RU2066079C1 - Method for production of semiconductor instruments - Google Patents

Method for production of semiconductor instruments Download PDF

Info

Publication number
RU2066079C1
RU2066079C1 SU914938539A SU4938539A RU2066079C1 RU 2066079 C1 RU2066079 C1 RU 2066079C1 SU 914938539 A SU914938539 A SU 914938539A SU 4938539 A SU4938539 A SU 4938539A RU 2066079 C1 RU2066079 C1 RU 2066079C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
jumpers
frame
leads
crystal
terminals
Prior art date
Application number
SU914938539A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.Л. Сандеров
М.П. Еремеев
В.Н. Царев
В.В. Морозов
Original Assignee
Сандеров Вильям Лазаревич
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сандеров Вильям Лазаревич filed Critical Сандеров Вильям Лазаревич
Priority to SU914938539A priority Critical patent/RU2066079C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2066079C1 publication Critical patent/RU2066079C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/24175—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

FIELD: microelectronics. SUBSTANCE: method involves generation of two lines of jumpers along perimeter of frame, said lines are isolated from terminals and from each other, second line contacts first line and frame. Then method involves casting press of volume which is embraced by start of first line of jumpers and corresponding size of housing, removal of all jumpers, generation of film junction and then generation of wire junction, sealing of semiconductor instrument by second casting press and removal of second line of jumpers when instrument is cut from frame. EFFECT: increased functional capabilities. 2 cl, 11 dwg

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано при изготовлении БИС, СБИС, СВЧ-приборов и других аналогичных изделий. The invention relates to microelectronics, in particular to the manufacturing technology of semiconductor devices, and can be used in the manufacture of LSI, VLSI, microwave devices and other similar products.

Известно отрубное устройство, в котором описан способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий опрессовку в корпус из смолы выводной рамки с кристаллом ИС, затем формирование соединения (пленочного) между выводами рамки и кристаллом ИС, вырубку приборов путем обрубки толкателем остатков застывшей смолы в литниках [1] Недостатком данного устройства и способа является ненадежность обрубного устройства, т.к. при вырубке толкателем остатков смолы, содержащей стеклонаполнитель, быстро тупится вырубной пуансон, в результате чего последний не обрубает, а выламывает облой, что приводит к деформации корпуса прибора, вызывая обрывы особенно при групповых методах опрессовки. Все это снижает качество приборов и соответственно снижает выход годных приборов. Known branded device, which describes a method of manufacturing semiconductor devices, including pressure testing in the housing of the resin of the lead frame with the chip of the IC, then the formation of the connection (film) between the terminals of the frame and the chip of the chip, cutting the devices by trimming the pusher with the remains of the frozen resin in the gates [1] The disadvantage of this device and method is the unreliability of the chipping device, because when the pusher cuts off the remnants of the resin containing the glass filler, the punch is quickly blunted, as a result of which the latter does not cut off, but breaks out the flap, which leads to deformation of the device body, causing breaks, especially with group crimping methods. All this reduces the quality of the devices and, accordingly, reduces the yield of suitable devices.

Известен способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий изготовление выводной рамки с двумя рядами параллельных друг другу групп выводов с расположенными перпендикулярно выводам первой группы в одной плоскости с ними группу перемычек, соединяющих между собой соседние выводы обеих групп, размещение между выводами кристаллов ИС, опрессовку рамки с кристаллом, формирование пленочного соединения между выводами и кристаллом, вырубку приборов и обслуживание выводов [2]
Недостатком известного способа является сложность конструкции выводной рамки, особенно при малых размерах интегральных микросхем, а также быстрый выход из строя (затупление) вырубного пуансона, обусловленный одновременной обрубкой полимерного облоя, имеющего толщину порядка 0,15-0,20 мм, равную толщине выводной рамки, и перемычек, что в свою очередь, приводит к деформации приборов, снижает их качество и общий выход годных.A known method of manufacturing semiconductor devices, including the manufacture of the output frame with two rows of parallel groups of terminals with perpendicular to the terminals of the first group in the same plane as a group of jumpers connecting adjacent terminals of both groups, the placement between the terminals of the IC crystals, crimping the frame with the crystal , formation of a film connection between the terminals and the crystal, cutting down devices and servicing the terminals [2]
The disadvantage of this method is the complexity of the design of the output frame, especially with the small size of the integrated circuits, as well as the rapid failure (blunting) of the die cutter due to the simultaneous cutting of the polymer coating having a thickness of the order of 0.15-0.20 mm equal to the thickness of the output frame , and jumpers, which in turn leads to deformation of the devices, reduces their quality and overall yield.

При изготовлении полупроводниковых приборов методом планарно-пленочного монтажа все указанные выше недостатки усиливаются, так как в этом процессе необходимо производить литьевое прессование дважды: в первый раз изготавливать планарные узлы, а во второй раз осуществлять общую герметизацию приборов. In the manufacture of semiconductor devices by the method of planar-film mounting, all the above disadvantages are amplified, since in this process it is necessary to perform injection molding twice: for the first time to produce planar assemblies, and for the second time to carry out general sealing of devices.

Целью изобретения является повышение качества приборов и увеличение выхода годных. The aim of the invention is to improve the quality of devices and increase yield.

Эта цель достигается тем, что способ изготовления полупроводниковых приборов включающий штамповку из металлической ленты по крайней мере одной фигурной рамки с выводами и перемычками между выводами, гибку внутренних концов выводов, закрепление кристалла, литьевое прессование пластмассовой рамки, формирование соединений между выводами рамки и контактными площадками кристалла, герметизацию, вырубку корпуса прибора из рамки, формовку и обслуживание выводов, при этом при штамповке разделяют каждую из перемычек на две неравные части и одновременно смещают перемычки из плоскости рамки, возвращают и запрессовывают все перемычки на прежнее место между выводами, после литьевого прессования удаляют все перемычки ряда, находящегося ближе к кристаллу, а остальные перемычки удаляют при вырубке корпуса из рамки, кроме того для формирования соединений между выводами рамки и контактными площадками кристалла наносят пленочные проводники, а затем над каждым пленочным проводником формируют параллельный проволочный проводник. This goal is achieved in that a method of manufacturing semiconductor devices comprising stamping from a metal tape of at least one curly frame with leads and jumpers between the leads, bending the inner ends of the leads, securing the crystal, injection molding of the plastic frame, forming joints between the terminals of the frame and the contact pads of the crystal , sealing, cutting the device case out of the frame, forming and servicing the terminals, while stamping, divide each of the jumpers into two unequal parts and one the jumpers are temporarily displaced from the plane of the frame, all the jumpers are returned and pressed into the same place between the terminals, after injection molding, all the jumpers of the row located closer to the crystal are removed, and the remaining jumpers are removed when the case is cut out of the frame, in addition, to form connections between the terminals of the frame and film conductors are applied by the contact pads of the crystal, and then a parallel wire conductor is formed above each film conductor.

На фиг. 1 представлена рамка с выводами и разделенными на две части перемычками между ними, на фиг. 2 способ изготовления полупроводникового прибора с использованием процессов планарно-пленочного монтажа. In FIG. 1 shows a frame with conclusions and divided into two parts by jumpers between them, in FIG. 2 method of manufacturing a semiconductor device using processes of planar-film mounting.

Рамка 1 (см. фиг. 1) содержит выводы 2 и расположенные между выводами 2 перемычки 3 (первый ряд), расположенные ближе к кристаллу и второй ряд перемычек 4, контактирующий с перемычками 3. Frame 1 (see Fig. 1) contains leads 2 and jumpers 3 located between leads 2 (first row) located closer to the crystal and the second row of jumpers 4 in contact with jumpers 3.

Способ изготовления полупроводникового прибора в микрокорпусе с использованием процессов планарно-пленочного монтажа см. фиг. 2-11. A method of manufacturing a semiconductor device in a micro-case using processes of planar-film mounting, see FIG. 2-11.

Из металлической ленты вырубают рамку 1 с выводами 2 (фиг. 2), а перемычки расположенные между выводами 2, разделяют на две неравные части 3 и 4, одновременно смещая перемычки из плоскости рамки (фиг. 2), которые затем запрессовывают в первоначальное положение между выводами 2 (фиг. 3). После этого производят гибку выводов 2, (фиг. 4). A frame 1 with leads 2 (Fig. 2) is cut out of a metal tape, and the jumpers located between the leads 2 are divided into two unequal parts 3 and 4, while simultaneously moving the jumpers from the plane of the frame (Fig. 2), which are then pressed into the original position between conclusions 2 (Fig. 3). After that, bending the findings 2, (Fig. 4).

Затем, как показано на фиг. 5, выводную рамку 1 с выводами 2 и расположенными между ними перемычками 3 и 4, а также полимерную пленку 5 с точно приклеенным к ней лицевой стороной кристаллом 6, содержащим контактные площадки 7, устанавливают на нижнюю плиту 8 пресс-формы 9. После чего над обратной стороной кристалла 6 размещают эластичное средство прижима 10 (фиг. 5), выполненное, например, из резины ИРП-1265 трапецеидальной формы, затем над средством прижима 10 устанавливают верхнюю плиту 11, герметизируя, таким образом, пресс-форму 9 и производят литьевое прессование, обеспечивая заливку пресс-материалом 12 до начала первого ряда перемычек 3 (фиг. 5). После этого прибор извлекают из пресс-формы 9, выталкивают первый ряд перемычек 3 (фиг. 6) формируют последовательно сначала пленочные проводники 13 (вакуумным напылением) между выводами 2 рамки 1 и контактными площадками 7 кристалла ИС 6 (фиг. 7), а затем сваркой формируют проволочные соединения 14 между выводами 2 и контактными площадками 7 кристаллов 6 (фиг. 8), при этом начала и концы пленочного 13 и проволочного 14 соединений совмещают. Then, as shown in FIG. 5, the lead-out frame 1 with the leads 2 and the jumpers 3 and 4 located between them, as well as the polymer film 5 with the crystal 6 precisely adhered to it by the face side 6 containing the contact pads 7, are mounted on the lower plate 8 of the mold 9. Then, over the reverse side of the crystal 6 is placed elastic clamp means 10 (Fig. 5), made, for example, of trapezoidal rubber IRP-1265, then the upper plate 11 is installed over the clamp means 10, thus sealing the mold 9 and injection molding is performed providing filling with press material 12 before the start of the first row of jumpers 3 (Fig. 5). After that, the device is removed from the mold 9, the first row of jumpers 3 (Fig. 6) is pushed out, first, film conductors 13 (vacuum deposition) are formed sequentially between the terminals 2 of the frame 1 and the contact pads 7 of the IC 6 crystal (Fig. 7), and then welding form the wire connections 14 between the terminals 2 and the contact pads 7 of the crystals 6 (Fig. 8), while the beginning and ends of the film 13 and wire 14 connections are combined.

Затем прибор помещают опять в пресс-форму 9 и производят общую герметизацию прибора (фиг. 9), т.е. вторую опрессовку, обеспечивая заливку полимером 15 до перемычек 4, после чего удаляют путем выталкивания весь ряд перемычек 4 (фиг. 10), обрубают рамку 1 и облуживают выводы 2 (фиг. 11). Then the device is placed again in the mold 9 and the general sealing of the device is performed (Fig. 9), i.e. the second crimping, providing filling with polymer 15 to the jumpers 4, and then remove by pushing the entire row of jumpers 4 (Fig. 10), cut off the frame 1 and tin conclusions 2 (Fig. 11).

Пример выполнения полупроводникового прибора методом планарно-пленочного монтажа. An example of a semiconductor device by the method of planar-film mounting.

Путем вырубки из металлической ленты толщиной 0,1-0,15 мм (из сплава меди) изготавливали выводную рамку. При штамповке все перемычки, размещенные между выводами разделили на две неравные части и затем возвратили (запрессовали) на прежнее место между выводами. После чего производили гибку выводов и размещали между ними кристалл ИС. By cutting out a metal strip 0.1-0.15 mm thick (from a copper alloy), an output frame was made. When stamping, all jumpers placed between the terminals were divided into two unequal parts and then returned (pressed) to the previous place between the terminals. After that, the leads were bent and an IC crystal was placed between them.

Далее по технологии планарно-пленочного монтажа выводную рамку с кристаллом ИС типа К537РУ8 приклеивали к пленке ПМ-1 клеем БФ-4, собранный узел устанавливали в пресс-форму, посредством эластичного прижима из резины типа ИРП-1265, осуществляли фиксацию кристалла и производили литьевое прессование пластмассой. Further, according to the technology of planar-film mounting, the lead-out frame with an IS-type crystal K537RU8 was glued to the PM-1 film with BF-4 glue, the assembled assembly was installed into the mold by means of an elastic clamp made of IRP-1265 rubber, the crystal was fixed and injection molding was carried out plastic.

Заливку производили при температуре приблизительно 170oС полимерным материалом СП-30, разбирали пресс-форму и удаляли путем выталкивания перемычки первого ряда находившиеся ближе к кристаллу. Затем производили вакуумное напыление алюминиевых проводников через магнитные маски толщиной порядка 5 мкм, после чего над каждым пленочным проводником параллельно приваривали алюминиевые проволочки толщиной порядка 30 мкм. Затем прибор снова помещали а пресс-форму и снова при температуре приблизительно 170oС производили заливку до начала перемычек второго ряда полимерным материалом СП-30, разбирали пресс-форму, выталкивали перемычки второго ряда, обрубали рамку и облуживали выводы.Pouring was carried out at a temperature of approximately 170 o With the polymer material SP-30, the mold was disassembled and removed by pushing the jumpers of the first row closer to the crystal. Then, vacuum deposition of aluminum conductors was carried out through magnetic masks with a thickness of about 5 μm, after which aluminum wires with a thickness of about 30 μm were simultaneously welded over each film conductor. Then the device was placed again and the mold and again at a temperature of approximately 170 o C were filled until the beginning of the second row of jumpers with polymer material SP-30, the mold was disassembled, the second row jumpers were pushed out, the frame was cut off and the terminals were tin-coated.

Размещение перемычек заподлицо с выводами исключает при первой и второй опрессовках затекание между выводами полимерного материала и обеспечивает, таким образом, безоблойное прессование, а также исключает быстрый выход из строя вырубного пуансона (при вырубке прибора) и деформацию приборов, повышает качество приборов и увеличивает выход годных. The placement of jumpers flush with the leads eliminates leakage between the leads of the polymer material during the first and second crimping and thus ensures trouble-free pressing, and also eliminates the rapid failure of the punch (when cutting the tool) and deformation of the devices, improves the quality of the devices and increases the yield .

Последовательное формирование сначала пленочного, а затем параллельного проволочного соединения между выводами и контактными площадками кристалла позволяет уменьшить переходное сопротивление, гарантировать электрическое соединение даже в случае выхода из строя одного из пленочных либо проволочных проводников, повышает качество приборов, увеличивает выход годных и надежность приборов. The sequential formation of first a film, and then a parallel wire connection between the terminals and the contact pads of the crystal can reduce the transition resistance, guarantee electrical connection even in the event of failure of one of the film or wire conductors, improves the quality of devices, increases the yield and reliability of devices.

Облегчение удаления перемычек, удерживаемых между выводами силой трения, позволяет повысить качество приборов и увеличить процент выхода годных. ЫЫЫ2 ЫЫЫ4 ЫЫЫ6 ЫЫЫ8 ЫЫЫ10 Facilitating the removal of jumpers held between pins by friction, improves the quality of devices and increases the percentage of yield. YYY2 YYY4 YYY6 YYY8 YYY10

Claims (2)

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий штамповку из металлической ленты по крайней мере одной фигурной рамки с выводами и перемычками между выводами, гибку внутренних концов выводов, закрепление кристалла, литьевое прессование пластмассой рамки, формирование соединений между выводами рамки и контактными площадками кристалла, герметизацию, вырубку корпуса прибора из рамки, формовку и обслуживание внешних концов выводов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных и повышения качества приборов, при штамповке разделяют каждую из перемычек на две неравные части и одновременно смещают перемычки из плоскости рамки, возвращают и запрессовывают все перемычки на прежнее место между выводами, после литьевого прессования удаляют все перемычки ряда, находящегося ближе к кристаллу, а остальные перемычки удаляют при вырубке корпуса из рамки. 1. A method of manufacturing semiconductor devices, including stamping from a metal tape of at least one curly frame with leads and jumpers between the leads, bending the inner ends of the leads, securing the crystal, injection molding plastic frames, forming joints between the leads of the frame and the contact pads of the crystal, sealing, cutting the device case out of the frame, forming and servicing the external ends of the leads, characterized in that, in order to increase the yield and improve the quality of the devices, In the process, divide each of the jumpers into two unequal parts and at the same time move the jumpers from the plane of the frame, return and press in all the jumpers to the previous position between the terminals, after injection molding, remove all jumpers of the row closer to the crystal, and remove the remaining jumpers from the frame . 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для формирования соединений между выводами рамки и контактными площадками кристалла наносят пленочные проводники, а затем над каждым пленочным проводником формируют параллельный проволочный проводник. 2. The method according to claim 1, characterized in that for the formation of connections between the terminals of the frame and the contact pads of the crystal, film conductors are applied, and then a parallel wire conductor is formed over each film conductor.
SU914938539A 1991-05-24 1991-05-24 Method for production of semiconductor instruments RU2066079C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU914938539A RU2066079C1 (en) 1991-05-24 1991-05-24 Method for production of semiconductor instruments

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU914938539A RU2066079C1 (en) 1991-05-24 1991-05-24 Method for production of semiconductor instruments

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2066079C1 true RU2066079C1 (en) 1996-08-27

Family

ID=21575717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU914938539A RU2066079C1 (en) 1991-05-24 1991-05-24 Method for production of semiconductor instruments

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2066079C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2484550C1 (en) * 2011-11-09 2013-06-10 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета") Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Заявка Японии N 62-183532, кл. Н 01 L 21/56, 1987. Заявка Японии N 63-11781, кл. Н 01 L 23/48, 1988. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2484550C1 (en) * 2011-11-09 2013-06-10 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета") Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920010198B1 (en) Leadframe and method of producing electronic components using such improved lead frame
JP3304705B2 (en) Manufacturing method of chip carrier
US3413713A (en) Plastic encapsulated transistor and method of making same
KR920008253B1 (en) Support assembly for integrated circuits
JP2000150765A (en) Semiconductor integrated circuit plastic package, ultra- compact lead frame for manufacture thereof, and its manufacture
JPH041503B2 (en)
US3864728A (en) Semiconductor components having bimetallic lead connected thereto
US3444441A (en) Semiconductor devices including lead and plastic housing structure suitable for automated process construction
RU2066079C1 (en) Method for production of semiconductor instruments
KR950025963A (en) Manufacturing Method of Semiconductor Device
US3882807A (en) Method of separating dual inline packages from a strip
JPH01196153A (en) Resin-sealed semiconductor device
JPH06252188A (en) Method and device for manufacturing resin-encapsulated semiconductor chip
JP3617574B2 (en) Multiple-multi-row lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2939606B2 (en) Metal insert resin molding method
JPH08153842A (en) Lead frame and manufacture of semiconductor device
JP2630686B2 (en) Electronic component manufacturing frame, electronic component manufacturing method using the same, and electronic component manufactured by the manufacturing method
US20240145355A1 (en) Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding component, semiconductor device and method
EP4125125A1 (en) Method of producing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device
JP3986189B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPS6331128A (en) Removal of resin tailing
JP2620355B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus
JP2002246531A (en) Lead frame and method for manufacturing resin molding semiconductor device using the same
JPS6362239A (en) Manufacture of semiconductor device enclosed in plastic capsule
JPH09213859A (en) Manufacture of semiconductor device