JPH06308397A - ２安定ｄｍｄアドレス指定法 - Google Patents

２安定ｄｍｄアドレス指定法

Info

Publication number
JPH06308397A
JPH06308397A JP5258606A JP25860693A JPH06308397A JP H06308397 A JPH06308397 A JP H06308397A JP 5258606 A JP5258606 A JP 5258606A JP 25860693 A JP25860693 A JP 25860693A JP H06308397 A JPH06308397 A JP H06308397A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixels
array
bias voltage
picture elements
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5258606A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3492400B2 (ja
Inventor
Jr Richard O Gale
オー．ゲイル，ジュニア リチャード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25505297&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH06308397(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH06308397A publication Critical patent/JPH06308397A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3492400B2 publication Critical patent/JP3492400B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/346—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on modulation of the reflection angle, e.g. micromirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
    • G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
    • G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
    • G06K15/1238—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers simultaneously exposing more than one point
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S345/00—Computer graphics processing and selective visual display systems
    • Y10S345/904—Display with fail/safe testing feature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電気機械的画素のアレイを有するディジタル
・マイクロミラー装置を、高電圧、高周波数の共振リセ
ット回路およびそれに付随するスイッチング装置を用い
ないで、かつ、粘着の問題点を有しないで、アドレス指
定する。 【構成】 この方法の第１段階は、画素のアレイにＡＣ
成分およびＤＣ成分を有するバイアス電圧を加えること
により、画素のおのおのを選定された安定状態のずれか
に電気機械的にラッチングする段階、次に、画素のすべ
てに新しい組の選択的アドレス電圧を加える段階、次
に、バイアス電圧を取り去ることにより、画素を電気機
械的にアンラッチングする段階、次に、新しい組の選択
的アドレス電圧に従って、画素のアレイに新しい状態を
仮定することを可能にする段階、最後に、ＡＣ成分およ
びＤＣ成分でバイアス電圧を再設定することにより、画
素のおのおのを電気機械的にラッチングする段階であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル・マイクロ
ミラー装置（ＤＭＤ）に関する。このディジタル・マイ
クロミラー装置はまた変形可能ミラー装置としても知ら
れている。さらに詳細にいえば、本発明はこのような装
置のアドレス指定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】ＤＭＤは、光学的情報
処理装置、投影表示装置、および静電写真印刷装置の分
野において、多くの応用を有している。Ｌ．ホーンベッ
ク名の論文「１２８×１２８変形可能ミラー装置」第３
０巻、ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．５３９
頁（１９８３年）を見よ。
【０００３】前記ホーンベック名の論文に開示されてい
る多数の応用は、米国特許第５，０９６，２７９号に開
示されているように、２安定モードで動作するＤＭＤを
使用している。この米国特許第５，０９６，２７９号の
内容は、本発明の中に取り込まれている。この米国特許
第５，０９６，２７９号の内容の詳細は下記においてや
や詳細に要約されるが、簡単にいえば、ＤＭＤの２安定
モードでは、偏向可能なビーム、すなわち、偏向可能な
ミラーは、２つの着地角度±θL のいずれかにまで偏向
することができる。この偏向は、下にある電極にアドレ
ス電圧を印加することにより行われる。いずれの着地角
度（±θL ）においても、偏向可能なミラーの端部は下
にある装置基板と接触する。
【０００４】米国特許第５，０９６，２７９号におい
て、アドレス電圧に対する要求を低レベルにするため
に、アドレス電極に対してミラーにバイアス電圧が加え
られる。このバイアス電圧は、エネルギ電位極小を生ず
るのに役立つ。バイアスの大きさは、偏向可能ミラーと
それに付随するアドレス回路およびバイアス回路が、１
個、３個、または、２個のエネルギ電位極小に対応し
て、それぞれ、単安定モード、３安定モード、または、
２安定モード、のいずれで動作するかを決定する。要求
されるバイアス電圧はまた、バイアスの大きさと共に変
わる。典型的なバイアス電圧は、アドレス電圧が５ＶＣ
ＭＯＳ限界で動作できるように選定される。例えば、バ
イアスがなくて動作する典型的なＤＭＤは、１６ボルト
のアドレスを要求する。−１０Ｖのバイアスでは、ＤＭ
Ｄは３安定モードで動作し、そして、＋１０Ｖアドレス
を要求する。−１６Ｖのバイアスでは、ＤＭＤは２安定
モードで動作し、そして、＋５Ｖアドレスを要求する。
この例で明らかなように、標準的な５ＶＣＭＯＳアドレ
ス回路と両立するために、２方向動作とアドレス指定を
要求する２安定モードで動作することが必要である。バ
イアス電圧が偏向可能ミラーに加えられる時、正規動作
の限界内でアドレス電極がこれ以上変化しても、偏向可
能ミラーの状態に変化をもたらさない。それは、ミラー
が存在している安定状態と、２安定モードで存在する他
の安定状態との間の、電位エネルギ障壁を乗り越えるに
は、このアドレス電圧は不十分であるからである。安定
状態を変更するためには、バイアス電圧を取り去って、
偏向可能ミラーがアドレス電極の電圧に応答できること
が必要である。
【０００５】先行技術のＤＭＤの場合、偏向可能ミラー
が偏向されそしてＤＭＤ基板の上の着地用パッドと接触
する時、ミラーのアドレス指定された状態を変更するこ
とを可能にするためには、高電圧、高周波数の共振リセ
ット・シーケンスを加えることが必要であることが分か
った。このリセット・シーケンスは、ファン・デル・ワ
ールス力または表面の汚染により生ずる粘着の問題点を
解決するために採用された。これらの粘着の問題点は、
ビームの下のアドレス電極の状態がどのように変わって
もそれには関係なく、ビームが状態を変えることに抵抗
する原因となる。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】ミラーおよび着地用電
極が持続した方式で接触することが長ければ長い程、画
素を解除するのにますます高いリセット電圧が必要であ
ることの認識に本発明は基づく。ミラーおよび着地用電
極が持続した方式で接触している時間の長さは、滞留時
間と呼ばれる。滞留時間がミリ秒から秒の領域にある場
合、典型的なリセット電圧は１２Ｖ〜２５Ｖの範囲内に
ある。本発明はこの滞留時間をできるだけ短くすること
を探求し、それにより、必要なリセット電圧を小さくす
る、または、高電圧、高周波数の共振リセットを全くな
くする。
【０００７】本発明の１つの好ましい実施例では、前記
の正規のＤＣバイアス信号の上に、ＡＣ信号を重ねる。
この方式で、下にあるＤＭＤ基板と、長くて持続した接
触をすることなく、ミラーをその完全偏向角度（±
θL ）まで傾斜させることができる。このＡＣ信号は比
較的小さな振幅を有するように定めることにより、マイ
クロミラーの光学的特性は影響を受けない。それは、重
ねられた小さなミラー偏向角度が、ミラーの着地角度
（±θL ）にまでアドレス指定された偏向に比べて、微
々たるものであるからである。なお、ＡＣ信号は、ミラ
ーとＤＭＤ基板との間の接触を周期的に中断するのに十
分な大きさの振幅を有するように定めることができ、そ
れにより、ミラーとＤＭＤ基板との間の粘着の原因とな
り得るそれらの間の化学的接合および湿気の凝縮が防止
される。
【０００８】本発明の好ましい実施例により、１組の選
択的アドレス電圧に従って、画素のおのおのが２個また
はそれより多数個の選定された安定状態のいずれかを想
定した、偏向可能なビームを備えた電気機械的画素のア
レイを有するディジタル・マイクロミラ−装置（ＤＭ
Ｄ）をアドレス指定する方法が得られる。この好ましい
方法の第１段階は、画素のアレイにＡＣ成分およびＤＣ
成分を有するバイアス電圧を加えることにより、画素の
おのおのを前記選定された安定状態のいずれかに電気機
械的にラッチングする段階である。第２段階は、このア
レイの中の画素のすべてに新しい組の選択的アドレス電
圧を加える段階である。第３段階は、このアレイからバ
イアス電圧を取り去ることにより、画素を以前にアドレ
ス指定されたそれらの状態から電気機械的にアンラッチ
ングする段階である。第４段階は、新しい組の選択的ア
ドレス電圧に従って、画素のアレイに新しい状態を仮定
することを可能にする段階である。第５段階は、ＡＣ成
分およびＤＣ成分でバイアス電圧を再設定することによ
り、画素のおのおのを電気機械的にラッチングする段階
である。
【０００９】高電圧、高周波数の共振リセット回路とそ
れに付随するスイッチング装置を省略できることは、特
性を劣化させることなく、装置を大幅に単純化し、そし
てコストを大幅に下げることになる。実際には、リセッ
ト・シーケンスを加えるのに要する時間が省略できるの
で、そしてその時間をデータを表示するために用いるこ
とができるので、特性はわずかに改良されるはずであ
る。
【００１０】
【実施例】本発明およびその利点をさらに完全に理解す
るために、下記において、添付図面を参照して本発明を
詳細に説明する。
【００１１】添付図面を参照しての下記説明において、
図面は異なっても対応する部品には、特に断らない限
り、対応する番号および対応する記号が用いられる。
【００１２】図１ａ〜図１ｃは、好ましい実施例のミラ
ーの、それぞれ、立体図、横断面図、および、平面図で
ある。これらの図面に示されているように、画素２０
は、基板２２の上の電極４２または４６と、ビーム３０
との間に電圧を加えることにより、動作する。ビーム３
０とこれらの電極は、空隙コンデンサの２個の極板を構
成し、そして、電圧を加えることにより、これらの極板
に誘起される反対符号の電荷によって、ビーム３０を基
板２２に引き付ける静電引力が働く。その際、電極４０
および４１はビーム３０と同じ電圧に保たれる。電極４
２、４６とビーム３０との間の静電引力により、ビーム
３０はヒンジ３４および３６のところで捩れ、それによ
り、ビーム３０は基板２２に向って偏向する。
【００１３】図２は、電極４２に正電圧を加えることに
より、最小の間隙を有する領域に誘起電荷が集中し、そ
れにより偏向したビーム３０を示した概要図である。２
０ボルトないし３０ボルトの電圧が加えられた場合、偏
向の大きさは角度で２°の程度である。もちろん、もし
ヒンジ３４がもっと長く、またはもっと薄く、またはも
っと細く作成されるならば、ヒンジ３４のコンプライア
ンス弾性定数はヒンジの幅に逆比例し、および、ヒンジ
の長さの２乗に比例し、および、ヒンジの厚さの３乗に
比例するので、偏向の大きさは増大するであろう。ＤＭ
Ｄがその２安定モードで動作する場合、ビーム３０が着
地用電極４０、４１の上でＤＭＤ基板に接触する点での
着地角度±θL によって、ビーム３０の偏向が定められ
るように、ビームが設計される。ビーム３０の厚さは、
処理工程期間中に発生する表面応力によるビーム３０の
捩れが大幅でないように選定されるが、しかし、ヒンジ
３４の厚さは、コンプライアンス弾性定数が大きな値を
有するようにも選定されることに注目されたい。図２は
また、ＤＭＤの動作期間中に起こり得る、偏向したビー
ム３０での光の反射をも示している。
【００１４】図３ａ〜図３ｃは、５個のリセット・パル
スのパルス列を用いた、先行技術によるリセット法の図
面である。この先行技術によるリセット法の１つの典型
的な波形が、図３ａに示されている。この先行技術によ
るリセット法にパルス列を用いることにより、このパル
ス列の周波数を調節することが可能になる。具体的にい
えば、もしパルス列周波数が捩りヒンジ屈曲（非回転的
曲がり）に対する共振周波数の近傍にあるならば、最大
のエネルギが屈曲モードに転送され、そして、非常に小
さなリセット電圧を用いることができる。図３ｂは、好
ましい第１実施例と同様な画素を８４０個備えた画素の
直線状アレイを有する特定のＤＭＤに、先行技術による
パルス列リセットを加えた場合、リセットのために必要
な最小電圧を周波数の関数として示したグラフである。
図３ｃは、パルスの周波数が共振周波数である時、リセ
ット・パルス列の中のパルスの数の効果を示したグラフ
である。パルスの数が５まで増加する時、最小リセット
電圧が減少することが観察され、そして、パルス数が５
を越えるとそれ以上の減少は起こらないことが観察され
る。パルス数が５個以上の場合、明らかに、運動エネル
ギが十分に大きく、空気による減衰効果によるエネルギ
が、付加されるパルスに対して取得されるエネルギに丁
度均衡する。この先行技術によるリセット法は最小リセ
ット電圧を約２０ボルトまで減少させるが、高電圧、高
周波数の共振リセット・パルス列を発生するための回路
を構成する際、いくつかの困難が存在することに注目す
べきである。
【００１５】図４は、先行技術のリセット・パルスと回
路を不必要とする、本発明のバイアス法の図面である。
米国特許第５，０９６，２７９号は、典型的な２安定Ｄ
ＭＤのアドレス指定方式とバイアス方式を詳細に開示し
ている。この特許の内容は本発明の中に取り込まれてい
る。要約をすれば、好ましい回転の方向を設定すること
により、２安定画素２０をアドレス指定することができ
る。もしアドレス電極４２および４６の両方がアースさ
れるならば、小さな擾乱がビーム３０をランダムに回転
させ、そして、ビーム３０と着地用電極４０および４１
に差動バイアスＶB を加えると、着地用電極４０、４１
の一方に急に傾く。けれども、差動バイアスＶB を印加
する前、もしアドレス電極４６が１つの電位にセットさ
れるならば、ビーム３０を着地用電極４１に向けて回転
させるような回転力が生ずるであろう。対称的に、アド
レス電極４２にトリガ電位を加えるならば、差動バイア
スＶB を印加することでビーム３０が着地用電極４０へ
回転するであろう。
【００１６】なお図４において、本発明の好ましい実施
例では、前記のような正規のＤＣバイアス信号ＶB の上
に、ＡＣ信号を重ねることができる。このＡＣ信号は、
小さな振幅Ｖ1 を有する。この振幅Ｖ1 は、最適な特性
を得るために、変えることができる。もちろん、（正弦
波または三角波のような）他の形状の信号を用いること
ができる。ＶB が保持されている限り、アドレス電極の
状態にかかわらず（アドレス電極４２、４６に加えられ
た電圧が、バイアス電圧ＶB によりこのビームが保持さ
れている電位ウエルを乗り越えるのに不十分である限
り）、ビーム３０は１つの安定状態に止まる。このよう
に、ビーム３０を、すなわち、マイクロミラ−３０を、
下にあるＤＭＤ基板と長くかつ持続して接触をすること
なく、その完全偏向角度（±θL ）にまで傾斜させるこ
とができる。ＡＣ信号が比較的小さな振幅Ｖ1 を有する
ように定めることにより、マイクロミラ−３０の光学的
特性は影響を受けない。それは、マイクロミラ−３０の
小さな重ねられた偏向は、ミラ−着地角度（±θL ）に
アドレスされた偏向に対して、微々たるものであるから
である。なお、ＡＣ信号を十分に大きな振幅Ｖ1 を有す
るように定めることもできる。それにより、ミラーとＤ
ＭＤ基板との間の接触を周期的に中断させ、そして、マ
イクロミラー３０とＤＭＤ基板との間の粘着の原因とな
る、化学的接着の形成と湿気の凝縮を防止することがで
きる。ＡＣ信号の周期τr は、捩りヒンジ屈曲（非回転
的曲がり）に対する共振周波数の逆数であることが好ま
しい。好ましい実施例では、τr は約０．２μｓであ
る。ビデオ・フレーム周期τf が完了すると、ビーム３
０からバイアス電圧ＶB が取り去られ、そして、ビーム
３０はゼロ電位にセットされ、ミラーのアンラッチ時間
間隔ｔ1 が始まる。この時間間隔ｔ1 の間、ビーム３０
は中立位置にあると仮定される。アンラッチ時間間隔ｔ
1 の期間中、オプションとして、低電圧リセット・パル
ス列として作用させるために、ＡＣ信号をなお加えるこ
とができる。再び、このＡＣ信号の振幅Ｖ2 および周期
は、動作を最適にするために、調節することができる。
この信号の周期はτr であることが好ましい。十分に長
い周期の後、好ましい実施例では約１２μｓないし１５
μｓの後、バイアス電圧ＶB がビーム３０と電極４０、
４１に再び加えられる。ミラー・ラッチング時間間隔ｔ
2 の間、これらのミラーはそれらの新しい位置をとる。
ラッチング時間間隔ｔ2 の後、これらのミラーはそれら
の新しくアドレスされた位置に落ち着き、そして、新し
いデータをＤＭＤにアドレスすることができる。このラ
ッチング時間間隔ｔ2 は、典型的には、約１２μｓない
し１５μｓである。ミラー・ラッチング時間間隔ｔ2 の
間、（もしミラー・ラッチング時間間隔が適当に短いな
らば）ＡＣ信号を加えることができる、または、加えな
いことができる。ビデオ・フレーム周期τf の残りの期
間中、画素２０は以前のビデオ・フレームの期間中に設
定されたそれらの安定状態に保持され、一方、新しいデ
ータが更新され、そして、この新しいデータがアドレス
電極４２、４６に加えられる。
【００１７】リセット電圧をできるだけ小さくする、ま
たは、なくすることのまた別の利点は、ＤＭＤチップの
上での誘電的故障を最小にすること、および、電源の複
雑さを小さくすることである。前記のように、高電圧で
高周波数の共振リセット回路とそれに付随するスイッチ
ング装置とが省略できることは、装置の特性を損なうこ
となく、装置を大幅に単純にし、および、コストを低下
させる。実際、リセット・シーケンスを適用するのに要
する時間を省略することができ、そして、データを表示
するのに用いることができるので、特性はわずかに改良
されるはずである。
【００１８】図５ａ〜図５ｃは、好ましい実施例の画素
２０の直線状アレイ３１０を用いた電気写真印刷装置３
５０の概要図である。この装置３５０は、光源および光
学装置３５２と、アレイ３１０と、結像レンズ３５４
と、光伝導ドラム３５６とを有する。図５ａはこの装置
の立体図、図５ｂは正面図、図５ｃは平面図である。光
源３５２から放射された光は薄板の形状３５８を有し、
そして、この光が直線状アレイ３１０を照射する。画素
２０の間の領域からの光は薄板の形状３６０を有し、こ
の光は鏡面反射された薄板の形状の光である。負の方向
に偏向されたビームから反射された光は、薄板の形状３
６１を有する。正の方向に偏向されたビームから反射さ
れた光は、薄板の形状３６２の中にある結像レンズ３５
４を通り、そして、ドラム３５６の上のライン３６４の
上に一連のドットとして集光する。これらのドットのお
のおのは、それぞれ、偏向したビーム３０に対応する。
ディジタル化されそしてラスタ走査されたフォーマット
を有する、テキストの１頁またはグラフィックス情報の
１つのフレームは、一度に１つのラインの情報をアレイ
３１０に送ることにより、ドラム３５６が回転する時、
ドラム３５６の上にこれらのドットが一度に１つのライ
ン３６４を構成して印刷することができる。これらのド
ットの画像は、静電写真のような標準的な技術により、
紙に転写される。ビーム３０が着地用電極４１の上にあ
る時、もしビーム３０の偏向角が０であるならば、薄板
の形状の光３５８の入射角が直線状アレイ３１０の垂線
に対し２０°であれば、薄板状の光３６２は直線状アレ
イ３１０に垂直である。この配置が図５ｂに示されてい
る。この配置では、結像用レンズ３５４を直線状アレイ
３１０に垂直に配置することができる。正の方向に偏向
したビームのおのおのは、３個のビームに対して図５ｃ
の概要図に示されているように、結像用レンズ３５４の
上に光源３５２の画像３５５を生ずる。
【００１９】図６ａ〜図６ｃは、好ましい実施例のミラ
ーのアレイの一部分の、それぞれ、平面図、隠された主
要な特徴を示した平面図、詳細な横断面図である。この
好ましい実施例の構造体は、多重レベル変形可能ミラー
構造体を使用する。この構造体の製造法は、米国特許第
５，０８３，８５７号に開示されている。図６ａに示さ
れているように、この構造体により、与えられた画素寸
法に対し、回転可能な反射表面の非常に改良された領域
が得られる。下にあるヒンジ、アドレス電極、および着
地用電極は、図６ｂの点線で示されている。ビーム支持
ポスト２０１は、ビーム２００を下にある捩りヒンジ４
０１にしっかりと連結する。下にあるヒンジと電極が図
６ｂに詳細に示されている。ビーム支持ポスト２０１
は、ポスト４０６に連結されたヒンジ４０１の制御の下
で、ビーム２００を回転することを可能にする。このこ
とにより、ポスト４０３によって支持された電極の制御
の下で、回転可能な表面（ビーム）２００が回転するこ
とができる。ビーム２００は着地用電極４０５と接触し
て着地する。接触体４０２は基板の上で延長されてお
り、そして、下にあるアドレス電子装置と接触してい
る。この装置の構成と動作は、下記で説明される。図６
ｃは、ビーム２００が着地角度−θL に回転した表面２
００ａと、着地角度＋θL に回転した表面２００ｂとを
示す。図６ｃにはまた、運動（２００ａ、２００ｂ）を
制御するアドレス電極４０４と、ビーム２００のシーソ
ー運動の他端に配置された着地用電極４０５とが示され
ている。ビーム２００の回転運動を制御する方式は、１
９９０年１１月２６日受付の米国特許第５，０９６，２
７９号に詳細に開示されている。
【００２０】隠されたヒンジ・アーキテクチャに対する
工程順序が、図７ａ〜図７ｄに示されている。この工程
順序には、５個の層（ヒンジ・スペーサ、ヒンジ、電
極、ビーム・スペーサ、ビーム）が含まれる。具体的に
は、図７ａにおいて、この工程は完成したアドレス回路
５０３を備えた基板で開始する。この基板は、アドレス
回路の保護酸化物５０１の中に作成された接触体開口部
を有する。アドレス回路は、典型的には、２個の金属層
／ポリＣＭＯＳ工程である。接触体開口部により、第２
レベル金属（ＭＥＴＬ２）５０２接合パッドおよびＭＥ
ＴＬ２アドレス回路出力接続点との接続が可能になる。
【００２１】なお図７ａにおいて、アドレス回路の上に
ヒンジ・スペーサ７０１が回転沈着され、そして、この
ヒンジ・スペーサがパターンに作成され、ヒンジ支持ポ
ストと電極支持ポストと接触体とを形成するホール７０
２が作られる。このスペーサの厚さは、典型的には、
０．５μｍである。このスペーサは、後での処理工程段
階での流動と泡立ちを防止するために、２００℃の温度
で深くＵＶ硬化されたポジティブな光耐性体である。
【００２２】図７ｂに示されているように、次の２つの
層７０３および７０４が、いわゆる、埋め込みヒンジ工
程により、作成される。このヒンジを作成するアルミニ
ウム合金が、ヒンジ・スペーサの上にスパッタ沈着され
る。この合金の厚さは、典型的には、７５０オングスト
ロームである。この合金の組成は、０．２％Ｔｉ、１％
Ｓｉ、残りはＡｌである。マスク用酸化物がプラズマ沈
着され、そして、パターンに作成されて、ヒンジ４０１
の形状が作られる。次に、このヒンジ酸化物が第２アル
ミニウム合金層７０４により埋め込まれる。この第２ア
ルミニウム合金層（その典型的な厚さは３０００オング
ストロームである）は電極を作成するためのものであ
る。
【００２３】なお図７ｂにおいて、マスク用酸化物がプ
ラズマ沈着され、そして、パターンに作成されて、電極
４０４と、電極支持ポスト４０６と、ビーム接触体金属
４０５との形状が作られる。次に、１回のプラズマ・ア
ルミニウム・エッチングを用いて、ヒンジと、電極と、
支持ポストと、ビーム接触体金属とがパターンに作成さ
れる。ヒンジ領域の上にある電極金属がエッチングによ
り除去され、埋め込みヒンジ酸化物が露出される。この
埋め込みヒンジ酸化物は、エッチング停止体として作用
する。プラズマ・アルミニウム・エッチングが完了した
時、薄いヒンジ金属の領域７０３と厚い電極金属の領域
７０４とが、同時にパターンに作成される。次に、マス
ク用酸化物がプラズマ・エッチングにより除去される。
【００２４】次に図７ｃに示されているように、ビーム
・スペーサ７０５がヒンジと電極の上に回転沈着され、
そして、パターンに作成されて、ビーム支持ポスト２０
１を形成するホールが作成される。スペーサ７０５はビ
ームの捩り角度偏向を決定する。スペーサ７０５はポジ
ティブな光耐性体であり、その典型的な厚さは１．５ミ
クロンである。このスペーサは、後での処理工程段階で
の流動および泡立ちを防止するために、１８０℃の温度
で深くＵＶ硬化される。この硬化工程において、ヒンジ
・スペーサ７０１の劣化は起こらないことを断ってお
く。それは、ヒンジ・スペーサはさらに高い温度（２０
０℃）で硬化されているからである。次に、ビーム（そ
の典型的な厚さは４０００オングストロームである）を
作成するためのアルミニウム合金が、ビーム・スペーサ
７０５の上にスパッタ沈着される。次に、マスク用酸化
物７０７がプラズマ沈着され、そして、パターンに作成
され、ビームの形状が作られる。次に、このビームがプ
ラズマ・エッチングされて、それにより、ビームとビー
ム支持ポストとが作成される。ビーム２００の上のマス
ク用酸化物７０７が所定の位置に残る。次に、このウエ
ハがＰＭＭＡで被覆され、そして、チップ・アレイに切
断され、そして、クロロベンゼンでパルス回転清浄化が
行われる。最後に、これらのチップがプラズマ・エッチ
ング容器の中に配置され、そこで、マスク用酸化物７０
７が除去され、および、スペーサ層７０１および７０５
が完全に除去され、それにより図７ｄに示されているよ
うに、ヒンジおよびビームの下の空隙が作成される。
【００２５】本発明は特定の実施例に基づいて説明され
たけれども、前記説明は本発明がそれらに限定されるこ
とを意味するものではない。前記実施例を種々に変更し
た実施例、および、また別の実施例の可能であること
は、当業者には前記説明から容易に理解されるであろ
う。したがって、本発明の範囲は、このような変更実施
例をすべて包含するものである。
【００２６】少数の好ましい実施例が前記において詳細
に説明された。本発明の範囲は、前記説明とは異なるが
請求項になお含まれる実施例をも包含するものと理解し
なければならない。包含という用語は、本発明の範囲を
考察する際、非網羅的であると解釈されるべきである。
本発明による装置は、シリコン、ヒ化ガリウム、または
他の電子材料群で作成された個別部品または完全に集積
化された回路を用いて、および、光学に基づく形式また
は他の技術に基づく形式の実施例で実行することができ
る。本発明の種々の実施例は、ハードウエア、ソフトウ
エア、または、マイクロコード化されたファームウエア
において用いることができる、または実施することがで
きることを理解すべきである。
【００２７】本発明が、例示された実施例を参照して説
明されたけれども、このことは本発明の範囲が前記説明
に限定されることを意味するのではない。例示された実
施例を種々に変更した実施例および種々に組み合わせた
実施例、または、本発明の他の実施例の可能であること
は、当業者には前記説明からすぐに理解されるであろ
う。したがって、本発明は、これらの変更実施例および
他の実施例をすべて包含するものである。
【００２８】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） １組の選択的アドレス電圧に従って、電気機械
的画素のおのおのが２個またはさらに多数個の選定され
た安定状態のいずれかを想定した、電気機械的画素のア
レイをアドレス指定する方法であって、（イ） 前記画
素の前記アレイにＡＣ成分およびＤＣ成分を有するバイ
アス電圧を加えることにより、前記画素のおのおのを前
記選定された安定状態のいずれかに電気機械的にラッチ
ングする段階と、（ロ） 前記アレイの中のすべての前
記画素に新しい組の選択的アドレス電圧を加える段階
と、（ハ） 前記アレイから前記バイアス電圧を取り去
ることにより、以前にアドレス指定されたそれらの状態
から前記画素を電気機械的にアンラッチングする段階
と、（ニ） 前記新しい組の選択的アドレス電圧に従っ
て、前記画素の前記アレイに新しい状態を仮定すること
を可能にする段階と、（ホ） 前記バイアス電圧を再設
定することにより、前記画素のおのおのを電気機械的に
ラッチングする段階と、を有する、前記方法。
【００２９】（２） 第１項記載の方法において、前記
加える段階が前記電気機械的アンラッチング段階の前に
行われる、前記方法。 （３） 第１項記載の方法において、前記ビームが下に
ある基板と周期的に接触するように前記ＡＣ成分および
ＤＣ成分が調整される、前記方法。 （４） 第１項記載の方法において、前記画素が偏向可
能なビームを有し、かつ、前記ＡＣ成分が前記ビームの
電気機械的共振周波数と同じ周波数を有するように選定
される、前記方法。 （５） 第１項記載の方法において、前記可能にする段
階の持続時間が１０μｓないし２０μｓである、前記方
法。 （６） 第１項記載の方法において、前記ＤＣ成分が約
１６ボルトである、前記方法。 （７） 第１項記載の方法において、前記ＤＣ成分が負
の極性を有する、前記方法。 （８） 第１項記載の方法において、前記ＡＣ成分が約
５ボルトである、前記方法。 （９） 第１項記載の方法において、前記電気機械的ラ
ッチング段階の持続時間が１０μｓないし２０μｓであ
る、前記方法。
【００３０】（１０） １組の選択的アドレス電圧に従
って、電気機械的画素のおのおのが２個またはさらに多
数個の選定された安定状態のいずれかを想定した、偏向
可能なビームを備えた電気機械的画素のアレイを有する
ディジタル・マイクロミラー装置（ＤＭＤ）をアドレス
指定する方法であって、（イ） 前記画素の前記アレイ
にＡＣ成分およびＤＣ成分を有するバイアス電圧を加え
ることにより、前記画素のおのおのを前記選定された安
定状態のいずれかに電気機械的にラッチングする段階
と、（ロ） 前記アレイの中のすべての前記画素に新し
い組の選択的アドレス電圧を加える段階と、（ハ） 前
記バイアス電圧の前記ＤＣ成分を取り去ることにより、
以前にアドレス指定されたそれらの状態から前記画素を
電気機械的にアンラッチングする段階と、（ニ） 前記
新しい組の選択的アドレス電圧に従って、前記画素の前
記アレイに新しい状態を仮定することを可能にする段階
と、（ホ） 前記バイアス電圧の前記ＤＣ成分を再設定
することにより、前記画素のおのおのを電気機械的にラ
ッチングする段階と、を有する、前記方法。
【００３１】（１１） 第１０項記載の方法において、
前記加える段階が前記電気機械的アンラッチング段階の
前に行われる、前記方法。 （１２） 第１０項記載の方法において、前記ビームが
下にあるＤＭＤ基板と周期的に接触するように前記ＡＣ
成分およびＤＣ成分が調整される、前記方法。 （１３） 第１０項記載の方法において、前記ＡＣ成分
が前記ビームの電気機械的共振周波数と同じ周波数を有
するように選定される、前記方法。 （１４） 第１０項記載の方法において、前記可能にす
る段階の持続時間が１０μｓないし２０μｓである、前
記方法。 （１５） 第１０項記載の方法において、前記ＤＣ成分
が約１６ボルトである、前記方法。 （１６） 第１５項記載の方法において、前記ＤＣ成分
が負の極性を有する、前記方法。 （１７） 第１０項記載の方法において、前記ＡＣ成分
が約５ボルトである、前記方法。 （１８） 第１０項記載の方法において、前記電気機械
的ラッチング段階の持続時間が１０μｓないし２０μｓ
である、前記方法。
【００３２】（１９） 本発明の好ましい実施例によ
り、１組の選択的アドレス電圧に従って、画素２０のお
のおのが２個またはさらに多数個の選定された安定状態
のいずれかを想定した、偏向可能なビーム３０を備えた
電気機械的画素２０のアレイを有するディジタル・マイ
クロミラー装置（ＤＭＤ）をアドレス指定する方法が得
られる。前記好ましい方法の第１段階は、画素２０の前
記アレイにＡＣ成分およびＤＣ成分を有するバイアス電
圧を加えることにより、前記画素２０のおのおのを前記
選定された安定状態のずれかに電気機械的にラッチング
する段階である。第２段階は、前記アレイの中の前記画
素２０のすべてに新しい組の選択的アドレス電圧を加え
る段階である。第３段階は、前記アレイから前記バイア
ス電圧を取り去ることにより、前記画素２０を以前にア
ドレス指定されたそれらの状態から電気機械的にアンラ
ッチングする段階である。第４段階は、前記新しい組の
選択的アドレス電圧に従って、画素２０の前記アレイに
新しい状態を仮定することを可能にする段階である。第
５段階は、前記ＡＣ成分および前記ＤＣ成分で前記バイ
アス電圧を再設定することにより、前記画素２０のおの
おのを電気機械的にラッチングする段階である。他の装
置および他の方法もまた開示される。
【００３３】共通に譲渡された下記の出願中特許の内容
は、本発明の中に取り込まれている。 特許番号 受付日 ＴＩケース番号 第５，０９６，２７９号 １９９０年１１月２６日 ＴＩ−１４４８１Ａ 第５，０８３，８５７号 １９９０年６月２６日 ＴＩ−１４５６８
【図面の簡単な説明】
【図１】好ましい実施例の画素の機能図であって、Ａは
立体図、Ｂは横断面正面図、Ｃは平面図。
【図２】好ましい実施例のミラーの偏向を示した図。
【図３】先行技術によるＤＭＤに対する高電圧、高周波
数の共振リセットの先行技術による方法の図であって、
Ａはパルスの波形の図、Ｂは周波数の関数としての最小
リセット電圧のグラフ、Ｃはパルス数の関数としての最
小リセット電圧のグラフ。
【図４】高電圧、高周波数の共振リセットが必要でな
い、好ましい実施例のミラーに対するバイアス法の図。
【図５】好ましい実施例のＤＭＤを静電写真印刷のため
に使用した概要図であって、Ａは立体図、Ｂは横断面
図、Ｃは側面図。
【図６】好ましい実施例のミラーの概要図であって、Ａ
は好ましい実施例のミラーのアレイの一部分の平面図、
Ｂは主要な隠れた特徴を示した好ましい実施例のミラー
の平面図、ＣはＢに示されたのと同じ好ましい実施例の
ミラーの詳細な横断面図。
【図７】好ましい実施例のミラーの製造法を示す部分横
断面図であって、Ａ〜Ｄは製造の逐次の段階を示す部分
横断面図。
【符号の説明】
２０ 電気機械的画素 ３０ 偏向可能なビーム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １組の選択的アドレス電圧に従って、電
    気機械的画素のおのおのが２個またはさらに多数個の選
    定された安定状態のいずれかを想定した、電気機械的画
    素のアレイをアドレス指定する方法であって、（イ）
    前記画素の前記アレイにＡＣ成分およびＤＣ成分を有す
    るバイアス電圧を加えることにより、前記画素のおのお
    のを前記選定された安定状態のいずれかに電気機械的に
    ラッチングする段階と、（ロ） 前記アレイの中のすべ
    ての前記画素に新しい組の選択的アドレス電圧を加える
    段階と、（ハ） 前記アレイから前記バイアス電圧を取
    り去ることにより、以前にアドレス指定されたそれらの
    状態から前記画素を電気機械的にアンラッチングする段
    階と、（ニ） 前記新しい組の選択的アドレス電圧に従
    って、前記画素の前記アレイに新しい状態を仮定するこ
    とを可能にする段階と、（ホ） 前記バイアス電圧を再
    設定することにより、前記画素のおのおのを電気機械的
    にラッチングする段階と、を有する、前記方法。
JP25860693A 1992-10-15 1993-10-15 ２安定ｄｍｄアドレス指定法 Expired - Fee Related JP3492400B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US961997 1992-10-15
US07/961,997 US5285196A (en) 1992-10-15 1992-10-15 Bistable DMD addressing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06308397A true JPH06308397A (ja) 1994-11-04
JP3492400B2 JP3492400B2 (ja) 2004-02-03

Family

ID=25505297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25860693A Expired - Fee Related JP3492400B2 (ja) 1992-10-15 1993-10-15 ２安定ｄｍｄアドレス指定法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US5285196A (ja)
EP (1) EP0601309B1 (ja)
JP (1) JP3492400B2 (ja)
KR (1) KR100284016B1 (ja)
CA (1) CA2107756C (ja)
DE (1) DE69322845T2 (ja)
TW (1) TW245838B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003075735A (ja) * 2001-09-05 2003-03-12 Sony Corp 薄膜光学装置
JP2003284687A (ja) * 2002-03-28 2003-10-07 Fuji Photo Optical Co Ltd 内視鏡装置
JP2005521078A (ja) * 2002-03-15 2005-07-14 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 空間的光変調器（ｓｌｍ）の可動素子のアドレス指定方法
US7482196B2 (en) 2002-09-19 2009-01-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having MEMS

Families Citing this family (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
US5285196A (en) * 1992-10-15 1994-02-08 Texas Instruments Incorporated Bistable DMD addressing method
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) * 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5453778A (en) * 1993-07-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for spatial modulation in the cross-process direction
US6044705A (en) * 1993-10-18 2000-04-04 Xros, Inc. Micromachined members coupled for relative rotation by torsion bars
US6467345B1 (en) 1993-10-18 2002-10-22 Xros, Inc. Method of operating micromachined members coupled for relative rotation
US6426013B1 (en) 1993-10-18 2002-07-30 Xros, Inc. Method for fabricating micromachined members coupled for relative rotation
JP3098666B2 (ja) * 1993-12-14 2000-10-16 シャープ株式会社 画像形成装置
US5444566A (en) * 1994-03-07 1995-08-22 Texas Instruments Incorporated Optimized electronic operation of digital micromirror devices
US7808694B2 (en) * 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8014059B2 (en) * 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US7776631B2 (en) * 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US8081369B2 (en) * 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7738157B2 (en) * 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7839556B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7800809B2 (en) * 1994-05-05 2010-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US5793600A (en) * 1994-05-16 1998-08-11 Texas Instruments Incorporated Method for forming high dielectric capacitor electrode structure and semiconductor memory devices
US6560018B1 (en) 1994-10-27 2003-05-06 Massachusetts Institute Of Technology Illumination system for transmissive light valve displays
US6559818B1 (en) 1995-01-24 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Method of testing addressable emissive cathodes
US5751262A (en) 1995-01-24 1998-05-12 Micron Display Technology, Inc. Method and apparatus for testing emissive cathodes
US5567334A (en) * 1995-02-27 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask
US6882473B2 (en) 1995-03-02 2005-04-19 Carl Zeiss Jena Gmbh Method for generating a stereoscopic image of an object and an arrangement for stereoscopic viewing
EP0730181B1 (de) * 1995-03-02 2000-12-20 CARL ZEISS JENA GmbH Verfahren zur Erzeugung des stereoskopischen Bildes eines Objektes sowie Anordnung zur stereoskopischen Betrachtung
US6348994B1 (en) 1995-03-02 2002-02-19 Carl Zeiss Jena Gmbh Method for generating a stereoscopic image of an object and an arrangement for stereoscopic viewing
US7898722B2 (en) * 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US5841579A (en) 1995-06-07 1998-11-24 Silicon Light Machines Flat diffraction grating light valve
US5764208A (en) * 1995-11-02 1998-06-09 Texas Instruments Incorporated Reset scheme for spatial light modulators
EP0783124B1 (en) * 1995-12-15 2002-04-17 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
US7929197B2 (en) * 1996-11-05 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US6025951A (en) * 1996-11-27 2000-02-15 National Optics Institute Light modulating microdevice and method
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6088102A (en) 1997-10-31 2000-07-11 Silicon Light Machines Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) * 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US6271808B1 (en) 1998-06-05 2001-08-07 Silicon Light Machines Stereo head mounted display using a single display device
US6130770A (en) 1998-06-23 2000-10-10 Silicon Light Machines Electron gun activated grating light valve
US6101036A (en) 1998-06-23 2000-08-08 Silicon Light Machines Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display
US6215579B1 (en) 1998-06-24 2001-04-10 Silicon Light Machines Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6034807A (en) * 1998-10-28 2000-03-07 Memsolutions, Inc. Bistable paper white direct view display
US6639572B1 (en) 1998-10-28 2003-10-28 Intel Corporation Paper white direct view display
US6031656A (en) * 1998-10-28 2000-02-29 Memsolutions, Inc. Beam-addressed micromirror direct view display
SE0100336L (sv) * 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6785001B2 (en) * 2001-08-21 2004-08-31 Silicon Light Machines, Inc. Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal
US6906845B2 (en) * 2001-11-26 2005-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-mechanical device having anti-stiction layer and method of manufacturing the device
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US20030165343A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-04 Dietmar Spanke Optoelectronic communication system
DE10208796A1 (de) * 2002-03-01 2003-09-04 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Optoelektronisches Kommunikationssystem
SE0200788D0 (sv) * 2002-03-15 2002-03-15 Micronic Laser Systems Ab Method using a movable micro-element
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US20040069742A1 (en) * 2002-06-19 2004-04-15 Pan Shaoher X. Fabrication of a reflective spatial light modulator
US6992810B2 (en) * 2002-06-19 2006-01-31 Miradia Inc. High fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge
US7034984B2 (en) * 2002-06-19 2006-04-25 Miradia Inc. Fabrication of a high fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge
US20030234994A1 (en) * 2002-06-19 2003-12-25 Pan Shaoher X. Reflective spatial light modulator
US7206110B2 (en) * 2002-06-19 2007-04-17 Miradia Inc. Memory cell dual protection
US20040004753A1 (en) * 2002-06-19 2004-01-08 Pan Shaoher X. Architecture of a reflective spatial light modulator
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US7057795B2 (en) * 2002-08-20 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation Micro-structures with individually addressable ribbon pairs
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6985278B2 (en) * 2003-05-20 2006-01-10 Texas Instruments Incorporated Damped control of a micromechanical device
US7884988B2 (en) * 2003-07-08 2011-02-08 Texas Instruments Incorporated Supplemental reset pulse
US7307777B2 (en) * 2003-10-23 2007-12-11 Spatial Photonics, Inc. High-resolution spatial light modulation
CN101084462B (zh) * 2003-10-27 2010-06-02 视频有限公司 高反差空间光调制器和方法
US7471440B2 (en) * 2003-10-27 2008-12-30 Spatial Photonics, Inc. Fabricating micro devices using sacrificial materials
US6888521B1 (en) 2003-10-30 2005-05-03 Reflectivity, Inc Integrated driver for use in display systems having micromirrors
US7026695B2 (en) * 2003-11-19 2006-04-11 Miradia Inc. Method and apparatus to reduce parasitic forces in electro-mechanical systems
CA2464207C (en) * 2004-04-14 2011-03-29 Institut National D'optique Light modulating microdevice
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US20050255666A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Miradia Inc. Method and structure for aligning mechanical based device to integrated circuits
US7449284B2 (en) 2004-05-11 2008-11-11 Miradia Inc. Method and structure for fabricating mechanical mirror structures using backside alignment techniques
US7042619B1 (en) 2004-06-18 2006-05-09 Miradia Inc. Mirror structure with single crystal silicon cross-member
US7068417B2 (en) * 2004-07-28 2006-06-27 Miradia Inc. Method and apparatus for a reflective spatial light modulator with a flexible pedestal
US7560299B2 (en) * 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7499208B2 (en) * 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
US7623142B2 (en) * 2004-09-14 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flexure
US7532195B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US8514169B2 (en) 2004-09-27 2013-08-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and system for writing data to electromechanical display elements
US7545550B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US20060066594A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Karen Tyger Systems and methods for driving a bi-stable display element
US8207004B2 (en) * 2005-01-03 2012-06-26 Miradia Inc. Method and structure for forming a gyroscope and accelerometer
US7172921B2 (en) 2005-01-03 2007-02-06 Miradia Inc. Method and structure for forming an integrated spatial light modulator
US7199918B2 (en) * 2005-01-07 2007-04-03 Miradia Inc. Electrical contact method and structure for deflection devices formed in an array configuration
US7142349B2 (en) * 2005-01-07 2006-11-28 Miradia Inc. Method and structure for reducing parasitic influences of deflection devices on spatial light modulators
US7375873B2 (en) * 2005-02-28 2008-05-20 Texas Instruments Incorporated Method of repairing micromirrors in spatial light modulators
US20060193028A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Satyadev Patel Method of repairing micromirrors in spatial light modulators
US7948457B2 (en) * 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7920136B2 (en) * 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
CA2507177C (en) * 2005-05-13 2012-04-24 Institut National D'optique Image projector with flexible reflective analog modulator
US7202989B2 (en) 2005-06-01 2007-04-10 Miradia Inc. Method and device for fabricating a release structure to facilitate bonding of mirror devices onto a substrate
US7298539B2 (en) * 2005-06-01 2007-11-20 Miradia Inc. Co-planar surface and torsion device mirror structure and method of manufacture for optical displays
US7184195B2 (en) 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
US7190508B2 (en) * 2005-06-15 2007-03-13 Miradia Inc. Method and structure of patterning landing pad structures for spatial light modulators
US7423798B2 (en) * 2005-08-16 2008-09-09 Spatial Photonics, Inc. Addressing circuit and method for bi-directional micro-mirror array
US7502158B2 (en) 2005-10-13 2009-03-10 Miradia Inc. Method and structure for high fill factor spatial light modulator with integrated spacer layer
JP4743630B2 (ja) 2005-10-20 2011-08-10 株式会社リコー 光偏向装置、光偏向装置アレイおよび画像投影表示装置
US20070126673A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Kostadin Djordjev Method and system for writing data to MEMS display elements
US8391630B2 (en) * 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7916980B2 (en) * 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US8194056B2 (en) * 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7550810B2 (en) * 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
JP2007233065A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Ricoh Co Ltd 光偏向装置とその製造方法並びに光投影装置
US20070211001A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Texas Instruments Incorporated System and method for laser speckle reduction
US8049713B2 (en) * 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7527998B2 (en) * 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7391554B2 (en) * 2006-08-25 2008-06-24 Spatial Photonics, Inc. High fill-ratio mirror-based spatial light modulator
US7684106B2 (en) * 2006-11-02 2010-03-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Compatible MEMS switch architecture
US7508569B2 (en) * 2006-11-08 2009-03-24 Spatial Photonics, Inc. Low voltage micro mechanical device
US7957589B2 (en) 2007-01-25 2011-06-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Arbitrary power function using logarithm lookup table
US7649673B2 (en) * 2007-02-26 2010-01-19 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Micromirror device with a single address electrode
US20090040516A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-12 Honeywell International Inc. Spectroscopic system
US20090109515A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Spatial Photonics, Inc. Encapsulated spatial light modulator having large active area
TWI418850B (zh) * 2007-11-09 2013-12-11 尼康股份有限公司 微致動器、光學設備、顯示裝置、曝光裝置及設備製造方法
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US8023167B2 (en) * 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7768690B2 (en) * 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US20100149623A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating micro-mirror assembly
US20100149622A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Silverbrook Research Pty Ltd Digital micro-mirror device
AU2008365366B2 (en) * 2008-12-17 2012-04-19 Silverbrook Research Pty Ltd Digital micro-mirror device
US8395877B2 (en) * 2009-02-12 2013-03-12 International Business Machines Corporation High-speed electrostatic actuation of MEMS-based devices
US8736590B2 (en) * 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US8405649B2 (en) * 2009-03-27 2013-03-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US8416224B2 (en) * 2009-07-31 2013-04-09 Edward Pakhchyan Method of operating an array of electromechanical pixels resulting in efficient and reliable operation of light modulating elements
US20110109615A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Energy saving driving sequence for a display
CN102834761A (zh) 2010-04-09 2012-12-19 高通Mems科技公司 机电装置的机械层及其形成方法
CN101908241B (zh) * 2010-08-03 2012-05-16 广州广电运通金融电子股份有限公司 有价文件识别方法及其识别系统
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
DE102011081042B4 (de) * 2011-08-16 2021-05-27 Robert Bosch Gmbh Steuervorrichtung für einen Mikrospiegel, Verfahren zum Ansteuern eines Mikrospiegels und Bildprojektionssystem
JP6492893B2 (ja) * 2015-04-01 2019-04-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
US10831018B2 (en) * 2017-12-08 2020-11-10 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for increasing efficiency and optical bandwidth of a microelectromechanical system piston-mode spatial light modulator

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
JPS62116925A (ja) * 1985-11-18 1987-05-28 Seikosha Co Ltd マトリクス型液晶光学装置の駆動方法
FR2615644B1 (fr) * 1987-05-18 1989-06-30 Brunel Christian Dispositif d'affichage electroluminescent a effet memoire et a demi-teintes
CH682523A5 (fr) * 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
EP0467048B1 (en) * 1990-06-29 1995-09-20 Texas Instruments Incorporated Field-updated deformable mirror device
US5233459A (en) * 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5285196A (en) * 1992-10-15 1994-02-08 Texas Instruments Incorporated Bistable DMD addressing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003075735A (ja) * 2001-09-05 2003-03-12 Sony Corp 薄膜光学装置
JP2005521078A (ja) * 2002-03-15 2005-07-14 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 空間的光変調器（ｓｌｍ）の可動素子のアドレス指定方法
JP2003284687A (ja) * 2002-03-28 2003-10-07 Fuji Photo Optical Co Ltd 内視鏡装置
US7482196B2 (en) 2002-09-19 2009-01-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having MEMS

Also Published As

Publication number Publication date
DE69322845T2 (de) 1999-06-02
JP3492400B2 (ja) 2004-02-03
TW245838B (ja) 1995-04-21
CA2107756C (en) 2004-02-03
CA2107756A1 (en) 1994-04-16
US5382961A (en) 1995-01-17
DE69322845D1 (de) 1999-02-11
EP0601309B1 (en) 1998-12-30
KR100284016B1 (ko) 2001-04-02
US5285196A (en) 1994-02-08
EP0601309A1 (en) 1994-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3492400B2 (ja) ２安定ｄｍｄアドレス指定法
US4662746A (en) Spatial light modulator and method
JP2978224B2 (ja) 可撓梁式空間的光変調器の絵素のリセット方法
US5172262A (en) Spatial light modulator and method
JPH06258586A (ja) 欠陥を有する電気機械画素の効果を軽減する方法
JP2546553B2 (ja) 空間光変調器の画素をリセットする方法
US5659374A (en) Method of repairing defective pixels
JP2571878B2 (ja) 像作成装置
JP3802134B2 (ja) 空間光変調器
US5096279A (en) Spatial light modulator and method
JP3926871B2 (ja) デジタルマイクロミラーリセット方法
JPH0618804A (ja) 光ビーム操縦の方法と装置
JPH09127439A (ja) 光操縦用アナログビームをもつ光スイッチ
JPH0651231A (ja) 共振ミラーとその製造法
JP2000193899A (ja) 画像デ―タのアナログ・パルス幅変調
KR100412005B1 (ko) 개선된dmd제어용다중바이어스레벨리셋파형을제공하는공간광변조기및그동작방법
US7375873B2 (en) Method of repairing micromirrors in spatial light modulators
US20070258129A1 (en) System and Apparatus for Repairing Micromirrors in Spatial Light Modulators
KR100677204B1 (ko) 2축 회전이 가능한 마이크로미러

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071114

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees