JP2002246531A - Lead frame and method for manufacturing resin molding semiconductor device using the same - Google Patents
Lead frame and method for manufacturing resin molding semiconductor device using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止部（パッ
ケージ）の底面からリード部を露出する面実装型のリー
ドフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface mount type lead frame in which a lead portion is exposed from a bottom surface of a resin sealing portion (package) and a method of manufacturing a resin sealing type semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化及び高機能化に
対応するため、半導体部品の高密度実装がますます強く
要求されるようになってきている。これに伴って、半導
体チップ（半導体素子）とリードとを封止用樹脂材によ
り一体に封止してなる樹脂封止型半導体装置の小型化及
び薄型化が急速に進展しており、さらには、生産コスト
及び生産性向上を図るために、種々の工夫がなされてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for high-density mounting of semiconductor components in order to cope with miniaturization and high functionality of electronic devices. Along with this, the miniaturization and thinning of a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor chip (semiconductor element) and a lead are integrally sealed with an encapsulating resin material are rapidly progressing. In order to improve production cost and productivity, various devices have been devised.
【０００３】例えば、ダイボンディング工程及びワイヤ
ボンディング工程の後に、封止用樹脂材により複数の半
導体チップを個別に封止するのではなく、これらを一括
に封止し、一括に封止された複数の半導体チップを個別
に分割するという一括成形法が開発されている。For example, after a die bonding step and a wire bonding step, instead of individually sealing a plurality of semiconductor chips with a sealing resin material, the plurality of semiconductor chips are sealed at once, and the plurality of semiconductor chips sealed at once are sealed. A batch molding method of individually dividing the semiconductor chips has been developed.
【０００４】図５（ａ）は、従来の一括成型法に用いる
面実装型のリードフレームの平面構成を模式的に示し、
図５（ｂ）はその底面構成を模式的に示している。FIG. 5A schematically shows a plan configuration of a surface mount type lead frame used in a conventional batch molding method.
FIG. 5B schematically shows the bottom configuration.
【０００５】図５（ａ）に示すように、リードフレーム
１００は、その中央部分に複数のダイパッド部及びリー
ド部（図示せず）を含む半導体装置形成領域１０１を有
し、該半導体装置形成領域１０１の周縁部はフレーム枠
部１０２により連結して支持されている。また、フレー
ム枠部１０２におけるモールド（封止）ライン１１０の
内側の領域は封止用樹脂材により一括に封止される。As shown in FIG. 5A, a lead frame 100 has a semiconductor device formation region 101 including a plurality of die pad portions and lead portions (not shown) at a central portion thereof. The periphery of 101 is connected and supported by a frame 102. In addition, a region inside the mold (sealing) line 110 in the frame portion 102 is collectively sealed with a sealing resin material.
【０００６】また、図５（ｂ）に示すように、半導体素
子の保持面の反対側の面である底面には接着性又は粘着
性を有するテープ材１０５が全面にわたって貼付されて
いる。このテープ材１０５は、封止用樹脂材がリードフ
レーム１００の底面側に回り込むことを防止するために
設けられている。Further, as shown in FIG. 5B, an adhesive or tacky tape material 105 is adhered to the entire surface of the bottom surface opposite to the holding surface of the semiconductor element. The tape material 105 is provided to prevent the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame 100.
【０００７】また、テープ材１０５は、樹脂封止工程の
後に、半導体装置形成領域１０１に含まれる複数の半導
体装置を個別に分割する分割工程よりも前に剥離され除
去される。The tape material 105 is separated and removed after the resin sealing step and before the dividing step of individually dividing the plurality of semiconductor devices included in the semiconductor device forming region 101.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の一括成形法に用いるリードフレーム１００は、テー
プ材１０５の剥離を容易に行なうことができないという
問題がある。However, the lead frame 100 used in the conventional batch molding method has a problem that the tape material 105 cannot be easily separated.
【０００９】本発明は、前記従来の問題を解決し、封止
用樹脂材がリードフレームの底面側に回り込むことを防
止するために設けられた、テープ材等からなる樹脂回り
込み防止材を容易に除去できるようにすることを目的と
する。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and easily provides a resin wraparound preventing material made of a tape material or the like, which is provided to prevent the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame. It is intended to be able to be removed.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、リードフレームを、そのフレーム枠部に
切り欠き部を設けることによりフレーム枠部から樹脂回
り込み防止材を露出させるか、又は樹脂回り込み防止材
をフレーム枠部の底面を露出させるように設ける構成と
する。In order to achieve the above object, the present invention relates to a lead frame, wherein a cut-out portion is provided in a frame portion of the lead frame to expose a resin wrap-in preventing material from the frame portion. Alternatively, a configuration is provided in which a resin wraparound material is provided so as to expose the bottom surface of the frame portion.
【００１１】具体的に、本発明に係る第１のリードフレ
ームは、ダイパッド部と、該ダイパッド部の近傍に配置
された複数のリード部と、ダイパッド部及び複数のリー
ド部とを支持するフレーム枠部とを備えたリードフレー
ムを対象とし、リードフレームの素子保持面と反対側の
面である底面には、ダイパッド部及び複数のリード部を
樹脂封止する際に、封止用樹脂材がリードフレームの底
面側に回り込むことを防止する樹脂回り込み防止材が設
けられており、フレーム枠部の側辺部には、樹脂回り込
み防止材におけるリードフレームの底面との対向面をフ
レーム枠部から露出する切り欠き部が設けられている。More specifically, a first lead frame according to the present invention comprises a die pad, a plurality of leads arranged near the die pad, and a frame supporting the die pad and the plurality of leads. When the die pad portion and the plurality of lead portions are resin-sealed, a lead material is provided on the bottom surface, which is a surface opposite to the element holding surface of the lead frame, with a lead portion having A resin wrap prevention member is provided to prevent wrap around to the bottom side of the frame, and a side of the frame wrap portion is exposed from the frame frame portion to a surface facing the bottom surface of the lead frame in the resin wrap prevention material. A notch is provided.
【００１２】第１のリードフレームによると、樹脂回り
込み防止材におけるリードフレームの底面との対向面を
フレーム枠部から露出する切り欠き部が設けられている
ため、樹脂回り込み防止材を除去する際に、樹脂回り込
み防止材の切り欠き部からの露出部分を保持手段により
保持することができるので、樹脂回り込み防止材を容易
に除去することができる。According to the first lead frame, the cut-out portion is provided to expose the surface of the resin wraparound preventing material facing the bottom surface of the lead frame from the frame portion. Since the exposed portion of the resin wrap prevention material from the cutout portion can be held by the holding means, the resin wrap prevention material can be easily removed.
【００１３】第１のリードフレームにおいて、樹脂回り
込み防止材が、接着性又は粘着性を有するテープ材であ
って、リードフレームの底面における半導体装置形成領
域を除く領域を露出するように貼付されていることが好
ましい。このように、リードフレームの底面における半
導体装置形成領域を除く領域、例えばフレーム枠部の一
部を露出させると、フレーム枠部の露出部分を他の保持
手段により保持しておくことが可能となるため、樹脂回
り込み防止材をより容易に除去することができるように
なる。In the first lead frame, the resin wraparound preventing material is a tape material having adhesiveness or tackiness, and is attached so as to expose a region other than a semiconductor device forming region on the bottom surface of the lead frame. Is preferred. As described above, when a region other than the semiconductor device formation region on the bottom surface of the lead frame, for example, a part of the frame frame portion is exposed, the exposed portion of the frame frame portion can be held by another holding unit. Therefore, the resin wraparound preventing material can be more easily removed.
【００１４】本発明に係る第２のリードフレームは、ダ
イパッド部と、該ダイパッド部の近傍に配置された複数
のリード部と、ダイパッド部及び複数のリード部とを支
持するフレーム枠部とを備えたリードフレームを対象と
し、リードフレームの素子保持面と反対側の面である底
面には、ダイパッド部及び複数のリード部を樹脂封止す
る際に、封止用樹脂材がリードフレームの底面側に回り
込むことを防止する樹脂回り込み防止材が半導体装置形
成領域を除く領域から露出するように設けられている。A second lead frame according to the present invention includes a die pad portion, a plurality of lead portions arranged near the die pad portion, and a frame portion supporting the die pad portion and the plurality of lead portions. When the die pad portion and the plurality of lead portions are resin-sealed, a sealing resin material is provided on the bottom surface of the lead frame, which is a surface opposite to the element holding surface of the lead frame. A resin wraparound preventing material for preventing wraparound is provided so as to be exposed from regions other than the semiconductor device formation region.
【００１５】第２のリードフレームによると、樹脂回り
込み防止材が半導体装置形成領域を除く領域を露出する
ように設けられているため、樹脂回り込み防止材を除去
する際に、フレーム枠部の露出部分を保持することによ
り、樹脂回り込み防止材を除けてリードフレームのみを
固定することができるので、樹脂回り込み防止材のみを
容易に除去することができる。According to the second lead frame, since the resin wrap-around preventing member is provided so as to expose a region other than the semiconductor device formation region, when removing the resin wrap-around preventing material, the exposed portion of the frame portion is removed. By holding, only the lead frame can be fixed except for the resin wraparound preventing material, so that only the resin wraparound prevention material can be easily removed.
【００１６】本発明に係る第１の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、ダイパッド部、該ダイパッド部の近傍に
配置された複数のリード部、並びにダイパッド部及び複
数のリード部を支持し且つ側辺部に切り欠き部が形成さ
れたフレーム枠部を有するリードフレームを用意する第
１の工程と、リードフレームの素子保持面と反対側の面
である底面に、樹脂回り込み防止材を封止用樹脂材がリ
ードフレームの底面側に回り込むことを防止するように
設けると共に、樹脂回り込み防止材におけるリードフレ
ームの底面との対向面を切り欠き部から露出するように
設ける第２の工程と、ダイパッド部の素子保持面に半導
体素子をそれぞれ固着した後、半導体素子と複数のリー
ド部とを電気的に接続する第３の工程と、半導体素子及
び複数のリード部を封止用樹脂材によりリードフレーム
の半導体装置形成領域に封止する第４の工程と、樹脂回
り込み防止材における切り欠き部から露出する部分を保
持し、保持した状態で樹脂回り込み防止材をリードフレ
ームの底面から除去する第５の工程とを備えている。According to a first method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a die pad, a plurality of leads arranged near the die pad, a die pad and a plurality of leads are supported and supported. A first step of preparing a lead frame having a frame having a cutout formed in a side portion, and sealing a resin wraparound material on a bottom surface of the lead frame opposite to the element holding surface. A second step of providing a resin material for preventing the resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame, and providing a surface of the resin wrap preventing material facing the bottom surface of the lead frame so as to be exposed from the notch. A third step of electrically connecting the semiconductor element and the plurality of leads after fixing the semiconductor element to the element holding surface of the section, respectively, and the semiconductor element and the plurality of leads. A fourth step of sealing the semiconductor device formation region of the lead frame with the sealing resin material, and holding the portion exposed from the cutout portion of the resin wrap prevention material, and holding the resin wrap prevention material in the held state; And a fifth step of removing from the bottom surface.
【００１７】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
よると、リードフレームが側辺部に切り欠き部が形成さ
れたフレーム枠部を有する本発明に係る第１のリードフ
レームと同等のリードフレームを用いており、さらに、
樹脂回り込み防止材におけるリードフレームの底面との
対向面を切り欠き部から露出するように設けるため、樹
脂封止工程の後に、リードフレームの底面に設けられた
樹脂回り込み防止材を容易に除去することができるの
で、パッケージの底面からリードを露出する面実装型の
樹脂封止型半導体装置の製造を容易化することができ
る。According to the first method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the lead frame has the same frame as the first lead frame according to the present invention, which has a frame having a cutout formed in the side. Using a frame,
Since the surface facing the bottom surface of the lead frame in the resin wrap prevention material is provided so as to be exposed from the cutout portion, the resin wrap prevention material provided on the bottom surface of the lead frame is easily removed after the resin sealing step. Therefore, it is possible to easily manufacture a surface-mount type resin-encapsulated semiconductor device in which the leads are exposed from the bottom surface of the package.
【００１８】第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいて、第２の工程が、樹脂回り込み防止材として接着
性又は粘着性を有するテープ材を用い、該テープ材をリ
ードフレームの底面における半導体装置形成領域を除く
領域が露出するように貼付する工程を含むことが好まし
い。In the first method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the second step uses a tape material having adhesiveness or tackiness as a resin wraparound material, and attaches the tape material to the semiconductor on the bottom surface of the lead frame. It is preferable to include a step of sticking such that a region excluding the device forming region is exposed.
【００１９】本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、ダイパッド部、該ダイパッド部の近傍に
配置された複数のリード部、並びにダイパッド部及び複
数のリード部を支持するフレーム枠部を有するリードフ
レームを用意する第１の工程と、リードフレームの素子
保持面と反対側の面である底面における半導体装置形成
領域に、樹脂回り込み防止材を、封止用樹脂材がリード
フレームの底面側に回り込むことを防止し且つリードフ
レームの底面における半導体装置形成領域を除く領域を
露出するように設ける第２の工程と、ダイパッド部の素
子保持面に半導体素子をそれぞれ固着した後、半導体素
子と複数のリード部とを電気的に接続する第３の工程
と、半導体素子及び複数のリード部を封止用樹脂材によ
りリードフレームの半導体装置形成領域に封止する第４
の工程と、リードフレームの底面における樹脂回り込み
防止材から露出する部分を保持し、保持した状態で樹脂
回り込み防止材をリードフレームの底面から除去する第
５の工程とを備えている。According to a second method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a die pad, a plurality of leads arranged near the die pad, and a frame supporting the die pad and the plurality of leads are provided. A first step of preparing a lead frame having a frame portion, and a semiconductor device formation region on a bottom surface, which is a surface opposite to the element holding surface of the lead frame; A second step of preventing the semiconductor device from wrapping around the bottom surface of the lead frame and exposing a region other than the semiconductor device formation region on the bottom surface of the lead frame; and fixing the semiconductor device to the device holding surface of the die pad portion. A third step of electrically connecting the element and the plurality of leads, and a step of electrically connecting the semiconductor element and the plurality of leads to the lead frame using a sealing resin material. Fourth sealing the conductor arrangement forming region
And a fifth step of holding a portion of the bottom surface of the lead frame exposed from the resin wrap-around preventing material, and removing the resin wrap-around preventing material from the bottom surface of the lead frame in the held state.
【００２０】第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
よると、樹脂回り込み防止材を、封止用樹脂材がリード
フレームの底面側に回り込むことを防止し且つリードフ
レームの底面における半導体装置形成領域を除く領域を
露出するように設けた、本発明に係る第２のリードフレ
ームと同等のリードフレームを用いるため、樹脂封止工
程の後に、リードフレームの底面に設けられた樹脂回り
込み防止材を容易に除去することができるので、パッケ
ージの底面からリードを露出する面実装型の樹脂封止型
半導体装置の製造を容易化することができる。According to the second method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the resin wrap-around preventing material prevents the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame and forms the semiconductor device on the bottom surface of the lead frame. In order to use a lead frame equivalent to the second lead frame according to the present invention provided so as to expose a region excluding the region, after the resin sealing step, the resin wraparound preventing material provided on the bottom surface of the lead frame is removed. Since it can be easily removed, the manufacture of a surface-mount type resin-sealed semiconductor device in which the leads are exposed from the bottom surface of the package can be facilitated.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。(First Embodiment) A first embodiment of the present invention.
An embodiment will be described with reference to the drawings.
【００２２】図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の第１
の実施形態に係るリードフレームであって、図１（ａ）
は模式的な平面構成を示し、図１（ｂ）は模式的な底面
構成を示している。FIGS. 1A and 1B show a first embodiment of the present invention.
1A is a lead frame according to the embodiment of FIG.
1 shows a schematic plan configuration, and FIG. 1B shows a schematic bottom configuration.
【００２３】図１（ａ）に示すように、第１の実施形態
に係るリードフレーム１０Ａは、樹脂封止型で且つ面実
装型の半導体装置用のリードフレームであって、その中
央部分に複数の半導体素子が一括に樹脂封止される半導
体装置形成領域１１を有し、該半導体装置形成領域１１
の周縁部はフレーム枠部１２に連結されて支持されてい
る。さらに、部分拡大図に示すように、半導体装置形成
領域１１における１つの半導体装置と対応する部分に
は、ダイパッド部１１ａと該ダイパッド部１１ａの周囲
に配置された複数のリード部１１ｂとがフレーム枠部１
２に支持されるように形成されている。As shown in FIG. 1A, a lead frame 10A according to a first embodiment is a lead frame for a semiconductor device of a resin-sealed type and a surface mount type, and a plurality of lead frames are provided at a central portion thereof. Semiconductor device forming region 11 in which the semiconductor elements are collectively resin-sealed.
Is connected to and supported by the frame 12. Further, as shown in a partially enlarged view, a die pad portion 11a and a plurality of lead portions 11b arranged around the die pad portion 11a are provided in a portion corresponding to one semiconductor device in the semiconductor device formation region 11. Part 1
2 so as to be supported.
【００２４】フレーム枠部１２におけるモールド（封
止）ライン１７は、その内側の領域が封止用樹脂材によ
り一括に封止される領域であることを示している。The mold (sealing) line 17 in the frame portion 12 indicates that the region inside the molding line 17 is a region which is collectively sealed with a sealing resin material.
【００２５】また、図１（ｂ）に示すように、リードフ
レーム１０Ａにおける半導体素子の保持面の反対側の面
である底面には、樹脂回り込み防止材としての接着性又
は粘着性を有するテープ材１５が全面にわたって密着す
るように貼付されている。このテープ材１５は、前述し
た従来のリードフレームと同様に、樹脂封止工程におい
て封止用樹脂材がリードフレーム１０Ａの底面側に回り
込むことを防止するために設けられている。Further, as shown in FIG. 1B, an adhesive or tacky tape material as a resin wraparound preventing material is provided on the bottom surface of the lead frame 10A opposite to the semiconductor element holding surface. 15 is adhered so as to be in close contact with the entire surface. This tape material 15 is provided to prevent the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame 10A in the resin sealing step, as in the above-described conventional lead frame.
【００２６】第１の実施形態の特徴として、フレーム枠
部１２の短辺側には、テープ材１５におけるリードフレ
ーム１０Ａの底面との対向面をフレーム枠部１２から露
出するように切り欠き部１２ａが設けられている。As a feature of the first embodiment, a notch 12 a is formed on the short side of the frame 12 so that the surface of the tape 15 facing the bottom surface of the lead frame 10 A is exposed from the frame 12. Is provided.
【００２７】このように、第１の実施形態によると、テ
ープ材１５におけるリードフレームの底面との対向面を
フレーム枠部１２から露出する切り欠き部１２ａが設け
られているため、テープ材１５をリードフレーム１０Ａ
の底面から剥離して除去する際に、該テープ材１５にお
ける切り欠き部１２ａからの露出部分を保持手段により
確実に保持することができるようになるので、テープ材
１５を容易に除去することができる。As described above, according to the first embodiment, since the notch portion 12a that exposes the surface of the tape material 15 facing the bottom surface of the lead frame from the frame 12 is provided, Lead frame 10A
When the tape material 15 is peeled off from the bottom surface and removed, the exposed portion of the tape material 15 from the notch 12a can be securely held by the holding means, so that the tape material 15 can be easily removed. it can.
【００２８】ここで、切り欠き部１２ａの幅寸法（リー
ドフレーム１０Ａの短辺に平行な方向の寸法）は、５ｍ
ｍ〜７０ｍｍ程度とし、奥行き寸法（短辺に垂直な方向
の寸法）は０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度としている。Here, the width of the notch 12a (the dimension in the direction parallel to the short side of the lead frame 10A) is 5 m.
The depth dimension (dimension in the direction perpendicular to the short side) is about 0.5 mm to 10 mm.
【００２９】また、リードフレーム１０Ａの材料は、適
当で良く、例えば、銅（Ｃｕ）合金又は鉄（Ｆｅ）及び
ニッケル（Ｎｉ）の合金であれば良い。The lead frame 10A may be made of any suitable material, for example, a copper (Cu) alloy or an alloy of iron (Fe) and nickel (Ni).
【００３０】また、テープ材１５の厚さは、２０μｍ〜
３００μｍ程度とし、その基材は、例えば、ポリイミド
若しくはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からな
る絶縁性薄膜、又はアルミニウム（Ａｌ）若しくは金
（Ａｕ）からなる金属薄膜を用いれば良い。The thickness of the tape material 15 is 20 μm or more.
The base material may be, for example, an insulating thin film made of polyimide or PET (polyethylene terephthalate), or a metal thin film made of aluminum (Al) or gold (Au).
【００３１】基材に塗布する接着材又は粘着材は、封止
用樹脂材に熱硬化性樹脂材を用いる場合には、熱硬化性
樹脂材の一般的な加熱温度である１８０℃程度の温度に
耐え得る材料、例えば熱可塑性を有するアミド系接着剤
を用いると良い。When a thermosetting resin material is used as the sealing resin material, the adhesive or pressure-sensitive adhesive applied to the base material may have a temperature of about 180 ° C., which is a general heating temperature of the thermosetting resin material. It is preferable to use a material that can withstand the heat, for example, an amide-based adhesive having thermoplasticity.
【００３２】以下、前記のように構成されたリードフレ
ーム１０Ａを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に
ついて図面を参照しながら説明する。Hereinafter, a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame 10A configured as described above will be described with reference to the drawings.
【００３３】図２（ａ）〜図２（ｅ）は第１の実施形態
に係るリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程順の断面構成を模式的に示してい
る。FIGS. 2A to 2E schematically show cross-sectional structures in a process order showing a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame according to the first embodiment. .
【００３４】まず、図２（ａ）に示すように、図１に示
したような、複数のダイパッド部、該複数のダイパッド
部のそれぞれの近傍に配置された複数のリード部、並び
に複数のダイパッド部及び複数のリード部を支持し且つ
側辺部に切り欠き部１２ａが形成されたフレーム枠部１
２を有するリードフレーム１０Ａを用意する。First, as shown in FIG. 2A, a plurality of die pads, a plurality of leads arranged near each of the plurality of die pads, and a plurality of die pads as shown in FIG. Frame portion 1 supporting a portion and a plurality of lead portions and having a cutout portion 12a formed in a side edge portion
2 is prepared.
【００３５】続いて、リードフレーム１０Ａの素子保持
面と反対側の面である底面に、樹脂回り込み防止材であ
るテープ材１５を、封止用樹脂材がリードフレーム１０
Ａの底面側に回り込むことを防止するように設けると共
に、テープ材１５におけるリードフレーム１０Ａの底面
との対向面を切り欠き部１２から露出するように貼付す
る。Subsequently, a tape material 15 which is a resin wrap preventing material and a sealing resin material are formed on the lead frame 10A on the bottom surface which is the surface opposite to the element holding surface of the lead frame 10A.
A is provided so as to prevent it from wrapping around the bottom surface side of A, and is attached so that the surface of the tape material 15 facing the bottom surface of the lead frame 10A is exposed from the cutout portion 12.
【００３６】次に、図２（ｂ）に示すダイボンディング
工程において、複数のダイパッド部の素子保持面に半導
体素子２０をそれぞれ固着した後、図２（ｃ）に示すワ
イヤボンディング工程において、半導体素子２０と各リ
ード部とを、例えば金（Ａｕ）からなる金属細線２１に
より電気的に接続する。なお、半導体装置２０の仕様に
よっては、金属細線２１を用いずに半導体素子２０とリ
ード部との電気的な接続を図っても良い。Next, in the die bonding step shown in FIG. 2B, after the semiconductor elements 20 are fixed to the element holding surfaces of the plurality of die pads, respectively, in the wire bonding step shown in FIG. 20 and each lead portion are electrically connected by a thin metal wire 21 made of, for example, gold (Au). Note that, depending on the specifications of the semiconductor device 20, electrical connection between the semiconductor element 20 and the lead portion may be achieved without using the thin metal wires 21.
【００３７】次に、図２（ｄ）に示す樹脂封止工程にお
いて、複数の半導体素子２０及び複数のリード部を封止
用樹脂材によりリードフレーム１０Ａの半導体装置形成
領域に一括して封止することにより、封止樹脂部１７Ａ
を形成する。Next, in a resin sealing step shown in FIG. 2D, a plurality of semiconductor elements 20 and a plurality of leads are collectively sealed in a semiconductor device forming region of the lead frame 10A with a sealing resin material. By doing so, the sealing resin portion 17A
To form
【００３８】その後、テープ材１５における切り欠き部
１２ａから露出する部分をクランパ３０により保持し、
保持した状態でテープ材１５をリードフレーム１０Ａの
底面から剥離して除去する。ここで、テープ材１５に熱
可塑性を持つ接着材を用いた場合には、加熱しながら剥
離すると良い。Thereafter, the portion of the tape material 15 exposed from the notch 12a is held by the clamper 30,
The tape material 15 is peeled and removed from the bottom surface of the lead frame 10A while being held. Here, when an adhesive material having thermoplasticity is used for the tape material 15, it is preferable that the tape material 15 be peeled off while being heated.
【００３９】次に、図２（ｅ）に示す分割工程におい
て、封止樹脂部１７Ａの素子保持面側を切削用固定テー
プ材３１上に保持し、続いて、切削手段としてダイシン
グブレード３２等を用いて、リードフレーム１０Ａ及び
封止樹脂部１７Ａを少なくとも１つの半導体素子２０が
含まれるように分割する。Next, in the dividing step shown in FIG. 2E, the element holding surface side of the sealing resin portion 17A is held on the fixing tape material 31 for cutting, and then the dicing blade 32 and the like are used as cutting means. By using, the lead frame 10A and the sealing resin portion 17A are divided so as to include at least one semiconductor element 20.
【００４０】なお、切り欠き部１２ａの形成位置はリー
ドフレーム１０Ａの短辺側に限られず、長辺側に設けて
もよい。また、一辺当たり複数の切り欠き部１２を設け
てもよい。The position where the notch 12a is formed is not limited to the short side of the lead frame 10A, but may be provided on the long side. Further, a plurality of notches 12 may be provided per side.
【００４１】また、切削手段はダイシングブレード３２
に限られず、例えばレーザ光等を用いてもよい。The cutting means is a dicing blade 32
The invention is not limited to this, and for example, laser light or the like may be used.
【００４２】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。(Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００４３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明の第２
の実施形態に係るリードフレームであって、図３（ａ）
は模式的な平面構成を示し、図３（ｂ）は模式的な底面
構成を示している。図３（ａ）及び（ｂ）において、図
１（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。FIGS. 3A and 3B show a second embodiment of the present invention.
3A is a lead frame according to the embodiment of FIG.
Shows a schematic plan configuration, and FIG. 3B shows a schematic bottom configuration. In FIGS. 3A and 3B, the same components as those shown in FIGS. 1A and 1B are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００４４】図３（ｂ）に示すように、第２の実施形態
に係るリードフレーム１０Ｂはフレーム枠部１２に切り
欠き部を設ける代わりに、テープ材１５の幅寸法を、少
なくとも半導体装置形成領域１１を覆う程度にリードフ
レーム１０Ｂの短辺の寸法よりも小さくして、リードフ
レーム１０Ｂの底面における半導体装置形成領域１１を
除く領域、すなわちフレーム枠部１２の底面側のいずれ
かの領域を露出するように設けている。As shown in FIG. 3B, in the lead frame 10B according to the second embodiment, the width of the tape material 15 is changed to at least the semiconductor device formation area instead of providing the notch in the frame 12. The area of the bottom surface of the lead frame 10B except for the semiconductor device formation region 11, that is, one of the regions on the bottom surface side of the frame 12 is exposed by making the dimension of the short side of the lead frame 10B small enough to cover the lead frame 10B. It is provided as follows.
【００４５】このように、第２の実施形態によると、テ
ープ材１５がリードフレーム１０Ｂの底面における半導
体装置形成領域１１を除く領域を露出するように設けら
れているため、テープ材１５を剥離して除去する際に、
フレーム枠部１２の露出部分を保持手段により保持する
ことにより、テープ材１５を挟むことなくリードフレー
ム１０Ｂのみを固定することができる。その結果、テー
プ材１５のみを確実に除去することができる。As described above, according to the second embodiment, since the tape material 15 is provided so as to expose the area other than the semiconductor device formation area 11 on the bottom surface of the lead frame 10B, the tape material 15 is peeled off. When removing
By holding the exposed portion of the frame portion 12 by the holding means, only the lead frame 10B can be fixed without sandwiching the tape material 15. As a result, only the tape material 15 can be reliably removed.
【００４６】なお、リードフレーム１０Ｂの露出部分の
幅寸法（短辺と平行な方向の寸法）は、１ｍｍ〜１０ｍ
ｍ程度とすれば良い。また、ここでは、リードフレーム
１０Ｂにおける長辺側の両側方を露出させたが、いずれ
か一方でも良い。さらには、この露出部分は長辺側に限
らず、短辺側に１つ以上設けても良い。The width of the exposed portion of the lead frame 10B (dimension in the direction parallel to the short side) is 1 mm to 10 m.
m. Here, both sides on the long side of the lead frame 10B are exposed, but either one may be exposed. Further, one or more exposed portions may be provided not only on the long side but also on the short side.
【００４７】また、テープ材１５をリードフレーム１０
Ｂの周縁部から最大で１０ｍｍ程度、はみ出すように貼
付してもよい。Further, the tape material 15 is
B may be stuck so as to protrude from the periphery of B by about 10 mm at the maximum.
【００４８】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。(Third Embodiment) Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００４９】図４（ａ）及び図４（ｂ）は本発明の第３
の実施形態に係るリードフレームであって、図４（ａ）
は模式的な平面構成を示し、図４（ｂ）は模式的な底面
構成を示している。図４（ａ）及び（ｂ）において、図
１（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材に
は同一の符号を付すことにより説明を省略する。FIGS. 4A and 4B show a third embodiment of the present invention.
4A is a lead frame according to the embodiment of FIG.
Shows a schematic plan configuration, and FIG. 4B shows a schematic bottom configuration. 4A and 4B, the same components as those shown in FIGS. 1A and 1B are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００５０】図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、
第３の実施形態に係るリードフレーム１０Ｃはフレーム
枠部１２に切り欠き部１２ａを設けており、さらに、テ
ープ材１５の幅寸法を、少なくとも半導体装置形成領域
１１を覆う程度にリードフレーム１０Ｃの短辺の寸法よ
りも小さくして、リードフレーム１０Ｃの底面における
半導体装置形成領域１１を除く領域、すなわちフレーム
枠部１２の底面側のいずれかの領域を露出するように設
けている。As shown in FIGS. 4A and 4B,
In the lead frame 10C according to the third embodiment, a notch 12a is provided in the frame 12 and the width of the tape material 15 is set to be at least short enough to cover the semiconductor device formation region 11. It is smaller than the size of the side, and is provided so as to expose a region other than the semiconductor device forming region 11 on the bottom surface of the lead frame 10C, that is, any region on the bottom surface side of the frame 12.
【００５１】第３の実施形態によると、テープ材１５を
リードフレーム１０の底面から剥離して除去する際に、
該テープ材１５における切り欠き部１２ａからの露出部
分をクランパ等により確実に保持することができる。そ
の上、リードフレーム１０Ｃの露出部分を保持すること
により、テープ材１５を挟むことなくリードフレーム１
０Ｃのみを固定することができるようになる。すなわ
ち、除去対象のテープ材１５を容易に保持でき、且つ、
テープ材１５が除去されるリードフレーム１０Ｃのみを
確実に固定できるため、テープ材１５のみを容易に且つ
確実に除去することができる。According to the third embodiment, when the tape material 15 is peeled off from the bottom surface of the lead frame 10 and removed,
The exposed portion of the tape material 15 from the notch 12a can be reliably held by a clamper or the like. In addition, by holding the exposed portion of the lead frame 10C, the lead frame 1
Only 0C can be fixed. That is, the tape material 15 to be removed can be easily held, and
Since only the lead frame 10C from which the tape 15 is removed can be securely fixed, only the tape 15 can be easily and reliably removed.
【００５２】[0052]
【発明の効果】本発明に係るリードフレーム及びそれを
用いた半導体装置の製造方法によると、封止用樹脂材が
リードフレームの底面側に回り込むことを防止する樹脂
回り込み防止材を、該樹脂回り込み防止材におけるリー
ドフレームとの対向面又はリードフレームにおける樹脂
回り込み防止材との対向面の少なくとも一方を露出する
ように設けることにより、樹脂回り込み防止材を容易に
且つ確実に除去することができる。According to the lead frame and the method of manufacturing a semiconductor device using the same according to the present invention, the resin wrap prevention material for preventing the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame is provided. By providing at least one of the surface of the prevention member facing the lead frame or the surface of the lead frame facing the resin wrap prevention material, the resin wrap prevention material can be easily and reliably removed.
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に
係るリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図で
あり、（ｂ）は模式的な底面図である。FIGS. 1A and 1B show a lead frame according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a schematic plan view, and FIG. 1B is a schematic bottom view. .
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施形態に係
るリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造
方法を示す模式的な工程順の構成断面図である。FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views schematically illustrating the steps of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a lead frame according to the first embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に
係るリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図で
あり、（ｂ）は模式的な底面図である。FIGS. 3A and 3B show a lead frame according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 3A is a schematic plan view and FIG. 3B is a schematic bottom view. .
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に
係るリードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図で
あり、（ｂ）は模式的な底面図である。4A and 4B show a lead frame according to a third embodiment of the present invention, wherein FIG. 4A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a schematic bottom view. .
【図５】（ａ）及び（ｂ）は従来の一括成形法に用いる
リードフレームを示し、（ａ）は模式的な平面図であ
り、（ｂ）は模式的な底面図である。FIGS. 5A and 5B show a lead frame used in a conventional batch molding method, wherein FIG. 5A is a schematic plan view and FIG. 5B is a schematic bottom view.
１０Ａ リードフレーム １０Ｂ リードフレーム １０Ｃ リードフレーム １１ 半導体装置形成領域 １１ａ ダイパッド部 １１ｂ リード部 １２ フレーム枠部 １２ａ 切り欠き部 １５ テープ材（樹脂回り込み防止材） １７ モールド（封止）ライン １７Ａ 封止樹脂部 ２０ 半導体素子 ２１ 金属細線 ３０ クランパ ３１ 切削用固定テープ材 ３２ ダイシングブレード DESCRIPTION OF SYMBOLS 10A Lead frame 10B Lead frame 10C Lead frame 11 Semiconductor device formation area 11a Die pad part 11b Lead part 12 Frame frame part 12a Notch part 15 Tape material (resin prevention material) 17 Mold (sealing) line 17A Sealing resin part 20 Semiconductor element 21 Fine metal wire 30 Clamp 31 Fixed tape material for cutting 32 Dicing blade
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA06 DB07 FA03 5F061 AA01 BA01 CA06 CB13 DD12 EA03 5F067 AA01 DE14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M109 AA01 BA01 CA06 DB07 FA03 5F061 AA01 BA01 CA06 CB13 DD12 EA03 5F067 AA01 DE14
Claims (6)
に配置された複数のリード部と、前記ダイパッド部及び
複数のリード部とを支持するフレーム枠部とを備えたリ
ードフレームであって、 前記リードフレームの素子保持面と反対側の面である底
面には、前記ダイパッド部及び複数のリード部を樹脂封
止する際に、封止用樹脂材が前記リードフレームの底面
側に回り込むことを防止する樹脂回り込み防止材が設け
られており、 前記フレーム枠部の側辺部には、前記樹脂回り込み防止
材における前記リードフレームの底面との対向面を前記
フレーム枠部から露出する切り欠き部が設けられている
ことを特徴とするリードフレーム。1. A lead frame comprising: a die pad portion; a plurality of lead portions arranged near the die pad portion; and a frame portion supporting the die pad portion and the plurality of lead portions. The bottom surface, which is the surface opposite to the element holding surface of the lead frame, prevents the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame when the die pad portion and the plurality of lead portions are resin-sealed. A cut-out portion is provided on a side of the frame portion to expose a surface of the resin cut-off preventing material facing the bottom surface of the lead frame from the frame portion. A lead frame characterized in that it is provided.
粘着性を有するテープ材であって、前記リードフレーム
の底面における半導体装置形成領域を除く領域を露出す
るように貼付されていることを特徴とする請求項１に記
載のリードフレーム。2. The resin wraparound preventing material is a tape material having adhesiveness or tackiness, and is attached so as to expose a region other than a semiconductor device forming region on a bottom surface of the lead frame. The lead frame according to claim 1.
に配置された複数のリード部と、前記ダイパッド部及び
複数のリード部とを支持するフレーム枠部とを備えたリ
ードフレームであって、 前記リードフレームの素子保持面と反対側の面である底
面には、前記ダイパッド部及び複数のリード部を樹脂封
止する際に、封止用樹脂材が前記リードフレームの底面
側に回り込むことを防止する樹脂回り込み防止材が半導
体装置形成領域を除く領域から露出するように設けられ
ていることを特徴とするリードフレーム。3. A lead frame comprising: a die pad portion; a plurality of lead portions arranged near the die pad portion; and a frame portion supporting the die pad portion and the plurality of lead portions, The bottom surface, which is the surface opposite to the element holding surface of the lead frame, prevents the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame when the die pad portion and the plurality of lead portions are resin-sealed. A lead frame which is provided so as to be exposed from a region excluding a semiconductor device formation region.
配置された複数のリード部、並びに前記ダイパッド部及
び複数のリード部を支持し且つ側辺部に切り欠き部が形
成されたフレーム枠部を有するリードフレームを用意す
る第１の工程と、 前記リードフレームの素子保持面と反対側の面である底
面に、樹脂回り込み防止材を封止用樹脂材が前記リード
フレームの底面側に回り込むことを防止するように設け
ると共に、前記樹脂回り込み防止材における前記リード
フレームの底面との対向面を前記切り欠き部から露出す
るように設ける第２の工程と、 前記ダイパッド部の素子保持面に半導体素子をそれぞれ
固着した後、前記半導体素子と前記複数のリード部とを
電気的に接続する第３の工程と、 前記半導体素子及び複数のリード部を封止用樹脂材によ
り前記リードフレームの半導体装置形成領域に封止する
第４の工程と、 前記樹脂回り込み防止材における前記切り欠き部から露
出する部分を保持し、保持した状態で前記樹脂回り込み
防止材を前記リードフレームの底面から除去する第５の
工程とを備えていることを特徴とする封止樹脂型半導体
装置の製造方法。4. A die pad portion, a plurality of lead portions arranged in the vicinity of the die pad portion, and a frame portion supporting the die pad portion and the plurality of lead portions and having a notch formed in a side portion. A first step of preparing a lead frame having: a resin material for sealing around a bottom surface of the lead frame opposite to the element holding surface; And a second step of providing a surface facing the bottom surface of the lead frame in the resin wraparound material so as to be exposed from the cutout portion. A third step of electrically connecting the semiconductor element and the plurality of leads after the respective elements are fixed, and sealing the semiconductor element and the plurality of leads with a sealing resin. A fourth step of sealing the semiconductor device formation region of the lead frame with a grease material, holding a portion of the resin wrap prevention material exposed from the notch, and holding the resin wrap prevention material in the held state; And a fifth step of removing the semiconductor device from the bottom surface of the lead frame.
止材として接着性又は粘着性を有するテープ材を用い、
該テープ材を前記リードフレームの底面における前記半
導体装置形成領域を除く領域が露出するように貼付する
工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の封止樹脂
型半導体装置の製造方法。5. The second step uses a tape material having adhesiveness or tackiness as the resin wraparound preventing material,
5. The method according to claim 4, further comprising the step of attaching the tape material so that a region other than the semiconductor device forming region on the bottom surface of the lead frame is exposed.
配置された複数のリード部、並びに前記ダイパッド部及
び複数のリード部を支持するフレーム枠部を有するリー
ドフレームを用意する第１の工程と、 前記リードフレームの素子保持面と反対側の面である底
面における前記半導体装置形成領域に、樹脂回り込み防
止材を、封止用樹脂材が前記リードフレームの底面側に
回り込むことを防止し且つ前記リードフレームの底面に
おける前記半導体装置形成領域を除く領域を露出するよ
うに設ける第２の工程と、 前記ダイパッド部の素子保持面に半導体素子をそれぞれ
固着した後、前記半導体素子と前記複数のリード部とを
電気的に接続する第３の工程と、 前記半導体素子及び複数のリード部を封止用樹脂材によ
り前記リードフレームの半導体装置形成領域に封止する
第４の工程と、 前記リードフレームの底面における前記樹脂回り込み防
止材から露出する部分を保持し、保持した状態で前記樹
脂回り込み防止材を前記リードフレームの底面から除去
する第５の工程とを備えていることを特徴とする封止樹
脂型半導体装置の製造方法。6. A first step of preparing a lead frame having a die pad portion, a plurality of lead portions arranged near the die pad portion, and a frame portion supporting the die pad portion and the plurality of lead portions. In the semiconductor device formation region on the bottom surface opposite to the element holding surface of the lead frame, a resin wrap preventing material is provided to prevent the sealing resin material from wrapping around the bottom surface of the lead frame and to provide the lead. A second step of exposing a region excluding the semiconductor device formation region on the bottom surface of the frame, and after fixing the semiconductor elements to the element holding surface of the die pad section, respectively, the semiconductor element and the plurality of lead sections A third step of electrically connecting the semiconductor element and the semiconductor of the lead frame with a resin material for sealing the semiconductor element and the plurality of leads. A fourth step of sealing in the device formation region; holding a portion of the bottom surface of the lead frame exposed from the resin wraparound member; removing the resin wraparound member from the bottom surface of the leadframe while holding the portion; A method for manufacturing a sealing resin type semiconductor device, comprising: a fifth step.
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