JPH06291108A - Pattern structure and pattern formation - Google Patents
Pattern structure and pattern formationInfo
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- JPH06291108A JPH06291108A JP5075717A JP7571793A JPH06291108A JP H06291108 A JPH06291108 A JP H06291108A JP 5075717 A JP5075717 A JP 5075717A JP 7571793 A JP7571793 A JP 7571793A JP H06291108 A JPH06291108 A JP H06291108A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はサーマルヘッド等の配線
パターンの形成に利用される、基板上の金属膜、酸化膜
等のパターン構造とパターン形成方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern structure of a metal film, an oxide film or the like on a substrate and a pattern forming method used for forming a wiring pattern of a thermal head or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えばファクシミリ装置やプリン
タ等、各種情報処理手段の印刷出力手段として使用され
る感熱記録装置におけるサーマルヘッドの基板上に、所
望の配線、電極等の回路パターンを形成する場合、基板
上に形成した金（Ａｕ）等の金属膜上に塗布したレジス
トによりパターンを形成し、パターン以外の不必要な金
属膜部分をエッチングして除去することによって形成し
ている。このエッチング方式としては、ウエットエッチ
ング法とドライエッチング法の２種類の方法がある。こ
の２つの方法のうちウエットエッチング法は設備費用が
かからず経済的であり、短時間でエッチング処理ができ
ることから繁用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a circuit pattern such as a desired wiring or an electrode is formed on a substrate of a thermal head in a thermal recording apparatus used as a printout unit of various information processing units such as a facsimile machine and a printer. A pattern is formed by a resist applied on a metal film such as gold (Au) formed on a substrate, and unnecessary metal film portions other than the pattern are removed by etching. There are two types of etching methods, a wet etching method and a dry etching method. Of these two methods, the wet etching method is widely used because it requires no equipment cost, is economical, and enables etching processing in a short time.
【０００３】多用されているウエットエッチング法を図
面を参照して説明する。図９、図１０に示すような、ア
ルミナ等の基板１に形成されたグレーズ層２の上面に金
（Ａｕ）よりなる金属膜３を形成し、電極パターン３Ｐ
を形成する場合を説明する。先ず、図７のようにグレー
ズ層２の上面に金（Ａｕ）よりなる金属層３を形成す
る。次に、図８に示すように金属層３の上面にフォトレ
ジスト膜を形成し、電極パターンに対応したパターンを
有するフォトマスクを用い、フォトリソグラフィー技術
を採用して金属層３上にフォトレジストパターン４を形
成する。その後、露出した金属層３をＫＩ、Ｉ2の混合
溶液によりエッチング除去し、さらにフォトレジストパ
ターン４を除去して、グレーズ層２の上に金よりなる電
極パターン３Ｐを形成する。A widely used wet etching method will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 9 and 10, the metal film 3 made of gold (Au) is formed on the upper surface of the glaze layer 2 formed on the substrate 1 made of alumina or the like, and the electrode pattern 3P is formed.
The case of forming the will be described. First, as shown in FIG. 7, a metal layer 3 made of gold (Au) is formed on the upper surface of the glaze layer 2. Next, as shown in FIG. 8, a photoresist film is formed on the upper surface of the metal layer 3, a photomask having a pattern corresponding to the electrode pattern is used, and a photolithography technique is adopted to form a photoresist pattern on the metal layer 3. 4 is formed. Then, the exposed metal layer 3 is removed by etching with a mixed solution of KI and I 2 , and the photoresist pattern 4 is removed to form an electrode pattern 3P made of gold on the glaze layer 2.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記ウエットエッチン
グ法はパターンの高密度化にともない、図１０のように
フォトレジストパターン４の間隙が狭くなる。電極パタ
ーン形成時のエッチング処理工程におけるＫＩとＩ2の
混合溶液のエッチング液Ｅは、矢印方向に流れて循環し
ているが、フォトレジストパターン４の間隔が狭くなる
とエッチング液はフォトレジストパターン４間の狭い流
路５で流れがとどこおり、循環が悪化する。そして、フ
ォトレジスト４間に滞留したエッチング液は毛細管現象
でフォトレジスト４下部の金属層３内に侵食し、パター
ンのサイドエッチング量が大きくなってしまい、パター
ンが細くなってしまうと共に、既反応液が多くなりエッ
チング・レートが遅くなり、エッチングばらつきを引き
起こす。さらに、パターンの高密度化にともない、エッ
チング条件の許容範囲を小さくしなければならないた
め、パターンの欠陥が発生しやすかった。In the above wet etching method, as the density of the pattern is increased, the gap between the photoresist patterns 4 becomes narrower as shown in FIG. The etching solution E of the mixed solution of KI and I 2 in the etching process at the time of forming the electrode pattern flows and circulates in the direction of the arrow. However, when the space between the photoresist patterns 4 becomes narrow, the etching solution is between the photoresist patterns 4. The flow path is narrow in the narrow channel 5, and the circulation is deteriorated. Then, the etching liquid retained between the photoresists 4 erodes into the metal layer 3 below the photoresist 4 due to a capillary phenomenon, the side etching amount of the pattern becomes large, and the pattern becomes thin. And the etching rate slows down, causing etching variations. Further, as the pattern density has been increased, the allowable range of etching conditions has to be reduced, so that pattern defects are likely to occur.
【０００５】そこで、特開平４−２４３１３０号公報
に、サイドエッチング量を小さくしてパターンの高密度
化を図るエッチング処理方法が開示されているが、この
方法はサイド方向へのエッチング量を減らすことは可能
であるが、フォトレジストパターン間でのエッチング液
の循環の悪化に対しては有効ではなかった。そこで、本
発明の目的は上記した欠点を解消するために、高密度の
パターンが形成されるグレーズ層の表面のエッチング液
の循環を良くすることにより、欠陥のない高密度のパタ
ーン構造、および高密度のパターン形成方法を提供する
ものである。Therefore, Japanese Patent Laid-Open No. 4-243130 discloses an etching treatment method for reducing the side etching amount to increase the density of the pattern. This method is to reduce the etching amount in the side direction. However, it was not effective against the deterioration of the circulation of the etching solution between the photoresist patterns. Therefore, an object of the present invention is to improve the circulation of the etching solution on the surface of the glaze layer on which a high-density pattern is formed, in order to eliminate the above-mentioned defects, and thus to achieve a defect-free high-density pattern structure and a high-density pattern structure. A method of forming a pattern of density is provided.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の電極パターンの
ようなパターン構造は、その表面に段差部を介して凹部
分を有した基板上に形成するグレーズ層と、パターンの
一部をグレーズ層の表面の段差部を介した凹部分に配設
したパターン形成部とを具備する。A pattern structure such as an electrode pattern of the present invention has a glaze layer formed on a substrate having a recessed portion on its surface through a step portion, and a part of the pattern is a glaze layer. And a pattern forming portion disposed in a concave portion through a step portion on the surface of the.
【０００７】本発明の電極パターンのような高密度パタ
ーンを有するパターン構造の形成方法は、基板上にグレ
ーズ層を形成する工程と、グレーズ層の上面に第１のレ
ジストパターンを形成する工程と、エッチングによりグ
レーズ層上面に第１のレジストパターンに沿った段差部
を介して凹部分を形成する工程と、凹部分を形成したグ
レーズ層の表面に所望のパターンを形成する被パターン
形成層を形成する工程と、被パターン形成層上面に、高
密度部分を有するパターンの一部を凹部分に配設して第
２のレジストパターンを形成する工程と、第２のレジス
トパターンが形成されない被パターン形成層の露出部分
をエッチングする工程と、第２のレジストパターンを除
去してグレーズ層上に高密度部分を有する所望のパター
ン形成部を形成する工程とを具備する。A method of forming a pattern structure having a high density pattern such as an electrode pattern of the present invention comprises a step of forming a glaze layer on a substrate, and a step of forming a first resist pattern on the upper surface of the glaze layer. A step of forming a concave portion on the upper surface of the glaze layer by etching through a step portion along the first resist pattern, and forming a patterned layer for forming a desired pattern on the surface of the glaze layer in which the concave portion is formed A step of forming a second resist pattern by arranging a part of a pattern having a high-density portion in a concave portion on the upper surface of the pattern formed layer, and a pattern formed layer in which the second resist pattern is not formed Etching the exposed part of the film, and removing the second resist pattern to form a desired pattern forming part having a high density part on the glaze layer. Comprising a step.
【０００８】[0008]
【作用】基板上に構成されたパターン構造は、パターン
の高密度部分に凹部を設けることにより、凹部内に配設
されるパターンと、凸部分に配設されるパターンとの間
の距離を長く形成でき、高密度パターン形成部分の漏話
を減少する。また、被パターン形成層を形成する前に、
グレーズ層の表面を選択的にエッチングして、高密度の
パターンが形成されるグレーズ層の表面にパターンに沿
って段差を設けておくことにより、レジストパターン間
の狭い場所が凹状になることを防ぎ、エッチング液の循
環の悪化によるエッチングばらつきを解消する。In the pattern structure formed on the substrate, the recesses are provided in the high density portion of the pattern, so that the distance between the pattern disposed in the recess and the pattern disposed in the convex portion is increased. It can be formed and reduces the crosstalk in the high density pattern formation part. Also, before forming the patterned layer,
By selectively etching the surface of the glaze layer and forming a step along the pattern on the surface of the glaze layer where a high-density pattern is formed, it is possible to prevent the narrow space between resist patterns from becoming concave. Eliminates etching variations due to deterioration of circulation of the etching solution.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。この実施例は基板上に所望のパターン形状の電極
端子を配線するパターン構造である。図２乃至図６は本
発明による高密度パターンの電極端子を基板上に形成す
る方法を説明する工程図で、各図とも（ａ）は上面図、
（ｂ）はその断面図である。 第１工程 図２参照 アルミナセラミックス等の材料からなる耐熱絶縁基板１
０の表面に、ガラス系材料からなる６０ミクロン厚のグ
レーズ層１２を形成する。グレーズ層１２上にフォトレ
ジストを塗布し、所望のパターンを備えたフォトマスク
を介して該フォトレジストを露光、現像し、第１のフォ
トレジストパターン１４を作成する。このとき採用する
フォトマスクのパターンは、形成すべき電極パターンの
高密度部分に相当する個所に選択的に形成する。 第２工程 図３参照 フォトレジストが除去されて露出したグレーズ層１２を
深さ２ミクロンにエッチングして、第１のフォトレジス
トパターン１４に沿った段差部１６を形成する。段差部
１６は所望の電極パターンにおける高密度部分に形成さ
れる。このとき、エッチング液はグレーズ層１２に対し
て等方向性を有して侵食するため、段差部１６はわずか
にわん曲形状に形成される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment has a pattern structure in which electrode terminals having a desired pattern shape are wired on a substrate. 2 to 6 are process diagrams for explaining a method of forming electrode terminals having a high density pattern on a substrate according to the present invention. In each drawing, (a) is a top view,
(B) is the sectional view. First step See FIG. 2. Heat-resistant insulating substrate 1 made of a material such as alumina ceramics.
A 60-micron-thick glaze layer 12 made of a glass material is formed on the surface of No. 0. A photoresist is applied on the glaze layer 12, and the photoresist is exposed and developed through a photomask having a desired pattern to form a first photoresist pattern 14. The pattern of the photomask used at this time is selectively formed at a portion corresponding to a high density portion of the electrode pattern to be formed. Second Step See FIG. 3 The glaze layer 12 exposed by removing the photoresist is etched to a depth of 2 μm to form a step portion 16 along the first photoresist pattern 14. The step portion 16 is formed at a high density portion in a desired electrode pattern. At this time, the etching solution corrodes the glaze layer 12 in an isotropic manner, so that the step portion 16 is formed in a slightly curved shape.
【００１０】第３工程 図４参照 グレーズ層１２上に形成された第１のフォトレジストパ
ターン１４を取り除き、上面に段差部１６を介して凹部
分１２５を形成したグレーズ層１２を形成する。次に、
凹部分１２５を有するグレーズ層１２の上面全面に導電
材料として金の導電体層１８を形成する。この導電体層
１８はまず、グレーズ層１２の上面全面に金ペーストを
９ミクロン厚に印刷し、乾燥させて４．５〜５．０ミク
ロンとする。さらに焼成して０．４〜０．６ミクロンの
厚さに成膜して、グレーズ層１２の上面の凹凸面に沿っ
た導電体層１８を形成する。 第４工程 図５参照 この凹凸面を有する導電体層１８の上面全面にフォトレ
ジストを塗布する。そして、所望の高密度のパターンを
備えた電極端子のパターンであるフォトマスクを介して
マスク部分以外のフォトレジストを露光、現像して除去
する。そして、導電体層１８上面に高密度のパターン部
分を有した、電極端子の形成パターンと同形状のパター
ンである第２のフォトレジストパターン２０を作成す
る。このとき、第２のフォトレジストパターン２０の高
密度部分の一部は段差部１６で囲まれた凹部分１８５内
に配設されるようにする。 第５工程 図６参照 フォトレジストが除去されて露出した導電体層１８部分
に、ＫＩとＩ2の混合したエッチング液を流す。エッチ
ング液により露出した部分の導電層１８を除去してグレ
ーズ層１２部分を露出させる。そして、最後に第２のフ
ォトレジストパターン２０形状に形成された導電体層１
８上のフォトレジストを取り除く。このようにして、グ
レーズ層１２上に所望のパターン形状の導電体の電極端
子１８Ｐを作成する。Third Step (see FIG. 4) The first photoresist pattern 14 formed on the glaze layer 12 is removed, and the glaze layer 12 having a recess 125 formed on the upper surface through a step 16 is formed. next,
A gold conductor layer 18 as a conductive material is formed on the entire upper surface of the glaze layer 12 having the recess 125. The conductor layer 18 is formed by printing gold paste on the entire upper surface of the glaze layer 12 to a thickness of 9 μm and drying it to 4.5 to 5.0 μm. Further, it is baked to form a film having a thickness of 0.4 to 0.6 μm, and the conductor layer 18 is formed along the uneven surface on the upper surface of the glaze layer 12. Fourth Step See FIG. 5 A photoresist is applied to the entire upper surface of the conductor layer 18 having the uneven surface. Then, the photoresist other than the mask portion is exposed and developed through a photomask which is a pattern of electrode terminals having a desired high-density pattern, and is removed by development. Then, a second photoresist pattern 20 having a high-density pattern portion on the upper surface of the conductor layer 18 and having the same shape as the electrode terminal forming pattern is formed. At this time, a part of the high-density portion of the second photoresist pattern 20 is arranged in the concave portion 185 surrounded by the step portion 16. Fifth Step See FIG. 6 An etching solution containing a mixture of KI and I 2 is flown to the portion of the conductor layer 18 exposed by removing the photoresist. The portion of the conductive layer 18 exposed by the etching liquid is removed to expose the glaze layer 12 portion. And finally, the conductor layer 1 formed in the shape of the second photoresist pattern 20.
8. Remove photoresist on top. In this way, the electrode terminal 18P made of a conductor having a desired pattern is formed on the glaze layer 12.
【００１１】以上の工程でグレーズ層１２上に高密度部
分を有する導電体の電極端子を形成する。ここで、第５
工程における、第２のフォトレジストパターン２０で被
覆された導電層１８のエッチング処理を図１を参照して
説明する。図１はパターン構成でのエッチング液の循環
の模式図である。エッチング液は矢印Ｅ方向に流れ、導
電体１８の第２のフォトレジストパターン２０で被覆さ
れていない部分をエッチング処理して除去する。このと
き、段差部１６で囲まれた凹部分におけるエッチング液
は、段差部１６を介して凹部分１８５の導電体層に向か
ってスムーズに流れ、循環する。そして、常に循環する
エッチング液は段差部１６の上部の凸部分に配設する導
電体層１８１のパターン端部１８３のエッチングを進行
させ、確実にパターン端部の切断を実行する。また、段
差部１６を介して凸部分１８１より下部にある凹部分１
８５の導電体層は、第２のフォトレジストパターン２０
と段差部１６との間にエッチング液が滞留しがちであっ
て、導電体層に配設されたパターンのエッチング処理が
進行しない場合もあるが、隣接する凸部分のパターン端
部１８３が確実に切断されているので、パターン間での
電気の漏れは発生しない。Through the above steps, an electrode terminal of a conductor having a high density portion is formed on the glaze layer 12. Where the fifth
The etching process of the conductive layer 18 covered with the second photoresist pattern 20 in the process will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram of circulation of an etching solution in a pattern configuration. The etching liquid flows in the direction of arrow E, and the portion of the conductor 18 that is not covered with the second photoresist pattern 20 is etched and removed. At this time, the etching liquid in the concave portion surrounded by the step portion 16 smoothly flows and circulates through the step portion 16 toward the conductor layer of the concave portion 185. Then, the constantly circulating etching solution advances the etching of the pattern end portion 183 of the conductor layer 181 provided on the convex portion above the step portion 16, and reliably cuts the pattern end portion. In addition, the concave portion 1 below the convex portion 181 through the step portion 16
The conductor layer 85 is formed of the second photoresist pattern 20.
In some cases, the etching liquid tends to stay between the step portion 16 and the step portion 16, and the etching treatment of the pattern arranged on the conductor layer does not proceed, but the pattern end portion 183 of the adjacent convex portion is surely formed. Since it is cut, there is no leakage of electricity between the patterns.
【００１２】このように、高密度のパターン形成にとも
なう第２のフォトレジストパターン２０の間隙が狭い場
所でのエッチング液の循環が行なわれにくかった、従来
のパターン形成方法に対して、高密度のパターン１８Ｐ
の形成にともなうレジストパターン２０間が狭い場所で
も、高密度のパターン配設部分に凹部分１８５を形成す
ることにより、スムーズなエッチング液の循環を行なう
ことができる。さらに、図６に示すように、凹部分１８
５に形成した電極１８Ｐと凸部に形成した電極１８Ｐと
の距離Ｌは、同一平面上に電極が形成された場合の電極
間の距離に対して段差部１６の高さ寸法だけ長くなり、
隣接電極間の距離が大きくなるので、高密度パターン部
分での漏話を減少させる。As described above, as compared with the conventional pattern forming method in which it is difficult to circulate the etching solution in the place where the gap between the second photoresist patterns 20 is narrow due to the high density pattern formation, Pattern 18P
Even when the space between the resist patterns 20 is narrow due to the formation of the above, the concave portion 185 is formed in the high-density pattern arrangement portion, so that the etching solution can be circulated smoothly. Further, as shown in FIG.
The distance L between the electrode 18P formed in 5 and the electrode 18P formed in the convex portion is longer than the distance between the electrodes when the electrodes are formed on the same plane by the height dimension of the step portion 16,
Since the distance between the adjacent electrodes is increased, the crosstalk in the high density pattern portion is reduced.
【００１３】このように、本発明によるパターン構造お
よびパターン形成方法は、従来パターン構成と比較して
高密度パターン形成への対応が優れ、従来のパターン形
成方法では電極端子の形成は３００ｄｐｉが最高であっ
たが、この方法で電極端子を形成すると４００ｄｐｉか
ら６００ｄｐｉまでの高密度化に対応できる。本実施例
は交互配設型のパターンで説明したが、さらに、千鳥配
線による細いパターンと太いパターンが交互に引き回さ
れる場合などに、細いパターンを凹部に配設することに
より、配線抵抗値の増加を抑制することが可能になる。
なお、この方法は配線パターンの形成のみでなく、素子
製造においても応用できる。As described above, the pattern structure and the pattern forming method according to the present invention are excellent in high-density pattern formation as compared with the conventional pattern structure. In the conventional pattern forming method, the maximum electrode terminal formation is 300 dpi. However, if the electrode terminals are formed by this method, it is possible to cope with high density from 400 dpi to 600 dpi. Although the present embodiment has been described with the alternating pattern, the wiring resistance value can be further improved by arranging the thin pattern in the concave portion when the thin pattern and the thick pattern by the staggered wiring are alternately routed. Can be suppressed.
This method can be applied not only to the formation of wiring patterns, but also to device manufacturing.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパターン
構造は高密度のパターンの形成部分の隣接パターンとの
間に配設する段差部により隣接パターンとの距離を長く
することができ、高密度パターン形成部分における漏話
が減少できる。また、本発明のパターン形成方法は、高
密度パターン部分に形成した段差部により、エッチング
液の流れを促し、エッチング液の循環を良くすることに
より、高密度のパターンを欠陥なく形成することが可能
になる。また、千鳥配線のパターン形成においては、細
いパターン部分を段差部とすると、配線抵抗値の増加を
抑制することができる。As described above, according to the pattern structure of the present invention, the distance between the high density pattern forming portion and the adjacent pattern can be increased by the stepped portion provided between the pattern forming portion and the adjacent pattern. Crosstalk in the density pattern forming portion can be reduced. Further, according to the pattern forming method of the present invention, it is possible to form a high-density pattern without defects by promoting the flow of the etching solution by the step portion formed in the high-density pattern portion and improving the circulation of the etching solution. become. Further, in the pattern formation of the zigzag wiring, if the thin pattern portion is used as the step portion, the increase of the wiring resistance value can be suppressed.
【図１】 本発明のウエットエッチングの模式図。FIG. 1 is a schematic diagram of wet etching according to the present invention.
【図２】 第１工程の説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram of a first step.
【図３】 第２工程の説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram of a second step.
【図４】 第３工程の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of a third step.
【図５】 第４工程の説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of a fourth step.
【図６】 第５工程の説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram of a fifth step.
【図７】 従来技術の説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図８】 従来技術の説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram of a conventional technique.
【図９】 従来のパターン構造の説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram of a conventional pattern structure.
【図１０】 従来技術におけるウエットエッチングの摸
式図。FIG. 10 is a schematic diagram of wet etching in a conventional technique.
１０ 基板、 １２ グレーズ層、 １６ 段差部、
１８Ｐ 電極端子。10 substrate, 12 glaze layer, 16 stepped portion,
18P electrode terminal.
Claims (2)
ズ層の表面に配設した所望するパターン形状のパターン
形成部とを備え、 前記グレーズ層はその表面に段差部を介して凹部分を有
し、前記パターン形成部はパターンの一部を前記段差部
を介した凹部分に配設するパターン構造。1. A glaze layer formed on a substrate, and a pattern forming portion having a desired pattern shape disposed on the surface of the glaze layer, wherein the glaze layer has a concave portion on the surface via a step portion. The pattern forming section has a pattern structure in which a part of the pattern is arranged in a concave portion through the step portion.
グレーズ層の上面に第１のレジストパターンを形成する
工程と、エッチングによりグレーズ層上面に第１のレジ
ストパターンに沿った段差部を介して凹部分を形成する
工程と、凹部分を形成したグレーズ層の表面に所望のパ
ターンを形成する被パターン形成層を形成する工程と、
被パターン形成層上面に、高密度部分を有する第２のレ
ジストパターンを形成する工程と、第２のレジストパタ
ーンが形成されない被パターン形成層の露出部分をエッ
チングする工程と、第２のレジストパターンを除去して
グレーズ層上に高密度部分を有する所望のパターン形成
部を形成する工程と、を備え、 第１のレジストパターンは第２のレジストパターンの高
密度部分が対応するグレーズ層上面部分に配設されると
共に、第２のレジストパターンの一部は段差部を介した
凹部分内に配設されるよう構成したパターン形成方法。2. A step of forming a glaze layer on a substrate,
A step of forming a first resist pattern on the upper surface of the glaze layer, a step of forming a concave portion on the upper surface of the glaze layer by etching through a step portion along the first resist pattern, and a glaze layer having the concave portion formed A step of forming a patterned layer for forming a desired pattern on the surface of
A step of forming a second resist pattern having a high density portion on the upper surface of the patterned layer, a step of etching an exposed portion of the patterned layer where the second resist pattern is not formed, and a second resist pattern Forming a desired pattern forming portion having a high density portion on the glaze layer and removing the first resist pattern on the upper surface portion of the glaze layer corresponding to the high density portion of the second resist pattern. A pattern forming method, wherein the second resist pattern is provided and a part of the second resist pattern is provided in the recessed portion via the step portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5075717A JPH06291108A (en) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | Pattern structure and pattern formation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5075717A JPH06291108A (en) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | Pattern structure and pattern formation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291108A true JPH06291108A (en) | 1994-10-18 |
Family
ID=13584290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5075717A Pending JPH06291108A (en) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | Pattern structure and pattern formation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291108A (en) |
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