JPH06291066A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
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- JPH06291066A JPH06291066A JP10180093A JP10180093A JPH06291066A JP H06291066 A JPH06291066 A JP H06291066A JP 10180093 A JP10180093 A JP 10180093A JP 10180093 A JP10180093 A JP 10180093A JP H06291066 A JPH06291066 A JP H06291066A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 反応炉１中で複数の被成長基板４を略水平に
保持し、少なくとも前記複数の基板を回転軸３を中心に
３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の速度で公転させ
る機構を有する半導体気相成長装置である。前記被成長
基板を保持する回転サセプタ１２の直径が１２０ｍｍ以
上４５０ｍｍ以下、前記回転サセプタ外側と前記反応炉
の内壁との距離が１５ｍｍ以上８０ｍｍ以下の半導体気
相成長装置であって、前記被成長基板を保持する回転サ
セプタの外周端と最も近接する前記被成長基板の端部と
の距離を、前記回転サセプタの半径に対してその１５％
以上、３０％以下とした半導体気相成長装置である。 【効果】 同時に処理される複数の被成長基板上に均一
性良好な薄膜を成長させることが可能となり、量産性向
上に直結することから、産業上の有益性は極めて大き
い。
保持し、少なくとも前記複数の基板を回転軸３を中心に
３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の速度で公転させ
る機構を有する半導体気相成長装置である。前記被成長
基板を保持する回転サセプタ１２の直径が１２０ｍｍ以
上４５０ｍｍ以下、前記回転サセプタ外側と前記反応炉
の内壁との距離が１５ｍｍ以上８０ｍｍ以下の半導体気
相成長装置であって、前記被成長基板を保持する回転サ
セプタの外周端と最も近接する前記被成長基板の端部と
の距離を、前記回転サセプタの半径に対してその１５％
以上、３０％以下とした半導体気相成長装置である。 【効果】 同時に処理される複数の被成長基板上に均一
性良好な薄膜を成長させることが可能となり、量産性向
上に直結することから、産業上の有益性は極めて大き
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数枚の被成長基板上
に結晶薄膜を同時に気相成長させる際の生成結晶膜の均
一性を高める半導体気相成長装置に関するものである。
に結晶薄膜を同時に気相成長させる際の生成結晶膜の均
一性を高める半導体気相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４により従来の半導体気相成長装置を
説明する。図４（ａ）において、１は石英等で作られる
内径２３０ｍｍの反応管、２は被成長基板を保持するカ
ーボン等で作られた直径１５０ｍｍのサセプタ、３は前
記サセプタの回転を行う回転軸、４はサセプタ上に載置
された被成長基板であり、その表面に半導体の結晶膜が
成長する。５はサセプタの加熱を行うカーボン等で作ら
れたヒーター、６は前記ヒーターの支持台である。本例
ではヒーター５によって、被成長基板４を載置したサセ
プタ２を５００〜７００℃に加熱し、かつ、回転軸３に
よってサセプタ２を６００〜１２００ｒｐｍで回転させ
ながら、原料ガス７の熱分解を利用して被成長基板４上
に膜厚数μｍ以下の半導体薄膜が形成されるものであ
り、図４（ｂ）に示すように被成長基板４は、サセプタ
２上に形成された溝内にほぼ水平に載置される。例え
ば、基板は直径５０ｍｍ、反応炉の圧力は例えば７６ｔ
ｏｒｒで、ガス流量は約３０Ｌ／ｍｉｎ、基板表面付近
におけるガス流速１２ｃｍ／ｓｅｃである。本例は４枚
の被成長基板を同時に処理するものであり、言うまでも
なく、量産を目的とした半導体気相成長装置であり、従
って被成長基板面内での結晶膜厚や結晶中の組成等が均
一であることが要求されることはもちろん、同時に処理
される４枚の被成長基板上に形成される半導体薄膜の膜
厚、組成等の特性が同一である必要がある。前記サセプ
タの回転はこれらの均一性を実現するために実施される
ものであり、また、前記６００〜１２００ｒｐｍの回転
数により原料ガスの使用効率も、回転が低速の場合に比
べて増大することが知られている。均一性を実現するた
め、前記サセプタの回転数をはじめとして、反応炉内の
圧力、反応炉へのガス供給量、加熱温度等の作製条件を
調整することが試みられている。
説明する。図４（ａ）において、１は石英等で作られる
内径２３０ｍｍの反応管、２は被成長基板を保持するカ
ーボン等で作られた直径１５０ｍｍのサセプタ、３は前
記サセプタの回転を行う回転軸、４はサセプタ上に載置
された被成長基板であり、その表面に半導体の結晶膜が
成長する。５はサセプタの加熱を行うカーボン等で作ら
れたヒーター、６は前記ヒーターの支持台である。本例
ではヒーター５によって、被成長基板４を載置したサセ
プタ２を５００〜７００℃に加熱し、かつ、回転軸３に
よってサセプタ２を６００〜１２００ｒｐｍで回転させ
ながら、原料ガス７の熱分解を利用して被成長基板４上
に膜厚数μｍ以下の半導体薄膜が形成されるものであ
り、図４（ｂ）に示すように被成長基板４は、サセプタ
２上に形成された溝内にほぼ水平に載置される。例え
ば、基板は直径５０ｍｍ、反応炉の圧力は例えば７６ｔ
ｏｒｒで、ガス流量は約３０Ｌ／ｍｉｎ、基板表面付近
におけるガス流速１２ｃｍ／ｓｅｃである。本例は４枚
の被成長基板を同時に処理するものであり、言うまでも
なく、量産を目的とした半導体気相成長装置であり、従
って被成長基板面内での結晶膜厚や結晶中の組成等が均
一であることが要求されることはもちろん、同時に処理
される４枚の被成長基板上に形成される半導体薄膜の膜
厚、組成等の特性が同一である必要がある。前記サセプ
タの回転はこれらの均一性を実現するために実施される
ものであり、また、前記６００〜１２００ｒｐｍの回転
数により原料ガスの使用効率も、回転が低速の場合に比
べて増大することが知られている。均一性を実現するた
め、前記サセプタの回転数をはじめとして、反応炉内の
圧力、反応炉へのガス供給量、加熱温度等の作製条件を
調整することが試みられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、原料ガスとし
て、水素中に、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）等の
有機金属ガスとＰＨ3 等のハイドライドガスを含ませて
供給するいわゆるＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）
法において、上記の反応炉を採用すると、被成長基板上
に形成される半導体薄膜の特性に分布が生じる。例えば
膜厚を例にとると、図４（ｃ）に示すように、サセプタ
の回転中心からサセプタの外周方向へ向かい、成長膜厚
が薄くなる傾向を呈し、反応炉圧力やガス供給量等の作
製条件や、回転数等を調整しても、例えば直径５０ｍｍ
の被成長基板上における膜厚分布は±５％以下には改善
されない。また、膜厚以外の例えば結晶組成や結晶中の
不純物の分布も膜厚と同様にサセプタの回転中心からサ
セプタの外周方向に向かう分布を示し、量産に向けてよ
り均一性を向上する必要がある。本発明の目的は上記の
問題を解決して結晶膜の均一性を向上し、量産に適した
半導体気相気相装置を提供することにある。
て、水素中に、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）等の
有機金属ガスとＰＨ3 等のハイドライドガスを含ませて
供給するいわゆるＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）
法において、上記の反応炉を採用すると、被成長基板上
に形成される半導体薄膜の特性に分布が生じる。例えば
膜厚を例にとると、図４（ｃ）に示すように、サセプタ
の回転中心からサセプタの外周方向へ向かい、成長膜厚
が薄くなる傾向を呈し、反応炉圧力やガス供給量等の作
製条件や、回転数等を調整しても、例えば直径５０ｍｍ
の被成長基板上における膜厚分布は±５％以下には改善
されない。また、膜厚以外の例えば結晶組成や結晶中の
不純物の分布も膜厚と同様にサセプタの回転中心からサ
セプタの外周方向に向かう分布を示し、量産に向けてよ
り均一性を向上する必要がある。本発明の目的は上記の
問題を解決して結晶膜の均一性を向上し、量産に適した
半導体気相気相装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情に鑑み
てなされたものであり、本発明の目的は，反応炉中で複
数の被成長基板を略水平に保持し、少なくとも前記複数
の基板を回転軸を中心に３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐ
ｍ以下の速度で公転させる機構を有し、前記被成長基板
を保持する回転サセプタの直径が１２０ｍｍ以上４５０
ｍｍ以下、前記回転サセプタ外側と前記反応炉の内壁と
の距離が１５ｍｍ以上８０ｍｍ以下の半導体気相成長装
置であって、前記被成長基板を保持する回転サセプタの
外周端と最も近接する前記被成長基板の端部との距離
を、前記回転サセプタの半径に対してその１５％以上、
３０％以下としたことを特徴とする半導体気相成長装置
によって達成された。
てなされたものであり、本発明の目的は，反応炉中で複
数の被成長基板を略水平に保持し、少なくとも前記複数
の基板を回転軸を中心に３００ｒｐｍ以上２０００ｒｐ
ｍ以下の速度で公転させる機構を有し、前記被成長基板
を保持する回転サセプタの直径が１２０ｍｍ以上４５０
ｍｍ以下、前記回転サセプタ外側と前記反応炉の内壁と
の距離が１５ｍｍ以上８０ｍｍ以下の半導体気相成長装
置であって、前記被成長基板を保持する回転サセプタの
外周端と最も近接する前記被成長基板の端部との距離
を、前記回転サセプタの半径に対してその１５％以上、
３０％以下としたことを特徴とする半導体気相成長装置
によって達成された。
【０００５】本発明の特徴は反応炉中で複数の被成長基
板を略水平に保持し、少なくとも前記複数の基板を回転
軸を中心に３００ｒｐｍ以上、２０００ｒｐｍ以下の速
度で公転させる機構を有する半導体気相成長装置におい
て、前記被成長基板を保持する回転サセプタの外周端と
近接する前記被成長基板の端部との距離を前記回転サセ
プタの半径に対してその１５％以上、３０％以下とする
ことにある。この値が１５％より小さいと形成される成
長膜がサセプタの外周寄りで著しく減少し、３０％より
大きいと、反応炉が大きくなり原料効率が悪くなるなど
の問題がある。本発明においては、サセプタの直径は１
２０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下とする。１２０ｍｍ未満で
は被成長基板のサイズによっては本発明で規定する他の
条件を満足できない場合がある。またその上限は実用上
の生産効率から考えて４５０ｍｍ以下が好ましい。ま
た、回転サセプタ外側と反応炉の内壁との距離は１５ｍ
ｍ以上８０ｍｍ以下とする。十分なガス通路を確保する
上で、１５ｍｍ以上とすることが必要であり、また反応
炉の大きさに対して原料ガスの使用量を不要に増大させ
ないために、その距離を８０ｍｍ以下とするのが望まし
い。
板を略水平に保持し、少なくとも前記複数の基板を回転
軸を中心に３００ｒｐｍ以上、２０００ｒｐｍ以下の速
度で公転させる機構を有する半導体気相成長装置におい
て、前記被成長基板を保持する回転サセプタの外周端と
近接する前記被成長基板の端部との距離を前記回転サセ
プタの半径に対してその１５％以上、３０％以下とする
ことにある。この値が１５％より小さいと形成される成
長膜がサセプタの外周寄りで著しく減少し、３０％より
大きいと、反応炉が大きくなり原料効率が悪くなるなど
の問題がある。本発明においては、サセプタの直径は１
２０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下とする。１２０ｍｍ未満で
は被成長基板のサイズによっては本発明で規定する他の
条件を満足できない場合がある。またその上限は実用上
の生産効率から考えて４５０ｍｍ以下が好ましい。ま
た、回転サセプタ外側と反応炉の内壁との距離は１５ｍ
ｍ以上８０ｍｍ以下とする。十分なガス通路を確保する
上で、１５ｍｍ以上とすることが必要であり、また反応
炉の大きさに対して原料ガスの使用量を不要に増大させ
ないために、その距離を８０ｍｍ以下とするのが望まし
い。
【０００６】
【実施例】次に本発明を図示の実施例に従って説明する
が、本発明はこれに限定されるものでないことはもちろ
んである。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の半導体気相
成長装置の一実施例におけるサセプタ部の平面図及び正
面図である。同図において図４と同符号は同じものを示
す。この実施例においては、回転の中心に対する被成長
基板４の配置自体は、図４に示す従来例と同一とし、サ
セプタの外径を拡げることによってサセプタの外周端と
被成長基板端部との距離を調整しており、１２はこの距
離がサセプタ半径の約２０％となるように作製したサセ
プタ、１２’はこの距離が約３０％となるように作製し
たサセプタである。また、同図内には従来のサセプタ２
も同時に示してあり、前記の距離はサセプタ半径の約１
０％である。図２は図１に記載した３種類のサセプタを
用いた場合の、各々に対する基板４上の膜厚分布を比較
するものである。ここでも、従来の実施例と同様にＭＯ
ＣＶＤ法によって、ＩｎＰの結晶膜を約５μｍ程度形成
した。図から分かるように、従来のサセプタ２では、サ
セプタの外周寄りで膜厚が減少する傾向があるのに対し
て、サセプタ１２、サセプタ１２’では前記膜厚の減少
傾向はほぼ解消する。詳細に検討した結果、上記距離が
サセプタ半径の１５％程度以上から上記の効果は顕著と
なる。
が、本発明はこれに限定されるものでないことはもちろ
んである。図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の半導体気相
成長装置の一実施例におけるサセプタ部の平面図及び正
面図である。同図において図４と同符号は同じものを示
す。この実施例においては、回転の中心に対する被成長
基板４の配置自体は、図４に示す従来例と同一とし、サ
セプタの外径を拡げることによってサセプタの外周端と
被成長基板端部との距離を調整しており、１２はこの距
離がサセプタ半径の約２０％となるように作製したサセ
プタ、１２’はこの距離が約３０％となるように作製し
たサセプタである。また、同図内には従来のサセプタ２
も同時に示してあり、前記の距離はサセプタ半径の約１
０％である。図２は図１に記載した３種類のサセプタを
用いた場合の、各々に対する基板４上の膜厚分布を比較
するものである。ここでも、従来の実施例と同様にＭＯ
ＣＶＤ法によって、ＩｎＰの結晶膜を約５μｍ程度形成
した。図から分かるように、従来のサセプタ２では、サ
セプタの外周寄りで膜厚が減少する傾向があるのに対し
て、サセプタ１２、サセプタ１２’では前記膜厚の減少
傾向はほぼ解消する。詳細に検討した結果、上記距離が
サセプタ半径の１５％程度以上から上記の効果は顕著と
なる。
【０００７】なお、別の実施例では、図１と異なり、サ
セプタ外径は一定としたまま被成長基板の配置をサセプ
タのより中心に寄せることにより、サセプタ外周端と被
成長基板の端部を遠ざけた結果、図２と同様に膜厚分布
の改善が見られた。上記サセプタ外周端と被成長基板の
端部を大きく遠ざければ、効果はより確実になるものと
判断されるが、この場合、本反応炉構造においては、例
えばサセプタの外径を大きくすることにより、サセプタ
端部と反応管１壁面の距離が狭くなるため、サセプタ上
を通過したガスの排気通路が狭まり、逆にサセプタ端で
ガス流の乱れが生じるため、膜厚均一性の劣化が生じ
る。また、サセプタ端と反応管壁面の距離を確保するた
めに、反応管の内径を拡げる手段も考え得るが、この場
合には、反応管内部の体積が増大し、原料の使用量が増
大するという欠点がある。図２でも示されるように、サ
セプタ外周端と被成長基板の端部との距離が、サセプタ
半径の約２０％であるサセプタ１２と約３０％であるサ
セプタ１２’では分布にほとんど差は認められず、か
つ、実用上問題のない均一性が得られていることから、
不必要にこの距離を大きくすることは、上記の弊害を引
き起こす結果となり、好ましくない。検討の結果、１５
％から３０％の範囲が望ましい。
セプタ外径は一定としたまま被成長基板の配置をサセプ
タのより中心に寄せることにより、サセプタ外周端と被
成長基板の端部を遠ざけた結果、図２と同様に膜厚分布
の改善が見られた。上記サセプタ外周端と被成長基板の
端部を大きく遠ざければ、効果はより確実になるものと
判断されるが、この場合、本反応炉構造においては、例
えばサセプタの外径を大きくすることにより、サセプタ
端部と反応管１壁面の距離が狭くなるため、サセプタ上
を通過したガスの排気通路が狭まり、逆にサセプタ端で
ガス流の乱れが生じるため、膜厚均一性の劣化が生じ
る。また、サセプタ端と反応管壁面の距離を確保するた
めに、反応管の内径を拡げる手段も考え得るが、この場
合には、反応管内部の体積が増大し、原料の使用量が増
大するという欠点がある。図２でも示されるように、サ
セプタ外周端と被成長基板の端部との距離が、サセプタ
半径の約２０％であるサセプタ１２と約３０％であるサ
セプタ１２’では分布にほとんど差は認められず、か
つ、実用上問題のない均一性が得られていることから、
不必要にこの距離を大きくすることは、上記の弊害を引
き起こす結果となり、好ましくない。検討の結果、１５
％から３０％の範囲が望ましい。
【０００８】図３は本発明の他の実施例を示すものであ
る。本実施例においては、図１に示す実施例とは異な
り、被成長基板４をサセプタ上には直接載置せず、ウエ
ハートレー８上に載置し、このウエハートレー８をサセ
プタ１２''上に載せて回転する構造としてある。この場
合には、ウエハートレー８外周端を前記サセプタ外周端
と考え、ウエハートレー外周端と被成長基板端部との距
離を、ウエハートレー半径の１５％以上、３０％以下と
すれば均一な膜が得られる。図３において、図１と同符
号は同じものを示す。
る。本実施例においては、図１に示す実施例とは異な
り、被成長基板４をサセプタ上には直接載置せず、ウエ
ハートレー８上に載置し、このウエハートレー８をサセ
プタ１２''上に載せて回転する構造としてある。この場
合には、ウエハートレー８外周端を前記サセプタ外周端
と考え、ウエハートレー外周端と被成長基板端部との距
離を、ウエハートレー半径の１５％以上、３０％以下と
すれば均一な膜が得られる。図３において、図１と同符
号は同じものを示す。
【０００９】なお、本発明は以上に示した実施例に限っ
て適用されるものではなく、様々な応用が可能であるこ
とは言うまでもない。実施例では、結晶成長法としてＴ
ＭＩｎ、ＰＨ3 を用いたＭＯＣＶＤ法を例にとって説明
したが、原料はこの他にもＴＥＧａ（トリエチルガリウ
ム）、ＡｓＨ3 （アルシン）、ＴＢＰ（ターシャリ−ブ
チル−ホスフィン）等々を用いることが可能であり、Ｇ
ａＡｓ（ガリウム−ヒ素）、ＩｎＧａＡｓＰ（インジウ
ム−ガリウム−ヒ素−リン）等、様々な結晶材料を均一
に作製するために、本発明の半導体気相成長装置は有効
である。また実施例では膜厚分布にのみ着目して説明を
行ったが、本発明によって期待される境界層の均一化に
よって、結晶中の構成元素の組成分布や不純物濃度分布
をも均一化することが可能である。さらに、本発明の実
施例では４枚の被成長基板を図示したが、本発明は複数
枚の被成長基板の取扱いを対象としたものであり、枚数
は４枚に限られたものでなく、また基板は図示したよう
な円形である必要は全くない。加えて、本発明は反応炉
の作製に用いる部品の材質等にも制限を加えるものでは
なく、例えば反応管も、実施例で説明した石英製にとら
われることはなく、ステンレス等の他の材質で作製して
も問題はない。
て適用されるものではなく、様々な応用が可能であるこ
とは言うまでもない。実施例では、結晶成長法としてＴ
ＭＩｎ、ＰＨ3 を用いたＭＯＣＶＤ法を例にとって説明
したが、原料はこの他にもＴＥＧａ（トリエチルガリウ
ム）、ＡｓＨ3 （アルシン）、ＴＢＰ（ターシャリ−ブ
チル−ホスフィン）等々を用いることが可能であり、Ｇ
ａＡｓ（ガリウム−ヒ素）、ＩｎＧａＡｓＰ（インジウ
ム−ガリウム−ヒ素−リン）等、様々な結晶材料を均一
に作製するために、本発明の半導体気相成長装置は有効
である。また実施例では膜厚分布にのみ着目して説明を
行ったが、本発明によって期待される境界層の均一化に
よって、結晶中の構成元素の組成分布や不純物濃度分布
をも均一化することが可能である。さらに、本発明の実
施例では４枚の被成長基板を図示したが、本発明は複数
枚の被成長基板の取扱いを対象としたものであり、枚数
は４枚に限られたものでなく、また基板は図示したよう
な円形である必要は全くない。加えて、本発明は反応炉
の作製に用いる部品の材質等にも制限を加えるものでは
なく、例えば反応管も、実施例で説明した石英製にとら
われることはなく、ステンレス等の他の材質で作製して
も問題はない。
【００１０】
【発明の効果】以上、本発明によれば、同時に処理され
る複数の被成長基板上に均一性良好な結晶薄膜を形成す
ることが可能となり、量産性向上に直結することから、
産業上の有益性は極めて大きい。
る複数の被成長基板上に均一性良好な結晶薄膜を形成す
ることが可能となり、量産性向上に直結することから、
産業上の有益性は極めて大きい。
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体気相成長装置の一
実施例のサセプタ部を従来例のものと対比して示す平面
図、（ｂ）はそのサセプタ部の正面図である。
実施例のサセプタ部を従来例のものと対比して示す平面
図、（ｂ）はそのサセプタ部の正面図である。
【図２】図１のサセプタ部を有する実施例の又は従来例
の半導体気相成長装置を用いた場合の被成長基板上に形
成された各部位の結晶膜の膜厚を示す。
の半導体気相成長装置を用いた場合の被成長基板上に形
成された各部位の結晶膜の膜厚を示す。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図４】（ａ）は従来の半導体気相成長装置の一例の説
明図、（ｂ）は該装置のサセプタの断面図、（ｃ）は該
装置より得られた被成長基板上に形成された膜厚分布を
示す図である。
明図、（ｂ）は該装置のサセプタの断面図、（ｃ）は該
装置より得られた被成長基板上に形成された膜厚分布を
示す図である。
１ 反応管 ２ 従来のサセプタ ３ 回転軸 ４ 被成長基板 ５ 加熱用ヒーター ６ ヒーター用支持台 ７ 原料ガス ８ ウエハートレー １２ 改良されたサセプタ １２' 改良されたサセプタ １２'' ウエハートレー用サセプタ
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉中で複数の被成長基板を略水平に
保持し、少なくとも前記複数の基板を回転軸を中心に３
００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の速度で公転させる
機構を有し、前記被成長基板を保持する回転サセプタの
直径が１２０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下、前記回転サセプ
タ外側と前記反応炉の内壁との距離が１５ｍｍ以上８０
ｍｍ以下の半導体気相成長装置であって、前記被成長基
板を保持する回転サセプタの外周端と最も近接する前記
被成長基板の端部との距離を、前記回転サセプタの半径
に対してその１５％以上、３０％以下としたことを特徴
とする半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180093A JPH06291066A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180093A JPH06291066A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291066A true JPH06291066A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14310226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10180093A Pending JPH06291066A (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021533A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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1993
- 1993-04-06 JP JP10180093A patent/JPH06291066A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021533A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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