JPH06258586A - 欠陥を有する電気機械画素の効果を軽減する方法 - Google Patents
欠陥を有する電気機械画素の効果を軽減する方法Info
- Publication number
- JPH06258586A JPH06258586A JP5265039A JP26503993A JPH06258586A JP H06258586 A JPH06258586 A JP H06258586A JP 5265039 A JP5265039 A JP 5265039A JP 26503993 A JP26503993 A JP 26503993A JP H06258586 A JPH06258586 A JP H06258586A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- picture element
- pixel
- hinge
- voltage
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 25
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000582267 Homo sapiens tRNA N(3)-methylcytidine methyltransferase METTL2B Proteins 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 102100030609 tRNA N(3)-methylcytidine methyltransferase METTL2B Human genes 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
- G09G3/346—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on modulation of the reflection angle, e.g. micromirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/37—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements
- G09F9/372—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements the positions of the elements being controlled by the application of an electric field
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/10—Dealing with defective pixels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 欠陥を有する電気機械画素の効果を、その画
素を完全に消失させる、または、非反射状態にするなど
により、軽減する方法を提供する。 【構成】 本発明の方法は過大な機械的応力、過大な熱
的応力、電気化学的反応、または、熱的に誘起された化
学反応により、前記電気機械画素のヒンジまたはビーム
に、損傷を与えるのに十分な電圧を加え、これらのヒン
ジまたはビームに損傷を与える段階を有する。
素を完全に消失させる、または、非反射状態にするなど
により、軽減する方法を提供する。 【構成】 本発明の方法は過大な機械的応力、過大な熱
的応力、電気化学的反応、または、熱的に誘起された化
学反応により、前記電気機械画素のヒンジまたはビーム
に、損傷を与えるのに十分な電圧を加え、これらのヒン
ジまたはビームに損傷を与える段階を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル・マイクロ
ミラー装置（ＤＭＤ）に関する。このディジタル・マイ
クロミラー装置はまた、変形可能ミラー装置としても知
られている。さらに詳細にいえば、本発明は、このよう
な装置の中の欠陥を有する画素の効果を軽減する方法に
関する。
ミラー装置（ＤＭＤ）に関する。このディジタル・マイ
クロミラー装置はまた、変形可能ミラー装置としても知
られている。さらに詳細にいえば、本発明は、このよう
な装置の中の欠陥を有する画素の効果を軽減する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】ＤＭＤは、光学的情報
処理装置、投影表示装置、および、静電写真印刷装置の
分野において、多くの応用を有している。Ｌ．ホーンベ
ック名の論文「１２８×１２８変形可能ミラー装置」第
３０巻、ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．５３
９頁（１９８３年）を見よ。
処理装置、投影表示装置、および、静電写真印刷装置の
分野において、多くの応用を有している。Ｌ．ホーンベ
ック名の論文「１２８×１２８変形可能ミラー装置」第
３０巻、ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．５３
９頁（１９８３年）を見よ。
【０００３】前記ホーンベック名の論文に開示されてい
る多数の応用例は、米国特許第５，０９６，２７９号に
開示されているように、２安定モードで動作するＤＭＤ
を使用している。この米国特許第５，０９６，２７９号
の内容は、本発明の中に取り込まれている。この米国特
許第５，０９６，２７９号の内容の細部は下記において
やや詳細に要約されるが、簡単にいえば、ＤＭＤの２安
定モードでは、偏向可能なビーム、すなわち、偏向可能
なミラーは、２つの着地角度±θL のいずれかにまで偏
向することができる。この偏向は、下にある電極にアド
レス電圧を印加することにより行われる。いずれの着地
角度（±θL ）においても、偏向可能なミラーの端部は
下にある装置基板と接触する。通常、１つの方向におい
て、この偏向可能なミラーは「オン」で明るい、すなわ
ち換言すれば、視野の中に光を反射する。他の方向で
は、ミラーは「オフ」で暗く、すなわち換言すれば、視
野の中に光を反射しない。
る多数の応用例は、米国特許第５，０９６，２７９号に
開示されているように、２安定モードで動作するＤＭＤ
を使用している。この米国特許第５，０９６，２７９号
の内容は、本発明の中に取り込まれている。この米国特
許第５，０９６，２７９号の内容の細部は下記において
やや詳細に要約されるが、簡単にいえば、ＤＭＤの２安
定モードでは、偏向可能なビーム、すなわち、偏向可能
なミラーは、２つの着地角度±θL のいずれかにまで偏
向することができる。この偏向は、下にある電極にアド
レス電圧を印加することにより行われる。いずれの着地
角度（±θL ）においても、偏向可能なミラーの端部は
下にある装置基板と接触する。通常、１つの方向におい
て、この偏向可能なミラーは「オン」で明るい、すなわ
ち換言すれば、視野の中に光を反射する。他の方向で
は、ミラーは「オフ」で暗く、すなわち換言すれば、視
野の中に光を反射しない。
【０００４】先行技術のＤＭＤにおいて分かっているこ
とであるが、可能な製造上の欠陥は、ミラーの粘着の問
題である。このような場合、個々のミラーは、アドレス
電圧およびバイアス電圧を変えることに応じて、「オ
ン」状態と「オフ」状態との間で状態を変えることがで
きない。したがって、ミラーは常に「オフ」であるか、
または、常に「オン」である。常に「オン」である欠
陥、すなわち、常に明るい欠陥は、特に注目され、そし
て、特に好ましくない。欠陥を有する画素が粘着する理
由はたくさんある。例えば、ただしそれらに限定される
わけではないが、ミラーの下にあるアドレス指定素子に
欠陥がある場合、ミラーと基準電圧との間の電気的接続
が悪い場合、または、ミラーの接触の位置における表面
に欠陥がある場合、である。
とであるが、可能な製造上の欠陥は、ミラーの粘着の問
題である。このような場合、個々のミラーは、アドレス
電圧およびバイアス電圧を変えることに応じて、「オ
ン」状態と「オフ」状態との間で状態を変えることがで
きない。したがって、ミラーは常に「オフ」であるか、
または、常に「オン」である。常に「オン」である欠
陥、すなわち、常に明るい欠陥は、特に注目され、そし
て、特に好ましくない。欠陥を有する画素が粘着する理
由はたくさんある。例えば、ただしそれらに限定される
わけではないが、ミラーの下にあるアドレス指定素子に
欠陥がある場合、ミラーと基準電圧との間の電気的接続
が悪い場合、または、ミラーの接触の位置における表面
に欠陥がある場合、である。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明は、欠陥を有す
る画素の効果を軽減することが可能である、ことの認識
に基づいている。すなわち、本発明は、１つの方向に永
久的に傾いた画素を、完全に消失した画素に変更する、
または、非反射画素に変更する、または、部分的に反射
する画素に変更する、または、いずれの方向にも偏向し
ない画素にする、の手段を提供する。本発明の１つの実
施例により、ミラーをアドレス指定およびバイアスする
のに用いられる回路は、欠陥を有しない画素を破壊する
ことなく、欠陥を有する画素に永久的な変化を実行する
のに用いることができる。本質的には、装置の基板の上
にある、または、装置の基板の中にある、電極に対し
て、ミラー接触体に高電圧が加えられる。この時、欠陥
を有するミラーは、静電引力により、基板に強力に引き
付けられる。この力により、ミラー・ヒンジを破壊する
ことができる、または、ＤＭＤ基板の上に電極が直接に
接触して大電流が流れ、それにより、ヒンジまたはビー
ムを破壊することができる。
る画素の効果を軽減することが可能である、ことの認識
に基づいている。すなわち、本発明は、１つの方向に永
久的に傾いた画素を、完全に消失した画素に変更する、
または、非反射画素に変更する、または、部分的に反射
する画素に変更する、または、いずれの方向にも偏向し
ない画素にする、の手段を提供する。本発明の１つの実
施例により、ミラーをアドレス指定およびバイアスする
のに用いられる回路は、欠陥を有しない画素を破壊する
ことなく、欠陥を有する画素に永久的な変化を実行する
のに用いることができる。本質的には、装置の基板の上
にある、または、装置の基板の中にある、電極に対し
て、ミラー接触体に高電圧が加えられる。この時、欠陥
を有するミラーは、静電引力により、基板に強力に引き
付けられる。この力により、ミラー・ヒンジを破壊する
ことができる、または、ＤＭＤ基板の上に電極が直接に
接触して大電流が流れ、それにより、ヒンジまたはビー
ムを破壊することができる。
【０００６】これらの力を個々のミラーに選択的に加え
るために、アドレス指定回路を備えることが可能である
けれども、このことには、欠陥を有する画素の位置を知
ることが必要である。したがって、本発明の他の実施例
では、欠陥を有するミラーだけを効果的に破壊するよう
に、ミラーの全体に力を加える。このことは、正しく機
能する画素は平らな状態にリセットすることができる
が、粘着した画素はそれができない、という事実を用い
て達成される。この平らな状態では、画素ビームの面は
装置の基板の面に平行である。画素の機械的構造は、加
えられた電圧に瞬間的には応答できないことが分かって
いる。実際、空気抵抗は、画素の運動を制限することが
分かっている。粘着した画素は既に傾斜しているので、
機能する画素が電極に接触する前に、粘着した画素はそ
れらに対応する電極に接触するであろう。粘着した画素
の電極への接触と、欠陥を有しない画素のそれらの電極
への接触との間の、この時間の遅延を用いて、欠陥を有
する画素のヒンジおよび／またはビ−ムを破壊すること
ができる。したがって、本発明の１つの実施例は、持続
時間が短くかつ振幅の大きな電気パルスを、画素の全体
に加え、それにより、欠陥を有する画素を選択的に破壊
することができる。
るために、アドレス指定回路を備えることが可能である
けれども、このことには、欠陥を有する画素の位置を知
ることが必要である。したがって、本発明の他の実施例
では、欠陥を有するミラーだけを効果的に破壊するよう
に、ミラーの全体に力を加える。このことは、正しく機
能する画素は平らな状態にリセットすることができる
が、粘着した画素はそれができない、という事実を用い
て達成される。この平らな状態では、画素ビームの面は
装置の基板の面に平行である。画素の機械的構造は、加
えられた電圧に瞬間的には応答できないことが分かって
いる。実際、空気抵抗は、画素の運動を制限することが
分かっている。粘着した画素は既に傾斜しているので、
機能する画素が電極に接触する前に、粘着した画素はそ
れらに対応する電極に接触するであろう。粘着した画素
の電極への接触と、欠陥を有しない画素のそれらの電極
への接触との間の、この時間の遅延を用いて、欠陥を有
する画素のヒンジおよび／またはビ−ムを破壊すること
ができる。したがって、本発明の１つの実施例は、持続
時間が短くかつ振幅の大きな電気パルスを、画素の全体
に加え、それにより、欠陥を有する画素を選択的に破壊
することができる。
【０００７】
【実施例】本発明およびその利点をさらに完全に理解す
るために、下記において添付図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
るために、下記において添付図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
【０００８】添付図面を参照しての下記説明において、
図面は異なっても対応する部品には、特に断らない限
り、対応する番号および対応する記号が用いられる。
図面は異なっても対応する部品には、特に断らない限
り、対応する番号および対応する記号が用いられる。
【０００９】図１ａ〜図１ｃは、好ましい実施例のミラ
ーの機能を示した、それぞれ、立体図、横断面正面図、
および平面図である。これらの図面に示されているよう
に、画素２０は、基板２２の上の電極４２または４６
と、ビーム３０との間に電圧を加えることにより動作す
る。ビーム３０とこれらの電極は空隙コンデンサの２個
の極板を構成し、そして、電圧を加えることにより、こ
れらの２個の極板に誘起される反対符号の電荷によっ
て、ビーム３０を基板２２に引き付ける静電引力が働
く。一方、電極４０および４１はビーム３０と同じ電圧
に保たれる。電極４２、４６とビーム３０との間の静電
引力により、ビーム３０はヒンジ３４および３６のとこ
ろで捩じれ、それにより、ビーム３０は基板２２に対し
て偏向する。
ーの機能を示した、それぞれ、立体図、横断面正面図、
および平面図である。これらの図面に示されているよう
に、画素２０は、基板２２の上の電極４２または４６
と、ビーム３０との間に電圧を加えることにより動作す
る。ビーム３０とこれらの電極は空隙コンデンサの２個
の極板を構成し、そして、電圧を加えることにより、こ
れらの２個の極板に誘起される反対符号の電荷によっ
て、ビーム３０を基板２２に引き付ける静電引力が働
く。一方、電極４０および４１はビーム３０と同じ電圧
に保たれる。電極４２、４６とビーム３０との間の静電
引力により、ビーム３０はヒンジ３４および３６のとこ
ろで捩じれ、それにより、ビーム３０は基板２２に対し
て偏向する。
【００１０】図２は、電極４２に正電圧を加えることに
より、最小の間隙を有する領域に誘起電荷が集中し、そ
れにより偏向したビーム３０を示した概要図である。典
型的なＣＭＯＳ電圧、例えば、５ボルトの電圧、が加え
られた場合、偏向の角度の大きさは２度の程度である。
もちろん、もしヒンジ３４がもっと長く、またはもっと
薄く、またはもっと細く作成されるならば、ヒンジ３４
のコンプライアンス弾性定数はヒンジの幅に逆比例し、
および、ヒンジの長さの２乗に比例し、および、ヒンジ
の厚さの３乗に比例するので、偏向の角度の大きさは増
大するであろう。ＤＭＤがその２安定モードで動作する
場合、ビーム３０が着地用電極４０、４１の上のＤＭＤ
基板に接触する点において、ビーム３０の偏向の角度が
着地角度±θL により定められるように、ビームが設計
される。ビーム３０の厚さは、処理工程期間中に発生す
る表面応力によるビーム３０の捩じれが大幅でないよう
に選定され、しかし、ヒンジ３４の厚さは、コンプライ
アンス弾性定数が大きな値を有するように選定される、
ことに注目されたい。図２はまた、ＤＭＤの動作期間中
に起こり得る、偏向したビーム３０の位置での光の反射
をも示している。
より、最小の間隙を有する領域に誘起電荷が集中し、そ
れにより偏向したビーム３０を示した概要図である。典
型的なＣＭＯＳ電圧、例えば、５ボルトの電圧、が加え
られた場合、偏向の角度の大きさは２度の程度である。
もちろん、もしヒンジ３４がもっと長く、またはもっと
薄く、またはもっと細く作成されるならば、ヒンジ３４
のコンプライアンス弾性定数はヒンジの幅に逆比例し、
および、ヒンジの長さの２乗に比例し、および、ヒンジ
の厚さの３乗に比例するので、偏向の角度の大きさは増
大するであろう。ＤＭＤがその２安定モードで動作する
場合、ビーム３０が着地用電極４０、４１の上のＤＭＤ
基板に接触する点において、ビーム３０の偏向の角度が
着地角度±θL により定められるように、ビームが設計
される。ビーム３０の厚さは、処理工程期間中に発生す
る表面応力によるビーム３０の捩じれが大幅でないよう
に選定され、しかし、ヒンジ３４の厚さは、コンプライ
アンス弾性定数が大きな値を有するように選定される、
ことに注目されたい。図２はまた、ＤＭＤの動作期間中
に起こり得る、偏向したビーム３０の位置での光の反射
をも示している。
【００１１】図３は、本発明の好ましい第１実施例にお
いて加えられる欠陥軽減電圧のグラフである。この実施
例は米国特許第５，０９６，２７９号に開示されている
のと同じアドレス指定回路を用いることができる。この
米国特許の内容は、本発明の中に取り込まれている。こ
の米国特許には、典型的な２安定ＤＭＤのアドレス指定
方式とバイアス方式とが詳細に開示されている。種々の
欠陥を軽減するために、この方式のアドレス指定回路お
よびバイアス回路を用いる際、小さな変更が必要である
ことは、回路設計の当業者にはすぐに分かる。このアド
レス指定回路を用いることにより、欠陥の位置がいった
ん決定されると、欠陥を有する画素のおのおのが、欠陥
を軽減するために、ビームおよび／またはヒンジに損傷
を与える際、これらの画素が選択的に呼び出され、そし
て、それらにパルスが加えられるであろう。具体的に
は、欠陥を軽減するために加えられるこれらのパルス
は、ＤＭＤのマイクロミラー３０をアドレス指定するの
に用いられるパルスよりも、振幅Ａ1 、および／また
は、持続時間Ｄ1 、が大きいことが必要であろう。この
第１実施例の軽減用電圧の振幅／持続時間は、画素のヒ
ンジ３４、３６を破壊するのに十分な大きさでなければ
ならない。この欠陥軽減回路はアドレス指定回路として
２重の目的を果たすことができる。または、この回路
は、先行技術におけるように、ミラ−３０をアドレス指
定するのに通常用いられる回路と並列であることができ
る。
いて加えられる欠陥軽減電圧のグラフである。この実施
例は米国特許第５，０９６，２７９号に開示されている
のと同じアドレス指定回路を用いることができる。この
米国特許の内容は、本発明の中に取り込まれている。こ
の米国特許には、典型的な２安定ＤＭＤのアドレス指定
方式とバイアス方式とが詳細に開示されている。種々の
欠陥を軽減するために、この方式のアドレス指定回路お
よびバイアス回路を用いる際、小さな変更が必要である
ことは、回路設計の当業者にはすぐに分かる。このアド
レス指定回路を用いることにより、欠陥の位置がいった
ん決定されると、欠陥を有する画素のおのおのが、欠陥
を軽減するために、ビームおよび／またはヒンジに損傷
を与える際、これらの画素が選択的に呼び出され、そし
て、それらにパルスが加えられるであろう。具体的に
は、欠陥を軽減するために加えられるこれらのパルス
は、ＤＭＤのマイクロミラー３０をアドレス指定するの
に用いられるパルスよりも、振幅Ａ1 、および／また
は、持続時間Ｄ1 、が大きいことが必要であろう。この
第１実施例の軽減用電圧の振幅／持続時間は、画素のヒ
ンジ３４、３６を破壊するのに十分な大きさでなければ
ならない。この欠陥軽減回路はアドレス指定回路として
２重の目的を果たすことができる。または、この回路
は、先行技術におけるように、ミラ−３０をアドレス指
定するのに通常用いられる回路と並列であることができ
る。
【００１２】好ましい第２実施例では、図４に示された
ような軽減用パルスが、画素の全体に、または、画素の
一部分に、同時に加えることができる。このような場
合、これらのパルスは持続時間が短く、そして、振幅が
大きいであろう。振幅／持続時間、Ａ2 ／Ｄ2 、は欠陥
画素２０のヒンジ３４、３６を破壊するのに十分な大き
さでなければならないが、一方、機能している画素２０
にはほとんど損傷を与えない大きさでなければならな
い。これらの機能している画素２０に対しては、パルス
の持続時間が短いために、通常はほとんど偏向しないで
あろう。
ような軽減用パルスが、画素の全体に、または、画素の
一部分に、同時に加えることができる。このような場
合、これらのパルスは持続時間が短く、そして、振幅が
大きいであろう。振幅／持続時間、Ａ2 ／Ｄ2 、は欠陥
画素２０のヒンジ３４、３６を破壊するのに十分な大き
さでなければならないが、一方、機能している画素２０
にはほとんど損傷を与えない大きさでなければならな
い。これらの機能している画素２０に対しては、パルス
の持続時間が短いために、通常はほとんど偏向しないで
あろう。
【００１３】米国特許第５，０９６，２７９号に開示さ
れているアドレス指定回路を要約すれば、２安定画素２
０は、回転の好ましい方向を設定することによりアドレ
ス指定することができる。この米国特許第５，０９６，
２７９号の内容が本発明の中に取り込まれている。もし
アドレス電極４２および４６の両方がアースされるなら
ば、小さな擾乱によりビーム３０がランダムに回転を始
めるであろう。そして、この状態でビーム３０と着地用
電極４０および４１に差動バイアスＶB を加えると、着
地用電極４０、４１の一方に集中して回転するであろ
う。けれども、差動バイアスＶB を加える前に、もしア
ドレス電極４６が１つの電位に設定されるならば、ビー
ム３０を着地用電極４１に向けて回転させる正味の回転
力が生ずるであろう。それと対称的に、アドレス電極４
２にトリガ電位が加えられ、差動バイアスＶB が加えら
れるならば、ビーム３０は着地用電極４０に向けて回転
するであろう。
れているアドレス指定回路を要約すれば、２安定画素２
０は、回転の好ましい方向を設定することによりアドレ
ス指定することができる。この米国特許第５，０９６，
２７９号の内容が本発明の中に取り込まれている。もし
アドレス電極４２および４６の両方がアースされるなら
ば、小さな擾乱によりビーム３０がランダムに回転を始
めるであろう。そして、この状態でビーム３０と着地用
電極４０および４１に差動バイアスＶB を加えると、着
地用電極４０、４１の一方に集中して回転するであろ
う。けれども、差動バイアスＶB を加える前に、もしア
ドレス電極４６が１つの電位に設定されるならば、ビー
ム３０を着地用電極４１に向けて回転させる正味の回転
力が生ずるであろう。それと対称的に、アドレス電極４
２にトリガ電位が加えられ、差動バイアスＶB が加えら
れるならば、ビーム３０は着地用電極４０に向けて回転
するであろう。
【００１４】前記で説明されたいずれかの実施例に従
い、もし十分に大きな振幅の差動バイアスＶB が着地用
電極４０、４１に対してビーム３０に加えられるなら
ば、ビーム３０は一方に集中して回転するだけでなく、
ヒンジ３４、３６は実際に大きな機械的過大応力により
永久的に損傷を受けるであろう。そして、ビームは下に
ある基板の上で、「オン」状態または「オフ」状態のい
ずれにおいても、偏向しないままでいることができる。
十分に偏向すれば、実際、ビームはアドレス電極４２、
４６の一方に接触し、それにより、大きな電流がビーム
３０とヒンジ３４、３６を通って流れる。この大きな電
流による加熱を用いて、ヒンジ３４、３６に、温度によ
る過大応力を加えることができる、または、それを溶融
することができる、または、熱的に誘起された化学反応
によりそれを破壊することができる。十分に大きな電流
により、ヒンジ３４、３６に損傷を与える他に、ビーム
３０を溶融することにより損傷を与えることができる、
または、熱的に誘起された化学反応により、ビーム３０
が光を反射しないようにすることができる。ビーム３０
を非反射状態にすることは、その「オン」の明るい状態
に比べて、１つの望ましい状態であることができる。熱
的に誘起された化学反応はいずれも、当業者にはよく知
られているように、気体の中で起こることができる。電
流が流れるとその温度が上昇することによる応力はいず
れも、気体または真空の中で誘起されることが可能であ
る。１気圧の空気よりも制動効果の大きい、高圧の気体
または粘性の大きな気体を用いて、欠陥のないビーム３
０の制動を増加させることができ、それにより、（ＤＭ
Ｄ基板と既に接触している欠陥のあるビーム３０とは異
なって）欠陥のないビーム３０に対する電圧の印加とビ
ーム３０のＤＭＤ基板との接触との間の前記遅延による
時間の利点を増加させることができる。この余分の時間
の利点を用いて、欠陥のあるビーム３０に、さらに有効
に化学的に反応させる、または、応力を加えることがで
きる。
い、もし十分に大きな振幅の差動バイアスＶB が着地用
電極４０、４１に対してビーム３０に加えられるなら
ば、ビーム３０は一方に集中して回転するだけでなく、
ヒンジ３４、３６は実際に大きな機械的過大応力により
永久的に損傷を受けるであろう。そして、ビームは下に
ある基板の上で、「オン」状態または「オフ」状態のい
ずれにおいても、偏向しないままでいることができる。
十分に偏向すれば、実際、ビームはアドレス電極４２、
４６の一方に接触し、それにより、大きな電流がビーム
３０とヒンジ３４、３６を通って流れる。この大きな電
流による加熱を用いて、ヒンジ３４、３６に、温度によ
る過大応力を加えることができる、または、それを溶融
することができる、または、熱的に誘起された化学反応
によりそれを破壊することができる。十分に大きな電流
により、ヒンジ３４、３６に損傷を与える他に、ビーム
３０を溶融することにより損傷を与えることができる、
または、熱的に誘起された化学反応により、ビーム３０
が光を反射しないようにすることができる。ビーム３０
を非反射状態にすることは、その「オン」の明るい状態
に比べて、１つの望ましい状態であることができる。熱
的に誘起された化学反応はいずれも、当業者にはよく知
られているように、気体の中で起こることができる。電
流が流れるとその温度が上昇することによる応力はいず
れも、気体または真空の中で誘起されることが可能であ
る。１気圧の空気よりも制動効果の大きい、高圧の気体
または粘性の大きな気体を用いて、欠陥のないビーム３
０の制動を増加させることができ、それにより、（ＤＭ
Ｄ基板と既に接触している欠陥のあるビーム３０とは異
なって）欠陥のないビーム３０に対する電圧の印加とビ
ーム３０のＤＭＤ基板との接触との間の前記遅延による
時間の利点を増加させることができる。この余分の時間
の利点を用いて、欠陥のあるビーム３０に、さらに有効
に化学的に反応させる、または、応力を加えることがで
きる。
【００１５】熱的に誘起される多くの化学反応を、本発
明に用いることができるかも知れないと想像することが
できる。これらの反応には、ただし、それらに限定され
るわけではないが、電気的に誘起される熱的酸化、およ
び、電気的に誘起される蒸気陽極酸化が含まれる。例え
ば、ビーム３０とバイアス回路との間の電気的接触が悪
いために生ずる欠陥は、軽減することができる。この実
施例では、すべてのビーム３０に電圧を加えることによ
り、および、悪い接触をしているビーム３０だけが電気
化学的反応により作用を受けるという事実を用いること
により、反応性蒸気の中で、欠陥を有する画素に選択的
に、電気化学的反応を実行することができる。この電気
化学的反応を利用して、欠陥を有するビーム３０の上に
非反射表面、または、部分的に反射する表面の後での沈
着から欠陥のないビーム３０をマスクすることができ
る。または、欠陥を有するビーム３０またはヒンジ３
４、３６をエッチングする、または、損傷を与える、後
での化学反応性蒸気処理工程から、欠陥のないビーム３
０をマスクすることができる。
明に用いることができるかも知れないと想像することが
できる。これらの反応には、ただし、それらに限定され
るわけではないが、電気的に誘起される熱的酸化、およ
び、電気的に誘起される蒸気陽極酸化が含まれる。例え
ば、ビーム３０とバイアス回路との間の電気的接触が悪
いために生ずる欠陥は、軽減することができる。この実
施例では、すべてのビーム３０に電圧を加えることによ
り、および、悪い接触をしているビーム３０だけが電気
化学的反応により作用を受けるという事実を用いること
により、反応性蒸気の中で、欠陥を有する画素に選択的
に、電気化学的反応を実行することができる。この電気
化学的反応を利用して、欠陥を有するビーム３０の上に
非反射表面、または、部分的に反射する表面の後での沈
着から欠陥のないビーム３０をマスクすることができ
る。または、欠陥を有するビーム３０またはヒンジ３
４、３６をエッチングする、または、損傷を与える、後
での化学反応性蒸気処理工程から、欠陥のないビーム３
０をマスクすることができる。
【００１６】図５ａ〜図５ｃの概要図に示されているよ
うに、好ましい実施例の画素２０の直線状アレイ３１０
を、電気写真印刷装置に用いることができる。この装置
３５０は、光源および光学装置３５２と、アレイ３１０
と、結像レンズ３５４と、光伝導ドラム３５６とを有す
る。図５ａはこの装置の立体図、図５ｂは正面図、図５
ｃは平面図である。光源３５２から放射された光は薄板
の形状３５８を有し、そして、この光が直線状アレイ３
１０を照射する。画素２０の間の領域からの光は薄板の
形状３６０を有し、この光は鏡面反射された薄板の形状
の光である。負の方向に偏向されたビームから反射され
た光は、薄板の形状３６１を有する。正の方向に偏向さ
れたビームから反射された光は、薄板の形状３６２の中
の結像レンズ３５４を通り、そして、ドラム３５６の上
のライン３６４の上に一連のドットとして集光する。こ
れらのドットのおのおのは、それぞれ、偏向したビーム
３０に対応する。ディジタル化されそしてラスタ走査さ
れたフォーマットにあるテキストの１頁またはグラフィ
ックス情報の１つのフレームは、一度に１つのラインの
情報をアレイ３１０に送ることにより、ドラム３５６が
回転する時、ドラム３５６の上にこれらのドットが一度
に１つのライン３６４を構成して印刷することができ
る。これらのドットの画像は、静電写真のような標準的
な技術により、紙に転写される。もしビーム３０が着地
用電極４１の上にある時ビーム３０の偏向角が０である
ならば、薄板の形状の光３５８の入射角が直線状アレイ
３１０の垂線に対し２０°である時、薄板状の光３６２
は直線状アレイ３１０に垂直である。この配置が図５ｂ
に示されている。この配置では、結像用レンズ３５４を
直線状アレイ３１０に垂直に配置することができる。正
の方向に偏向したビームのおのおのは、３個のビームに
対して図５ｃの概要図に示されているように、結像用レ
ンズ３５４の上に光源３５２の画像３５５を生ずる。
うに、好ましい実施例の画素２０の直線状アレイ３１０
を、電気写真印刷装置に用いることができる。この装置
３５０は、光源および光学装置３５２と、アレイ３１０
と、結像レンズ３５４と、光伝導ドラム３５６とを有す
る。図５ａはこの装置の立体図、図５ｂは正面図、図５
ｃは平面図である。光源３５２から放射された光は薄板
の形状３５８を有し、そして、この光が直線状アレイ３
１０を照射する。画素２０の間の領域からの光は薄板の
形状３６０を有し、この光は鏡面反射された薄板の形状
の光である。負の方向に偏向されたビームから反射され
た光は、薄板の形状３６１を有する。正の方向に偏向さ
れたビームから反射された光は、薄板の形状３６２の中
の結像レンズ３５４を通り、そして、ドラム３５６の上
のライン３６４の上に一連のドットとして集光する。こ
れらのドットのおのおのは、それぞれ、偏向したビーム
３０に対応する。ディジタル化されそしてラスタ走査さ
れたフォーマットにあるテキストの１頁またはグラフィ
ックス情報の１つのフレームは、一度に１つのラインの
情報をアレイ３１０に送ることにより、ドラム３５６が
回転する時、ドラム３５６の上にこれらのドットが一度
に１つのライン３６４を構成して印刷することができ
る。これらのドットの画像は、静電写真のような標準的
な技術により、紙に転写される。もしビーム３０が着地
用電極４１の上にある時ビーム３０の偏向角が０である
ならば、薄板の形状の光３５８の入射角が直線状アレイ
３１０の垂線に対し２０°である時、薄板状の光３６２
は直線状アレイ３１０に垂直である。この配置が図５ｂ
に示されている。この配置では、結像用レンズ３５４を
直線状アレイ３１０に垂直に配置することができる。正
の方向に偏向したビームのおのおのは、３個のビームに
対して図５ｃの概要図に示されているように、結像用レ
ンズ３５４の上に光源３５２の画像３５５を生ずる。
【００１７】図６ａ〜図６ｃは、好ましい実施例のミラ
ーのアレイの一部分の、それぞれ、平面図、隠された主
要な特徴を示した平面図、詳細な横断面図である。この
好ましい実施例の構造体は、多重レベル変形可能ミラー
構造体を使用する。この構造体の製造法は、ホーンベッ
ク名の米国特許第５，０８３，８５７号に開示されてい
る。図６ａに示されているように、この構造体により、
与えられた画素寸法に対し、回転可能な反射表面の非常
に改良された領域が得られる。下にあるヒンジ、アドレ
ス電極、および、着地用電極は、図６ｂに点線で示され
ている。ビーム支持ポスト２０１は、ビーム２００を下
にある捩りヒンジ４０１にしっかりと連結する。下にあ
るヒンジと電極が図６ｂに詳細に示されている。ビーム
支持ポスト２０１は、ポスト４０６に連結されたヒンジ
４０１の制御の下で、ビーム２００が回転することを可
能にする。このことにより、ポスト４０３によって支持
された電極の制御の下で、回転可能な表面（ビーム）２
００が回転することができる。ビーム２００は着地用電
極４０５と接触して着地する。接触体４０２は基板の上
で延長されており、そして、下にあるアドレス電子装置
と接触している。この装置の構成と動作が下記で説明さ
れる。図６ｃは、ビーム２００が着地角−θ L に回転し
た表面２００ａと、着地角＋θL に回転した表面２００
ｂとを示す。図６ｃにはまた、運動（２００ａ、２００
ｂ）を制御するアドレス電極４０４と、ビーム２００の
シーソー運動の他端に配置された着地用電極４０５とが
示されている。ビーム２００の回転運動を制御する方式
は、１９９０年１１月２６日受付の米国特許第５，０９
６，２７９号に詳細に開示されている。
ーのアレイの一部分の、それぞれ、平面図、隠された主
要な特徴を示した平面図、詳細な横断面図である。この
好ましい実施例の構造体は、多重レベル変形可能ミラー
構造体を使用する。この構造体の製造法は、ホーンベッ
ク名の米国特許第５，０８３，８５７号に開示されてい
る。図６ａに示されているように、この構造体により、
与えられた画素寸法に対し、回転可能な反射表面の非常
に改良された領域が得られる。下にあるヒンジ、アドレ
ス電極、および、着地用電極は、図６ｂに点線で示され
ている。ビーム支持ポスト２０１は、ビーム２００を下
にある捩りヒンジ４０１にしっかりと連結する。下にあ
るヒンジと電極が図６ｂに詳細に示されている。ビーム
支持ポスト２０１は、ポスト４０６に連結されたヒンジ
４０１の制御の下で、ビーム２００が回転することを可
能にする。このことにより、ポスト４０３によって支持
された電極の制御の下で、回転可能な表面（ビーム）２
００が回転することができる。ビーム２００は着地用電
極４０５と接触して着地する。接触体４０２は基板の上
で延長されており、そして、下にあるアドレス電子装置
と接触している。この装置の構成と動作が下記で説明さ
れる。図６ｃは、ビーム２００が着地角−θ L に回転し
た表面２００ａと、着地角＋θL に回転した表面２００
ｂとを示す。図６ｃにはまた、運動（２００ａ、２００
ｂ）を制御するアドレス電極４０４と、ビーム２００の
シーソー運動の他端に配置された着地用電極４０５とが
示されている。ビーム２００の回転運動を制御する方式
は、１９９０年１１月２６日受付の米国特許第５，０９
６，２７９号に詳細に開示されている。
【００１８】隠されたヒンジ・アーキテクチャに対する
工程順序が、図７ａ〜図７ｄに示されている。この工程
順序には、５個の層（ヒンジ・スペーサ、ヒンジ、電
極、ビーム・スペーサ、ビーム）が含まれる。具体的
に、図７ａにおいて、この工程は完成したアドレス回路
５０３を備えた基板で開始する。この基板は、アドレス
回路の保護酸化物５０１の中に作成された接触体開口部
を有する。アドレス回路は、典型的には、２個の金属層
／ポリＣＭＯＳ工程である。接触体開口部により、第２
レベル金属（ＭＥＴＬ２）５０２接合パッドとＭＥＴＬ
２アドレス回路出力接続点とへの接続が可能になる。
工程順序が、図７ａ〜図７ｄに示されている。この工程
順序には、５個の層（ヒンジ・スペーサ、ヒンジ、電
極、ビーム・スペーサ、ビーム）が含まれる。具体的
に、図７ａにおいて、この工程は完成したアドレス回路
５０３を備えた基板で開始する。この基板は、アドレス
回路の保護酸化物５０１の中に作成された接触体開口部
を有する。アドレス回路は、典型的には、２個の金属層
／ポリＣＭＯＳ工程である。接触体開口部により、第２
レベル金属（ＭＥＴＬ２）５０２接合パッドとＭＥＴＬ
２アドレス回路出力接続点とへの接続が可能になる。
【００１９】なお図７ａにおいて、アドレス回路の上に
ヒンジ・スペーサ７０１が回転沈着され、そして、この
ヒンジ・スペーサがパターンに作成され、ヒンジ支持ポ
ストと電極支持ポストと接触体とを形成する、ホール７
０２が作られる。このスペーサの厚さは、典型的には、
０．５μｍである。このスペーサは、後での処理工程段
階における流動と泡立ちを防止するために、２００℃の
温度で深くＵＶ硬化されたポジティブな光耐性体であ
る。
ヒンジ・スペーサ７０１が回転沈着され、そして、この
ヒンジ・スペーサがパターンに作成され、ヒンジ支持ポ
ストと電極支持ポストと接触体とを形成する、ホール７
０２が作られる。このスペーサの厚さは、典型的には、
０．５μｍである。このスペーサは、後での処理工程段
階における流動と泡立ちを防止するために、２００℃の
温度で深くＵＶ硬化されたポジティブな光耐性体であ
る。
【００２０】図７ｂに示されているように、次の２つの
層７０３および７０４が、いわゆる、埋め込みヒンジ工
程により作成される。このヒンジを作成するアルミニウ
ム合金が、ヒンジ・スペーサの上にスパッタ沈着され
る。この合金の厚さは、典型的には、７５０オングスト
ロームである。この合金の組成は、０．２％Ｔｉ、１％
Ｓｉ、残りはＡｌである。マスク用酸化物がプラズマ沈
着され、そして、パターンに作成されて、ヒンジ４０１
の形状が作られる。次に、このヒンジ酸化物が第２アル
ミニウム合金層７０４により埋め込まれる。この第２ア
ルミニウム合金層（その典型的な厚さは３０００オング
ストロームである）は電極を作成するためのものであ
る。
層７０３および７０４が、いわゆる、埋め込みヒンジ工
程により作成される。このヒンジを作成するアルミニウ
ム合金が、ヒンジ・スペーサの上にスパッタ沈着され
る。この合金の厚さは、典型的には、７５０オングスト
ロームである。この合金の組成は、０．２％Ｔｉ、１％
Ｓｉ、残りはＡｌである。マスク用酸化物がプラズマ沈
着され、そして、パターンに作成されて、ヒンジ４０１
の形状が作られる。次に、このヒンジ酸化物が第２アル
ミニウム合金層７０４により埋め込まれる。この第２ア
ルミニウム合金層（その典型的な厚さは３０００オング
ストロームである）は電極を作成するためのものであ
る。
【００２１】なお図７ｂにおいて、マスク用酸化物がプ
ラズマ沈着され、そして、パターンに作成されて、電極
４０４と、電極支持ポスト４０６と、ビーム接触体金属
４０５との形状が作られる。次に、１回のプラズマ・ア
ルミニウム・エッチングを用いて、ヒンジと、電極と、
支持ポストと、ビーム接触体金属とがパターンに作成さ
れる。ヒンジ領域の上にある電極金属がエッチングによ
り除去され、埋め込みヒンジ酸化物が露出される。この
埋め込みヒンジ酸化物は、エッチング停止体として作用
する。プラズマ・アルミニウム・エッチングが完了した
時、薄いヒンジ金属の領域７０３と厚い電極金属の領域
７０４とが、同時にパターンに作成される。次に、マス
ク用酸化物がプラズマ・エッチングにより除去される。
ラズマ沈着され、そして、パターンに作成されて、電極
４０４と、電極支持ポスト４０６と、ビーム接触体金属
４０５との形状が作られる。次に、１回のプラズマ・ア
ルミニウム・エッチングを用いて、ヒンジと、電極と、
支持ポストと、ビーム接触体金属とがパターンに作成さ
れる。ヒンジ領域の上にある電極金属がエッチングによ
り除去され、埋め込みヒンジ酸化物が露出される。この
埋め込みヒンジ酸化物は、エッチング停止体として作用
する。プラズマ・アルミニウム・エッチングが完了した
時、薄いヒンジ金属の領域７０３と厚い電極金属の領域
７０４とが、同時にパターンに作成される。次に、マス
ク用酸化物がプラズマ・エッチングにより除去される。
【００２２】次に図７ｃに示されているように、ビーム
・スペーサ７０５がヒンジと電極の上に回転沈着され、
そして、パターンに作成されてビーム支持ポスト２０１
を形成するホールが作成される。スペーサ７０５はビー
ムの捩り偏向角度を決定する。スペーサ７０５はポジテ
ィブな光耐性体であり、その典型的な厚さは１．５ミク
ロンである。このスペーサは、後での処理工程段階にお
ける流動および泡立ちを防止するために、１８０℃の温
度で深くＵＶ硬化される。この硬化工程において、ヒン
ジ・スペーサ７０１の劣化は起こらないことを断ってお
く。それは、ヒンジ・スペーサはさらに高い温度（２０
０℃）で硬化されているからである。次に、ビーム２０
０（その典型的な厚さは４０００オングストロームであ
る）を作成するためのアルミニウム合金が、ビーム・ス
ペーサ７０５の上にスパッタ沈着される。次に、マスク
用酸化物７０７がプラズマ沈着され、そして、パターン
に作成されてビームの形状が作られる。次に、このビー
ムがプラズマ・エッチングされ、それにより、ビームと
ビーム支持ポストとが作成される。これで、ウエハのレ
ベルでの処理工程が完了する。ビーム２００の上のマス
ク用酸化物７０７が所定の位置に残る。次に、このウエ
ハがＰＭＭＡで被覆され、そして、チップ・アレイに切
断され、そして、クロロベンゼンでパルス回転清浄化が
行われる。最後に、これらのチップがプラズマ・エッチ
ング容器の中に配置され、そこで、マスク用酸化物７０
７が除去され、および、スペーサ層７０１および７０５
の両方が完全に除去され、それにより図７ｄに示されて
いるように、ヒンジおよびビームの下の空隙が作成され
る。
・スペーサ７０５がヒンジと電極の上に回転沈着され、
そして、パターンに作成されてビーム支持ポスト２０１
を形成するホールが作成される。スペーサ７０５はビー
ムの捩り偏向角度を決定する。スペーサ７０５はポジテ
ィブな光耐性体であり、その典型的な厚さは１．５ミク
ロンである。このスペーサは、後での処理工程段階にお
ける流動および泡立ちを防止するために、１８０℃の温
度で深くＵＶ硬化される。この硬化工程において、ヒン
ジ・スペーサ７０１の劣化は起こらないことを断ってお
く。それは、ヒンジ・スペーサはさらに高い温度（２０
０℃）で硬化されているからである。次に、ビーム２０
０（その典型的な厚さは４０００オングストロームであ
る）を作成するためのアルミニウム合金が、ビーム・ス
ペーサ７０５の上にスパッタ沈着される。次に、マスク
用酸化物７０７がプラズマ沈着され、そして、パターン
に作成されてビームの形状が作られる。次に、このビー
ムがプラズマ・エッチングされ、それにより、ビームと
ビーム支持ポストとが作成される。これで、ウエハのレ
ベルでの処理工程が完了する。ビーム２００の上のマス
ク用酸化物７０７が所定の位置に残る。次に、このウエ
ハがＰＭＭＡで被覆され、そして、チップ・アレイに切
断され、そして、クロロベンゼンでパルス回転清浄化が
行われる。最後に、これらのチップがプラズマ・エッチ
ング容器の中に配置され、そこで、マスク用酸化物７０
７が除去され、および、スペーサ層７０１および７０５
の両方が完全に除去され、それにより図７ｄに示されて
いるように、ヒンジおよびビームの下の空隙が作成され
る。
【００２３】本発明は特定の実施例に基づいて説明され
たけれども、前記説明は本発明がそれらに限定されるこ
とを意味するものではない。当業者には、前記実施例を
種々に変更した実施例およびまた別の実施例の可能であ
ることは、前記説明から容易に理解されるであろう。し
たがって、本発明の範囲はこのような変更実施例をすべ
て包含するものである。
たけれども、前記説明は本発明がそれらに限定されるこ
とを意味するものではない。当業者には、前記実施例を
種々に変更した実施例およびまた別の実施例の可能であ
ることは、前記説明から容易に理解されるであろう。し
たがって、本発明の範囲はこのような変更実施例をすべ
て包含するものである。
【００２４】少数の好ましい実施例が前記において詳細
に説明された。本発明の範囲は、前記説明とは異なる
が、しかし、請求項になお含まれる、実施例を包含する
ものと理解しなければならない。この包含という用語
は、本発明の範囲を考察する際、非網羅的であると解釈
されるべきである。本発明による装置は、シリコン、ヒ
化ガリウム、または他の電子材料群での個別部品または
完全に集積化された回路を用いて、および、光学に基づ
く形式または他の技術に基づく形式の実施例で、実施さ
れるであろう。
に説明された。本発明の範囲は、前記説明とは異なる
が、しかし、請求項になお含まれる、実施例を包含する
ものと理解しなければならない。この包含という用語
は、本発明の範囲を考察する際、非網羅的であると解釈
されるべきである。本発明による装置は、シリコン、ヒ
化ガリウム、または他の電子材料群での個別部品または
完全に集積化された回路を用いて、および、光学に基づ
く形式または他の技術に基づく形式の実施例で、実施さ
れるであろう。
【００２５】本発明が例示された実施例を参照して説明
されたけれども、このことは、本発明の範囲が前記説明
に限定されることを意味するものではない。例示された
実施例を種々に変更した実施例および種々に組み合わせ
た実施例、または、本発明の他の実施例の可能であるこ
とは、当業者には前記説明からすぐに理解されるであろ
う。したがって、本発明は、これらの変更実施例および
他の実施例をすべて包含するものである。
されたけれども、このことは、本発明の範囲が前記説明
に限定されることを意味するものではない。例示された
実施例を種々に変更した実施例および種々に組み合わせ
た実施例、または、本発明の他の実施例の可能であるこ
とは、当業者には前記説明からすぐに理解されるであろ
う。したがって、本発明は、これらの変更実施例および
他の実施例をすべて包含するものである。
【００２６】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） 光を観察者の視野に送り、かつ、ビームおよび
ヒンジを備えた、欠陥を有する明るい電気機械画素の光
を軽減する方法であって、前記電気機械画素に損傷を与
えるのに十分な電圧を加えて前記画素が光を前記視野に
もはや送らないようにする段階を有する、前記方法。 （２） 第１項記載の方法において、前記電圧が長い持
続時間を有する、前記方法。 （３） 第１項記載の方法において、前記電圧が大きな
振幅を有する、前記方法。 （４） 第１項記載の方法において、前記電圧が１組の
周期的なパルスを有する、前記方法。 （５） 第１項記載の方法において、前記損傷が過大な
機械的応力によるものである、前記方法。
る。 （１） 光を観察者の視野に送り、かつ、ビームおよび
ヒンジを備えた、欠陥を有する明るい電気機械画素の光
を軽減する方法であって、前記電気機械画素に損傷を与
えるのに十分な電圧を加えて前記画素が光を前記視野に
もはや送らないようにする段階を有する、前記方法。 （２） 第１項記載の方法において、前記電圧が長い持
続時間を有する、前記方法。 （３） 第１項記載の方法において、前記電圧が大きな
振幅を有する、前記方法。 （４） 第１項記載の方法において、前記電圧が１組の
周期的なパルスを有する、前記方法。 （５） 第１項記載の方法において、前記損傷が過大な
機械的応力によるものである、前記方法。
【００２７】（６） 第１項記載の方法において、前記
損傷が過大な熱的応力によるものである、前記方法。 （７） 第６項記載の方法において、前記過大な熱的応
力が真空中で生ずる、前記方法。 （８） 第６項記載の方法において、前記過大な熱的応
力が気体中で生ずる、前記方法。 （９） 第８項記載の方法において、前記気体が１気圧
の空気の粘性よりも大きい粘性を有する、前記方法。 （１０） 第１項記載の方法において、前記損傷が熱的
に誘起された化学反応が原因で生ずる、前記方法。
損傷が過大な熱的応力によるものである、前記方法。 （７） 第６項記載の方法において、前記過大な熱的応
力が真空中で生ずる、前記方法。 （８） 第６項記載の方法において、前記過大な熱的応
力が気体中で生ずる、前記方法。 （９） 第８項記載の方法において、前記気体が１気圧
の空気の粘性よりも大きい粘性を有する、前記方法。 （１０） 第１項記載の方法において、前記損傷が熱的
に誘起された化学反応が原因で生ずる、前記方法。
【００２８】（１１） 第１０項記載の方法において、
前記熱的に誘起された化学反応が気体の中で起こる、前
記方法。 （１２） 第１項記載の方法において、前記損傷が電気
化学的反応により生ずる、前記方法。 （１３） 第１２項記載の方法において、前記電気化学
的反応が気相電気化学反応である、前記方法。 （１４） 第１項記載の方法において、前記損傷を受け
た電気機械画素が平らな表面を有する、前記方法。 （１５） 第１４項記載の方法において、前記平らな表
面が下にある基板に平行である、前記方法。
前記熱的に誘起された化学反応が気体の中で起こる、前
記方法。 （１２） 第１項記載の方法において、前記損傷が電気
化学的反応により生ずる、前記方法。 （１３） 第１２項記載の方法において、前記電気化学
的反応が気相電気化学反応である、前記方法。 （１４） 第１項記載の方法において、前記損傷を受け
た電気機械画素が平らな表面を有する、前記方法。 （１５） 第１４項記載の方法において、前記平らな表
面が下にある基板に平行である、前記方法。
【００２９】（１６） 第１項記載の方法において、前
記ヒンジが損傷を受ける、前記方法。 （１７） 第１項記載の方法において、前記ビームが損
傷を受ける、前記方法。 （１８） 第１項記載の方法において、前記欠陥を有す
る画素が電気機械画素のアレイの一部分であり、かつ、
前記欠陥を有する画素を選択的にアドレス指定する段階
と、前記選択的にアドレス指定された画素だけに前記電
圧を加える段階とをさらに有する、前記方法。 （１９） 第１項記載の方法において、前記欠陥を有す
る画素が電気機械画素のアレイの一部分であり、かつ、
複数個の前記電気機械画素に前記欠陥を有する画素を損
傷するのに十分な電圧を加える段階をさらに有する、前
記方法。 （２０） 第１項記載の方法において、通常は偏向して
いなくかつ電気的に応答する電気機械画素のアレイの中
で、前記欠陥を有する画素が偏向されかつ電気的に応答
しなく、かつ、（イ） １気圧の空気の粘性よりも大き
な粘性を備えた気体を有する環境の中に画素の前記アレ
イを備える段階と、（ロ） 前記欠陥を有する電気機械
画素に損傷を与えるには十分の大きさであるが偏向して
いなくかつ電気的に応答する画素の少なくとも１つに損
傷を与えるには不十分の大きさである電圧のパルスの周
期的な組を印加する段階と、をさらに有する、前記方
法。
記ヒンジが損傷を受ける、前記方法。 （１７） 第１項記載の方法において、前記ビームが損
傷を受ける、前記方法。 （１８） 第１項記載の方法において、前記欠陥を有す
る画素が電気機械画素のアレイの一部分であり、かつ、
前記欠陥を有する画素を選択的にアドレス指定する段階
と、前記選択的にアドレス指定された画素だけに前記電
圧を加える段階とをさらに有する、前記方法。 （１９） 第１項記載の方法において、前記欠陥を有す
る画素が電気機械画素のアレイの一部分であり、かつ、
複数個の前記電気機械画素に前記欠陥を有する画素を損
傷するのに十分な電圧を加える段階をさらに有する、前
記方法。 （２０） 第１項記載の方法において、通常は偏向して
いなくかつ電気的に応答する電気機械画素のアレイの中
で、前記欠陥を有する画素が偏向されかつ電気的に応答
しなく、かつ、（イ） １気圧の空気の粘性よりも大き
な粘性を備えた気体を有する環境の中に画素の前記アレ
イを備える段階と、（ロ） 前記欠陥を有する電気機械
画素に損傷を与えるには十分の大きさであるが偏向して
いなくかつ電気的に応答する画素の少なくとも１つに損
傷を与えるには不十分の大きさである電圧のパルスの周
期的な組を印加する段階と、をさらに有する、前記方
法。
【００３０】（２１） ビーム３０およびヒンジ３２、
３４を備えた、欠陥を有する電気機械画素２０の効果が
軽減される、方法が開示される。これらの方法は、ヒン
ジ３２、３４またはビーム３０に損傷を与えることがで
きる。これらの方法は、過大な機械的応力、過大な熱的
応力、電気化学的反応、または、熱的に誘起された化学
反応により、前記電気機械画素２０のヒンジ３２、３４
またはビーム３０に、損傷を与えるのに十分な電圧を加
える段階を有する。
３４を備えた、欠陥を有する電気機械画素２０の効果が
軽減される、方法が開示される。これらの方法は、ヒン
ジ３２、３４またはビーム３０に損傷を与えることがで
きる。これらの方法は、過大な機械的応力、過大な熱的
応力、電気化学的反応、または、熱的に誘起された化学
反応により、前記電気機械画素２０のヒンジ３２、３４
またはビーム３０に、損傷を与えるのに十分な電圧を加
える段階を有する。
【００３１】共通に譲渡された下記の出願中特許の内容
は、本発明の中に取り込まれている。 特許番号 受付日 ＴＩケース番号 第５，０９６，２７９号 １９９０年１１月２６日 ＴＩ−１４４８１Ａ 第５，０８３，８５７号 １９９０年６月２９日 ＴＩ−１４５６８
は、本発明の中に取り込まれている。 特許番号 受付日 ＴＩケース番号 第５，０９６，２７９号 １９９０年１１月２６日 ＴＩ−１４４８１Ａ 第５，０８３，８５７号 １９９０年６月２９日 ＴＩ−１４５６８
【図１】好ましい実施例の画素の機能図であって、Ａは
立体図、Ｂは横断面正面図、Ｃは平面図。
立体図、Ｂは横断面正面図、Ｃは平面図。
【図２】好ましい実施例のミラーの偏向を示した図。
【図３】好ましい第１実施例に適用することができる欠
陥軽減電圧の図であって、これらの電圧が欠陥を有する
画素に選択的に加えられる。
陥軽減電圧の図であって、これらの電圧が欠陥を有する
画素に選択的に加えられる。
【図４】好ましい第２実施例に適用することができる欠
陥軽減電圧の図であって、これらの電圧がすべての画素
の全体に加えられる。
陥軽減電圧の図であって、これらの電圧がすべての画素
の全体に加えられる。
【図５】好ましい実施例のＤＭＤを静電写真印刷のため
に使用した概要図であって、Ａは立体図、Ｂは横断面
図、Ｃは側面図。
に使用した概要図であって、Ａは立体図、Ｂは横断面
図、Ｃは側面図。
【図６】好ましい実施例のミラーの概要図であって、Ａ
は好ましい実施例のミラーのアレイの一部分の平面図、
Ｂは主要な隠れた特徴を示した好ましい実施例のミラー
の平面図、ＣはＢに示されたのと同じ好ましい実施例の
ミラーの詳細な横断面図。
は好ましい実施例のミラーのアレイの一部分の平面図、
Ｂは主要な隠れた特徴を示した好ましい実施例のミラー
の平面図、ＣはＢに示されたのと同じ好ましい実施例の
ミラーの詳細な横断面図。
【図７】好ましい実施例のミラーの製造法を示す部分横
断面図であって、Ａ〜Ｄは製造の逐次の段階を示す部分
横断面図。
断面図であって、Ａ〜Ｄは製造の逐次の段階を示す部分
横断面図。
２０ 電気機械的画素 ３０ 偏向可能なビーム ３２、３４ ヒンジ
Claims (1)
- 【請求項１】 光を観察者の視野に送り、かつ、ビーム
およびヒンジを備えた、欠陥を有する明るい電気機械画
素の光を軽減する方法であって、前記電気機械画素に損
傷を与えるのに十分な電圧を加えて前記画素が光を前記
視野にもはや送らないようにする段階を有する、前記方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US965835 | 1992-10-23 | ||
| US07/965,835 US5289172A (en) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | Method of mitigating the effects of a defective electromechanical pixel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258586A true JPH06258586A (ja) | 1994-09-16 |
| JP3383031B2 JP3383031B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=25510569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26503993A Expired - Fee Related JP3383031B2 (ja) | 1992-10-23 | 1993-10-22 | 欠陥を有する電気機械画素の効果を軽減する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5289172A (ja) |
| EP (1) | EP0611977B1 (ja) |
| JP (1) | JP3383031B2 (ja) |
| CA (1) | CA2107753C (ja) |
| DE (1) | DE69314157T2 (ja) |
| TW (1) | TW241396B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512253A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 被制御の電極オフ状態位置を有するｍｅｍｓデバイス |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
| US5289172A (en) * | 1992-10-23 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of mitigating the effects of a defective electromechanical pixel |
| US5659374A (en) * | 1992-10-23 | 1997-08-19 | Texas Instruments Incorporated | Method of repairing defective pixels |
| US5504504A (en) * | 1994-07-13 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Method of reducing the visual impact of defects present in a spatial light modulator display |
| US5485304A (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-16 | Texas Instruments, Inc. | Support posts for micro-mechanical devices |
| US5623281A (en) * | 1994-09-30 | 1997-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Error diffusion filter for DMD display |
| US5552924A (en) * | 1994-11-14 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device having an improved beam |
| US5717513A (en) * | 1995-01-10 | 1998-02-10 | Texas Instruments Incorporated | Unsticking mirror elements of digital micromirror device |
| US5617242A (en) * | 1995-01-10 | 1997-04-01 | Texas Instruments Incorporated | Repair of digital micromirror device having white defects |
| JP3209877B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-09-17 | アルプス電気株式会社 | 光学読み取り装置 |
| US5841579A (en) | 1995-06-07 | 1998-11-24 | Silicon Light Machines | Flat diffraction grating light valve |
| JP3519853B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2004-04-19 | 富士写真フイルム株式会社 | マイクロミラー式画像形成装置及びその管理方法 |
| US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
| US6088102A (en) | 1997-10-31 | 2000-07-11 | Silicon Light Machines | Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system |
| US6271808B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-08-07 | Silicon Light Machines | Stereo head mounted display using a single display device |
| US6101036A (en) | 1998-06-23 | 2000-08-08 | Silicon Light Machines | Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display |
| US6130770A (en) | 1998-06-23 | 2000-10-10 | Silicon Light Machines | Electron gun activated grating light valve |
| US6215579B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-04-10 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image |
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
| US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6785001B2 (en) * | 2001-08-21 | 2004-08-31 | Silicon Light Machines, Inc. | Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
| US7057795B2 (en) * | 2002-08-20 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-structures with individually addressable ribbon pairs |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US7884988B2 (en) * | 2003-07-08 | 2011-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Supplemental reset pulse |
| US20060238852A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Texas Instruments Incorporated | A non-contacting electrostatically-driven mems device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096279A (en) * | 1984-08-31 | 1992-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator and method |
| JPS64933A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Display device |
| JPH02301722A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極の欠陥修正法 |
| GB9008032D0 (en) * | 1990-04-09 | 1990-06-06 | Rank Brimar Ltd | Video display systems |
| US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| JPH04116628A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置 |
| US5289172A (en) * | 1992-10-23 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of mitigating the effects of a defective electromechanical pixel |
-
1992
- 1992-10-23 US US07/965,835 patent/US5289172A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-05 CA CA002107753A patent/CA2107753C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-21 EP EP93117041A patent/EP0611977B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-21 DE DE69314157T patent/DE69314157T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-22 JP JP26503993A patent/JP3383031B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-05 US US08/148,753 patent/US5387924A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-22 TW TW083101472A patent/TW241396B/zh active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512253A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 被制御の電極オフ状態位置を有するｍｅｍｓデバイス |
| US8149076B2 (en) | 2006-12-12 | 2012-04-03 | Nxp B.V. | MEMS device with controlled electrode off-state position |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69314157D1 (de) | 1997-10-30 |
| EP0611977A1 (en) | 1994-08-24 |
| US5289172A (en) | 1994-02-22 |
| CA2107753C (en) | 2004-02-03 |
| DE69314157T2 (de) | 1998-05-14 |
| JP3383031B2 (ja) | 2003-03-04 |
| TW241396B (ja) | 1995-02-21 |
| EP0611977B1 (en) | 1997-09-24 |
| CA2107753A1 (en) | 1994-04-24 |
| US5387924A (en) | 1995-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06258586A (ja) | 欠陥を有する電気機械画素の効果を軽減する方法 | |
| US5659374A (en) | Method of repairing defective pixels | |
| US5382961A (en) | Bistable DMD addressing method | |
| US5497262A (en) | Support posts for micro-mechanical devices | |
| US5768007A (en) | Phase matched reset for digital micro-mirror device | |
| US6147790A (en) | Spring-ring micromechanical device | |
| US5172262A (en) | Spatial light modulator and method | |
| US7119940B2 (en) | Capacitively coupled micromirror | |
| US6583921B2 (en) | Micromechanical device and method for non-contacting edge-coupled operation | |
| US6285490B1 (en) | High yield spring-ring micromirror | |
| US7252395B2 (en) | MEMS device deflection stop | |
| JP3851679B2 (ja) | 空間光変調器 | |
| US6204085B1 (en) | Reduced deformation of micromechanical devices through thermal stabilization | |
| US20020093721A1 (en) | Electrostatic efficiency of micromechanical devices | |
| JPH09101467A (ja) | 空間光変調器 | |
| JPH0782155B2 (ja) | 空間光変調器及びそれを作成する方法 | |
| EP1803017B1 (en) | Micromirror having offset addressing electrode | |
| US7466476B2 (en) | Sloped cantilever beam electrode for a MEMS device | |
| JPH1068896A (ja) | マイクロ・メカニカル・デバイスのためのノン・リニア・ヒンジ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |