JPH06279137A - セラミックス基板と外部金属端子との接合構造 - Google Patents
セラミックス基板と外部金属端子との接合構造Info
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- JPH06279137A JPH06279137A JP8921593A JP8921593A JPH06279137A JP H06279137 A JPH06279137 A JP H06279137A JP 8921593 A JP8921593 A JP 8921593A JP 8921593 A JP8921593 A JP 8921593A JP H06279137 A JPH06279137 A JP H06279137A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】接合の信頼性に優れたムライト質セラミックス
基板と外部金属端子との接合構造を提供し、接合体の歩
留まりを向上させる。 【構成】セラミックス基板２のパッド部３に外部金属端
子４の一端面を銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材６にて接合
したものにおいて、パッド部３の接合面積をＳ1、外部
金属端子４の前記一端面の面積をＳ2、ろう材６の重量
をＭとするとき、セラミックス基板２の主成分がムライ
トであって、Ｍ／（Ｓ1−Ｓ2）が０．１３〜０．４５ｍ
ｇ／ｍｍ2であることを特徴とするセラミックス基板と
外部金属端子との接合構造１
基板と外部金属端子との接合構造を提供し、接合体の歩
留まりを向上させる。 【構成】セラミックス基板２のパッド部３に外部金属端
子４の一端面を銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材６にて接合
したものにおいて、パッド部３の接合面積をＳ1、外部
金属端子４の前記一端面の面積をＳ2、ろう材６の重量
をＭとするとき、セラミックス基板２の主成分がムライ
トであって、Ｍ／（Ｓ1−Ｓ2）が０．１３〜０．４５ｍ
ｇ／ｍｍ2であることを特徴とするセラミックス基板と
外部金属端子との接合構造１
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基板と外
部金属端子との接合構造に関するもので、特に多層配線
基板に形成されたろう付けパッドとリード、ピン等の入
出力端子部材とがろう材にて接合される、ピングリッド
アレイＩＣパッケージに好適に利用され得る。
部金属端子との接合構造に関するもので、特に多層配線
基板に形成されたろう付けパッドとリード、ピン等の入
出力端子部材とがろう材にて接合される、ピングリッド
アレイＩＣパッケージに好適に利用され得る。
【０００２】
【従来の技術】ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）等の高密
度ＩＣパッケージは、集積回路ＩＣを搭載するとともに
主面上に縦横に多数配列して形成されたパッド部を備え
る多層配線基板と、この多層配線基板のパッド部に接合
された多数のコバール等からなるＩ／Ｏ（入出力）ピン
等の外部端子部材とで構成されており、場合により更に
その多層配線基板のＩＣ搭載部の周縁部にコバール等か
らなる封止用枠体が接合されている。
度ＩＣパッケージは、集積回路ＩＣを搭載するとともに
主面上に縦横に多数配列して形成されたパッド部を備え
る多層配線基板と、この多層配線基板のパッド部に接合
された多数のコバール等からなるＩ／Ｏ（入出力）ピン
等の外部端子部材とで構成されており、場合により更に
その多層配線基板のＩＣ搭載部の周縁部にコバール等か
らなる封止用枠体が接合されている。
【０００３】多層配線基板は、通常アルミナ等を主成分
とするセラミックスからなり、板形状の複数枚の絶縁層
と、各絶縁層の主表面に高融点金属にて形成された各種
配線パターンとを備えている。また、入出力ピン等の外
部金属端子は、例えば直径０．３〜０．４ｍｍ程度の丸
棒状の胴体部先端に、径大の鍔状部が設けられたネイル
（釘）形状をなしており、その鍔状部を接合面としてい
る。そして、セラミックスと外部金属端子との接合強度
は、セラミックス部分の信頼性確保のために、常に外部
金属端子自体の強度を上回ることが要請されている。
とするセラミックスからなり、板形状の複数枚の絶縁層
と、各絶縁層の主表面に高融点金属にて形成された各種
配線パターンとを備えている。また、入出力ピン等の外
部金属端子は、例えば直径０．３〜０．４ｍｍ程度の丸
棒状の胴体部先端に、径大の鍔状部が設けられたネイル
（釘）形状をなしており、その鍔状部を接合面としてい
る。そして、セラミックスと外部金属端子との接合強度
は、セラミックス部分の信頼性確保のために、常に外部
金属端子自体の強度を上回ることが要請されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、信号
伝播速度を速くすることと、集積回路ＩＣの接続不良及
び剥離を未然に防止することのために、上記のような高
密度ＩＣパッケージの多層基板中の絶縁層として、ムラ
イト質セラミックスを用いようとする提案がなされてい
る（特公昭５７−２３６７２号公報，特開昭５５−１３
９７０９号公報）。
伝播速度を速くすることと、集積回路ＩＣの接続不良及
び剥離を未然に防止することのために、上記のような高
密度ＩＣパッケージの多層基板中の絶縁層として、ムラ
イト質セラミックスを用いようとする提案がなされてい
る（特公昭５７−２３６７２号公報，特開昭５５−１３
９７０９号公報）。
【０００５】すなわち、電気信号の伝播遅延時間は、配
線導体をとりまく絶縁層の誘電率の平方根に比例するの
で、比誘電率の小さいムライトを絶縁層の主成分として
信号の高速化を達成しようとするのである。また、集積
回路ＩＣが半導体シリコンよりなるものの場合、シリコ
ンの熱膨張係数が３．５×１０-6／℃であるから、これ
と熱膨張差の小さいムライトをＩＣ搭載部の絶縁層の主
成分とすることにより、ＩＣ接続部分の熱応力を軽減し
ようとするのである。
線導体をとりまく絶縁層の誘電率の平方根に比例するの
で、比誘電率の小さいムライトを絶縁層の主成分として
信号の高速化を達成しようとするのである。また、集積
回路ＩＣが半導体シリコンよりなるものの場合、シリコ
ンの熱膨張係数が３．５×１０-6／℃であるから、これ
と熱膨張差の小さいムライトをＩＣ搭載部の絶縁層の主
成分とすることにより、ＩＣ接続部分の熱応力を軽減し
ようとするのである。
【０００６】しかし、発明者らが研究した結果、ムライ
ト質焼結体よりなる多層配線基板に従来のアルミナ基板
に対するのと同じ要領で外部金属端子を接合した構造の
ものを引っ張り強度試験にかけると、低強度でセラミッ
クス部分において破壊する場合が頻繁に生じた。従っ
て、パッケージ全体の信頼性に欠けるとともに歩留まり
を悪くしていた。
ト質焼結体よりなる多層配線基板に従来のアルミナ基板
に対するのと同じ要領で外部金属端子を接合した構造の
ものを引っ張り強度試験にかけると、低強度でセラミッ
クス部分において破壊する場合が頻繁に生じた。従っ
て、パッケージ全体の信頼性に欠けるとともに歩留まり
を悪くしていた。
【０００７】本発明の第１の目的は、上記従来の課題を
解決し、接合の信頼性に優れたムライト質セラミックス
基板と外部金属端子との接合構造を提供することにあ
る。第２の目的は、接合体の歩留まりを向上させること
にある。
解決し、接合の信頼性に優れたムライト質セラミックス
基板と外部金属端子との接合構造を提供することにあ
る。第２の目的は、接合体の歩留まりを向上させること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】その手段は、セラミック
ス基板のパッド部に外部金属端子の一端面を銀銅（Ａｇ
−Ｃｕ）系ろう材にて接合したものにおいて、パッド部
の接合面積をＳ1、外部金属端子の前記一端面の面積を
Ｓ2、ろう材の重量をＭとするとき、セラミックス基板
の主成分がムライトであって、Ｍ／（Ｓ1−Ｓ2）が０．
１３〜０．４５ｍｇ／ｍｍ2であることを特徴とするセ
ラミックス基板と外部金属端子との接合構造にある。
ス基板のパッド部に外部金属端子の一端面を銀銅（Ａｇ
−Ｃｕ）系ろう材にて接合したものにおいて、パッド部
の接合面積をＳ1、外部金属端子の前記一端面の面積を
Ｓ2、ろう材の重量をＭとするとき、セラミックス基板
の主成分がムライトであって、Ｍ／（Ｓ1−Ｓ2）が０．
１３〜０．４５ｍｇ／ｍｍ2であることを特徴とするセ
ラミックス基板と外部金属端子との接合構造にある。
【０００９】この手段において望ましいのは、パッド部
の周縁が絶縁材料にて被覆されていることを特徴とする
ものである。ここで、パッド部の接合面積とは、パッド
部の全面積がろう材に濡れて接合に関与しているとき
は、その面積のことをいう。また、その周縁が絶縁材料
にて被覆されているために被覆部分にろう材が濡れない
ときは、被覆部分を除いた面積のことをいう。
の周縁が絶縁材料にて被覆されていることを特徴とする
ものである。ここで、パッド部の接合面積とは、パッド
部の全面積がろう材に濡れて接合に関与しているとき
は、その面積のことをいう。また、その周縁が絶縁材料
にて被覆されているために被覆部分にろう材が濡れない
ときは、被覆部分を除いた面積のことをいう。
【００１０】
【作用効果】セラミックス基板が主としてアルミナより
なる場合、アルミナ焼結体の強度が高いので、外部金属
端子との接合部で熱膨張差による応力が発生してもセラ
ミックス基板の破壊が起こりにくい。これに対して、ム
ライト焼結体はアルミナ焼結体よりも強度が弱い。加え
て、外部金属端子との熱膨張差もアルミナ焼結体の場合
よりも大きい。従って、ろう付け部分で破壊し易い。
なる場合、アルミナ焼結体の強度が高いので、外部金属
端子との接合部で熱膨張差による応力が発生してもセラ
ミックス基板の破壊が起こりにくい。これに対して、ム
ライト焼結体はアルミナ焼結体よりも強度が弱い。加え
て、外部金属端子との熱膨張差もアルミナ焼結体の場合
よりも大きい。従って、ろう付け部分で破壊し易い。
【００１１】そこで、本発明では、ろう材の量を適切な
範囲に定め、それによって熱応力を最小限度に抑えたの
である。すなわち、ろう付け時には、外部金属端子とセ
ラミックス基板とに一定の荷重が加わる。従って、外部
金属端子の接合端面とセラミックス基板のパッド部とで
挟まれる部分に存在するろう材量及びその厚さは常にほ
ぼ一定となる。その結果、ろう材の量が適切であると、
外部金属端子の接合端面からはみ出たろう材が、その縦
断面形状において図１に示すように外方に向かって漸減
する円錐状となる。従って、パッド部周縁でセラミック
ス基板に加わる応力が急変しない。
範囲に定め、それによって熱応力を最小限度に抑えたの
である。すなわち、ろう付け時には、外部金属端子とセ
ラミックス基板とに一定の荷重が加わる。従って、外部
金属端子の接合端面とセラミックス基板のパッド部とで
挟まれる部分に存在するろう材量及びその厚さは常にほ
ぼ一定となる。その結果、ろう材の量が適切であると、
外部金属端子の接合端面からはみ出たろう材が、その縦
断面形状において図１に示すように外方に向かって漸減
する円錐状となる。従って、パッド部周縁でセラミック
ス基板に加わる応力が急変しない。
【００１２】但し、銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材の量が
１ｍｍ2当たり０．４５ｍｇより多いと、外部金属端子
の接合端面からはみ出たろう材がパッド部全体に過剰に
盛り上がるように濡れるので、パッド部内外でセラミッ
クスに加わる応力が著しく変化する。その結果、パッド
部の周縁上でセラミックスが破壊する。従って、ろう材
量の上限を０．４５ｍｇ／ｍｍ2とした。特にパッド部
の周縁が絶縁材料にて被覆されている場合、ろう材量が
過剰であるにもかかわらず、ろう材の流れがその絶縁材
料によってせき止められるので、パッド部周縁上におけ
るろう材の盛り上がり方が急激となる。従って、上限値
を厳守することが必要となる。
１ｍｍ2当たり０．４５ｍｇより多いと、外部金属端子
の接合端面からはみ出たろう材がパッド部全体に過剰に
盛り上がるように濡れるので、パッド部内外でセラミッ
クスに加わる応力が著しく変化する。その結果、パッド
部の周縁上でセラミックスが破壊する。従って、ろう材
量の上限を０．４５ｍｇ／ｍｍ2とした。特にパッド部
の周縁が絶縁材料にて被覆されている場合、ろう材量が
過剰であるにもかかわらず、ろう材の流れがその絶縁材
料によってせき止められるので、パッド部周縁上におけ
るろう材の盛り上がり方が急激となる。従って、上限値
を厳守することが必要となる。
【００１３】他方、ろう材の量が面積１ｍｍ2当たり
０．１３ｍｇより少ないと、ろう材が外部金属端子のほ
ぼ直下しか濡れなくなる。従って、ろう材の濡れていな
いパッド部の表面と外部金属端子の直下とでセラミック
スに加わる応力が著しく変化する。その結果、外部金属
端子の周縁下でセラミックスが破壊する。
０．１３ｍｇより少ないと、ろう材が外部金属端子のほ
ぼ直下しか濡れなくなる。従って、ろう材の濡れていな
いパッド部の表面と外部金属端子の直下とでセラミック
スに加わる応力が著しく変化する。その結果、外部金属
端子の周縁下でセラミックスが破壊する。
【００１４】銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材の組成は、Ａ
ｇ／Ｃｕ重量比が５０／５０〜８７／１３の範囲に属す
るものが良い。この範囲よりＡｇが少なくても多くても
液相温度が高くなって９００℃より高い温度でろう付け
しなければならず、作業性が悪くなるからである。ま
た、銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材は、その特性を逸脱し
ない限り、例えばインジウムＩｎのようにＡｇＣｕ以外
の第三の成分を少量含むものであっても良い。
ｇ／Ｃｕ重量比が５０／５０〜８７／１３の範囲に属す
るものが良い。この範囲よりＡｇが少なくても多くても
液相温度が高くなって９００℃より高い温度でろう付け
しなければならず、作業性が悪くなるからである。ま
た、銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材は、その特性を逸脱し
ない限り、例えばインジウムＩｎのようにＡｇＣｕ以外
の第三の成分を少量含むものであっても良い。
【００１５】尚、パッド部の周縁が絶縁材料で被覆され
ていると、パッド部周端へのろう材の流れがせき止めら
れる。その結果、応力の集中し易いパッド部周端への更
なる応力集中を抑え、端子部の破壊を防止することがで
きる。従って、パッド部の周縁が絶縁材料で被覆されて
いるのが望ましい。
ていると、パッド部周端へのろう材の流れがせき止めら
れる。その結果、応力の集中し易いパッド部周端への更
なる応力集中を抑え、端子部の破壊を防止することがで
きる。従って、パッド部の周縁が絶縁材料で被覆されて
いるのが望ましい。
【００１６】
【実施例】実施例１ ［本発明接合構造］本発明接合構造の一実施例を図面と
ともに説明する。図１は、本発明接合構造を備えたセラ
ミックス基板とネイルピンとの接合部を示す断面図であ
る。
ともに説明する。図１は、本発明接合構造を備えたセラ
ミックス基板とネイルピンとの接合部を示す断面図であ
る。
【００１７】接合構造１は、ムライト７５重量％、密度
２．９ｇ／ｃｍ3のセラミックス基板２と、このセラミ
ックス基板２の表面に形成された金属化面からなるパッ
ド３と、パッド３に接合されたネイルピン４とで構成さ
れている。そして、セラミックス基板２の表面は、パッ
ド３の大部分を除いてセラミックス基板２と同質で厚さ
１５μｍの絶縁膜５で覆われている。
２．９ｇ／ｃｍ3のセラミックス基板２と、このセラミ
ックス基板２の表面に形成された金属化面からなるパッ
ド３と、パッド３に接合されたネイルピン４とで構成さ
れている。そして、セラミックス基板２の表面は、パッ
ド３の大部分を除いてセラミックス基板２と同質で厚さ
１５μｍの絶縁膜５で覆われている。
【００１８】パッド３は、厚さ２０μｍのタングステン
からなる第１層及び厚さ２μｍのニッケルからなる第２
層の２層構造（但し、絶縁膜５の直下は第２層が存在し
ない。）で、直径１．５５〜２．０５ｍｍの大きさとな
っており、その周縁０．１５ｍｍが絶縁膜５で覆われて
いるので、ネイルピン４との接合に関与している部分の
大きさは直径１．４〜１．９ｍｍである。
からなる第１層及び厚さ２μｍのニッケルからなる第２
層の２層構造（但し、絶縁膜５の直下は第２層が存在し
ない。）で、直径１．５５〜２．０５ｍｍの大きさとな
っており、その周縁０．１５ｍｍが絶縁膜５で覆われて
いるので、ネイルピン４との接合に関与している部分の
大きさは直径１．４〜１．９ｍｍである。
【００１９】ネイルピン４は、本発明接合構造に用いら
れる外部金属端子であり、全長４．５ｍｍのコバール
（ＫＯＶＡＲ）製で、直径０．３５ｍｍの胴体部とその
一端に一体的に連なる直径０．７ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ
の鍔状部とからなる。パッド３とネイルピン４とは、所
定量の銀ー銅共晶ろう（日本工業規格ＢＡｇ８）６にて
接合されている。尚、ネイルピン４の材質は、４２アロ
イ、アロイ１９４（Ｃｕ合金）でも良い。
れる外部金属端子であり、全長４．５ｍｍのコバール
（ＫＯＶＡＲ）製で、直径０．３５ｍｍの胴体部とその
一端に一体的に連なる直径０．７ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ
の鍔状部とからなる。パッド３とネイルピン４とは、所
定量の銀ー銅共晶ろう（日本工業規格ＢＡｇ８）６にて
接合されている。尚、ネイルピン４の材質は、４２アロ
イ、アロイ１９４（Ｃｕ合金）でも良い。
【００２０】［本発明接合構造を備えた接合体の製造方
法］このような接合体の製造方法を説明する。まず、ム
ライト等のセラミックス粉末を主成分とするグリーンシ
ートの表面に、タングステンＷのペーストを所定パター
ンにスクリーン印刷して、各パッドのパターンを形成す
る。次に同じ組成のセラミックス粉末を主成分とする絶
縁ペーストをグリーンシートの表面に印刷する。そし
て、これらグリーンシートが１５００℃前後の高温で焼
成され、Ｎｉ鍍金が施されてセラミックス基板２とな
る。
法］このような接合体の製造方法を説明する。まず、ム
ライト等のセラミックス粉末を主成分とするグリーンシ
ートの表面に、タングステンＷのペーストを所定パター
ンにスクリーン印刷して、各パッドのパターンを形成す
る。次に同じ組成のセラミックス粉末を主成分とする絶
縁ペーストをグリーンシートの表面に印刷する。そし
て、これらグリーンシートが１５００℃前後の高温で焼
成され、Ｎｉ鍍金が施されてセラミックス基板２とな
る。
【００２１】別途、前記ネイルピン４を準備し、その鍔
状部端面に予め所定量のＡｇ−Ｃｕ共晶ろう６を付けて
おく。前記セラミックス基板２のパッド３にネイルピン
４をＡｇ−Ｃｕ共晶ろう６にて炉設定温度９００℃、窒
素−水素混合ガス中で接合する。これにて接合構造１が
完成する。
状部端面に予め所定量のＡｇ−Ｃｕ共晶ろう６を付けて
おく。前記セラミックス基板２のパッド３にネイルピン
４をＡｇ−Ｃｕ共晶ろう６にて炉設定温度９００℃、窒
素−水素混合ガス中で接合する。これにて接合構造１が
完成する。
【００２２】［実験及び評価］上記接合構造１におい
て、ネイルピン４の寸法及び形状を一定値とし、接合に
関与するパッド３の面積及びＡｇ−Ｃｕ共晶ろう６の量
を表１のように種々変えたものにつき、ネイルピン４の
遊端部を４５°方向に引っ張り、引っ張り強度を測定す
るとともに破壊モードを観察した。測定及び観察の結果
を表１に併記する。
て、ネイルピン４の寸法及び形状を一定値とし、接合に
関与するパッド３の面積及びＡｇ−Ｃｕ共晶ろう６の量
を表１のように種々変えたものにつき、ネイルピン４の
遊端部を４５°方向に引っ張り、引っ張り強度を測定す
るとともに破壊モードを観察した。測定及び観察の結果
を表１に併記する。
【００２３】
【表１】 表１から判るように、共晶ろうの量が面積１ｍｍ2当た
り０．１３〜０．４５ｍｇである接合構造の場合は、ネ
イルピン４の胴体部が切れた。すなわち、ネイルピン４
自体の機械的強度よりも接合強度のほうが高かった。
尚、ネイルピン４自体の機械的強度は、その材質が、コ
バールもしくは４２アロイの場合で８ｋｇ以上、アロイ
１９４（Ｃｕ合金）の場合で５ｋｇ以上である。
り０．１３〜０．４５ｍｇである接合構造の場合は、ネ
イルピン４の胴体部が切れた。すなわち、ネイルピン４
自体の機械的強度よりも接合強度のほうが高かった。
尚、ネイルピン４自体の機械的強度は、その材質が、コ
バールもしくは４２アロイの場合で８ｋｇ以上、アロイ
１９４（Ｃｕ合金）の場合で５ｋｇ以上である。
【００２４】これに対して、共晶ろうの量が面積１ｍｍ
2当たり０．４５ｍｇを超えている接合構造の場合は、
パッド３の周縁上でセラミックス基板２が抉れてしまっ
た。また、共晶ろうの量が面積１ｍｍ2当たり０．１３
ｍｇより少ない接合構造の場合は、ネイルピン４の周縁
直下でセラミックス基板２が抉れてしまった。尚、共晶
ろうの量が面積１ｍｍ2当たり０．１３〜０．４５ｍｇ
である接合構造のものは、熱衝撃試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ
−８８３Ｃ 方法１０１１．６ 試験条件Ｃ）におい
て、１０００サイクル後も強度の劣化がみられなかっ
た。
2当たり０．４５ｍｇを超えている接合構造の場合は、
パッド３の周縁上でセラミックス基板２が抉れてしまっ
た。また、共晶ろうの量が面積１ｍｍ2当たり０．１３
ｍｇより少ない接合構造の場合は、ネイルピン４の周縁
直下でセラミックス基板２が抉れてしまった。尚、共晶
ろうの量が面積１ｍｍ2当たり０．１３〜０．４５ｍｇ
である接合構造のものは、熱衝撃試験（ＭＩＬ−ＳＴＤ
−８８３Ｃ 方法１０１１．６ 試験条件Ｃ）におい
て、１０００サイクル後も強度の劣化がみられなかっ
た。
【００２５】実施例２ 実施例１の接合構造１において、Ａｇ−Ｃｕ共晶ろう６
に代えてＡｇ−Ｃｕ（Ａｇ８５重量％）ろうを用いた以
外は、実施例１と同一条件で実験及び評価を行った。結
果を表２に示す。
に代えてＡｇ−Ｃｕ（Ａｇ８５重量％）ろうを用いた以
外は、実施例１と同一条件で実験及び評価を行った。結
果を表２に示す。
【表２】 表２から判るように、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積１ｍｍ
2当たり０．１３〜０．４５ｍｇである接合構造の場合
は、ネイルピン４の胴体部が切れた。すなわち、ネイル
ピン４自体の機械的強度よりも接合強度のほうが高かっ
た。
2当たり０．１３〜０．４５ｍｇである接合構造の場合
は、ネイルピン４の胴体部が切れた。すなわち、ネイル
ピン４自体の機械的強度よりも接合強度のほうが高かっ
た。
【００２６】これに対して、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積
１ｍｍ2当たり０．４５ｍｇを超えている接合構造の場
合は、パッド３の周縁上でセラミックス基板２が抉れて
しまった。また、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積１ｍｍ2当
たり０．１３ｍｇより少ない接合構造の場合は、ネイル
ピン４の周縁直下でセラミックス基板２が抉れてしまっ
た。
１ｍｍ2当たり０．４５ｍｇを超えている接合構造の場
合は、パッド３の周縁上でセラミックス基板２が抉れて
しまった。また、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積１ｍｍ2当
たり０．１３ｍｇより少ない接合構造の場合は、ネイル
ピン４の周縁直下でセラミックス基板２が抉れてしまっ
た。
【００２７】実施例３ 実施例１の接合構造１において、Ａｇ−Ｃｕ共晶ろう６
に代えてＡｇ−Ｃｕ（Ａｇ５０重量％）ろうを用いた以
外は、実施例１と同一条件で実験及び評価を行った。結
果を表３に示す。
に代えてＡｇ−Ｃｕ（Ａｇ５０重量％）ろうを用いた以
外は、実施例１と同一条件で実験及び評価を行った。結
果を表３に示す。
【表３】 表３から判るように、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積１ｍｍ
2当たり０．１３〜０．４５ｍｇである接合構造の場合
は、ネイルピン４の胴体部が切れた。すなわち、ネイル
ピン４自体の機械的強度よりも接合強度のほうが高かっ
た。
2当たり０．１３〜０．４５ｍｇである接合構造の場合
は、ネイルピン４の胴体部が切れた。すなわち、ネイル
ピン４自体の機械的強度よりも接合強度のほうが高かっ
た。
【００２８】これに対して、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積
１ｍｍ2当たり０．４５ｍｇを超えている接合構造の場
合は、パッド３の周縁上でセラミックス基板２が抉れて
しまった。また、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積１ｍｍ2当
たり０．１３ｍｇより少ない接合構造の場合は、ネイル
ピン４の周縁直下でセラミックス基板２が抉れてしまっ
た。
１ｍｍ2当たり０．４５ｍｇを超えている接合構造の場
合は、パッド３の周縁上でセラミックス基板２が抉れて
しまった。また、Ａｇ−Ｃｕろうの量が面積１ｍｍ2当
たり０．１３ｍｇより少ない接合構造の場合は、ネイル
ピン４の周縁直下でセラミックス基板２が抉れてしまっ
た。
【００２９】
【発明の効果】この発明のムライトセラミックス基板と
外部金属端子との接合構造は、以上の構成を備えるの
で、接合の信頼性に優れ、しかも生産歩留まりが高いも
のである。従って、信号伝搬速度が速く、ＩＣとの接続
性に優れたＩＣパッケージを安定して供給することがで
きる。
外部金属端子との接合構造は、以上の構成を備えるの
で、接合の信頼性に優れ、しかも生産歩留まりが高いも
のである。従って、信号伝搬速度が速く、ＩＣとの接続
性に優れたＩＣパッケージを安定して供給することがで
きる。
【図１】セラミックス基板と外部金属端子との接合構造
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
１ 接合構造 ２ セラミックス基板 ３ パッド ４ ネイルピン（外部金属端子部材）
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板のパッド部に外部金属
端子の一端面を銀銅（Ａｇ−Ｃｕ）系ろう材にて接合し
たものにおいて、パッド部の接合面積をＳ1、外部金属
端子の前記一端面の面積をＳ2、ろう材の重量をＭとす
るとき、セラミックス基板の主成分がムライトであっ
て、Ｍ／（Ｓ1−Ｓ2）が０．１３〜０．４５ｍｇ／ｍｍ
2であることを特徴とするセラミックス基板と外部金属
端子との接合構造。 - 【請求項２】 パッド部は、その周縁が絶縁材料にて被
覆されている請求項１に記載のセラミックス基板と外部
金属端子との接合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08921593A JP3539571B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | セラミックス基板と外部金属端子との接合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08921593A JP3539571B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | セラミックス基板と外部金属端子との接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279137A true JPH06279137A (ja) | 1994-10-04 |
| JP3539571B2 JP3539571B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=13964504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08921593A Expired - Fee Related JP3539571B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | セラミックス基板と外部金属端子との接合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3539571B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016143796A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP08921593A patent/JP3539571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016143796A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3539571B2 (ja) | 2004-07-07 |
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