JPH06302214A - 誘電体磁器 - Google Patents

誘電体磁器

Info

Publication number
JPH06302214A
JPH06302214A JP5091246A JP9124693A JPH06302214A JP H06302214 A JPH06302214 A JP H06302214A JP 5091246 A JP5091246 A JP 5091246A JP 9124693 A JP9124693 A JP 9124693A JP H06302214 A JPH06302214 A JP H06302214A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
parts
dielectric
less
dielectric loss
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5091246A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Fujioka
芳博 藤岡
Nobuyoshi Fujikawa
信儀 藤川
Yasushi Yamaguchi
泰史 山口
Kiyohiro Sakasegawa
清浩 逆瀬川
Hiroshi Kojima
博史 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP5091246A priority Critical patent/JPH06302214A/ja
Publication of JPH06302214A publication Critical patent/JPH06302214A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】誘電率が2500以上で、静電容量の温度変化
率かEIA規格のX7Rを満たし、誘電損失が1.2%
以下と小さく、交流電圧を2000V/cm印加した時
でも、誘電損失が3.0%以下と電圧依存性が小さい薄
層可能な誘電体磁器を提供する。 【構成】BaTiO3 100重量部に対して、ランタン
化合物がLa2 3 換算で0.2〜1.0重量部、酸化
亜鉛が0.3〜1.2重量部、酸化ニオブが1.0〜
2.5重量部含有し、焼結体の平均粒径dが0.1μm
<d<1.0μmである誘電体磁器。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チタン酸バリウムBa
TiO3 を主成分とし、ランタン化合物,酸化亜鉛,酸
化ニオブを含有する誘電体磁器に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、誘電体磁器組成物は、積層セラミッ
クコンデンサ等の材料として使用されている。このよう
な積層セラミックコンデンサは内部電極が形成された誘
電体磁器組成物の生シートを所定容量になるように複数
枚数積層した後、一体的に焼成して構成されている。例
えば、X7R(EIA規格:温度特性が−55℃〜12
5℃において±15%以内)の積層セラミックコンデン
サに使用される誘電体磁器組成物は、+25℃における
比誘電率が2500以上と高く、かつ、一枚当たりの生
シートの厚みが15μm以下であって、焼成温度が例え
ば1300℃以下であることが重要となってくる。
【0003】即ち、25℃における比誘電率が2500
以上であって、生シートの厚みを15μm以下にするこ
とにより、内部電極間の生シートの厚みや対向面積の極
小化が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化
が達成できる。また、焼成温度を1300℃以下にする
ことにより、内部電極の材料の選択幅が増え、例えば、
高価なPd100%の材料から安価なPd−Agの使用
が可能となる。尚、上記に加え、誘電体磁器組成物とし
ての諸特性である誘電損失tanδ、絶縁抵抗を充分に
考慮しなくてはならず、さらに、誘電損失の交流電圧依
存性が小さいことが望まれる。
【0004】従来、誘電率を向上させたものとして、チ
タン酸バリウム,酸化ニオブ,酸化亜鉛を含む誘電体磁
器組成物がすでに提案されている(特開昭59−181
62号公報、特開昭59−18159号公報等参照)。
このような誘電体磁器組成物によれば、比誘電率を20
00〜3000とすることができる。しかしながら、上
述の誘電体磁器組成物は高い比誘電率を得ることができ
ても、誘電損失tanδが大きいため、生シートを薄く
することができず、結局、積層コンデンサに使用した場
合、高い比誘電率が得られる効果が充分に現れなかっ
た。
【0005】一方、上記誘電体磁器組成物とは別に、本
発明者等は、チタン酸バリウム、ランタン化合物、酸化
亜鉛、酸化ニオブを添加して得られる磁器組成物を提案
(特開平4−8935号公報)したが、この誘電体磁器
は、X7Rにおいて、25℃における比誘電率が高く、
かつ、焼成温度が比較的低く、さらには誘電損失に優れ
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
したいずれの誘電体磁器でも、誘電損失の交流電圧依存
性が大きくなり、誘電体の薄層化に対応することができ
なくなることが考えられ、この場合には、コンデンサの
小型化、大容量化に対応できないという問題があった。
【0007】
【問題を解決するための手段】本発明者等は上記問題点
に鑑みて鋭意検討した結果、チタン酸バリウムBaTi
3 を主成分とし、ランタン化合物、酸化亜鉛、酸化ニ
オブを含有するもので焼結体の平均結晶粒径dを0.1
μm<d<1.0μmとすることにより、比誘電率が2
500以上で、静電容量の温度変化率がEIA規格のX
7Rを満たし、誘電損失が1.2%以下と小さく、交流
電圧を2000V/cm印加した時でも誘電損失が3.
0%以下と交流電圧依存性が小さく、薄層化が可能な誘
電体磁器を得ることができることを見出し、本発明に至
った。
【0008】即ち、本発明の誘電体磁器は、BaTiO
3 100重量部に対して、ランタン化合物がLa2 3
換算で0.2〜1.0重量部、酸化亜鉛が0.3〜1.
2重量部、酸化ニオブが1.0〜2.5重量部含有し、
焼結体の平均結晶粒径dが0.1μm<d<1.0μm
である。
【0009】本発明において、BaTiO3 100重量
部に対して、ランタン化合物をLa2 3 換算で0.2
〜1.0重量部としたのは、0.2重量部未満では、比
誘電率が2000以下と大きく低下してしまい、また、
1.0重量部を越えると誘電損失が大きくなり、温度特
性が大きく劣化してしまうからである。また、酸化亜鉛
を0.3〜1.2重量部としたのは、0.3重量部未満
では、比誘電率が2400以下になり、絶縁抵抗が大き
く低下してしまい、1.2重量部を越えると、絶縁抵抗
が低下し、温度特性が大きく劣化してしまうからであ
る。さらに、酸化ニオブを1.0〜2.5重量部とした
のは、酸化ニオブが1.0重量部未満では、誘電損失が
大きく悪化し、さらに温度特性が劣化するからであり、
2.5重量部を越えると比誘電率が低下するからであ
る。
【0010】そして、焼結体の平均結晶粒径dを0.1
μm<d<1.0μmとしたのは、平均結晶粒径dが
0.1μm以下であると比誘電率が2000以下と大き
く低下し、また1.0μm以上であると焼結状態が悪く
なり多くのボイドが残留し、誘電損失の交流電圧依存性
が悪化し、2000V/cmで3%を越えるからである。
【0011】本発明では、特に、焼結体の平均結晶粒径
dを0.2μm<d<0.7μmとすることが望まし
い。
【0012】本発明の誘電体磁器は、例えば、ゾルゲル
法,しゅう酸法,水熱合成法により生成された平均結晶
粒径1.0μm以下のチタン酸バリウム粉末を主成分と
して、このチタン酸バリウム100重量部に対して、ラ
ンタン化合物としてLa2 3 、酸化亜鉛(ZnO)、
酸化ニオブ(Nb2 5 )の各粉末を所定量秤量し、ボ
ールミル等にて20〜48時間湿式粉砕し、乾燥後、所
定量のPVA(ポリビニルアルコール)等のバインダー
を所定量添加して造粒し、これを所定形状に成形し、こ
れを大気中において1200℃〜1300℃で1〜2時
間焼成することにより製造される。
【0013】焼結体の平均結晶粒径dを0.1μm<d
<1.0μmに制御するには、出発原料として平均結晶
粒径1.0μm以下のチタン酸バリウム粉末を用いた
り、長時間湿式粉砕して粉砕後の粒径を0.8μm以下
に管理したり、焼成温度をなるべく低く設定し焼成時間
も短時間とする必要がある。
【0014】
【作用】本発明の誘電体磁器では、温度特性が−55℃
〜125℃の範囲において±15%以内で、+25℃に
おける比誘電率が2500以上となり、グリーンシート
の厚みが15μmであっても、誘電損失が1.2%以下
と小さく、交流電圧2000V/cmにおける誘電損失が
3%以下と小さい値を示すことができる。このため、小
型で大容量の積層コンデンサーを得ることができる。ま
た、焼成温度が1300℃以下となるため工業的にも製
造しやすく、かつ、内部電極に安価な銀−パラジウム
(Ag−Pd:Ag/Pd=20/80〜40/60)
を使用した積層コンデンサなどに使用できる誘電体磁器
が達成される。さらに、誘電体磁器として基本的な特性
である誘電損失が1.2%以下、絶縁抵抗(IR)が2
×104 MΩ以上と充分に満足できる誘電体磁器が達成
される。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【0016】ゾルゲル法により生成された平均粒径1.
0μm以下のチタン酸バリウム粉末を主成分として、こ
のチタン酸バリウム100重量部に対して、ランタン化
合物としてLa2 3 、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオ
ブ(Nb2 5 )の各粉末を表1に示すように秤量し、
ボールミルにて20〜48時間湿式粉砕して粉砕後の粒
径が0.1〜0.8μmで異なる粒径の粉末を得た。こ
の粉末を乾燥後、2重量%のPVA(ポリビニルアルコ
ール)水溶液を10体積%添加して造粒し、直径12m
m、厚さ0.5mmの円板に2ton/cm2 の圧力で
成形し、これを1250℃〜1300℃で2時間焼成し
た。得られた磁器に銀電極を焼き付けて測定試料を得
た。焼結体の平均粒径は、走査型電子顕微鏡にて焼結体
表面を15000倍で観察し、ラインインターセプト法
にて500以上の粒子を測定し算出した。さらに、周波
数1kHzで2000Vrms/cmの電圧を印加した
時の誘電損失を測定した。以上の結果を表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】本発明の範囲内の誘電体磁器はいずれも比
誘電率が2500以上と大きく、しかもEIA規格のX
7R特性(−55℃〜125℃の温度範囲で容量変化率
が±15%以内)を満足する。さらに、誘電損失tan
δが1.2%以下と小さく、交流電圧2000Vrms
/cm下でも3.0%以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗(IR)は104 MΩ以上を有する。
【0019】表において、試料番号1〜5は誘電体磁器
組成物の主成分となるBaTiO3に添加するLa2
3 の添加量を0.1〜1.1重量部まで値を夫々変化さ
せた。この時、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化ニオブ(N
2 5 )の添加量を0.6重量部及び1.6重量部に
した。
【0020】試料番号1(La2 3 の添加量:0.1
重量部)では、比誘電率εが1900と低く、また誘電
損失tanσが2.0%となってしまう。更に、温度特
性が+23%と悪化してしまう。また、試料番号2〜4
(La2 3 の添加量:0.2〜1.0重量%)では、
比誘電率εが2900〜3400となり、誘電損失ta
nσが1.0%以下であり、温度特性が±12%以内に
なり、交流電圧2000V/cm印加時のtanσが
2.8%以下で、絶縁抵抗(IR)も3×105MΩと
良品の範囲となる。即ち、比誘電率εが高く、温度特性
に優れ、誘電損失tanσが小さく、さらに誘電損失の
交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成される。更
に、試料番号5(La2 3 の添加量:1.1重量部)
では、比誘電率εが3700と良品の範囲となるもの
の、誘電損失tanσが2.8%となり、温度特性が悪
化してしまう。従って、本発明においてはチタン酸バル
ウムBaTiO3 に添加するLa2 3 の重量は、チタ
ン酸バルウムBaTiO3 100重量部に対して、0.
2〜1.0重量部の範囲とした。
【0021】試料番号6〜11は主成分となるBaTi
3 に添加する酸化亜鉛(ZnO)の添加量を0.2〜
1.3重量部まで値を夫々変化させた。この時、La2
3及び酸化ニオブ(Nb2 5 )の添加量を0.6重
量部及び1.6,2.1重量部にした。
【0022】試料番号6(ZnOの添加量:0.2重量
部)では、比誘電率εが2400と低く、また誘電損失
tanσ及び絶縁抵抗も良好な結果が得られない。ま
た、試料番号7〜10(ZnOの添加量:0.3〜1.
2重量部)では、比誘電率εが2500〜3300とな
り、温度特性が±12%以内となり、誘電損失tanσ
が1.1%以下、絶縁抵抗が2×104 MΩ以上とな
り、交流電圧2000V/cm印加時のtanσが2.
7%以下であり、比誘電率εが高い値で、良好な温度特
性が得られ、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さ
く、且つ低温焼成が可能な組成物が達成される。更に、
試料番号11(ZnOの添加量:1.3重量%)では、
比誘電率εが6500と極めて高いものの、温度特性、
絶縁抵抗が大きく悪化してしまう。従って、本発明にお
いてはBaTiO3 に添加するZnOの重量はBaTi
3 100重量部に対して、0.3〜1.2重量部の範
囲とした。
【0023】次に、試料番号12〜17は主成分となる
BaTiO3 に添加する酸化ニオブ(Nb2 5 )の添
加量を0.9〜2.6重量部まで値を夫々変化させた。
この時、La2 3 及びZnOの添加量を0.6重量部
及び0.3〜1.1重量部にした。
【0024】試料番号12(Nb2 5 の添加量:0.
9重量%)では、比誘電率εが4200となるものの、
温度特性が悪く、誘電損失tanσが3.0%と極めて
大きく、特性も悪化する。これにより、誘電体層の薄膜
化が困難となる。
【0025】また、試料番号13〜16(Nb2 5
添加量:1.0〜2.5重量部)では、比誘電率εが2
500〜3600となり、温度特性が±13%以下とな
る。
【0026】更に誘電損失tanσが1.2%以下とな
り、絶縁抵抗が7×104 MΩ以上となり、交流電圧2
000V/cm印加時のtanσが2.9%以下であ
る。更に、試料番号17(Nb2 5 の添加量:2.6
重量部)では、交流電圧2000V/cm印加時のta
nσが2.9%となるものの、比誘電率εが2100と
低下してしまう。従って、本発明においてはBaTiO
3 に添加するNb2 5 の重量は、BaTiO3 100
重量部に対して、1.0〜2.5重量部の範囲とした。
【0027】最後に、添加するLa2 3 、ZnO、N
2 5 の添加量が全て範囲に満たない、即ち0.1、
0.2及び0.9重量%の場合(試料番号18)、焼結
が不可能な誘電体磁器組成物となってしまう。
【0028】逆に添加するLa2 3 、ZnO、Nb2
5 の添加量が全て範囲を越える、即ち1.1、1.
3、及び2.6重量部の場合(試料番号19)、比誘電
率εが1800となり、また誘電損失tanσが1.4
%となってしまう。
【0029】尚、比較例として、試料No.24に固相法
により形成された粒径2μmのチタン酸バリウムを使用
し、1350℃で2時間焼成した例を示す。この場合に
は、焼結体の平均結晶粒径が2.2μmとなり、交流電
圧2000V/cm印加時のtanσが7.5%とかな
り大きくなることが判る。
【0030】以上のように、ゾルゲル法により生成され
たチタン酸バリウム、ランタン化合物、酸化亜鉛、酸化
ニオブを含み、BaTiO3 100重量部に対して、ラ
ンタン化合物がLa2 3 換算で0.2〜1.0重量
%、酸化亜鉛(ZnO)が0.3〜1.2重量%、酸化
ニオブ(Nb2 5 )が1.0〜2.5重量%含有して
なり、平均結晶粒径dが0.1μm<d<1.0μmで
ある誘電体磁器によれば、−55℃〜125℃における
容量の温度変化率が±15%以内となり、焼成温度が1
250〜1300℃と比較的低く、更には誘電体損失t
anσが1.2%以下となり、さらに交流電圧2000
V/cm印加時においてもtanσが3%以下であるた
め、同一容量の誘電体磁器を得るに際して生シートを1
5μm以下と薄くすることができる。このため、温度特
性に優れ、小型・大容量の積層セラミックコンデンサが
可能となる。更に、焼成温度が1250〜1300℃と
比較的低くなるため、内部電極材料として、高価なバラ
ジウムを100%含有したものからAgを20〜40%
含有した安価な内部電極材料が使用でき、これにより、
安価な積層コンデンサが達成できる。
【0031】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、チタン
酸バリウム、ランタン化合物、酸化亜鉛、酸化ニオブを
含み、チタン酸バルウム100重量部に対して、ランタ
ン化合物がLa2 3 換算で0.2〜1.0重量%、酸
化亜鉛(ZnO)が0.3〜1.2重量%、酸化ニオブ
(Nb2 5 )が1.0〜2.5重量%含有し、平均結
晶粒径dが0.1μm<d<1.0μmであるため、X
7R特性を満足し、比誘電率εが2500以上で、且つ
焼成温度が1300℃以下となる。またその他の諸特性
として、誘電損失tanσが1.2%以下、絶縁抵抗
(IR)が2×104 MΩ以上、交流電圧2000V/
cm印加時のtanσが3%以下の誘電体磁器を得るこ
とができる。
【0032】これにより、例えば積層セラミックコンデ
ンサを上述の誘電体磁器組成物で構成した場合、温度特
性に優れた小型・大容量のコンデンサが達成でき、焼成
温度が1300℃以下となり、積層されたシート間に内
部電極として、安価な銀−パラジウムを使用することも
可能で、安価な積層セラミックコンデンサを得ることが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 逆瀬川 清浩 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 小島 博史 鹿児島県国分市山下町1番1号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】BaTiO3 100重量部に対して、ラン
    タン化合物をLa2 3 換算で0.2〜1.0重量部、
    酸化亜鉛を0.3〜1.2重量部、酸化ニオブを1.0
    〜2.5重量部含有し、焼結体の平均結晶粒径dが0.
    1μm<d<1.0μmであることを特徴とする誘電体
    磁器。
JP5091246A 1993-04-19 1993-04-19 誘電体磁器 Pending JPH06302214A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5091246A JPH06302214A (ja) 1993-04-19 1993-04-19 誘電体磁器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5091246A JPH06302214A (ja) 1993-04-19 1993-04-19 誘電体磁器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06302214A true JPH06302214A (ja) 1994-10-28

Family

ID=14021069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5091246A Pending JPH06302214A (ja) 1993-04-19 1993-04-19 誘電体磁器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06302214A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009534281A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス、その製造方法および使用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009534281A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス、その製造方法および使用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0865052A2 (en) High dielectric-constant ceramic composition, and its fabrication process
JP3250923B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH05213669A (ja) 誘電性磁器組成物
JPH06302214A (ja) 誘電体磁器
JP3250917B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2902925B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3064518B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2821768B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP3228649B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3250927B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2958826B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2513527B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3401145B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2621823B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH08208327A (ja) 誘電体磁器組成物
JP3064519B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0987014A (ja) 高誘電率磁器組成物の製造方法
JPS5849661A (ja) 高誘電率磁器組成物
JP2508373B2 (ja) 誘電体磁器組成物および誘電体磁器の製造方法
JPH0536308A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH08129910A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH08259322A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0845343A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0971456A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH05213668A (ja) 新規な誘電体磁器組成物