JP2897396B2 - External lead molding method for resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents

External lead molding method for resin-encapsulated semiconductor device

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JP2897396B2
JP2897396B2 JP28283590A JP28283590A JP2897396B2 JP 2897396 B2 JP2897396 B2 JP 2897396B2 JP 28283590 A JP28283590 A JP 28283590A JP 28283590 A JP28283590 A JP 28283590A JP 2897396 B2 JP2897396 B2 JP 2897396B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はQFP(クアッドフラットパッケージ)型及びS
OP(スモールアウトラインパッケージ)型等のガルウィ
ング状の外部リードを有する樹脂封止型半導体装置の外
部リード成形方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a QFP (quad flat package) type
The present invention relates to an external lead forming method for a resin-sealed semiconductor device having a gull-wing-shaped external lead such as an OP (small outline package) type.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法を
第5図の断面図により説明する。
A conventional method of molding external leads of a resin-sealed semiconductor device will be described with reference to the cross-sectional view of FIG.

樹脂封止後、タイバー切断及びめっき処理等の工程を
終了した半導体装置14(以下ICと略す)は、樹脂封止部
から横方向に突出する外部リード15aを有している。そ
して、リード成形金型の下型に固定されたダイ12は、樹
脂封止部の近傍で外部リード15aを支持する凸部を有し
ている。また、成形金型の上型のパッド13aはダイ12の
上方に配設され、その外縁部には下向きの凸部が設けら
れている。また、このパッド13aを取り囲むように角筒
状のパンチ11aが配設されている。このパッド13a及びパ
ンチ11aを含む上型は、駆動装置によって上下運動をす
る。又、パッド13aと上型のベースプレートとの間には
スプリングが介在し、パッド13はスプリングの反力によ
り機能する。
After the resin sealing, the semiconductor device 14 (hereinafter abbreviated as IC) that has completed the steps such as tie bar cutting and plating processing has external leads 15a projecting laterally from the resin sealing portion. The die 12 fixed to the lower die of the lead forming die has a convex portion that supports the external lead 15a near the resin sealing portion. Further, the upper mold pad 13a of the molding die is disposed above the die 12, and a downwardly protruding portion is provided at the outer edge thereof. Further, a rectangular cylindrical punch 11a is provided so as to surround the pad 13a. The upper die including the pad 13a and the punch 11a moves up and down by a driving device. A spring is interposed between the pad 13a and the upper base plate, and the pad 13 functions by the reaction force of the spring.

先ず、IC14は外部リード15aの基端部をダイ12の凸部
に接触させて載置される。次に、IC14の上方から上型を
矢印にて示すように下降させていくと、IC14はダイ12の
凸部と下降したパッド13の凸部との間で外部リード15a
の基端部を一直線状に挾持され、さらに上型が下降する
と、スプリングの反力により加圧固定されることにな
る。更に上型を下降させ、パンチ11aをパッド13の側面
に沿って矢印にて示すように、所定の位置まで下降させ
る。この下降したパンチ11により、外部リード15aはダ
イ12の形状に倣った第1及び第2の曲部を有するガルウ
ィング状の外部リード15に成形される。その後、パンチ
11及びパッド13が順次上昇して外部リード15の成形を終
了する。
First, the IC 14 is mounted with the base end of the external lead 15a in contact with the projection of the die 12. Next, when the upper die is lowered from above the IC 14 as shown by the arrow, the IC 14 is connected to the external lead 15a between the convex portion of the die 12 and the convex portion of the pad 13 which has been lowered.
Is held in a straight line, and when the upper mold is further lowered, it is pressed and fixed by the reaction force of the spring. Further, the upper die is lowered, and the punch 11a is lowered to a predetermined position along the side surface of the pad 13 as indicated by an arrow. Due to the lowered punch 11, the external lead 15a is formed into a gull-wing-shaped external lead 15 having first and second curved portions following the shape of the die 12. Then punch
11 and the pad 13 are sequentially raised, and the forming of the external lead 15 is completed.

第6図はパッド13及びパンチ11が下降した状態での第
5図のA−Aにおける断面図、第7図は同じく第5図の
B−Bにおける断面図である。従来は、このように、ダ
イとパッドとにより外部リード15aの基端部を一直線上
に挾持してIC14を固定し、ダイ12とパンチ11とにより外
部リード15の先端側を一直線上に加圧挾持して外部リー
ドをガルウィング状に成形している。
FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 5 with the pad 13 and the punch 11 lowered, and FIG. 7 is a sectional view taken along the line BB of FIG. Conventionally, the IC 14 is fixed by holding the base end of the external lead 15a in a straight line between the die and the pad, and pressing the tip end of the external lead 15 in a straight line with the die 12 and the punch 11. The external lead is formed in a gull wing shape by being clamped.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、一般にICは、上型と下型とからなる射
出成形金型の空間内に、リードフレーム上に固着された
半導体チップを配置し、この金型の空間内に樹脂を射出
成形して樹脂封止される。そして、樹脂が一時硬化した
後、型空きを行って取り出す際に、封止樹脂は下型に収
まったまま上型のみが取り除かれるため、封止樹脂の上
部が外気に触れて下部より先に冷却して収縮する。
However, in general, an IC is configured such that a semiconductor chip fixed on a lead frame is arranged in a space of an injection mold including an upper mold and a lower mold, and a resin is injection-molded in the space of the mold. Sealed. Then, after the resin is temporarily cured, when the mold is emptied and removed, only the upper mold is removed while the sealing resin remains in the lower mold, so the upper part of the sealing resin contacts the outside air and Cools and shrinks.

又、封止樹脂と封止樹脂の中層付近に位置するリード
フレーム部とでは熱膨張係数が異なり、一般にリードフ
レーム部の熱膨張係数は2桁程度小さい。これらの理由
により、一般に封止樹脂の端部が上方へ引き上げられる
ような反りが発生する。通常、樹脂封止後に半導体装置
の端部と中央部での外部リード基端部の相対的な高さの
差は20μmから50μm程度である。
Also, the thermal expansion coefficient of the sealing resin is different from that of the lead frame portion located near the middle layer of the sealing resin, and the thermal expansion coefficient of the lead frame portion is generally about two digits smaller. For these reasons, in general, warpage occurs such that the end of the sealing resin is pulled up. Usually, the difference in the relative height between the base of the external lead and the end of the semiconductor device after resin sealing is about 20 μm to 50 μm.

上述した従来の外部リード成形方法においては、外部
リードの基端部をパッド13とダイ12とにより挾持するた
め、一時的には、この反りが矯正される。そして外部リ
ード15aをこの状態でガルウィング状に成形加工するた
め、成形後にパンチ11及びパッド13を上昇させると、第
8図の断面図に示すように、反りが復元される。そし
て、第9図の側面図に示すように、ICの外部リードの先
端部が同一平面上に並ばず、その平坦性が悪いものにな
る。
In the conventional external lead forming method described above, since the base end of the external lead is sandwiched between the pad 13 and the die 12, this warpage is temporarily corrected. Then, since the external lead 15a is formed into a gull wing shape in this state, when the punch 11 and the pad 13 are raised after the forming, the warpage is restored as shown in the sectional view of FIG. Then, as shown in the side view of FIG. 9, the tips of the external leads of the IC do not line up on the same plane, and the flatness is poor.

近年、ICの高密度実装化及び多ピン化に伴い、外部リ
ード間ピッチは小さくなる傾向に有る。そのため、プリ
ント基板のファインピッチ化が促進され、半田ブリッジ
を防止するためにICの実装の際に塗布される半田ペース
トの塗布量は少なくなる。例えば、外部リード間ピッチ
が0.65mmであるICでは塗布される半田の厚さは150μm
程度である。しかし、上述したように従来の方法で成形
されたICの外部リードは平坦性が悪いため、プリント基
板への実装の際に半田付不良が発生するという問題点が
有った。
In recent years, the pitch between external leads has tended to be reduced with the increase in the density of ICs and the increase in the number of pins. Therefore, the fine pitch of the printed circuit board is promoted, and the application amount of the solder paste applied at the time of mounting the IC to prevent the solder bridge is reduced. For example, for an IC with an external lead pitch of 0.65 mm, the thickness of the applied solder is 150 μm
It is about. However, as described above, since the external leads of the IC formed by the conventional method have poor flatness, there has been a problem that a soldering failure occurs during mounting on a printed circuit board.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、反りを有する樹脂封止型半導体装置の外部リードの
先端部の平坦性を改善して、半田特性を向上させること
ができる樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方法を
提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and has been made in view of the above circumstances. It is an object of the present invention to provide a method for molding external leads of a mold semiconductor device.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明である樹脂封止型半導体装置の外部リード成形
方法は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部から側方へ
突出した複数個の外部リードの基端部を成形金型のダイ
とパッドとにより加圧挾持する工程と、前記成形金型の
パンチにより前記外部リードをその基端側の部分及び先
端側の部分の2点を曲げ加工してガルウィング状に成形
する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の外部リード
成形方法において、ダイ及びパッドをそれぞれ対応する
個片に分離し、樹脂封止過程により生じる外部リード間
の基端部の垂直方向の相対的変位を検出し、前記分離し
たダイ及びパッドの外部リードの基端部をそれぞれ加圧
挾持する構成面の位置を前記変位量に基づき変化させ、
外部リードの基端部の垂直方向の相対的変位と、前記分
離したダイ及びパッドの加圧挾持構成面の位置とを近似
させた状態にして外部リードを曲げ加工する成形方法で
ある。
The method for molding an external lead of a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes the steps of: forming a base end of a plurality of external leads protruding laterally from a resin-encapsulated portion of the resin-encapsulated semiconductor device with a die of a molding die; A resin having a step of pressing and clamping with a pad, and a step of forming the external lead into a gull wing shape by bending two points of a base end portion and a tip end portion of the external lead with a punch of the forming die. In the method of molding an external lead of a sealed semiconductor device, the die and the pad are separated into corresponding individual pieces, and a vertical relative displacement of a base end portion between the external leads caused by a resin sealing process is detected. The positions of the constituent surfaces for pressing and holding the base ends of the external leads of the separated die and pad are changed based on the displacement amount,
This is a molding method in which the external lead is bent while the relative displacement of the base end of the external lead in the vertical direction is approximated to the position of the separated clamping surface of the die and pad.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。第1図
(a),(b)は第1の実施例を説明するリード成形金
型の断面図、第2図は第1実施例のリード成形金型のス
テージ構成を示す平面図、第3図は第1実施例のダイ
(支持部)の位置制御方法を示す構成図である。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings. 1 (a) and 1 (b) are cross-sectional views of a lead molding die for explaining a first embodiment, FIG. 2 is a plan view showing a stage configuration of the lead molding die of the first embodiment, and FIG. FIG. 5 is a configuration diagram showing a method for controlling the position of a die (supporting portion) according to the first embodiment.

本発明の従来例と特に異なる点は、リード成形前に主
に樹脂封止工程にて生じたICの外部リードの基端部の垂
直方向の相対的変位を検出する工程を有することであ
る。
The difference from the conventional example of the present invention is that a step of detecting a vertical relative displacement of a base end portion of an external lead of an IC mainly generated in a resin sealing step before lead molding is provided.

先ず、第2図に示す様に、リードフレームより個片に
分離されたIC4を、リード変位検出用ステージ2dの封止
樹脂受け凸部2e上に封止樹脂が接するように載置する。
垂直方向より全ての外部リード5の基端部に関して、垂
直方向の位置をレーザ変位計等を用いて測定し、スタン
ドオフ値から逆算した基準位置からの変位量を求め、デ
ータを記憶する。
First, as shown in FIG. 2, the IC 4 separated from the lead frame into individual pieces is placed on the sealing resin receiving convex portion 2e of the lead displacement detection stage 2d so that the sealing resin is in contact therewith.
With respect to the base ends of all the external leads 5 from the vertical direction, the vertical position is measured using a laser displacement meter or the like, the displacement from the reference position calculated back from the standoff value is obtained, and the data is stored.

次に、リード成形ステージ2cのダイ(支持部)2dの配
列を、前記相対的変位状態に近似させる。ダイ(支持
部)2dは従来例のような一体型の構造ではなく、小数の
外部リード毎に対応するように最小単位の個片に分割さ
れ、ダイガイド7の内側にて垂直方向に独立に運動可能
である。そして、ダイ(支持部)2bの変位量は前記デー
タに基づき設定される。対応する外部リード5が複数の
場合は基端部の変位の平均値をフィードバックする。ダ
イ(支持部)2bの位置のねらい値は、スタンドオフ値を
基にした基準位置に前記変位量を加えることにより求め
られる。
Next, the arrangement of the dies (support portions) 2d of the lead forming stage 2c is approximated to the relative displacement state. The die (supporting portion) 2d is not an integral structure as in the conventional example, but is divided into individual pieces of a minimum unit so as to correspond to a small number of external leads, and independently in the vertical direction inside the die guide 7. Exercise is possible. The displacement amount of the die (support portion) 2b is set based on the data. When there are a plurality of corresponding external leads 5, the average value of the displacement of the base end is fed back. The aim value of the position of the die (support portion) 2b is obtained by adding the displacement to a reference position based on the standoff value.

各ダイ(支持部)2bのねらい値に対して、レーザ変位
計101によるダイ(支持部)2bの垂直方向の位置の測定
値をフィードバックしながら、圧電アクチュエータ105
を駆動源としてコントローラ103及びアクチュエータア
ンプ104により電圧を制御することにより、±1μm程
度の精度にて垂直方向の位置決めを各々のダイ(支持
部)2bに関して行う。尚、圧電アクチュエータ105に
は、例えばマグネシウムニオブ酸鉛系のセラミック材料
の積層形を用いる。
While feeding back the measured value of the vertical position of the die (support) 2b by the laser displacement meter 101 with respect to the aim value of each die (support) 2b, the piezoelectric actuator 105
By controlling the voltage with the controller 103 and the actuator amplifier 104 using the as a drive source, vertical positioning is performed with respect to each die (support portion) 2b with an accuracy of about ± 1 μm. Note that, for the piezoelectric actuator 105, for example, a laminated type of lead magnesium niobate-based ceramic material is used.

ダイ(支持部)2bの位置決めが終了した後、ダイ(支
持部)2bの内側よりプッシャー等によりダイ(成形部)
2a側に加圧することにより保持し、第1図(a)に示す
様にダイ(支持部)2bはIC4の外部リード5の基端部の
変位に近似した状態にて待機する。IC4をリード変位検
出用ステージ2dよりリード成形ステージ2cに移動し、外
部リード5の基端部とダイ(支持部)2bに接触する様に
載置する。
After the positioning of the die (supporting portion) 2b is completed, the die (forming portion) is pressed from the inside of the die (supporting portion) 2b by a pusher or the like.
2a, the die (supporting portion) 2b stands by in a state similar to the displacement of the base end of the external lead 5 of the IC 4, as shown in FIG. 1 (a). The IC 4 is moved from the lead displacement detection stage 2d to the lead forming stage 2c, and is mounted so as to be in contact with the base end of the external lead 5 and the die (support portion) 2b.

次にIC4の上方より上型を下降させていくと、IC4はダ
イ(支持部)2bと下降したパッド3との間で挾持され
る。その際、パッド3は個片に独立したダイ(支持部)
2bに対応するように同様に個片に分離され、各パッドに
は夫々スプリング9が設けられており、パッドガイド6
により垂直方向に独立して運動することが可能である。
そのため、パッド3は夫々のダイ(支持部)2bの変位に
応じた位置にて停止し、外部リード5の基端部を加圧挾
持し始める。
Next, when the upper die is lowered from above the IC 4, the IC 4 is clamped between the die (supporting portion) 2 b and the lowered pad 3. At this time, the pad 3 is an independent die (support part)
Similarly, each pad is provided with a spring 9 so as to correspond to 2b.
Allows independent movement in the vertical direction.
Therefore, the pad 3 stops at a position corresponding to the displacement of each die (support portion) 2b, and starts to press and clamp the base end of the external lead 5.

更に上型を下降させると、パンチ1は外部リード5を
基端側から下方に折り曲げ始め、更に下降すると最終的
に第1図(b)の様にダイ(成形部)2aとの間で外部リ
ード5の先端側を挾持して停止し、外部リード5をガル
ウィング状に成形する。その後、パンチ1及びパッド3
が順次上昇して、外部リード5の成形を終了する。
When the upper die is further lowered, the punch 1 starts to bend the external lead 5 downward from the base end side. When the punch is further lowered, the external lead 5 finally contacts the die (molded portion) 2a as shown in FIG. 1 (b). The end of the lead 5 is clamped and stopped, and the external lead 5 is formed into a gull wing shape. Then, punch 1 and pad 3
Sequentially rise, and the molding of the external lead 5 is completed.

以上の様に、樹脂封止工程にて生じる外部リード間の
基端部の垂直方向の相対的変位を検出して、分離された
ダイ及びパッドの外部リードの基端部をそれぞれ挾持す
る構成面を前記変位量に基づき変化させて外部リードの
基端部の垂直方向の相対的変位とダイ及びパッドの加圧
挾持面とを近似させた状態にして外部リードを曲げ加工
しているので、従来例の様に、リード成形後に外部リー
ドの基端部がスプリングバックすることが殆ど無く、従
来例では外部リードの先端部の平坦性が悪く、先端部の
ばらつきが100μmを越えるものが存在することが有っ
たが、本実施例によれば最大でも30μm以下とすること
ができ、ICをプリント基板に実装するときの半田付性が
著しく向上し、接触不良等の不都合を回避することがで
きるのでICの信頼性が著しく向上する。
As described above, by detecting the relative displacement in the vertical direction of the base end between the external leads generated in the resin sealing process, the separated die and the pad are respectively configured to hold the base end of the external lead of the pad. Is changed based on the displacement amount to approximate the vertical relative displacement of the base end portion of the external lead and the pressure holding surface of the die and pad, and the external lead is bent. As in the example, the base end of the external lead hardly springs back after the lead is formed. In the conventional example, the flatness of the distal end of the external lead is poor, and the variation of the distal end exceeds 100 μm. However, according to the present embodiment, the maximum can be reduced to 30 μm or less, the solderability when mounting the IC on the printed circuit board is significantly improved, and inconveniences such as poor contact can be avoided. Because of the reliability of IC Improve.

第4図(a),(b),(c)は第2の実施例のリー
ド成形金型の断面図である。本実施例が第1の実施例と
異なる点は、ICの外部リードの基端部の垂直方向の相対
的変位の検出方法及び前記相対的変位状態のダイ(支持
部)へのフィードバック方法が異なる。
FIGS. 4 (a), (b) and (c) are cross-sectional views of a lead forming die according to a second embodiment. This embodiment differs from the first embodiment in the method of detecting the relative displacement of the base end of the external lead of the IC in the vertical direction and the method of feeding back the relative displacement state to the die (support portion). .

第4図(a)に示す様に、小数の外部リード毎に対応
する様に個片に分割されたダイ(支持部)2bとベースプ
レート8aとの間には、夫々変位検出用スプリング9aを有
している。尚、この時点ではダイ(支持部)2bは一律状
態にある。
As shown in FIG. 4 (a), a displacement detecting spring 9a is provided between the die (supporting portion) 2b and the base plate 8a which are divided into individual pieces so as to correspond to a small number of external leads. doing. At this point, the die (support portion) 2b is in a uniform state.

次に第4図(b)に示す様に、IC4を外部リード5の
基端部がダイ(支持部)2bに接する様に載置し、変位検
出用プッシャー10を封止樹脂上から垂直方向に、ある一
定の位置までIC4を下降させる。この時、ダイ(支持
部)2bは夫々独立してスプリング9aに支持されているの
で、外部リード5の基端部の相対的変位状態を反映した
配列を形成する。尚、外部リード5の基端部に加わる負
荷は、外部リード1本当たり数g程度になる様なばね定
数のばねを使用する。
Next, as shown in FIG. 4 (b), the IC 4 is placed so that the base end of the external lead 5 is in contact with the die (supporting portion) 2b, and the displacement detecting pusher 10 is vertically moved from above the sealing resin. Then, IC4 is lowered to a certain position. At this time, since the dies (supporting portions) 2b are independently supported by the springs 9a, an array reflecting the relative displacement state of the base end of the external lead 5 is formed. A spring having a spring constant such that the load applied to the base end of the external lead 5 is several g per external lead is used.

次に、ダイ(支持部)2bの配列を、ダイ(支持部)2b
の内側よりプッシャー等によりダイ(成形部)2a側に加
圧することにより保持する。そして、変位検出用プッシ
ャー10を上昇させる。以下の工程は第1実施例と同様で
あり、第4図(c)に示す様に上型を下降させていく
と、パッド3は夫々ダイ(支持部)2bの変位に応じた位
置にて停止し、外部リード5の基端部を加圧し始める。
更に下降させるとパンチ1は外部リード5を基端側から
下方に折り曲げ始め、最終的にはダイ(成形部)2aとの
間で外部リード5の先端側を挾持して静止し、外部リー
ドをガルウィング状に成形する。その後、パンチ1及び
パッド3を順次上昇して外部リード5の成形を終了す
る。
Next, the arrangement of the dies (supporting portions) 2b is
Is held by pressing the die (molded portion) 2a side with a pusher or the like from inside. Then, the displacement detection pusher 10 is raised. The following steps are the same as those in the first embodiment. When the upper die is lowered as shown in FIG. 4 (c), the pads 3 are respectively positioned at positions corresponding to the displacement of the die (support portion) 2b. It stops and starts pressurizing the base end of the external lead 5.
When the punch 1 is further lowered, the punch 1 begins to bend the external lead 5 downward from the base end side, and finally stops by holding the distal end side of the external lead 5 with the die (molded portion) 2a, and stops the external lead. Form into gull wings. Thereafter, the punch 1 and the pad 3 are sequentially raised, and the molding of the external lead 5 is completed.

本実施例においては、第1の実施例と同様の効果があ
るとともに、リード成形金型の製作が低コストにて行え
るという利点を有する。
This embodiment has the same effects as the first embodiment, and has the advantage that the lead molding die can be manufactured at low cost.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、ICの主に樹脂封
止工程にて生じる外部リード間の基端部の垂直方向の相
対的変位を検出して、個片に分離したダイ及びパッドの
外部リードの基端部を挾持する構成面の位置を変化させ
て前記外部リード間の基端部の垂直方向の相対的変位と
近似させた状態にて外部リードを曲げ下降しているの
で、従来例のようにリード成形後に外部リードの基端部
がスプリングバックすることが殆んど無く、従来例では
外部リードの先端側の平坦性が悪く、外部リードの先端
部のばらつきが100μmを越えるものもあったのに対
し、本発明によれば最大で30μm以下とすることがで
き、ICのプリント基板実装時の半田付性が極めて良好と
なり、接触不良等の不都合が回避できる。このため、IC
の信頼性が著しく向上する。
As described above, according to the present invention, the relative displacement of the base end between the external leads in the vertical direction generated mainly in the resin sealing step of the IC is detected, and the die and the pad separated into individual pieces are detected. Since the external lead is bent and lowered in a state in which the position of the component surface holding the base end of the external lead is changed to approximate the vertical relative displacement of the base end between the external leads, As shown in the example, after the lead molding, the base end of the external lead hardly springs back. In the conventional example, the flatness of the distal end of the external lead is poor, and the variation of the distal end of the external lead exceeds 100 μm. On the other hand, according to the present invention, the thickness can be reduced to 30 μm or less at maximum, so that the solderability at the time of mounting the IC on the printed circuit board becomes extremely good, and problems such as poor contact can be avoided. Because of this, IC
Significantly improves the reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a),(b)は本発明の第1の実施例に用いる
リード成形金型の断面図、第2図は本発明の第1の実施
例に用いるリード成形金型のステージ構成を示す平面
図、第3図は本発明の第1の実施例に用いるダイ(支持
部)の位置制御方法を説明する構成図、第4図(a),
(b),(c)は本発明の第2の実施例に用いるリード
成形金型の断面図、第5図は従来のICの外部リード成形
方法を説明する断面図、第6図は第5図のA−A線にお
ける断面図、第7図は第5図のB−B線における断面
図、第8図は従来のパッドが上昇したときの外部リード
の基端部の位置を示す断面図、第9図は従来の方法によ
る外部リード成形後のICを示す側面図である。 1,11,11a……パンチ、2a……ダイ(成形部)、2b……ダ
イ(支持部)、2c……リード成形ステージ、2d……リー
ド変位検出用ステージ、2e……封止樹脂受け凸部、3,1
3,13a……パッド、1,14……IC、5,15,15a……外部リー
ド、6……パッドガイド、7……ダイガイド、8,8a……
ベースプレート、9……スプリング、9a……変位検出用
スプリング、10……変位検出用プッシャー、12……ダ
イ、101……レーザ変位計、102……データ処理部、103
……コントローラ、104……アクチュエータアンプ、105
……圧電アクチュエータ、106……ダイ駆動用パッド。
1 (a) and 1 (b) are sectional views of a lead molding die used in the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a stage configuration of the lead molding die used in the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a method of controlling the position of a die (supporting portion) used in the first embodiment of the present invention, and FIGS.
(B) and (c) are cross-sectional views of a lead forming die used in the second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a conventional external lead forming method of an IC, and FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 7, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 5, and FIG. 8 is a cross-sectional view showing a position of a base end of an external lead when a conventional pad is raised. FIG. 9 is a side view showing an IC after external leads are formed by a conventional method. 1,11,11a Punch, 2a Die (molding part), 2b Die (support part), 2c Lead molding stage, 2d Lead displacement detection stage, 2e Sealing resin receiver Convex, 3,1
3,13a… pad, 1,14… IC, 5,15,15a… External leads, 6… pad guide, 7… die guide, 8,8a…
Base plate, 9: Spring, 9a: Displacement detection spring, 10: Displacement detection pusher, 12: Die, 101: Laser displacement meter, 102: Data processing unit, 103
…… Controller, 104 …… Actuator amplifier, 105
…… Piezoelectric actuator, 106 …… Die drive pad.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部から側
方へ突出した複数個の外部リードの基端部を成形金型の
ダイとパッドとにより加圧挾持する工程と、前記成形金
型のパンチにより前記外部リードをその基端側の部分及
び先端側の部分の2点を曲げ加工しガルウィング状に成
形する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の外部リー
ド成形方法において、ダイ及びパッドをそれぞれ対応す
る個片に分離し、樹脂封止過程により生じる各外部リー
ド間の基端部の垂直方向の相対的な変位を検出し、前記
分離したダイ及びパッドの外部リードの基端部をそれぞ
れ加圧挾持する構成面の位置を前記変位量に基づき変位
させ、外部リードの基端部の垂直方向の相対的変位と、
前記分離したダイ及びパッドの加圧挾持構成面の位置と
を近似させた状態にして外部リードを曲げ加工すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の外部リード成形方
法。
A step of clamping the base ends of a plurality of external leads protruding laterally from a resin-sealed portion of a resin-sealed semiconductor device with a die and a pad of a molding die; Forming a gull wing shape by bending the external lead at two points, a base end portion and a tip end portion, with a die punch. And the pads are separated into corresponding pieces, and the relative displacement of the base end between the external leads caused by the resin sealing process in the vertical direction is detected, and the separated base ends of the external leads of the die and pad are separated. The positions of the constituent surfaces for pressing and holding the respective parts are displaced based on the displacement amount, and the relative displacement in the vertical direction of the base end of the external lead,
An external lead forming method for a resin-encapsulated semiconductor device, characterized in that the external lead is bent in a state in which the position of the separated die and pad is close to the pressure holding surface.
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