JPH06291166A - Film carrier and inner lead bonding equipment - Google Patents

Film carrier and inner lead bonding equipment

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Publication number
JPH06291166A
JPH06291166A JP7982393A JP7982393A JPH06291166A JP H06291166 A JPH06291166 A JP H06291166A JP 7982393 A JP7982393 A JP 7982393A JP 7982393 A JP7982393 A JP 7982393A JP H06291166 A JPH06291166 A JP H06291166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner lead
bonding
film carrier
semiconductor element
tip
Prior art date
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Pending
Application number
JP7982393A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichiro Atsumi
幸一郎 渥美
Noriyasu Kashima
規安 加島
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7982393A priority Critical patent/JPH06291166A/en
Publication of JPH06291166A publication Critical patent/JPH06291166A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide a film carrier and an inner lead bonding equipment capable of performing better and high-accuracy inner lead bonding. CONSTITUTION:This equipment comprises a lower die 10 and an upper die 11 for press-forming the tip portions of a plurality of inner lead 2,... projected to the inside of a device hall 1b of a film carrier, a bonding stage 4 for holding a semiconductor element 3 and bonding stage 4 for bringing an electrode 3a of the semiconductor 3 into contact with a tip portion formed to a gull wing of an inner lead 2' and a bonding tool 5 for bonding the tip of the inner lead 2' to the electrode 3a of the semiconductor element 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、フィルムキャリアお
よび、このフィルムキャリアに設けられたインナ−リ−
ドと半導体素子の電極パッドとを加熱加圧により接合す
るボンディング装置とに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier and an inner reel provided on the film carrier.
The present invention relates to a bonding device for bonding a pad and a semiconductor element electrode pad by heating and pressing.

【0002】[0002]

【従来の技術】TAB(Tape Automated Bonding)の技
術を利用した半導体装置の製造工程においては、可撓性
のフィルムキャリアに半導体素子をインナ−リ−ドボン
ディングする工程がある。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device using the TAB (Tape Automated Bonding) technique, there is a process of inner-lead bonding a semiconductor element to a flexible film carrier.

【0003】このインナ−リ−ドボンディングを行う装
置(インナ−リ−ドボンディング装置)は、図2(a)
に示すような構成を有する。
An apparatus for performing this inner lead bonding (inner lead bonding apparatus) is shown in FIG.
It has a configuration as shown in.

【0004】同図中1はフィルムキャリアである。この
フィルムキャリア1は、可撓性シネフィルム状のキャリ
アテ−プ1aと、このキャリアテ−プ1aの長手方向に
沿って所定間隔で形成されたデバイスホ−ル1bと、上
記キャリアテ−プの表面に形成されると共にこのデバイ
スホ−ル1bの開口部内に延伸された複数本のインナ−
リ−ド2…とからなる。
In the figure, reference numeral 1 is a film carrier. The film carrier 1 includes a carrier film 1a in the form of a flexible cine film, device holes 1b formed at predetermined intervals in the longitudinal direction of the carrier tape 1a, and the above carrier tape. A plurality of inner members formed on the surface and extended into the opening of the device hole 1b.
It consists of Lead 2 ...

【0005】この装置は、このフィルムキャリア1を略
水平に張設し、図に矢印(イ)で示す方向に間欠的に送
り駆動する。そして、上記フィルムキャリア1の各デバ
イスホ−ル1bを図にAで示すボンディング位置に順次
停止させる。
In this apparatus, the film carrier 1 is stretched substantially horizontally and is intermittently fed and driven in a direction indicated by an arrow (a) in the figure. Then, the device holes 1b of the film carrier 1 are sequentially stopped at the bonding positions shown by A in the figure.

【0006】このボンディング位置Aには、上記フィル
ムキャリア1を挟んで、下側に半導体素子3を保持する
ボンディングステ−ジ4が、上側に上記フィルムキャリ
ア1のインナ−リ−ド2を上記半導体素子3の電極3a
に接合するボンディングツ−ル5がそれぞれ設けられて
いる。
At the bonding position A, a bonding stage 4 for holding the semiconductor element 3 is sandwiched between the film carrier 1 and an inner lead 2 of the film carrier 1 is mounted on the upper side of the semiconductor carrier. Electrode 3a of element 3
There are provided bonding tools 5 for joining to each.

【0007】上記ボンディングステ−ジ4は、上面に上
記半導体素子3を保持し、この半導体素子3に形成され
た各電極3a…を上記インナ−リ−ド2…の下面に所定
寸法離間させて対向させる。
The bonding stage 4 holds the semiconductor element 3 on its upper surface and separates the electrodes 3a formed on the semiconductor element 3 from the lower surface of the inner lead 2 by a predetermined distance. Face each other.

【0008】また、上記ボンディングツ−ル5は、上記
フィルムキャリア1の一つのデバイスホ−ル1b内に延
伸された全てのインナ−リ−ド2…を上記半導体素子3
の各電極3aに一括的に加圧することができる大きさの
加圧面を有する。
The bonding tool 5 has all the inner leads 2 ... Extended in one device hole 1b of the film carrier 1 and the semiconductor element 3
Each electrode 3a has a pressing surface of a size capable of being collectively pressed.

【0009】また、このボンディングツ−ル5内には、
ヒ−タ6が埋設され、このボンディングツ−ル5を所定
の温度に加熱し保温するようになっている。
In addition, in the bonding tool 5,
A heater 6 is embedded and the bonding tool 5 is heated to a predetermined temperature and kept warm.

【0010】この装置は、上記デバイスホ−ル1b及び
インナ−リ−ド2が上記ボンディング位置Aに停止され
たならば、上記ボンディングツ−ル5を下降駆動する。
このボンディングツ−ル5は、同図(b)に示すよう
に、上記インナ−リ−ド2を下側に変形させつつ下降
し、最終的には、同図(c)に示すように、このインナ
−リ−ド2を下方に変形させた状態で、このインナ−リ
−ド2と上記電極3aとを加圧し加熱して互いに接合
(インナ−リ−ドボンディング)する。
This apparatus drives the bonding tool 5 downward when the device hole 1b and the inner lead 2 are stopped at the bonding position A.
This bonding tool 5 descends while deforming the inner lead 2 downward, as shown in FIG. 2B, and finally, as shown in FIG. In a state in which the inner lead 2 is deformed downward, the inner lead 2 and the electrode 3a are pressed and heated to be bonded (inner lead bonding) to each other.

【0011】なお、このとき、上記フィルムキャリア1
の下面は、図に7で示す支持板によって支持されてい
る。この支持板7によって、上記インナ−リ−ド2は、
このインナ−リ−ド2の基端部を支点にして下方に変形
するようになっている。
At this time, the film carrier 1
The lower surface of is supported by a support plate shown in FIG. With this support plate 7, the inner lead 2 is
The inner lead 2 is adapted to be deformed downward with the base end portion as a fulcrum.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の装置
では、上述したように、上記半導体素子3の電極3aと
上記フィルムキャリア1のインナ−リ−ド2とを所定寸
法離間させた状態で保持し、上記インナ−リ−ド2を変
形させつつ上記電極3aに接合している。
By the way, in the conventional device, as described above, the electrode 3a of the semiconductor element 3 and the inner lead 2 of the film carrier 1 are held with a predetermined distance therebetween. Then, the inner lead 2 is deformed and joined to the electrode 3a.

【0013】これは、上記インナ−リ−ド2と上記電極
3aとをあらかじめ接触させておくと、上記インナ−リ
−ド2の基端部と上記半導体素子3とが近付くために、
図3に示すように、上記インナ−リ−ド2の長さ方向中
途部が上記半導体素子3のエッジ(ロ)に接触するおそ
れがあるからである。
This is because when the inner lead 2 and the electrode 3a are brought into contact with each other in advance, the base end portion of the inner lead 2 and the semiconductor element 3 come close to each other.
This is because, as shown in FIG. 3, the middle portion in the lengthwise direction of the inner lead 2 may come into contact with the edge (b) of the semiconductor element 3.

【0014】しかし、上記ボンディングツ−ル5を用い
てインナ−リ−ド3を変形させる場合には、以下に説明
する解決すべき課題がある。
However, when the inner lead 3 is deformed by using the bonding tool 5, there are problems to be solved as described below.

【0015】第1に、このインナ−リ−ド2の基端部の
下面は上記支持板7によって支持されているが、上記こ
のインナ−リ−ド2の先端部の下面を規制する手段はな
い。
First, the lower surface of the base end portion of the inner lead 2 is supported by the support plate 7, but means for restricting the lower surface of the tip end portion of the inner lead 2 is used. Absent.

【0016】このため、インナ−リ−ド2の先端部の変
形量がばらついたり、図4に示すように上記インナ−リ
−ド2の先端部が横方向に変形する場合がある。このよ
うな現象は、上記インナ−リ−ド2の幅が狭くなりその
強度が弱くなるほど大きく生じ、さらに上記インナ−リ
−ド2…が狭ピッチで設けられている場合には隣り合う
インナ−リ−ド2…どうしが接触しショ−トするという
問題が生じる。
Therefore, the amount of deformation of the tip portion of the inner lead 2 may vary, or the tip portion of the inner lead 2 may be deformed laterally as shown in FIG. Such a phenomenon occurs as the width of the inner leads 2 becomes narrower and the strength thereof becomes weaker. Further, when the inner leads 2 are provided at a narrow pitch, the inner leads 2 are adjacent to each other. Lead 2 ... causes a problem that they come into contact with each other and short.

【0017】第2に、上記ボンディングツ−ル5は、ま
ず上記インナ−リ−ド2に接触しこのインナ−リ−ド2
を下方に押し下げてからこのインナ−リ−ド2を上記半
導体素子3の電極3aに接合させる。
Secondly, the bonding tool 5 first comes into contact with the inner lead 2 and then the inner lead 2 is brought into contact with the inner lead 2.
Is pressed downward and then the inner lead 2 is bonded to the electrode 3a of the semiconductor element 3.

【0018】このため、上記インナ−リ−ド2を上記電
極3aに接触させるまでの間に上記インナ−リ−ド2を
介して上記フィルムキャリア1が加熱され、このフィル
ムキャリア1に熱膨張による横方向及び前後方向の伸び
が生じる場合がある。
Therefore, the film carrier 1 is heated through the inner lead 2 until the inner lead 2 is brought into contact with the electrode 3a, and the film carrier 1 is thermally expanded. Lateral and longitudinal stretching may occur.

【0019】このような場合、上述したように、上記イ
ンナ−リ−ドの先端部を規制する手段がないために成形
不良を起こし、上記インナ−リ−ド2が幅方向に位置ず
れを起こしたり、インナ−リ−ド2が弛んだりして長さ
方向中途部が上記半導体素子3のエッジに接触するとい
うことがある。
In such a case, as described above, there is no means for restricting the tip portion of the inner lead, which causes defective molding, and the inner lead 2 is displaced in the width direction. In some cases, the inner lead 2 may slacken, and the middle portion in the lengthwise direction may contact the edge of the semiconductor element 3.

【0020】このような現象も、上記インナ−リ−ド2
のピッチが狭ピッチ化する程、インナ−リ−ドボンディ
ングの精度に大きく影響するということがある。
This phenomenon also occurs in the inner lead 2 described above.
There is a case where the accuracy of the inner lead bonding is greatly affected as the pitch of No. 1 becomes narrower.

【0021】また、これらのことは、近年、多端子化狭
ピッチ化する半導体素子3を良好にインナ−リ−ドボン
ディングするのに大きな妨げになるおそれがある。
In addition, in recent years, there is a possibility that the semiconductor elements 3 having a large number of terminals and a narrow pitch may be greatly hindered from being favorably subjected to inner lead bonding.

【0022】この発明は、このような事情に鑑みて成さ
れたもので、より良好かつ高精度なインナ−リ−ドボン
ディングを行うことができるフィルムキャリアおよびイ
ンナ−リ−ドボンディング装置を提供することを目的と
するものである。
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a film carrier and an inner lead bonding apparatus capable of performing better and more accurate inner lead bonding. That is the purpose.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、可撓性のキャリアテ−プと、このキャリアテ−プに
形成されたデバイスホ−ルと、上記キャリアテ−プの表
面に形成され、上記デバイスホ−ルの開口部に延伸され
ると共に先端部が折曲された複数本のインナ−リ−ドと
を具備することを特徴とするものである。
The first means of the present invention is to provide a flexible carrier tape, a device hole formed on the carrier tape, and a surface of the carrier tape. And a plurality of inner leads that are formed and extend into the opening of the device hole and have a bent front end.

【0024】第2の手段は、キャリアテ−プの上面に形
成され、このキャリアテ−プに設けられたデバイスホ−
ルの開口部に延伸された複数本のインナ−リ−ドの先端
部と半導体素子の電極とを接続するインナ−リ−ドボン
ディング装置において、プレス金型を用いて上記インナ
−リ−ドの先端部を折曲するプレス折曲手段と、上記イ
ンナ−リ−ドの先端部と半導体素子の電極とを接続する
接合手段とを具備することを特徴とするものである。
The second means is formed on the upper surface of the carrier tape and is a device hopper provided on the carrier tape.
In an inner lead bonding apparatus for connecting the tips of a plurality of inner leads extending to the opening of the inner hole to the electrodes of the semiconductor element, a press die is used to form the inner lead. The present invention is characterized by comprising press bending means for bending the tip portion and joining means for connecting the tip portion of the inner lead and the electrode of the semiconductor element.

【0025】[0025]

【作用】このような構成によれば、フィルムキャリアに
設けられたインナ−リ−ドの先端部をあらかじめ折曲
し、このインナ−リ−ドの折曲された先端部を半導体素
子の電極に接合することで、この半導体素子をフィルム
キャリアにインナ−リ−ドボンディングすることができ
る。
With this structure, the tip of the inner lead provided on the film carrier is bent in advance, and the bent tip of the inner lead is used as the electrode of the semiconductor element. By joining, the semiconductor element can be inner-lead bonded to the film carrier.

【0026】[0026]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図1を参照して
説明する。なお、従来例と同一の構成要素には同一符号
を付してその説明は省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The same components as those of the conventional example are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0027】この装置は、上記フィルムキャリア1を図
に示すように略水平に張設する。そして、図示しない送
り駆動手段により、このフィルムキャリア1を矢印
(ハ)で示す方向に間欠的に送り駆動し、各デバイスホ
−ル1b(インナ−リ−ド2…)を図に(a)で示す位
置から(d)で示す各位置に順次停止させるようになっ
ている。
In this apparatus, the film carrier 1 is stretched substantially horizontally as shown in the figure. Then, the film carrier 1 is intermittently fed and driven in the direction shown by the arrow (c) by a feed driving means (not shown), and each device hole 1b (inner lead 2 ...) Is shown in FIG. The position shown in (d) is sequentially stopped from the position shown.

【0028】このフィルムキャリア1の送り経路中に
は、図に(b)で示すインナ−リ−ド成形位置と、
(d)で示すボンディング位置とが設けられている。
In the feed path of the film carrier 1, the inner lead molding position shown in FIG.
The bonding position shown in (d) is provided.

【0029】上記インナ−リ−ド成形位置(b)には、
このフィルムキャリア1を挟んで設けられ、図示しない
駆動手段によって互いに接離する方向に駆動される下型
10と、上型11(プレス金型)とが設けられている
(プレス折曲手段)。
At the inner lead molding position (b),
A lower die 10 and an upper die 11 (press dies) which are provided with the film carrier 1 sandwiched therebetween and are driven in a direction in which the film carrier 1 is moved toward and away from each other by a driving means (not shown) are provided (press bending means).

【0030】上記下型10は、上端面の外周縁に設けら
れ上記インナ−リ−ド2の基端部の下面を保持する保持
部10aと、上端面の中央部に凹設され、上記デバイス
ホ−ル1bの開口部に延伸されたインナ−リ−ド2の先
端部の下面を保持する凹陥部10bとを具備する。
The lower die 10 is provided at the outer peripheral edge of the upper end surface and is provided with a holding portion 10a for holding the lower surface of the base end portion of the inner lead 2 and a recessed portion at the center of the upper end surface. And a recess 10b for holding the lower surface of the tip of the inner lead 2 extended to the opening of the rule 1b.

【0031】また、上記上型11は、上記下型10の凹
陥部10b内に位置するインナ−リ−ド2の先端部を上
記凹陥部10bとの間に挟み込んでガルウイング状に成
形する加圧部11aを具備する。
The upper mold 11 is formed by sandwiching the tip of the inner lead 2 located in the concave portion 10b of the lower mold 10 between the upper mold 11 and the concave portion 10b to form a gull wing. The unit 11a is provided.

【0032】さらに、図示しないが、この装置には、上
記プレス成形前に、この上型11および下型10から突
出して上記インナ−リ−ド2を上下方向から挟持するホ
ルダが設けられている。
Further, although not shown, this apparatus is provided with a holder for projecting from the upper mold 11 and the lower mold 10 to sandwich the inner lead 2 from above and below before the press molding. .

【0033】そして、位置(a)に示す略水平なインナ
−リ−ド2…が、上記インナ−リ−ド形成位置(b)の
上型11と下型10との間に停止されたならば、まず、
このホルダによって上記インナ−リ−ド2は挟持され、
幅方向に移動できない状態で固定される。
If the substantially horizontal inner leads 2 ... Shown at the position (a) are stopped between the upper die 11 and the lower die 10 at the inner lead forming position (b). First,
The inner lead 2 is clamped by this holder,
It is fixed so that it cannot move in the width direction.

【0034】ついで、上記下型10が上昇し、上記保持
部10aで上記インナ−リ−ド2の基端部の下面を保持
すると、上記上型11が下降駆動され、上記インナ−リ
−ド2…の先端部をプレス成形によりガルウイング状に
折曲する。(以下、ガルウイング状に折曲された後のイ
ンナ−リ−ド2を符号2´で示す。)このプレス成形が
終了したならば、上記上型11と下型10はフィルムキ
ャリア1から離間する方向に駆動され、上記折曲された
インナ−リ−ド2´は、1ピッチ送り駆動され、位置
(c)に移送される。
Next, when the lower die 10 is raised and the lower surface of the base end portion of the inner lead 2 is held by the holding portion 10a, the upper die 11 is driven downward, and the inner lead is driven. The tip of 2 ... is bent into a gull wing shape by press molding. (Hereinafter, the inner lead 2 after being bent in a gull wing shape is shown by reference numeral 2 '.) When this press molding is completed, the upper mold 11 and the lower mold 10 are separated from the film carrier 1. The inner lead 2'which is driven in the direction, is bent by one pitch and is moved to the position (c).

【0035】次に、上記インナ−リ−ド2´は、位置
(c)からさらに1ピッチ送り駆動され、上記ボンディ
ング位置(d)に停止する。このボンディング位置
(d)には、上記ボンディングツ−ル5とボンディング
ステ−ジ4とが設けられている(接合手段)。
Next, the inner lead 2'is further fed one pitch from the position (c) and stopped at the bonding position (d). The bonding tool 5 and the bonding stage 4 are provided at the bonding position (d) (bonding means).

【0036】このボンディングステ−ジ4上には、図示
しない移載手段によって、半導体素子3が供給される。
上記ボンディングステ−ジ4は、この半導体素子3の各
電極3aを上記ガルウイング状に成形されたインナ−リ
−ド2´の先端部に対向位置決めした後、この半導体素
子3を上昇駆動する。このことで、この半導体素子3の
電極3aを上記インナ−リ−ド2´の先端部の下面に当
接させる。
The semiconductor element 3 is supplied onto the bonding stage 4 by transfer means (not shown).
The bonding stage 4 positions each electrode 3a of the semiconductor element 3 so as to face the tip of the inner lead 2'formed in the gull wing shape, and then drives the semiconductor element 3 upward. As a result, the electrode 3a of the semiconductor element 3 is brought into contact with the lower surface of the tip of the inner lead 2 '.

【0037】ついで、上記ボンディングツ−ル5が下降
駆動され、上記インナ−リ−ド2´の先端部を上記半導
体素子3の電極3aに加熱し加圧することで、両者を熱
圧着して接合(インナ−リ−ドボンディング)する。
Then, the bonding tool 5 is driven downward, and the tip of the inner lead 2'is heated and pressed against the electrode 3a of the semiconductor element 3 to bond them by thermocompression bonding. (Inner lead bonding).

【0038】このようにしてインナ−リ−ドボンディン
グが終了したならば、上記ボンディングツ−ル5と上記
ボンディングステ−ジ4は上記フィルムキャリア1から
離間する。ついで、フィルムキャリアは1ピッチ送り駆
動され、上記半導体素子3とインナ−リ−ド2´は位置
(e)に移送される。
When the inner lead bonding is completed in this way, the bonding tool 5 and the bonding stage 4 are separated from the film carrier 1. Then, the film carrier is driven by one pitch to move the semiconductor element 3 and the inner lead 2'to the position (e).

【0039】このことで、全ボンディング工程が終了
し、上記半導体素子3がインナ−リ−ドボンディングさ
れたフィルムキャリア1は、図示しないポッティング工
程(樹脂封止工程)に送られる。
With this, the entire bonding process is completed, and the film carrier 1 to which the semiconductor element 3 is inner-read bonded is sent to a potting process (resin sealing process) not shown.

【0040】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。
According to this structure, the following effects can be obtained.

【0041】第1に、上記インナ−リ−ド2を上記ボン
ディングツ−ル5で変形させるのではなく、あらかじ
め、上記インナ−リ−ド成形位置(b)に設けられた下
型10および上型11によってガルウイング状2´にプ
レス成形するようにした。
First, the inner lead 2 is not deformed by the bonding tool 5, but the lower die 10 and the upper die 10 provided at the inner lead molding position (b) in advance. The mold 11 was press-molded into a gull wing shape 2 '.

【0042】すなわち、専用のプレス金型を用いて上記
インナ−リ−ド2の先端部の折曲を行うようにしたか
ら、この折曲が良好に行え、このインナ−リ−ド2に横
曲り等の不良が生じることが少なくなる。
That is, since the tip portion of the inner lead 2 is bent by using a dedicated press die, this bending can be performed well, and the inner lead 2 is laterally bent. Defects such as bending are less likely to occur.

【0043】また、上記ボンディングツ−ルでインナ−
リ−ド2を変形させる従来例と異なり、このインナ−リ
−ド2を折曲する際にこのインナ−リ−ド2を加熱する
ことがない。したがって、折曲時にフィルムキャリア1
の熱膨張によるインナ−リ−ド2の位置ずれは発生しな
い。
Further, the above-mentioned bonding tool is used as an inner member.
Unlike the conventional example in which the inner lead 2 is deformed, the inner lead 2 is not heated when the inner lead 2 is bent. Therefore, at the time of bending, the film carrier 1
The inner lead 2 is not displaced due to the thermal expansion of the.

【0044】この結果、上記インナ−リ−ド2を良好に
折曲することができる効果がある。
As a result, there is an effect that the inner lead 2 can be favorably bent.

【0045】第2に、上記インナ−リ−ド2を確実にガ
ルウイング状2´にプレス成形するようにしたので、イ
ンナ−リ−ド2の成形量を安定的に制御することが可能
になり、接合時にこのインナ−リ−ド2の長さ方向中途
部に弛みが生じることが有効に防止できる。この結果、
上記インナ−リ−ド2の中途部が上記半導体素子3のエ
ッジに接触してショ−ト不良が生じることが有効に防止
できる効果がある。
Secondly, since the inner lead 2 is surely press-molded into the gull wing shape 2 ', it is possible to stably control the molding amount of the inner lead 2. Therefore, it is possible to effectively prevent looseness from occurring in the middle portion of the inner lead 2 in the length direction during joining. As a result,
It is possible to effectively prevent the short circuit of the inner lead 2 from coming into contact with the edge of the semiconductor element 3 and causing a short defect.

【0046】第3に、上記インナ−リ−ド2´の先端部
と上記半導体素子3の電極3aとをあらかじめ接触させ
ることができるので、ボンディング時には上記インナ−
リ−ド2を加熱すると同時にこのインナ−リ−ド2を上
記電極3aに押圧することができる。
Third, since the tip of the inner lead 2'and the electrode 3a of the semiconductor element 3 can be brought into contact with each other in advance, the inner layer 2'can be bonded at the time of bonding.
At the same time as heating the lead 2, the inner lead 2 can be pressed against the electrode 3a.

【0047】この結果、上記インナ−リ−ド2´を電極
3aに接触させるまでの間にこのインナ−リ−ド2´が
フィルムキャリア1の熱膨張に起因して位置ずれを生じ
るということがなくなる。したがって、より精度の高い
インナ−リ−ドボンディングを行うことができる効果が
ある。
As a result, the inner lead 2'may be displaced due to the thermal expansion of the film carrier 1 before the inner lead 2'is brought into contact with the electrode 3a. Disappear. Therefore, there is an effect that more accurate inner lead bonding can be performed.

【0048】以上のことから、この発明によれば、従来
のインナ−リ−ドボンディング装置に比べてより良好か
つ高精度なインナ−リ−ドボンディングを行うことがで
きるので、半導体素子3が多端子狭ピッチ化した場合で
も十分に対応することができる効果がある。
From the above, according to the present invention, better and more accurate inner lead bonding can be performed as compared with the conventional inner lead bonding apparatus, so that the number of semiconductor elements 3 is large. Even if the pitch of the terminals is narrowed, there is an effect that it can be sufficiently dealt with.

【0049】なお、この発明は上記一実施例に限定され
るものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変
形可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the gist of the invention.

【0050】例えば、上記一実施例では、上記フィルム
キャリア1のインナ−リ−ド2´…を一括的に上記半導
体素子3の電極3aに接合するギャングボンディング方
式であったが、上記インナ−リ−ド2´を一本づつ接合
するシングルポイント方式のインナ−リ−ドボンディン
グ(シングルポイントボンディング)であっても良い。
For example, in the above-described embodiment, the gang bonding method in which the inner leads 2 '... Of the film carrier 1 are collectively joined to the electrodes 3a of the semiconductor element 3 is used. Single-point inner lead bonding (single-point bonding) may be used in which the two leads 2'are joined one by one.

【0051】このシングルポイントボンディングでは、
従来、上記直線状に設けられたインナ−リ−ド2の先端
を上記半導体素子3の電極3aの上面に当接させてボン
ディングしていたため、前述したようなボンディングツ
−ルによるインナ−リ−ドリ−ド2の押し曲げ成形(折
曲)ができなかった。
In this single point bonding,
Conventionally, since the tip end of the linear inner lead 2 is brought into contact with the upper surface of the electrode 3a of the semiconductor element 3 for bonding, the inner lead by the bonding tool as described above is used. The push-bending forming (bending) of the dream 2 could not be performed.

【0052】したがって上記フィルムキャリア1と上記
半導体素子3の距離が近くなり、上記インナ−リ−ド2
の中途部が上記半導体素子3のエッジに接触してショ−
ト不良を生じるおそれがギャングボンディング方式の場
合に比べて大きかった。
Therefore, the distance between the film carrier 1 and the semiconductor element 3 is reduced, and the inner lead 2 is
The middle part of the semiconductor element 3 contacts the edge of the semiconductor element 3 and
There is a greater possibility that a defective soldering may occur than in the case of the gang bonding method.

【0053】しかし、この発明によれば、上記インナ−
リ−ド2´の先端部と上記半導体素子3の電極3aとを
接触させた状態でも、上記フィルムキャリア1と上記半
導体素子3の距離を所定寸法離間させることが可能にな
るので、上記ショ−ト不良が生じることを有効に防止で
きる効果がある。
However, according to the present invention, the above inner
Even when the tip portion of the lead 2'and the electrode 3a of the semiconductor element 3 are in contact with each other, the distance between the film carrier 1 and the semiconductor element 3 can be separated by a predetermined dimension, so that the distance between the film carrier 1 and the semiconductor element 3 can be increased. There is an effect that it is possible to effectively prevent the occurrence of defective printing.

【0054】また、上記一実施例では、上記長尺なるフ
ィルムキャリア1を張設し、これを間欠的に送り駆動す
ることで上記インナ−リ−ドボンディングを行っていた
が、これに限定されるものではない。
Further, in the above-mentioned embodiment, the inner lead bonding is performed by tensioning the long film carrier 1 and intermittently feeding and driving the film carrier 1. However, the present invention is not limited to this. Not something.

【0055】すなわち、上記フィルムキャリア1を一つ
のデバイスホ−ル1bごとに短冊状に切断し、これをス
ライドキャリアに収納する。そして、このスライドキャ
リアを送り駆動するさせることで、上記インナ−リ−ド
2の成形及びインナ−リ−ドボンディングを行うように
してもよい。
That is, the film carrier 1 is cut into strips for each device hole 1b, and the strips are stored in the slide carrier. Then, the inner carrier 2 may be molded and the inner lead bonding may be performed by feeding and driving the slide carrier.

【0056】このようにすれば、上記フィルムキャリア
1を巻き取ることがないので、巻き取ることで生じてい
た上記インナ−リ−ド2の変形やこのインナ−リ−ド2
と上記半導体素子3との断線などの不良を有効に低減す
ることができる効果がある。 さらに、上記一実施例
では、上記インナ−リ−ド2をガルウイング状に折曲し
ていたが、これに限定されるものではない。上記インナ
−リ−ド2の先端部をフィルムキャリア1から離れる方
向に折曲するような形状であれば他の形状であっても良
い。
In this way, since the film carrier 1 is not wound up, the deformation of the inner lead 2 and the inner lead 2 which are caused by the winding up.
With this, it is possible to effectively reduce defects such as disconnection between the semiconductor element 3 and the semiconductor element 3. Furthermore, although the inner lead 2 is bent in a gull wing shape in the above-described embodiment, the present invention is not limited to this. Other shapes may be used as long as the tip of the inner lead 2 is bent in the direction away from the film carrier 1.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上述べたように、この発明の第1の構
成は、可撓性のキャリアテ−プと、このキャリアテ−プ
に形成されたデバイスホ−ルと、上記キャリアテ−プの
表面に形成され、上記デバイスホ−ルの開口部に延伸さ
れると共に先端部が折曲された複数本のインナ−リ−ド
とを具備することを特徴とするものである。
As described above, the first structure of the present invention comprises a flexible carrier tape, a device hole formed on the carrier tape, and the above-mentioned carrier tape. It is characterized by comprising a plurality of inner leads which are formed on the surface and are extended to the opening of the device hole and whose tip is bent.

【0058】第2の構成は、キャリアテ−プの上面に形
成され、このキャリアテ−プに設けられたデバイスホ−
ルの開口部に延伸された複数本のインナ−リ−ドの先端
部と半導体素子の電極とを接続するインナ−リ−ドボン
ディング装置において、プレス金型を用いて上記インナ
−リ−ドの先端部を折曲するプレス折曲手段と、上記イ
ンナ−リ−ドの先端部と半導体素子の電極とを接続する
接合手段とを具備することを特徴とするものである。
The second structure is formed on the upper surface of the carrier tape and is a device hop provided on the carrier tape.
In an inner lead bonding apparatus for connecting the tips of a plurality of inner leads extending to the opening of the inner hole to the electrodes of the semiconductor element, a press die is used to form the inner lead. The present invention is characterized by comprising press bending means for bending the tip portion and joining means for connecting the tip portion of the inner lead and the electrode of the semiconductor element.

【0059】このような第1、第2の構成によれば、よ
り良好かつ高精度なインナ−リ−ドボンディングを行う
ことができる効果がある。
According to the first and second configurations as described above, there is an effect that better and highly accurate inner lead bonding can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】(a)〜(c)は、従来例のインナ−リ−ドボ
ンディング工程を示す工程図。
2A to 2C are process diagrams showing an inner lead bonding process of a conventional example.

【図3】同じく、インナ−リ−ドボンディングの不良状
態を拡大して示す縦断面図。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view similarly showing an enlarged state of defective inner lead bonding.

【図4】同じく、インナ−リ−ドボンディングの不良状
態を拡大して示す平面図。
FIG. 4 is an enlarged plan view showing a defective state of inner lead bonding.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…フィルムキャリア、1b…デバイスホ−ル、2…イ
ンナ−リ−ド、3…半導体素子、3a…電極、5…ボン
ディングツ−ル(接合手段)、10…下型(プレス金
型)、11…上型(プレス金型)、2´…ガルウイング
状に折曲されたインナ−リ−ド。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film carrier, 1b ... Device hole, 2 ... Inner lead, 3 ... Semiconductor element, 3a ... Electrode, 5 ... Bonding tool (joining means), 10 ... Lower die (press die), 11 ... Upper mold (press mold), 2 '... Inner lead bent in a gull wing shape.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 可撓性のキャリアテ−プと、このキャリ
アテ−プに形成されたデバイスホ−ルと、上記キャリア
テ−プの表面に形成され、上記デバイスホ−ルの開口部
に延伸されると共に先端部が折曲された複数本のインナ
−リ−ドとを具備することを特徴とするフィルムキャリ
ア。
1. A flexible carrier tape, a device hole formed on the carrier tape, a surface formed on the carrier tape, and extended to an opening of the device hole. And a plurality of inner leads each having a bent front end portion.
【請求項2】 キャリアテ−プの上面に形成され、この
キャリアテ−プに設けられたデバイスホ−ルの開口部に
延伸された複数本のインナ−リ−ドの先端部と半導体素
子の電極とを接続するインナ−リ−ドボンディング装置
において、プレス金型を用いて上記インナ−リ−ドの先
端部を折曲するプレス折曲手段と、上記インナ−リ−ド
の先端部と半導体素子の電極とを接続する接合手段とを
具備することを特徴とするインナ−リ−ドボンディング
装置。
2. A tip of a plurality of inner leads formed on the upper surface of a carrier tape and extended to an opening of a device hole provided on the carrier tape, and an electrode of a semiconductor element. In an inner lead bonding apparatus for connecting with the above, a press bending means for bending the tip of the inner lead using a press die, and a tip of the inner lead and the semiconductor element An inner lead bonding apparatus, which is provided with a joining means for connecting the electrodes of the above.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045392B2 (en) 1998-07-28 2006-05-16 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabrication thereof, semiconductor module, circuit board, and electronic equipment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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