の溶融半田は樹脂膜(3B)によってせき止められるこ
とになり、隣接する溶融半田同志が結合することはな
い。そのため、各ヒートシンク(4)が密接した状態で
パッド(3A)上に半田固着されるおそれを防止するこ
とができる。
As shown in FIG. 4, each heat sink (4) to which the switching element (5) is fixed is placed on each solder layer (8) provided on the pad (3A) area, and is subjected to the solder reflow process. The solder layer (8) is melted and the pad (3
Each heat sink (4) is soldered and fixed onto A). When each solder layer (8) is melted, the pad (3A) region is divided by the insulating resin film (3B), so each solder layer (8)
The molten solder of (3) will be dammed by the resin film (3B), and adjacent molten solders will not be joined together. Therefore, it is possible to prevent the risk that the heat sinks (4) are closely attached to the pads (3A) by soldering.

【0019】パッド(3A)上に各ヒートシンク(4)
を固着した後、各ヒートシンク(4)上に固着されたパ
ワースイッチング素子(5)はエポキシ系の被覆樹脂
(6)で被覆保護される。各ヒートシンク(4)上に被
覆樹脂(6)を塗布する場合、上述したように各ヒート
シンク(4)同志は所定の間隔が確保されるために確実
に1つのヒートシンク(4)上に塗布することが可能と
なる。したがって、1つのヒートシンク(4)上に樹脂
(6)を塗布する場合であっても隣接するヒートシンク
(4)上に連続状態で樹脂(6)が塗布されるのを防止
することができ、ヒートサイクルによって樹脂(6)と
ヒートシンク(4)との界面領域でクラックが生じるお
それがない。尚、ヒートシンク(4)上には樹脂(6)
との接着力を向上させるための逆テーパー面を有した溝
が設けられている。
Each heat sink (4) on the pad (3A)
After fixing, the power switching element (5) fixed on each heat sink (4) is covered and protected by the epoxy-based covering resin (6). When the coating resin (6) is applied on each heat sink (4), each heat sink (4) is surely applied on one heat sink (4) because a predetermined interval is secured as described above. Is possible. Therefore, even when the resin (6) is applied to one heat sink (4), it is possible to prevent the resin (6) from being continuously applied to the adjacent heat sinks (4), and the heat can be prevented. There is no risk of cracks occurring in the interface region between the resin (6) and the heat sink (4) due to the cycle. The resin (6) is placed on the heat sink (4).
A groove having an inverse taper surface is provided to improve the adhesive force with the.

【0020】ところで、各ヒートシンク(4)上に固着
されたスイッチング素子(5)は被覆樹脂(6)が塗布
される前に、各ヒートシンク(4)の周辺に延在形成さ
れた導電路(3)とアルミニウム線によってボンディン
グ接続されている。かかる本発明の混成集積回路では、
1つのパッド(3A)領域を樹脂膜(3B)で分割し、
その分割された各領域に並列接続されたスイッチング素
子(5)が固着された各ヒートシンク(4)を固着搭載
することにより、各ヒートシンク(4)を密接すること
なくパッド上に固着することができ、各ヒートシンク
(4)上に確実に被覆樹脂を塗布することができる。そ
の結果、スイッチング素子(5)が並列接続される大電
流タイプの混成集積回路であってもヒートサイクルにお
ける信頼性を向上させることができる。
By the way, the switching element (5) fixed on each heat sink (4) has a conductive path (3) extending around the heat sink (4) before the coating resin (6) is applied. ) And aluminum wire bonding connection. In such a hybrid integrated circuit of the present invention,
One pad (3A) area is divided by the resin film (3B),
By fixing and mounting the respective heat sinks (4) to which the switching elements (5) connected in parallel are fixedly mounted on the respective divided regions, the respective heat sinks (4) can be fixed onto the pad without closely contacting each other. The coating resin can be reliably applied to each heat sink (4). As a result, even in a large current type hybrid integrated circuit in which the switching elements (5) are connected in parallel, the reliability in the heat cycle can be improved.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上に詳述した如く、本発明に依れば、
ヒートシンクが固着される1つのパッド領域をソルダー
レジスト等の絶縁樹脂膜で複数領域に分割し、その分割
された領域毎に各ヒートシンクを固着することにより、
各ヒートシンクを半田固着する場合、半田が溶融しても
レジストインクによって溶融半田がせき止められるため
に隣接する溶融半田と結合することを防止することがで
きる。
As described in detail above, according to the present invention,
By dividing one pad area to which the heat sink is fixed into a plurality of areas with an insulating resin film such as a solder resist and fixing each heat sink to each of the divided areas,
When the heat sinks are fixed by soldering, even if the solder melts, the resist ink dams the melted solder, so that the heat sink can be prevented from being coupled with the adjacent melted solder.

【0022】したがって、隣接するヒートシンクが密接
することがなく、確実に一定距離のスペースを確保する
ことができ、1つのヒートシンク上にのみ確実に被覆樹
脂を塗布することが可能となる。その結果、大電流タイ
プの混成集積回路であってもヒートサイクルによる信頼
性を向上させることができる。
Therefore, the adjacent heat sinks do not come into close contact with each other, a space of a certain distance can be surely secured, and the coating resin can be surely applied onto only one heat sink. As a result, the reliability due to the heat cycle can be improved even in a large current type hybrid integrated circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の混成集積回路を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view showing a hybrid integrated circuit of the present invention.

【図2】図2は本発明の混成集積回路を示す平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view showing a hybrid integrated circuit of the present invention.

【図3】図3は本発明を説明するための要部平面図およ
び断面図である。
FIG. 3 is a plan view and a sectional view of a main part for explaining the present invention.

【図4】図4は本発明を説明するための要部平面図およ
び断面図である。
FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view of a main part for explaining the present invention.

【図5】図5は従来の混成集積回路を示す断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional hybrid integrated circuit.

【図6】図6はインバータ回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of an inverter circuit.

【図7】図7はインバータ回路の回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram of an inverter circuit.

【図8】図8は従来の混成集積回路を示す断面図であ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a conventional hybrid integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(1) 絶縁基板 (2) 絶縁層 (3) 導電路 (3A) パッド (3B) 絶縁樹脂膜 (4) ヒートシンク (5) スイッチング素子(パワー半導体素子) (6) 被覆樹脂 (1) Insulating substrate (2) Insulating layer (3) Conductive path (3A) Pad (3B) Insulating resin film (4) Heat sink (5) Switching element (power semiconductor element) (6) Coating resin

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板上に形成された所望形状の導電
路のパッド領域上にパワー半導体素子が固着された複数
のヒートシンクを固着した混成集積回路であって、 前記パッド領域はソルダーレジスト等の絶縁樹脂膜で複
数領域に分割され、その分割された各領域毎に前記ヒー
トシンクが隣接される状態で固着されていることを特徴
とする混成集積回路。
1. A hybrid integrated circuit in which a plurality of heat sinks having power semiconductor elements are fixed on a pad region of a conductive path of a desired shape formed on an insulating substrate, wherein the pad region is formed of a solder resist or the like. A hybrid integrated circuit characterized by being divided into a plurality of regions by an insulating resin film, and the heat sinks being fixed to each of the divided regions so as to be adjacent to each other.
【請求項2】 金属基板上に絶縁層を介して形成された
導電路上にインバータ回路が形成される混成集積回路で
あって、前記インバータ回路を構成するソース側あるい
はシンク側のスイッチング手段は複数のスイッチング素
子が並列接続されており、前記スイッチング手段を構成
する各スイッチング素子はそれぞれ個別のヒートシンク
上に固着され、前記ヒートシンクはその表面領域がソル
ダーレジスト等の絶縁樹脂で複数の領域に分割された各
分割領域毎に固着され、且つ、その上面に前記スイッチ
ング素子を被覆保護する被覆樹脂が設けられていること
を特徴とする混成集積回路。
2. A hybrid integrated circuit in which an inverter circuit is formed on a conductive path formed on a metal substrate via an insulating layer, wherein a switching means on a source side or a sink side constituting the inverter circuit is composed of a plurality of switching means. Switching elements are connected in parallel, each switching element constituting the switching means is fixed on an individual heat sink, and the surface area of the heat sink is divided into a plurality of areas by an insulating resin such as solder resist. A hybrid integrated circuit characterized in that it is fixed to each of the divided regions, and a coating resin for coating and protecting the switching element is provided on the upper surface thereof.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097967A (en) * 2008-10-14 2010-04-30 Denso Corp Semiconductor device
JP2012178589A (en) * 2012-04-25 2012-09-13 Denso Corp Semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010097967A (en) * 2008-10-14 2010-04-30 Denso Corp Semiconductor device
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