JPH06275065A - Memory access method and its controller - Google Patents

Memory access method and its controller

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Publication number
JPH06275065A
JPH06275065A JP5063664A JP6366493A JPH06275065A JP H06275065 A JPH06275065 A JP H06275065A JP 5063664 A JP5063664 A JP 5063664A JP 6366493 A JP6366493 A JP 6366493A JP H06275065 A JPH06275065 A JP H06275065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
address strobe
data output
write
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5063664A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Harumoto
英明 春元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5063664A priority Critical patent/JPH06275065A/en
Publication of JPH06275065A publication Critical patent/JPH06275065A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To attain performing write operation immediately after read operation in the state when no precharge time of RAS exists in a memory where the input pin and the output pin of data are connected. CONSTITUTION:In an address multiplex type memory without the eable control of a data output, whose input pin and output pin of the data are connected and capable of accessing in a first page mode, a row address strobe (RAS) is made low as it is continuously even after a column address strobe (CAS) is returned to high for ending a read cycle. Then, a write enable anti WE is made low to be held immediately after a data output pin becomes high impedance, and data write operation is performed at the fall edge of the CAS.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リード動作の直後に行
アドレスストローブのプリチャージ時間が十分無い場合
でも、アーリライト動作を行なうことが可能なメモリア
クセス方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory access method capable of performing an early write operation even when a row address strobe precharge time is not sufficient immediately after a read operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下行アドレスストローブはRAS、列
アドレスストローブはCASと省略する。
2. Description of the Related Art Hereinafter, the row address strobe is abbreviated as RAS and the column address strobe is abbreviated as CAS.

【0003】従来DRAMのデータ入力ピンとデータ出
力ピンとを結線して入出力データバスを構成し、リード
動作の後にライト動作を行う場合、リード動作が完全に
終了した後に、RASのプリチャージ時間を十分確保
し、その後にアーリライト動作を実行していた。
When a data input pin and a data output pin of a conventional DRAM are connected to form an input / output data bus and a write operation is performed after a read operation, the RAS precharge time is sufficient after the read operation is completed. It was secured, and then the early rewrite operation was executed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
構成において、リードモディファイライト動作を行う
と、DRAMのデータ入力ピンとデータ出力ピンとが結
線され入出力データバスに結合されているため、図3の
領域Rに示すように入出力データバス上で入力データと
出力データの衝突が起こる。
However, in the above structure, when the read modify write operation is performed, the data input pin and the data output pin of the DRAM are connected and connected to the input / output data bus. As shown in the area R of the above, collision of input data and output data occurs on the input / output data bus.

【0005】一方、RASのプリチャージ時間が十分あ
る場合には、図4のステップAのようにリード動作を完
全に終了するためにRASをハイにし、ステップBのよ
うにRASをプリチャージした後で改めてステップCの
ようにRASをローにすればアーリライト動作を行なう
ことが可能であるが、RASのプリチャージ時間が不十
分な場合は、リード直後のライトは不可能であった。
On the other hand, if the RAS precharge time is sufficient, RAS is set high to complete the read operation as in step A of FIG. 4 and after RAS is precharged as in step B. Then, if RAS is made low again as in step C, the early write operation can be performed, but if the precharge time of RAS is insufficient, writing immediately after read was impossible.

【0006】本発明は、かかる点に鑑み、メモリのデー
タ入力とデータ出力が結線されており、かつRASのプ
リチャージ時間が不十分な状態において、リードモディ
ファイライトに相当するアクセスが可能なメモリアクセ
ス方法を提供することを目的とする。
In view of the above point, the present invention provides a memory access that is equivalent to a read-modify-write in a state where the data input and the data output of the memory are connected and the RAS precharge time is insufficient. The purpose is to provide a method.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、データ出力の
イネーブル制御がなく、データ入力ピンとデータ出力ピ
ンとが互いに結線されており、かつファーストページモ
ードでアクセスが可能なアドレスマルチプレクスタイプ
のメモリのアクセス方法であって、リードサイクルを終
了するために列アドレスストローブをハイに戻した後も
引き続き行アドレスストローブをローに保持し、データ
出力ピンがハイインピーダンスになった後にライトイネ
ーブルをローにして保持し、列アドレスストローブの立
ち下がりのエッジでデータライト動作を行うことを特徴
とするメモリアクセス方法である。
According to the present invention, there is provided an address multiplex type memory which has no data output enable control, has data input pins and data output pins connected to each other, and is accessible in a first page mode. An access method, which keeps the row address strobe low after returning the column address strobe high to end the read cycle and holding the write enable low after the data output pin goes high impedance. However, the memory access method is characterized in that the data write operation is performed at the falling edge of the column address strobe.

【0008】[0008]

【作用】本発明は上述の方法により、リード動作の直後
にRASのプリチャージ時間が十分ないままの状態で、
引続きアーリライト動作が可能なため、SIMMをはじ
めとするデータ入力ピンとデータ出力ピンが結線されて
いるDRAMを用いて、リードモディファイライトに相
当するメモリアクセスが可能となる。
According to the present invention, by the above method, the RAS precharge time is not sufficient immediately after the read operation,
Since the early write operation can be continuously performed, the memory access equivalent to the read modify write can be performed by using the DRAM in which the data input pin including the SIMM and the data output pin are connected.

【0009】[0009]

【実施例】図1は本発明の実施例の構成を示す図であ
る。図1においてシステム11は本発明に係る方法によ
ってメモリアクセスを行い、かつメモリリフレクション
機能を有するメモリボード、システム12およびシステ
ム13はキャッシュスヌープ機能を有するCPUボード
である。上記システム11、システム12及びシステム
13はバス14を介して接続されている。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a system 11 is a memory board having a memory access by the method according to the present invention and having a memory reflection function, and a system 12 and a system 13 are CPU boards having a cache snoop function. The system 11, system 12 and system 13 are connected via a bus 14.

【0010】上記の構成において、まずシステム12の
CPUボードがキャッシュミスを起こすと、バス14上
にシステム11のメモリボードからアドレスaddr0
のデータを読み出すトランザクションが発生し、システ
ム11のメモリボードはDRAM16からローアドレス
raddr0、カラムアドレスcaddr0のデータの
読み出し動作を開始する。
In the above structure, when the CPU board of the system 12 first causes a cache miss, the address addr0 is sent from the memory board of the system 11 onto the bus 14.
, A memory board of the system 11 starts a data read operation of the row address raddr0 and the column address caddr0 from the DRAM 16.

【0011】アドレスaddr0の最新データD−va
lidを保持しているシステム13のキャッシュ13A
は、バス14にデータの所有を示す信号xownを発行
する。
Latest data D-va at address addr0
The cache 13A of the system 13 holding the lid
Issues a signal xown indicating ownership of data to the bus 14.

【0012】システム11のメモリボードは、xown
信号がアサートされると、現在実行中のDRAM16か
らのデータ読み出し動作を途中で放棄して最新データD
−validをメモリボードのアドレスaddr0に書
き込む動作を開始する。
The memory board of the system 11 is xown.
When the signal is asserted, the data read operation currently being executed from the DRAM 16 is abandoned and the latest data D
-Start the operation of writing valid into the address addr0 of the memory board.

【0013】まず、システム12のCPUは、システム
11のメモリボードからデータ読み出しを行なうため、
時刻t0にRASを立ち下げてローアドレスraddr
をDRAMに取り込む。
First, since the CPU of the system 12 reads data from the memory board of the system 11,
At time t0, RAS is dropped and row address raddr is set.
To the DRAM.

【0014】次に、時刻t1にCASを立ち下げてカラ
ムアドレスcaddrをDRAM16に取り込み、時刻
t1+dtにDRAM16からデータD−invali
dを出力する。
Next, at time t1, CAS is lowered and the column address caddr is fetched into the DRAM 16, and at time t1 + dt, the data D-invalid from the DRAM 16 is fetched.
Output d.

【0015】この時、システム13のCPUはキャッシ
ュ内に最新データを所有していることを示す信号xow
nをアサートし、これによりメモリボードはデータ読み
出し動作を放棄するために、時刻t2にCASを立ち上
げる。これによりDRAM16からのデータ出力D−i
nvalidは時刻t2+dtに消失しハイインピーダ
ンス状態になる。
At this time, the CPU of the system 13 has a signal xow indicating that it has the latest data in the cache.
Assert n, which causes the memory board to raise CAS at time t2 to abandon the data read operation. As a result, the data output D-i from the DRAM 16
nvalid disappears at time t2 + dt and enters a high impedance state.

【0016】次に、RASをローのままに保持し、カラ
ムアドレスcaddrの値も保持する。時刻t3にアー
リライト動作を開始するためにライト信号WEをローに
する。時刻t4にバリッドなデータD−validが確
定し、時刻t5にCASを立ち下げてこのデータをDR
AM16に書き込む。
Next, RAS is held low and the value of the column address caddr is also held. At time t3, the write signal WE is set low to start the early write operation. Valid data D-valid is confirmed at time t4, and CAS is stopped at time t5 to DR this data.
Write to AM16.

【0017】なお本実施例では、メモリとしてDRAM
を用い、RAS、CASがローのとき行アドレス、列ア
ドレスが確定するものとし、ライトイネーブルがローの
とき書き込みが許可されるものとして説明したが、これ
は本発明を何等限定するものではないことは言うまでも
ない。
In this embodiment, a DRAM is used as the memory.
It has been described that the row address and the column address are determined when RAS and CAS are low and the writing is permitted when the write enable is low, but this does not limit the present invention. Needless to say.

【0018】[0018]

【発明の効果】上記したように、本発明のメモリアクセ
ス方法によれば、メモリのデータ入力ピンとデータ出力
ピンとを結線した状態でリードモディファイライトと同
様な機能を果たすアクセスが可能となるため、ボード上
のデータバスを入力側と出力側で分離することなく高速
なメモリアクセスが可能となる。
As described above, according to the memory access method of the present invention, it is possible to perform access similar to read-modify-write with the data input pin and the data output pin of the memory being connected to each other. High-speed memory access is possible without separating the upper data bus on the input side and the output side.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】実施例における動作の遷移を示すタイミング図FIG. 2 is a timing diagram showing a transition of operations in the embodiment.

【図3】DRAMのデータ入力とデータ出力を結線した
状態でリードモディファイライト動作を行なった際に発
生するデータの衝突の様子を示すタイミング図
FIG. 3 is a timing chart showing a state of data collision that occurs when a read-modify-write operation is performed with the data input and data output of the DRAM connected.

【図4】従来例でのリード動作の後のアーリライト動作
を示すタイミング図
FIG. 4 is a timing diagram showing an early write operation after a read operation in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 メモリシステム 12 CPUシステム 13 CPUシステム 13A キャッシュ 14 バスシステム 15 DRAMアクセス制御部 16 DRAMチップ D−valid 有効な最新データ xown 最新データをキャッシュに所有していること
を示すバス信号 raddr 有効なローアドレス caddr 有効なカラムアドレス R データが衝突しているタイミング領域
11 memory system 12 CPU system 13 CPU system 13A cache 14 bus system 15 DRAM access control unit 16 DRAM chip D-valid valid latest data xown bus signal indicating that the latest data is owned in the cache raddr valid row address caddr Timing column where valid column address R data collides

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】データ出力のイネーブル制御がなく、デー
タ入力ピンとデータ出力ピンとが互いに結線されてお
り、かつファーストページモードでアクセスが可能なア
ドレスマルチプレクスタイプのメモリのアクセス方法で
あって、リードサイクルを終了するために列アドレスス
トローブを不確定状態に戻した後も引き続き行アドレス
ストローブを確定状態のまま保持し、データ出力ピンが
ハイインピーダンスになった後にライトイネーブルを書
き込み許可にして保持し、列アドレスストローブが確定
状態へ遷移する変化のエッジでデータライト動作を行う
ことを特徴とするメモリアクセス方法。
1. A method of accessing an address multiplex type memory, which has no data output enable control, has data input pins and data output pins connected to each other, and can be accessed in a first page mode, comprising a read cycle. After the column address strobe is returned to the indeterminate state to terminate the write, the row address strobe is still held in the fixed state, and the write enable is held write-enabled and held after the data output pin becomes high impedance. A memory access method characterized in that a data write operation is performed at an edge of a transition in which an address strobe transits to a definite state.
【請求項2】データ出力のイネーブル制御がなく、デー
タ入力ピンとデータ出力ピンとが互いに結線されてお
り、かつファーストページモードでアクセスが可能なア
ドレスマルチプレクスタイプのメモリのアクセス制御装
置であって、リードサイクルを終了するために列アドレ
スストローブを不確定状態に戻した後も引き続き行アド
レスストローブを確定状態のまま保持し、データ出力ピ
ンがハイインピーダンスになった後にライトイネーブル
を書き込み許可にして保持し、列アドレスストローブが
確定状態へ遷移する変化のエッジでデータライト動作を
行うよう制御するメモリアクセス制御手段を備えたこと
を特徴とするメモリアクセス制御装置。
2. An access control device for an address multiplex type memory, which has no data output enable control, has data input pins and data output pins connected to each other, and can be accessed in a first page mode. After returning the column address strobe to the indeterminate state to end the cycle, the row address strobe is still held in the committed state, and the write enable is held as write enable after the data output pin becomes high impedance. A memory access control device comprising memory access control means for performing a data write operation at an edge of a change in which a column address strobe makes a transition to a definite state.
JP5063664A 1993-03-23 1993-03-23 Memory access method and its controller Pending JPH06275065A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333648B1 (en) * 1999-06-28 2002-04-24 박종섭 Write scheme of DDR SDRAM synchronized with the falling edge of Data Strobe Signal

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333648B1 (en) * 1999-06-28 2002-04-24 박종섭 Write scheme of DDR SDRAM synchronized with the falling edge of Data Strobe Signal

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