JPH06283026A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
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- JPH06283026A JPH06283026A JP5069597A JP6959793A JPH06283026A JP H06283026 A JPH06283026 A JP H06283026A JP 5069597 A JP5069597 A JP 5069597A JP 6959793 A JP6959793 A JP 6959793A JP H06283026 A JPH06283026 A JP H06283026A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層セラミックコンデンサに使用される高誘
電率誘電体磁器組成物に関し、容量変化を抑え、優れた
特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 主成分として、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＤ
ｙＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表した時、ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ（ここで、ａはｘ＝０．５０２０，ｙ＝０．４８
８０，ｚ＝０．０１０、ｂはｘ＝０．５０６０，ｙ＝
０．４９２０，ｚ＝０．００２、ｃはｘ＝０．５０６
０，ｙ＝０．４９３０，ｚ＝０．００１、ｄはｘ＝０．
５０００，ｙ＝０．４９９０，ｚ＝０．００１、ｅはｘ
＝０．４９５５，ｙ＝０．４９４５，ｚ＝０．０１０）
で囲まれた範囲にあり、かつ上記主成分に対して副成分
として、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜
２．４ｗｔ％と、酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算
して０．０５〜０．８０ｗｔ％含有した組成とする。
電率誘電体磁器組成物に関し、容量変化を抑え、優れた
特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 主成分として、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＤ
ｙＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表した時、ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ（ここで、ａはｘ＝０．５０２０，ｙ＝０．４８
８０，ｚ＝０．０１０、ｂはｘ＝０．５０６０，ｙ＝
０．４９２０，ｚ＝０．００２、ｃはｘ＝０．５０６
０，ｙ＝０．４９３０，ｚ＝０．００１、ｄはｘ＝０．
５０００，ｙ＝０．４９９０，ｚ＝０．００１、ｅはｘ
＝０．４９５５，ｙ＝０．４９４５，ｚ＝０．０１０）
で囲まれた範囲にあり、かつ上記主成分に対して副成分
として、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜
２．４ｗｔ％と、酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算
して０．０５〜０．８０ｗｔ％含有した組成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックコンデンサ用
の誘電体磁器組成物のうち、高誘電率誘電体磁器組成物
に係わり、温度変化率が小さく、かつ誘電損失の小さい
高誘電率誘電体磁器組成物に関するものである。
の誘電体磁器組成物のうち、高誘電率誘電体磁器組成物
に係わり、温度変化率が小さく、かつ誘電損失の小さい
高誘電率誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より高誘電率系セラミックコンデン
サ用の誘電体材料として、チタン酸バリウム系の磁器組
成物が広く用いられている。このチタン酸バリウム系の
磁器組成物の中でも、高誘電率で温度変化率の小さい材
料としては、一般に、ＢａＴｉＯ3−Ｂｉ系、ＢａＴｉ
Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｎＯ2系をはじめ、数多くの磁器組成
物が知られている。また、最近のセラミック積層コンデ
ンサに対しては、小型大容量の上、高周波特性の優れた
ものが要求されることが非常に多くなってきている。
サ用の誘電体材料として、チタン酸バリウム系の磁器組
成物が広く用いられている。このチタン酸バリウム系の
磁器組成物の中でも、高誘電率で温度変化率の小さい材
料としては、一般に、ＢａＴｉＯ3−Ｂｉ系、ＢａＴｉ
Ｏ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｎＯ2系をはじめ、数多くの磁器組成
物が知られている。また、最近のセラミック積層コンデ
ンサに対しては、小型大容量の上、高周波特性の優れた
ものが要求されることが非常に多くなってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のチタン酸バリウム系の磁器組成物の中で、ＢａＴｉ
Ｏ3−Ｂｉ系磁器組成物では、セラミック積層コンデン
サ用として使用した場合、内部電極にパラジウムまたは
白金パラジウム合金を使用すると誘電体のビスマスと反
応することから、内部電極として高価な白金を使用しな
ければならないという問題があった。
来のチタン酸バリウム系の磁器組成物の中で、ＢａＴｉ
Ｏ3−Ｂｉ系磁器組成物では、セラミック積層コンデン
サ用として使用した場合、内部電極にパラジウムまたは
白金パラジウム合金を使用すると誘電体のビスマスと反
応することから、内部電極として高価な白金を使用しな
ければならないという問題があった。
【０００４】一方、ＢａＴｉＯ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｎＯ2系
の誘電体磁器組成物は、上記問題点を克服したものであ
るが、ＢａＴｉＯ3におけるＢａとＴｉのモル比、すな
わちＢａ／Ｔｉ比が１以下でなければならず、かつ通常
の製造方法では、得られる焼結体の表面に板状あるいは
針状結晶の２次相が析出し、この２次相がセラミック積
層コンデンサを作製した時、セラミック積層コンデンサ
の素子表面に析出し、これに電解メッキを施した際にメ
ッキのびとなり、外部電極間のショート不良の原因とな
っていた。
の誘電体磁器組成物は、上記問題点を克服したものであ
るが、ＢａＴｉＯ3におけるＢａとＴｉのモル比、すな
わちＢａ／Ｔｉ比が１以下でなければならず、かつ通常
の製造方法では、得られる焼結体の表面に板状あるいは
針状結晶の２次相が析出し、この２次相がセラミック積
層コンデンサを作製した時、セラミック積層コンデンサ
の素子表面に析出し、これに電解メッキを施した際にメ
ッキのびとなり、外部電極間のショート不良の原因とな
っていた。
【０００５】また、内部電極と誘電体との界面に２次相
が発生するため、この２次相が焼成中に内部電極を押上
げ、内部電極の不連続点が一部できることから、容量の
ばらつく原因となっていた。さらに、容量の温度変化率
の小さい組成範囲は、大変限定されたものであった。
が発生するため、この２次相が焼成中に内部電極を押上
げ、内部電極の不連続点が一部できることから、容量の
ばらつく原因となっていた。さらに、容量の温度変化率
の小さい組成範囲は、大変限定されたものであった。
【０００６】一方、積層セラミックコンデンサ素子を実
装する際、素子表面の２次相の凹凸があるため、素子を
吸着した時に、位置ずれを起こし、実装率を低下させる
ことがあった。
装する際、素子表面の２次相の凹凸があるため、素子を
吸着した時に、位置ずれを起こし、実装率を低下させる
ことがあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の高誘電率誘電体磁器組成物は、主成分とし
て、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＤｙＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）と表わした時、上記３元成分が（表１）に示すａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれるモル比の範囲にあ
り、かつ上記主成分に対して酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形
に換算して０．６〜２．４ｗｔ％を含有するとともに、
さらに酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算して０．０
５〜０．８０ｗｔ％含有した構成としたものである。
に本発明の高誘電率誘電体磁器組成物は、主成分とし
て、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＤｙＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）と表わした時、上記３元成分が（表１）に示すａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれるモル比の範囲にあ
り、かつ上記主成分に対して酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形
に換算して０．６〜２．４ｗｔ％を含有するとともに、
さらに酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算して０．０
５〜０．８０ｗｔ％含有した構成としたものである。
【０００８】または、上記主成分に対して副成分とし
て、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜２．
４ｗｔ％含有し、かつ酸化マグネシウムと酸化マンガン
をそれぞれＭｇＯ，ＭｎＯ2の形に換算して合計で０．
０５〜０．８０ｗｔ％（ただし、このうちでＭｎＯ2の
加えられる許容範囲は０ｗｔ％を含まない０．０４ｗｔ
％以下）含有してなる組成物を提案するものである。
て、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜２．
４ｗｔ％含有し、かつ酸化マグネシウムと酸化マンガン
をそれぞれＭｇＯ，ＭｎＯ2の形に換算して合計で０．
０５〜０．８０ｗｔ％（ただし、このうちでＭｎＯ2の
加えられる許容範囲は０ｗｔ％を含まない０．０４ｗｔ
％以下）含有してなる組成物を提案するものである。
【０００９】
【作用】この構成により、常温での比誘電率が約２００
０〜４９００という高い値を示し、誘電損失（tanδ）
は１．０％以下という小さい値を示し、さらに誘電率の
温度変化率は、ＪＩＳ−Ｃ−５１３０に規定するＪＤ特
性（−２５℃〜８５℃の温度範囲で、誘電率の温度変化
が２０℃を基準にして＋２０％〜−３０％以内）以内を
満足することができる。
０〜４９００という高い値を示し、誘電損失（tanδ）
は１．０％以下という小さい値を示し、さらに誘電率の
温度変化率は、ＪＩＳ−Ｃ−５１３０に規定するＪＤ特
性（−２５℃〜８５℃の温度範囲で、誘電率の温度変化
が２０℃を基準にして＋２０％〜−３０％以内）以内を
満足することができる。
【００１０】また、ＢａＴｉＯ3におけるＢａ／Ｔｉ比
が１より大きくなっているため、Ｔｉ過剰分による２次
相の発生が極めて少ないものを得ることができる。
が１より大きくなっているため、Ｔｉ過剰分による２次
相の発生が極めて少ないものを得ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１，図２を用い
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は本発明にかかる高誘電率誘電体磁器
組成物の主成分の組成範囲を示す三元組成図であり、図
中のａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれた領域に含
まれる三元成分が本発明の組成を示すものである。ま
た、図２は本発明の高誘電率誘電体磁器組成物の製造工
程を示す図である。
組成物の主成分の組成範囲を示す三元組成図であり、図
中のａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれた領域に含
まれる三元成分が本発明の組成を示すものである。ま
た、図２は本発明の高誘電率誘電体磁器組成物の製造工
程を示す図である。
【００１３】まず、出発原料としてＢａ／Ｔｉモル比が
１に調整された高純度のＢａＴｉＯ 3粉末とＢａＣＯ3，
Ｄｙ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＭｇＯ，Ｎｂ2Ｏ5の各粉末を準備
し、焼成後の組成が下記の（表２）に示すようになるよ
うにそれぞれ秤量し、めのうボールを備えたゴム内張り
のボールミルに純水とともに入れ、１８時間湿式混合
後、脱水乾燥した。
１に調整された高純度のＢａＴｉＯ 3粉末とＢａＣＯ3，
Ｄｙ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＭｇＯ，Ｎｂ2Ｏ5の各粉末を準備
し、焼成後の組成が下記の（表２）に示すようになるよ
うにそれぞれ秤量し、めのうボールを備えたゴム内張り
のボールミルに純水とともに入れ、１８時間湿式混合
後、脱水乾燥した。
【００１４】この乾燥粉末に、ポリビニルアルコールバ
インダー５ｗｔ％溶液を適量加え、均質とした後、３２
メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを
用いて成形圧力１．５ton／cm2で直径１６mm、厚み０．
６〜０．８mmの円板状に成形した。
インダー５ｗｔ％溶液を適量加え、均質とした後、３２
メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを
用いて成形圧力１．５ton／cm2で直径１６mm、厚み０．
６〜０．８mmの円板状に成形した。
【００１５】次いで、この成形円板をジルコニア粉末を
敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて１２５０〜
１３５０℃で２時間保持して焼成した。この時、焼結体
の密度が最大となる温度を最適焼成温度とし、得られた
焼結体円板の両面全体に銀電極を塗布後焼き付けしてコ
ンデンサとし、各電気特性を周波数１KHz、室温２０℃
の条件で測定し、容量温度変化率は２０℃での容量を基
準として測定した。この各測定結果を（表３）に示す。
敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて１２５０〜
１３５０℃で２時間保持して焼成した。この時、焼結体
の密度が最大となる温度を最適焼成温度とし、得られた
焼結体円板の両面全体に銀電極を塗布後焼き付けしてコ
ンデンサとし、各電気特性を周波数１KHz、室温２０℃
の条件で測定し、容量温度変化率は２０℃での容量を基
準として測定した。この各測定結果を（表３）に示す。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】ここで、（表３）に示すように、試料No.
１，４，６については、ＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格での
ＪＤ特性を満足しており、その時の−２５℃および８５
℃での容量変化率と、並びにキュリー点での変化率を
（ΔＣ／Ｃ20）maxとして示している。一方、その他の
試料については、より規格のきびしいＪＩＳ−Ｃ−５１
３０規格でのＤＲ特性を満足しており、−２５℃および
８５℃での容量変化率と、並びにその時の−５５〜１２
５℃の範囲の最大変化率を｜ΔＣ／Ｃ20｜maxとして示
している。
１，４，６については、ＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格での
ＪＤ特性を満足しており、その時の−２５℃および８５
℃での容量変化率と、並びにキュリー点での変化率を
（ΔＣ／Ｃ20）maxとして示している。一方、その他の
試料については、より規格のきびしいＪＩＳ−Ｃ−５１
３０規格でのＤＲ特性を満足しており、−２５℃および
８５℃での容量変化率と、並びにその時の−５５〜１２
５℃の範囲の最大変化率を｜ΔＣ／Ｃ20｜maxとして示
している。
【００１９】次に、本発明の組成範囲の限定理由を図１
を参照して説明する。まず、直線ａ−ｅより上部では容
量変化率が大きくなり、ＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格での
ＪＤ特性を満足しない。また、直線ａ−ｂ−ｃより左部
では焼結しにくくなり、実用的ではない。さらに、直線
ｃ−ｄより下部ではＤｙＯ3/2を入れた効果が薄く、誘
電率が低下し焼結性も劣る。そして、直線ｄ−ｅより右
部では焼結体の表面に２次相の発生が著しく、誘電率も
低下方向にあるので実用的ではない。
を参照して説明する。まず、直線ａ−ｅより上部では容
量変化率が大きくなり、ＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格での
ＪＤ特性を満足しない。また、直線ａ−ｂ−ｃより左部
では焼結しにくくなり、実用的ではない。さらに、直線
ｃ−ｄより下部ではＤｙＯ3/2を入れた効果が薄く、誘
電率が低下し焼結性も劣る。そして、直線ｄ−ｅより右
部では焼結体の表面に２次相の発生が著しく、誘電率も
低下方向にあるので実用的ではない。
【００２０】また、副成分としてのＮｂ−Ｍｇあるいは
Ｎｂ−Ｍｇ−Ｍｎの組み合わせにおいて、Ｎｂ2Ｏ5が
０．６ｗｔ％未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が
大きくなり、一方２．４ｗｔ％を超えると誘電率が低下
し、実用的でなくなる。また、ＭｇＯは０．０５ｗｔ％
未満ではその添加効果がなく、一方０．８０ｗｔ％を超
えると誘電率が低下し、容量温度変化率が大きくなるた
め、実用的ではない。さらに、ＭｇＯとＭｎＯ2の両者
を添加する場合、その合計が０．０５ｗｔ％以上であれ
ば添加効果が得られるが、その合計の添加量が０．８ｗ
ｔ％を超えると誘電率が低下し、容量温度変化率が大き
くなり、実用的でなくなる。また、ＭｎＯ 2の添加量が
０．４０ｗｔ％を超えると同様に誘電率が低下し、容量
温度変化率が大きくなり、実用的でなくなる。
Ｎｂ−Ｍｇ−Ｍｎの組み合わせにおいて、Ｎｂ2Ｏ5が
０．６ｗｔ％未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が
大きくなり、一方２．４ｗｔ％を超えると誘電率が低下
し、実用的でなくなる。また、ＭｇＯは０．０５ｗｔ％
未満ではその添加効果がなく、一方０．８０ｗｔ％を超
えると誘電率が低下し、容量温度変化率が大きくなるた
め、実用的ではない。さらに、ＭｇＯとＭｎＯ2の両者
を添加する場合、その合計が０．０５ｗｔ％以上であれ
ば添加効果が得られるが、その合計の添加量が０．８ｗ
ｔ％を超えると誘電率が低下し、容量温度変化率が大き
くなり、実用的でなくなる。また、ＭｎＯ 2の添加量が
０．４０ｗｔ％を超えると同様に誘電率が低下し、容量
温度変化率が大きくなり、実用的でなくなる。
【００２１】尚、本実施例における高誘電率誘電体磁器
の製造方法では、ＢａＣＯ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＭｎＯ2，Ｄｙ
2Ｏ3等の酸化物を用いたが、これらの方法に限定される
ものではなく、焼成した後所望の組成となるように、炭
酸塩、水酸化物等を用いても同様な特性を得ることがで
きる。また、主成分をあらかじめ仮焼してから、副成分
を添加しても本実施例と同等な特性を得ることができ
る。
の製造方法では、ＢａＣＯ3，Ｎｂ2Ｏ5，ＭｎＯ2，Ｄｙ
2Ｏ3等の酸化物を用いたが、これらの方法に限定される
ものではなく、焼成した後所望の組成となるように、炭
酸塩、水酸化物等を用いても同様な特性を得ることがで
きる。また、主成分をあらかじめ仮焼してから、副成分
を添加しても本実施例と同等な特性を得ることができ
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明の高誘電率誘電体磁器組成物は、
比誘電率が約２０００〜４９００と高い値を示し、誘電
体損失（tanδ）は１．０％以下という小さい値を示す
ばかりでなく、誘電体の温度変化率は、ＪＩＳ−Ｃ−５
１３０に規定するＪＤ特性以内を満足することができ
る。
比誘電率が約２０００〜４９００と高い値を示し、誘電
体損失（tanδ）は１．０％以下という小さい値を示す
ばかりでなく、誘電体の温度変化率は、ＪＩＳ−Ｃ−５
１３０に規定するＪＤ特性以内を満足することができ
る。
【００２３】また、組成中にパラジウムと反応しやすい
ビスマスを含有しないため、内部電極としてパラジウム
単体の使用が可能である。さらに、焼結体表面の２次相
発生が極めて少ないため、積層セラミックコンデンサに
使用する際、メッキのび、容量ばらつきの少ない安定し
た積層セラミックコンデンサ素子を製造することが可能
となる。また、基板上に実装する際に同素子を安定して
装着が可能となり、工業上利用価値の非常に高いもので
ある。
ビスマスを含有しないため、内部電極としてパラジウム
単体の使用が可能である。さらに、焼結体表面の２次相
発生が極めて少ないため、積層セラミックコンデンサに
使用する際、メッキのび、容量ばらつきの少ない安定し
た積層セラミックコンデンサ素子を製造することが可能
となる。また、基板上に実装する際に同素子を安定して
装着が可能となり、工業上利用価値の非常に高いもので
ある。
【図１】本発明にかかる高誘電率誘電体磁器組成物の主
成分の組成範囲を説明する三元組成図
成分の組成範囲を説明する三元組成図
【図２】本発明にかかる高誘電率誘電体磁器組成物の製
造工程図を示す図
造工程図を示す図
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分としてｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚ
ＤｙＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表わした時、 【表１】 に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれた範囲に
あり、 かつ上記主成分に対して副成分として、酸化ニオブをＮ
ｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜２．４ｗｔ％含有すると
ともに、酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算して０．
０５〜０．８０ｗｔ％含有してなる高誘電率誘電体磁器
組成物。 - 【請求項２】 副成分として、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の
形に換算して０．６〜２．４ｗｔ％含有し、かつ酸化マ
グネシウムと酸化マンガンをそれぞれＭｇＯ，ＭｎＯ2
の形に換算して合計で０．０５〜０．８０ｗｔ％（ただ
し、このうちでＭｎＯ2の加えられる許容範囲は０ｗｔ
％を含まない０．４０ｗｔ％以下）含有してなる請求項
１記載の高誘電率誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06959793A JP3289379B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06959793A JP3289379B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283026A true JPH06283026A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3289379B2 JP3289379B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=13407409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06959793A Expired - Fee Related JP3289379B2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3289379B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048963A1 (fr) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique, son emploi dans un condensateur et son procede de fabrication |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP06959793A patent/JP3289379B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048963A1 (fr) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique, son emploi dans un condensateur et son procede de fabrication |
| CN1120137C (zh) * | 1999-02-19 | 2003-09-03 | 松下电器产业株式会社 | 电介质陶瓷组合物、使用该组合物的电容器及其制造方法 |
| JP3838036B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物、これを用いたコンデンサおよびその製造方法 |
| CN100426427C (zh) * | 1999-02-19 | 2008-10-15 | 松下电器产业株式会社 | 电介质陶瓷组合物、使用该组合物的电容器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3289379B2 (ja) | 2002-06-04 |
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