JPH06302859A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH06302859A JPH06302859A JP8439193A JP8439193A JPH06302859A JP H06302859 A JPH06302859 A JP H06302859A JP 8439193 A JP8439193 A JP 8439193A JP 8439193 A JP8439193 A JP 8439193A JP H06302859 A JPH06302859 A JP H06302859A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- thin film
- znse
- gaas substrate
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜（ただし、Ｘは
０．４０≦Ｘ≦０．５５）、およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y
Ｐ薄膜（ただし、Ｙは０．４０≦Ｙ≦０．５５）を順次
積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化合物半導体
からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合を有するこ
とにより、低い電圧で動作するレーザ素子または発光ダ
イオード素子を提供する。 【構成】 II-VI 族化合物半導体からなるｐｎ接合構造
またはｐ−ｉ−ｎ接合より構成される発光素子を、ｐ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜２、ｐ型Ａｌ
ＩｎＰ薄膜３、ｐ型ＺｎＳｅＴｅ薄膜、及びｐ型ＺｎＳ
ｅ薄膜４を順次積層した構造の上にII-VI 族化合物半導
体からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合より構成
される発光素子（８〜１２）を形成する。これにより価
電子帯の障壁を最大０．３ｅＶに小さくすることができ
る。
０．４０≦Ｘ≦０．５５）、およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y
Ｐ薄膜（ただし、Ｙは０．４０≦Ｙ≦０．５５）を順次
積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化合物半導体
からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合を有するこ
とにより、低い電圧で動作するレーザ素子または発光ダ
イオード素子を提供する。 【構成】 II-VI 族化合物半導体からなるｐｎ接合構造
またはｐ−ｉ−ｎ接合より構成される発光素子を、ｐ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜２、ｐ型Ａｌ
ＩｎＰ薄膜３、ｐ型ＺｎＳｅＴｅ薄膜、及びｐ型ＺｎＳ
ｅ薄膜４を順次積層した構造の上にII-VI 族化合物半導
体からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合より構成
される発光素子（８〜１２）を形成する。これにより価
電子帯の障壁を最大０．３ｅＶに小さくすることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、II-VI 族化合物半導体
を用いた青色発光ダイオード素子または紫外から黄色に
至る半導体レーザ素子において、ｐ型ＧａＡｓ基板とｐ
型II-VI 族化合物半導体界面に存在するバンド不連続を
小さくし、小さい電圧で動作する構造の発光素子を提供
するものである。
を用いた青色発光ダイオード素子または紫外から黄色に
至る半導体レーザ素子において、ｐ型ＧａＡｓ基板とｐ
型II-VI 族化合物半導体界面に存在するバンド不連続を
小さくし、小さい電圧で動作する構造の発光素子を提供
するものである。
【０００２】
【従来の技術】青色発光ダイオード素子または紫外から
黄色に至る半導体レーザ素子は、オプトエレクトロニク
スの分野でその開発が求められている。
黄色に至る半導体レーザ素子は、オプトエレクトロニク
スの分野でその開発が求められている。
【０００３】従来のｐ型ＧａＡｓ基板に作製したII-VI
族化合物半導体のレーザ素子または発光ダイオード素子
は、ｐ型ＧａＡｓ基板に直接ｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜を形成
し素子構造を作製していた（例えばH.Jeon et al. Appl
ied Physics Letters 60, 892 (1992)) 。
族化合物半導体のレーザ素子または発光ダイオード素子
は、ｐ型ＧａＡｓ基板に直接ｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜を形成
し素子構造を作製していた（例えばH.Jeon et al. Appl
ied Physics Letters 60, 892 (1992)) 。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構造では、
ｐ型ＧａＡｓとｐ型ＺｎＳｅの接合部には１．２ｅＶ以
上の障壁が価電子帯に存在し、この障壁のために正孔注
入が効率的に行えず、素子の動作電圧が高いという問題
があった。
ｐ型ＧａＡｓとｐ型ＺｎＳｅの接合部には１．２ｅＶ以
上の障壁が価電子帯に存在し、この障壁のために正孔注
入が効率的に行えず、素子の動作電圧が高いという問題
があった。
【０００５】本発明は前記従来の問題を解決するため、
低い電圧で動作する発光素子を提供することを目的とす
る。
低い電圧で動作する発光素子を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の発光素子は、ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜（ただ
し、Ｘは０．４０≦Ｘ≦０．５５）、およびｐ型ＡｌY
Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜（ただし、Ｙは０．４０≦Ｙ≦０．５
５）を順次積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化
合物半導体からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合
を有するという構成を備えたものである。
本発明の発光素子は、ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜（ただ
し、Ｘは０．４０≦Ｘ≦０．５５）、およびｐ型ＡｌY
Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜（ただし、Ｙは０．４０≦Ｙ≦０．５
５）を順次積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化
合物半導体からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合
を有するという構成を備えたものである。
【０００７】前記構成においては、ｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y
Ｐ薄膜上に、ｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ1-Z薄膜（ただし、Ｚは
０≦Ｚ≦０．２）を積層することが好ましい。また前記
構成においては、ｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜上に、ｐ型
ＺｎＳｅ1-VＴｅV 薄膜（ただし、Ｖは０．０２≦Ｖ≦
０．２０）、およびｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ 1-Z 薄膜を順次積
層することが好ましい。
Ｐ薄膜上に、ｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ1-Z薄膜（ただし、Ｚは
０≦Ｚ≦０．２）を積層することが好ましい。また前記
構成においては、ｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜上に、ｐ型
ＺｎＳｅ1-VＴｅV 薄膜（ただし、Ｖは０．０２≦Ｖ≦
０．２０）、およびｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ 1-Z 薄膜を順次積
層することが好ましい。
【０００８】
【作用】前記した本発明の構成によれば、ｐ型ＧａX Ｉ
ｎ1-X Ｐ薄膜、およびｐ型Ａｌ Y Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜を順次
積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化合物半導体
からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合を有するこ
とにより、低い電圧で動作する発光素子を実現できる。
また、ｐ型ＧａＡｓ基板とｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ1-Z薄膜の
間に、ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ（以下ＧａＩｎＰと省略す
る。）薄膜、およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ（以下ＡｌＩ
ｎＰと省略する。）薄膜、ｐ型ＺｎＳｅ1- W ＴｅW 薄膜
（ただし、Ｗは０．１０≦Ｗ≦０．４０）、およびｐ型
ＺｎＳｅ1- V ＴｅV 薄膜（ただし、Ｖは０．０２≦Ｖ≦
０．２０）を積層したことにより、低い電圧で動作する
発光素子を実現できる。
ｎ1-X Ｐ薄膜、およびｐ型Ａｌ Y Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜を順次
積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化合物半導体
からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合を有するこ
とにより、低い電圧で動作する発光素子を実現できる。
また、ｐ型ＧａＡｓ基板とｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ1-Z薄膜の
間に、ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ（以下ＧａＩｎＰと省略す
る。）薄膜、およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ（以下ＡｌＩ
ｎＰと省略する。）薄膜、ｐ型ＺｎＳｅ1- W ＴｅW 薄膜
（ただし、Ｗは０．１０≦Ｗ≦０．４０）、およびｐ型
ＺｎＳｅ1- V ＴｅV 薄膜（ただし、Ｖは０．０２≦Ｖ≦
０．２０）を積層したことにより、低い電圧で動作する
発光素子を実現できる。
【０００９】すなわち、ｐ型ＧａＡｓとｐ型II-VI 族化
合物半導体のヘテロ接合界面の価電子帯には正孔に対す
る大きな障壁が存在する。しかし、ｐ型ＧａＩｎＰ、ｐ
型ＡｌＩｎＰ、およびｐ型ＺｎＳｅ1-V ＴｅV の価電子
帯は、ＧａＡｓの価電子帯とＺｎＳZ Ｓｅ1-Z の間にあ
る。そのため、これらの材料を薄膜としてＧａＡｓ薄膜
とＺｎＳZ Ｓｅ1-Z 薄膜の間に挿入すると、価電子帯の
障壁はいくつかの小さい障壁に分割される。小さい障壁
の場合には、正孔は障壁を容易に越えることができる。
よって、小さな電圧で発光素子を動作させることができ
る。
合物半導体のヘテロ接合界面の価電子帯には正孔に対す
る大きな障壁が存在する。しかし、ｐ型ＧａＩｎＰ、ｐ
型ＡｌＩｎＰ、およびｐ型ＺｎＳｅ1-V ＴｅV の価電子
帯は、ＧａＡｓの価電子帯とＺｎＳZ Ｓｅ1-Z の間にあ
る。そのため、これらの材料を薄膜としてＧａＡｓ薄膜
とＺｎＳZ Ｓｅ1-Z 薄膜の間に挿入すると、価電子帯の
障壁はいくつかの小さい障壁に分割される。小さい障壁
の場合には、正孔は障壁を容易に越えることができる。
よって、小さな電圧で発光素子を動作させることができ
る。
【００１０】
【実施例】以下に実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。図１はｐ型ＧａＡｓ基板１上に厚み１００
ｎｍのｐ型ＧａＩｎＰ薄膜２、厚み１００ｎｍのｐ型Ａ
ｌＩｎＰ薄膜３、そして厚み７００ｎｍのｐ型ＺｎＳｅ
薄膜４を順次積層した構造の上に、厚み１μｍのｐ型Ｚ
ｎＳ0.07Ｓｅ0.93（以下ＺｎＳＳｅと省略する。）クラ
ッド層５、厚み０．３μｍのｐ型ＺｎＳｅ光導波路層
６、厚み１０ｎｍのＺｎ0.8 Ｃｄ0.2 Ｓｅ活性層７、厚
み０．３μｍのｎ型ＺｎＳｅ光導波路層８、厚み１μｍ
のｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層９、そして厚み１０ｎｍの
ｎ+ 型ＺｎＳｅコンタクト層１０から構成されたレーザ
構造を作製している。さらにストライプ部１１を金属マ
スクにより保護した後、ｎ型ＺｎＳｅ光導波路層８、ｎ
型ＺｎＳＳｅクラッド層９そしてｎ+ 型ＺｎＳｅコンタ
クト層１０に窒素イオン等をイオン注入する事によって
高抵抗化したイオン注入部１２を作製し電流がストライ
プ部１１のみに流れるようにした。ｐ型ＧａＡｓ基板１
およびｎ+ 型ＺｎＳｅコンタクト層１０にそれぞれＡｕ
−Ｚｎ合金による電極１３、Ｉｎ電極１４を取り付ける
ことにより半導体レーザ素子を得た。
に説明する。図１はｐ型ＧａＡｓ基板１上に厚み１００
ｎｍのｐ型ＧａＩｎＰ薄膜２、厚み１００ｎｍのｐ型Ａ
ｌＩｎＰ薄膜３、そして厚み７００ｎｍのｐ型ＺｎＳｅ
薄膜４を順次積層した構造の上に、厚み１μｍのｐ型Ｚ
ｎＳ0.07Ｓｅ0.93（以下ＺｎＳＳｅと省略する。）クラ
ッド層５、厚み０．３μｍのｐ型ＺｎＳｅ光導波路層
６、厚み１０ｎｍのＺｎ0.8 Ｃｄ0.2 Ｓｅ活性層７、厚
み０．３μｍのｎ型ＺｎＳｅ光導波路層８、厚み１μｍ
のｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層９、そして厚み１０ｎｍの
ｎ+ 型ＺｎＳｅコンタクト層１０から構成されたレーザ
構造を作製している。さらにストライプ部１１を金属マ
スクにより保護した後、ｎ型ＺｎＳｅ光導波路層８、ｎ
型ＺｎＳＳｅクラッド層９そしてｎ+ 型ＺｎＳｅコンタ
クト層１０に窒素イオン等をイオン注入する事によって
高抵抗化したイオン注入部１２を作製し電流がストライ
プ部１１のみに流れるようにした。ｐ型ＧａＡｓ基板１
およびｎ+ 型ＺｎＳｅコンタクト層１０にそれぞれＡｕ
−Ｚｎ合金による電極１３、Ｉｎ電極１４を取り付ける
ことにより半導体レーザ素子を得た。
【００１１】従来のII-VI 族化合物半導体のレーザ素子
または発光ダイオード素子の場合、ｐ型ＧａＡｓ基板に
直接ｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜を形成している（例えばH.Jeon
etal. Applied Physics Letters 60, 892 (1992)) 。
この場合、図２の如く価電子帯には１．３２ｅＶの障壁
が存在し、この障壁がｐ型ＧａＡｓ基板からｐ型ＺｎＳ
Ｓｅ層への効率的な正孔注入を妨げている。
または発光ダイオード素子の場合、ｐ型ＧａＡｓ基板に
直接ｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜を形成している（例えばH.Jeon
etal. Applied Physics Letters 60, 892 (1992)) 。
この場合、図２の如く価電子帯には１．３２ｅＶの障壁
が存在し、この障壁がｐ型ＧａＡｓ基板からｐ型ＺｎＳ
Ｓｅ層への効率的な正孔注入を妨げている。
【００１２】図１に示した本実施例の構造にすると、価
電子帯の障壁は図３の如くｐ型ＧａＡｓ基板１とｐ型Ｇ
ａＩｎＰ薄膜２界面で０．３０ｅＶ、ｐ型ＧａＩｎＰ薄
膜２とｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜３界面で０．２８ｅＶ、ｐ型
ＡｌＩｎＰ薄膜３とｐ型ＺｎＳｅ薄膜４界面で０．４７
ｅＶ、そして図３には示していないが、ｐ型ＺｎＳｅ薄
膜４とｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜５界面で０．０６ｅＶに分散
される。すなわち最大障壁は、ｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜３と
ｐ型ＺｎＳｅ薄膜４界面の０．４７ｅＶであり、従来の
１．３２ｅＶに比べて約１／３である。ゆえに図１に示
した本実施例の半導体レーザ素子において、レーザ発振
に必要な電圧は７７Ｋで約１２Ｖと低い値を示した。良
好な結晶性を保つために、ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜２
およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜３とＧａＡｓ基板１と
の格子不整を小さくする必要がある。したがって、前記
ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜２およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y
Ｐ薄膜３の組成ＸとＹの範囲は、０．４０≦Ｘ≦０．５
５、及び０．４０≦Ｙ≦０．５５である。さらにＺｎＳ
ｅ薄膜４はＧａＡｓと格子不整が約０．３％あるため、
膜厚は１５０ｎｍ以下にするのが好ましい。
電子帯の障壁は図３の如くｐ型ＧａＡｓ基板１とｐ型Ｇ
ａＩｎＰ薄膜２界面で０．３０ｅＶ、ｐ型ＧａＩｎＰ薄
膜２とｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜３界面で０．２８ｅＶ、ｐ型
ＡｌＩｎＰ薄膜３とｐ型ＺｎＳｅ薄膜４界面で０．４７
ｅＶ、そして図３には示していないが、ｐ型ＺｎＳｅ薄
膜４とｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜５界面で０．０６ｅＶに分散
される。すなわち最大障壁は、ｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜３と
ｐ型ＺｎＳｅ薄膜４界面の０．４７ｅＶであり、従来の
１．３２ｅＶに比べて約１／３である。ゆえに図１に示
した本実施例の半導体レーザ素子において、レーザ発振
に必要な電圧は７７Ｋで約１２Ｖと低い値を示した。良
好な結晶性を保つために、ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜２
およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜３とＧａＡｓ基板１と
の格子不整を小さくする必要がある。したがって、前記
ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜２およびｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y
Ｐ薄膜３の組成ＸとＹの範囲は、０．４０≦Ｘ≦０．５
５、及び０．４０≦Ｙ≦０．５５である。さらにＺｎＳ
ｅ薄膜４はＧａＡｓと格子不整が約０．３％あるため、
膜厚は１５０ｎｍ以下にするのが好ましい。
【００１３】さらに、ｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜３とｐ型Ｚｎ
Ｓｅ薄膜４の界面に存在する０．４７ｅＶの障壁を小さ
くするため、その間に、禁制帯幅がＡｌＩｎＰ薄膜３よ
り大きくＺｎＳｅ薄膜４より小さいｐ型ＺｎＳｅ1-V Ｔ
ｅV 薄膜のようなII-VI 族化合物半導体を挿入するとよ
り効果的である。すなわち障壁がさらに分割されるから
である。このような目的では、組成Ｚは０．０２≦Ｚ≦
０．２０の範囲が有効であった。図４は組成Ｚ＝０．０
８、厚み５０ｎｍのＺｎＳｅ1-V ＴｅV 薄膜（以下、Ｚ
ｎＳｅＴｅと略す）を用いた場合の障壁を示す。ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ薄膜３とｐ型ＺｎＳｅ薄膜４の界面に存在する
０．４７ｅＶの障壁はｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜とｐ型ＺｎＳ
ｅＴｅ薄膜の界面に存在する０．２２ｅＶの障壁とｐ型
ＺｎＳｅＴｅ薄膜とｐ型ＺｎＳｅ薄膜の界面に存在する
０．２６ｅＶの障壁に分割される。そのため最大障壁
は、ｐ型ＧａＡｓ基板１とＧａＩｎ薄膜２の界面に存在
する０．３０ｅＶとなり、従来の１．３４ｅＶに比べて
約４分の１となる。ゆえに図４に示した構造を半導体レ
ーザ素子に応用すると、素子動作に必要な電圧は７７Ｋ
で約７Ｖと低い値が得られた。ＺｎＳｅＴｅ薄膜とＺｎ
Ｓｅ薄膜との間には格子不整があるため、十分な結晶性
を得るためにはＺｎＳｅＴｅ薄膜の厚みを１００ｎｍ以
下にするのが好ましい。
Ｓｅ薄膜４の界面に存在する０．４７ｅＶの障壁を小さ
くするため、その間に、禁制帯幅がＡｌＩｎＰ薄膜３よ
り大きくＺｎＳｅ薄膜４より小さいｐ型ＺｎＳｅ1-V Ｔ
ｅV 薄膜のようなII-VI 族化合物半導体を挿入するとよ
り効果的である。すなわち障壁がさらに分割されるから
である。このような目的では、組成Ｚは０．０２≦Ｚ≦
０．２０の範囲が有効であった。図４は組成Ｚ＝０．０
８、厚み５０ｎｍのＺｎＳｅ1-V ＴｅV 薄膜（以下、Ｚ
ｎＳｅＴｅと略す）を用いた場合の障壁を示す。ｐ型Ａ
ｌＩｎＰ薄膜３とｐ型ＺｎＳｅ薄膜４の界面に存在する
０．４７ｅＶの障壁はｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜とｐ型ＺｎＳ
ｅＴｅ薄膜の界面に存在する０．２２ｅＶの障壁とｐ型
ＺｎＳｅＴｅ薄膜とｐ型ＺｎＳｅ薄膜の界面に存在する
０．２６ｅＶの障壁に分割される。そのため最大障壁
は、ｐ型ＧａＡｓ基板１とＧａＩｎ薄膜２の界面に存在
する０．３０ｅＶとなり、従来の１．３４ｅＶに比べて
約４分の１となる。ゆえに図４に示した構造を半導体レ
ーザ素子に応用すると、素子動作に必要な電圧は７７Ｋ
で約７Ｖと低い値が得られた。ＺｎＳｅＴｅ薄膜とＺｎ
Ｓｅ薄膜との間には格子不整があるため、十分な結晶性
を得るためにはＺｎＳｅＴｅ薄膜の厚みを１００ｎｍ以
下にするのが好ましい。
【００１４】また、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜２およびｐ型Ａ
ｌＩｎＰ薄膜３およびｐ型ＺｎＣｄＳｅＴｅ薄膜の正孔
濃度は高いほど望ましいが、正孔濃度が１×１０16ｃｍ
-3程度においても障壁低減の効果は得られる。
ｌＩｎＰ薄膜３およびｐ型ＺｎＣｄＳｅＴｅ薄膜の正孔
濃度は高いほど望ましいが、正孔濃度が１×１０16ｃｍ
-3程度においても障壁低減の効果は得られる。
【００１５】また本実施例では、ｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ1-Z
薄膜の組成Ｚを０．０７としたが、これは本実施例にお
けるレーザ構造の成長温度が３２５℃であり、その温度
においてＺｎＳＳｅ薄膜５がＧａＡｓ基板１と格子整合
するように組成Ｚを選んでいる。したがって成長温度が
高くなると組成Ｙは大きくなる。実用的には０≦Ｚ≦
０．２の範囲にすることが好ましい。
薄膜の組成Ｚを０．０７としたが、これは本実施例にお
けるレーザ構造の成長温度が３２５℃であり、その温度
においてＺｎＳＳｅ薄膜５がＧａＡｓ基板１と格子整合
するように組成Ｚを選んでいる。したがって成長温度が
高くなると組成Ｙは大きくなる。実用的には０≦Ｚ≦
０．２の範囲にすることが好ましい。
【００１６】また、本実施例ではｐ型ＧａＡｓからｐ型
ＺｎＳＳｅ薄膜への障壁を小さくする構造を説明した
が、半導体材料はｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜に限らずｐ型Ｚｎ
A Ｃａ 1-A ＳB Ｓｅ1-B 薄膜（ただし、０．７０≦Ａ≦
０．８５、０．２０≦Ｂ≦０．４０）、ｐ型ＺｎC Ｍｇ
1-C ＳE Ｓｅ1-E 薄膜（ただし、０．７０≦Ｃ≦０．９
０、０．１５≦Ｅ≦０．３５）、またはｐ型ＺｎF Ｍｎ
1-F ＳG Ｓｅ1-G 薄膜（ただし、０．６５≦Ｆ≦０．８
５、０．１３≦Ｇ≦０．４３）などにおいても有効であ
る。
ＺｎＳＳｅ薄膜への障壁を小さくする構造を説明した
が、半導体材料はｐ型ＺｎＳＳｅ薄膜に限らずｐ型Ｚｎ
A Ｃａ 1-A ＳB Ｓｅ1-B 薄膜（ただし、０．７０≦Ａ≦
０．８５、０．２０≦Ｂ≦０．４０）、ｐ型ＺｎC Ｍｇ
1-C ＳE Ｓｅ1-E 薄膜（ただし、０．７０≦Ｃ≦０．９
０、０．１５≦Ｅ≦０．３５）、またはｐ型ＺｎF Ｍｎ
1-F ＳG Ｓｅ1-G 薄膜（ただし、０．６５≦Ｆ≦０．８
５、０．１３≦Ｇ≦０．４３）などにおいても有効であ
る。
【００１７】また実施例では半導体レーザの場合を説明
したが、II-VI 族化合物半導体を用いた発光ダイオード
素子においても有効である。
したが、II-VI 族化合物半導体を用いた発光ダイオード
素子においても有効である。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明はｐ型ＧａＡｓと
ｐ型II-VI 族化合物半導体の接合部に存在する障壁を小
さくし、低い電圧で動作する発光素子を提供することが
できた。
ｐ型II-VI 族化合物半導体の接合部に存在する障壁を小
さくし、低い電圧で動作する発光素子を提供することが
できた。
【図１】本発明の一実施例の半導体レーザの構造断面図
である。
である。
【図２】従来の構造におけるバンド図である。
【図３】本発明の一実施例の構造におけるバンド図であ
る。
る。
【図４】本発明の一実施例の構造におけるバンド図であ
る。
る。
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜 ３ ｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜 ４ ｐ型ＺｎＳｅ薄膜 ５ ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ６ ｐ型ＺｎＳｅ光導波路層 ７ Ｚｎ0.8 Ｃｄ0.2 Ｓｅ活性層 ８ ｎ型ＺｎＳｅ光導波路層 ９ ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 １０ ｎ+ 型ＺｎＳｅコンタクト層 １１ ストライプ部 １２ イオン注入部 １３ Ａｕ−Ｚｎ電極 １４ Ｉｎ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三露 恒男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐ型ＧａX Ｉｎ1-X Ｐ薄膜（ただし、Ｘ
は０．４０≦Ｘ≦０．５５）、およびｐ型ＡｌY Ｉｎ
1-Y Ｐ薄膜（ただし、Ｙは０．４０≦Ｙ≦０．５５）を
順次積層したｐ型ＧａＡｓ基板上に、II-VI 族化合物半
導体からなるｐｎ接合構造またはｐ−ｉ−ｎ接合を構成
した発光素子。 - 【請求項２】 ｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜上に、ｐ型Ｚ
ｎＳZ Ｓｅ1-Z 薄膜（ただし、Ｚは０≦Ｚ≦０．２）を
積層した請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項３】 ｐ型ＡｌY Ｉｎ1-Y Ｐ薄膜上に、ｐ型Ｚ
ｎＳｅ1-V ＴｅV 薄膜（ただし、Ｖは０．０２≦Ｖ≦
０．２０）、およびｐ型ＺｎＳZ Ｓｅ1-Z 薄膜を順次積
層した請求項１に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8439193A JPH06302859A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8439193A JPH06302859A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302859A true JPH06302859A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13829270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8439193A Pending JPH06302859A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072202A (en) * | 1996-09-26 | 2000-06-06 | Nec Corporation | II-VI compound semiconductor device with III-V buffer layer |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP8439193A patent/JPH06302859A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072202A (en) * | 1996-09-26 | 2000-06-06 | Nec Corporation | II-VI compound semiconductor device with III-V buffer layer |
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