JP3317592B2 - Memory system and image forming system - Google Patents

Memory system and image forming system

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JP3317592B2 JP22385994A JP22385994A JP3317592B2 JP 3317592 B2 JP3317592 B2 JP 3317592B2 JP 22385994 A JP22385994 A JP 22385994A JP 22385994 A JP22385994 A JP 22385994A JP 3317592 B2 JP3317592 B2 JP 3317592B2
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    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【産業上の利用分野】本願発明は、画像デ−タを格納す
る画像メモリとしてシンクロナスDRAM(同期型ダイ
ナミックランダムアクセスメモリ)を用いるメモリシス
テムに関するものであり、さらには、前記メモリシステ
ムを用いたプリンタ、複写機等の画像形成装置を含む画
像形成システムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory system using a synchronous DRAM (synchronous dynamic random access memory) as an image memory for storing image data, and further uses the memory system. The present invention relates to an image forming system including an image forming apparatus such as a printer and a copying machine.

【0001】[0001]

【従来の技術】従来画像メモリは、大容量、低コストを
実現するため、高速ペ−ジモ−ド、スタティック・コラ
ム・モ−ドのDRAMにて構成されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, an image memory has been constituted by a DRAM of a high-speed page mode and a static column mode in order to realize a large capacity and a low cost.

【0002】高速ペ−ジモ−ドのDRAMはRASをア
サ−トしたままの状態でCAS及びコラムアドレスを入
力しなおすことで、同一アドレスに対して、高速にラン
ダムアクセスを行うことができる。
A high-speed page mode DRAM can perform random access to the same address at a high speed by re-inputting the CAS and the column address while RAS is asserted.

【0003】スタティック・コラム・モ−ドのDRAM
は、RASをアサ−トしたままの状態で、コラムアドレ
スを変化させることで、高速ペ−ジモ−ド同様、同一行
アドレスに対して高速アクセスが行えるものであり、更
にCASによって、コラムアドレスをストロ−ブする必
要がないので高速化が可能である。
[0003] Static column mode DRAM
The high-speed access to the same row address can be performed as in the high-speed page mode by changing the column address while RAS is asserted. Since there is no need to strobe, the speed can be increased.

【0004】ニブルモ−ドのDRAMは、通常のアクセ
ス終了後、RASをアサ−トしたままの状態でCASを
トグルさせることによって、下位の2ビット分がインク
リメントされたアドレスのデ−タがシ−ケンシャルにア
クセスされる。ニブルモ−ドは、4ワ−ド分しかバ−ス
トアクセスできないけれども、他のモ−ドに比べて高速
であるという特徴を有する。
In a nibble mode DRAM, after normal access is completed, CAS is toggled while RAS is asserted, so that the data of the address in which the lower 2 bits are incremented is read. It is accessed kenshal. The nibble mode has a feature that, although only four words can be accessed in burst, it is faster than other modes.

【0005】しかしながら、高速にアクセスできると言
っても、おのずから限界があり、そのサイクルタイム
は、40nsec(25MHz)程度であり、さらに高
速アクセスを実現するためには、バス幅を広げたり、高
価なSRAMを使用する必要があった。なお、バス幅を
広げた場合は、高速化が可能となる一方で、制御回路の
複雑化、遅延時間が増加、メモリシステムを構成する最
低構成単位の拡大という数々の問題点が存在した。
[0005] However, even if it can be accessed at high speed, there is naturally a limit, and the cycle time is about 40 nsec (25 MHz). SRAM had to be used. In addition, when the bus width is increased, while speeding up is possible, there are various problems such as a complicated control circuit, an increase in delay time, and an increase in a minimum configuration unit constituting the memory system.

【0006】近年になって、特開平5−120114号
に記載されているように、シンクロナスDRAMが提案
されるようになった。このシンクロナスDRAMは、前
述した従来のDRAMを完全同期型としたものであり、
ロ−アドレスやコラムアドレスのエントリ、リフレッシ
ュ等をクロックの立上りエッジに対して、コマンドとし
て与えるものである。
In recent years, a synchronous DRAM has been proposed as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-120114. This synchronous DRAM is a completely synchronous type of the conventional DRAM described above.
A row address, column address entry, refresh, etc. are given as commands to the rising edge of the clock.

【0007】更に詳述すれば、デ−タのリ−ドに関して
は、最初のデ−タまでのアクセス時間は従来のDRAM
と変わらないが、その後のデ−タがクロックごとに出力
される。この時のアクセスの順番は、モ−ド設定にて行
うのでコラムアドレスをクロックごとに入力する必要が
ない。デ−タのライトに関しては、最初のデ−タからク
ロックごとに入力することができる。そして、このクロ
ックの周期が100MHzと高速であるため、高速アク
セスが可能となる。
More specifically, with respect to data reading, the access time until the first data is equal to that of a conventional DRAM.
However, the following data is output every clock. Since the access order at this time is set in the mode setting, there is no need to input a column address for each clock. Regarding data writing, data can be input for each clock from the first data. Since the clock cycle is as fast as 100 MHz, high-speed access is possible.

【0008】さらには、シンクロナスDRAMは、完全
同期型であるため、入力信号がクロックに対してセット
アップ、ホ−ルド・タイムを満足するように構成すれば
よく出力信号に対してもクロックからの時間として定義
されるので、比較的制御回路を簡単に実現しやすい。
Further, since the synchronous DRAM is of a completely synchronous type, it is sufficient that an input signal satisfies a setup and a hold time with respect to a clock, and an output signal from the clock can be applied to an output signal. Since it is defined as time, it is relatively easy to realize a control circuit.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、シ
ンクロナスDRAMを使用することで、CPUの処理速
度を向上させるメモリシステムを提供することができる
が、シンクロナスDRAMを、省電力モ−ドであるパワ
−ダウンモ−ドにしようとした場合に、クロックイネ−
ブル信号(CKE)を高速に変化させなければならない
ことにともない、問題が生ずる。
As described above, by using a synchronous DRAM, it is possible to provide a memory system capable of improving the processing speed of a CPU. When trying to enter power down mode, the clock
A problem arises with the fact that the bull signal (CKE) must be changed at a high speed.

【0010】クロックイネ−ブル信号(CKE)は、パ
ワ−ダウンモ−ドの制御以外に、クロックの立上りエッ
ジを無効にする場合に使用できるが、クロックの立上り
エッジを無効化することは、全てのシステムで必要な訳
ではない。この場合、クロックイネ−ブル信号(CK
E)の制御に関するハ−ドウェアが簡素化できるが、パ
ワ−ダウンモ−ド対応にするためには、クロックイネ−
ブル信号(CKE)を高速に変化する必要がある。
[0010] The clock enable signal (CKE) can be used to invalidate the rising edge of the clock in addition to controlling the power down mode. Not required by the system. In this case, the clock enable signal (CK)
The hardware related to the control of E) can be simplified, but in order to cope with the power down mode, the clock enable is required.
It is necessary to change the bull signal (CKE) at high speed.

【0011】特に、画像デ−タを格納する画像メモリの
様に、多数のシンクロナスDRAMを使用する場合、ク
ロックイネ−ブル信号(CKE)に接続される負荷容量
が大きくなり、バッファリングする必要がある。しか
も、クロックイネ−ブル信号はRAS、CAS信号の信
号とは異なり、常にクロック信号の立上りエッジに対し
て、セットアップ、ホ−ルドタイムを満足している必要
がある。
In particular, when a large number of synchronous DRAMs are used as in an image memory for storing image data, the load capacity connected to the clock enable signal (CKE) becomes large, and buffering is required. There is. Moreover, unlike the RAS and CAS signals, the clock enable signal must always satisfy the setup and hold time with respect to the rising edge of the clock signal.

【0012】このため、シンクロナスDRAM制御回路
をASICで構成した場合、ASICの外部ピンをクロ
ックイネ−ブル信号(CKE)制御信号として難本割り
当てるか、外部に高速のバッファ、若しくは、Dフリッ
プフロップを備えなければならなかった。又波形品質を
注意しなければならない信号線が多数存在するという問
題点があった。
For this reason, when the synchronous DRAM control circuit is constituted by an ASIC, it is difficult to assign an external pin of the ASIC as a clock enable signal (CKE) control signal, or to externally provide a high-speed buffer or a D flip-flop. Had to be provided. In addition, there is a problem that there are many signal lines for which attention must be paid to the waveform quality.

【0013】一方において、シンクロナスDRAMを画
像メモリとして使用する場合には、、画像形成動作にお
いて常に画像デ−タが存在する必要はなく、従って、常
にメモリの内容を記憶しておく必要はない。
On the other hand, when a synchronous DRAM is used as an image memory, it is not necessary that image data always exist in an image forming operation, and therefore it is not necessary to always store the contents of the memory. .

【0014】本願発明は、上述の技術課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、ハ−ドウェ
ア量、波形品質を注意しなければならない信号線の本数
を縮小しつつ、消費電力を減少させ、さらには記憶内容
を保持していなければならない領域についてのみ、省エ
ネルギ−モ−ドとして使用されるパワ−ダウンモ−ドの
設定を可能ならしめるメモリシステムひいては画像形成
システムを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned technical problem, and an object of the present invention is to reduce the number of signal lines for which attention must be paid to the amount of hardware and waveform quality while reducing the number of signal lines. To provide a memory system and an image forming system capable of setting a power-down mode used as an energy-saving mode only in an area where power must be reduced and a storage content must be held. It is in.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本願発明はかかる目的を
達成するために、画像データを記憶するための記憶手段
として複数のシンクロナスDRAMを用いるメモリシス
テムにおいて、前記複数のシンクロナスDRAMの内、
一部のシンクロナスDRAMのクロックイネーブル端子
の入力をハイレベルに固定してパワーダウンモードの設
定を不可能とするとともに、クロックイネーブル端子の
入力がハイレベルに固定されていない他のシンクロナス
DRAMがパワーダウンモードに設定されている時、前
記一部のシンクロナスDRAMに対するリフレッシュ要
求を無効化してメモリ内容保持のためのリフレッシュ周
期確保を補償しないようにメモリシステムを構成する。
さらには、かかるメモリシステムを用いて画像形成シス
テムを構成する。なお、複数のシンクロナスDRAMに
格納される画像データは、スキャナ装置又はホスト装置
から提供される。
In order to achieve the above object, the present invention provides a memory system using a plurality of synchronous DRAMs as storage means for storing image data .
Setting the power down mode by fixing the input of the clock enable terminal of a portion of a synchronous DRA M to the high level
And disable the clock enable pin.
Other synchronous whose input is not fixed to high level
When the DRAM is set to power down mode,
Refresh required for some synchronous DRAMs
Request to invalidate the refresh cycle
The memory system is configured so as not to compensate for the security period .
Further, an image forming system is configured using such a memory system. Note that image data stored in a plurality of synchronous DRAMs is provided from a scanner device or a host device.

【0016】[0016]

【実施例】本願発明の一実施例について説明する。図1
は、本願発明の一実施例を示す全体ブロック図である。
An embodiment of the present invention will be described. FIG.
FIG. 1 is an overall block diagram showing an embodiment of the present invention.

【0017】CPU101は中央処理装置であり、シス
テム全体の制御、及び画像処理等を司る。また、CPU
101はオンチップにキャッシュメモリを持っている。
ROM102にはCPU101が実行するプログラム、
各種パラメ−タ等が記憶されている。
The CPU 101 is a central processing unit, which controls the entire system, performs image processing, and the like. Also, CPU
101 has a cache memory on-chip.
A program executed by the CPU 101 is stored in the ROM 102,
Various parameters and the like are stored.

【0018】スキャナインタ−フェイス103は図示し
ないスキャナ装置とのインタ−フェイスを行う。プリン
タインタ−フェイス105は図示しないプリンタとのイ
ンタ−フェイスを行う。
The scanner interface 103 interfaces with a scanner device (not shown). The printer interface 105 interfaces with a printer (not shown).

【0019】画像メモリ106は、複数チップのシンク
ロナスDRAM(同期型ダイナミックランダムアクセス
メモリ)によって構成されており、スキャナ装置からス
キャナインタ−フェイスを介して読み込まれた画像情報
としてのスキャナデ−タやホスト装置からホストインタ
−フェイスを介して読み込まれた画像情報としての画像
デ−タを格納する。さらに、この画像メモリ106は、
単に画像デ−タを格納するばかりでなく、CPU101
のワ−キングメモリとして使用され、あるいはインスト
ラクション(命令)のダウンロ−ド先となり、プログラ
ムが実行される場合もある。
The image memory 106 is composed of a plurality of chips of synchronous DRAM (synchronous dynamic random access memory), and includes scanner data and host data as image information read from a scanner device via a scanner interface. It stores image data as image information read from the apparatus via the host interface. Further, this image memory 106
In addition to simply storing image data, the CPU 101
May be used as a working memory or as a download destination of an instruction (instruction) to execute a program.

【0020】画像メモリ106に格納された画像デ−タ
は、プリンタインタ−フェイスを介して、図示しないプ
リンタに送られる。
The image data stored in the image memory 106 is sent to a printer (not shown) via a printer interface.

【0021】尚、シンクロナスDRAMを画像メモリと
して使用する場合は、前述した通り画像メモリは複数の
シンクロナスDRAMのチップにより形成される。一般
には画像メモリとしての使用容量にもよるが、8チップ
または12チップのシンクロナスDRAMが用いられ
る。CPU101の外部アクセスはASIC107を介
して行われる。
When a synchronous DRAM is used as an image memory, the image memory is formed by a plurality of synchronous DRAM chips as described above. Generally, an 8-chip or 12-chip synchronous DRAM is used, depending on the capacity used as an image memory. External access of the CPU 101 is performed via the ASIC 107.

【0022】第2図は、第1図中のASIC107の内
部ブロック図である。
FIG. 2 is an internal block diagram of the ASIC 107 in FIG.

【0023】CPUインタ−フェイスユニット201
は、CPU101とのインタ−フェイスを司り、CPU
101が外部アクセス要求を発行した場合、ア−ビタ−
203に対してバスの使用権を要求する。バスが獲得で
きた場合には、CPU101に対するサ−ビスを開始す
る。
CPU interface unit 201
Manages an interface with the CPU 101, and
When the server 101 issues an external access request,
Request the right to use the bus to 203. If the bus has been acquired, the service for the CPU 101 is started.

【0024】リフレッシュ制御ユニット202は、内部
にカウンタを持ち、このカウンタの値が一定の値になっ
たときにア−ビタ−203に対してリフレッシュを要求
する。
The refresh control unit 202 has a counter therein, and requests a refresh to the arbiter 203 when the value of the counter reaches a constant value.

【0025】ア−ビタ−203は、CPUインタ−フェ
イスユニット201とリフレッシュ制御ユニット202
からのリクエストのア−ビトレ−ションを行い、要求内
容に応じてシンクロナスDRAM制御ユニット204、
I/O制御ユニット205に命令を発行する。
The arbiter 203 comprises a CPU interface unit 201 and a refresh control unit 202.
Arbitration of the request from the synchronous DRAM control unit 204 according to the request content.
Issue an instruction to the I / O control unit 205.

【0026】シンクロナスDRAM制御ユニット204
は、シンクロナスDRAMに対するアクセス要求、及び
リフレッシュ要求に対するサ−ビスを実行する。尚、こ
のシンクロナスDRAM制御ユニット内には、パワ−ダ
ウン制御レジスタを備え、特定の領域についてのみ省電
力モ−ドであるパワ−ダウンモ−ドにすること、解除す
ること、リフレッシュ要求の無効化が可能である。I/
O制御ユニット205は、I/O空間に対するアクセス
要求に対するサ−ビスを実行する。
The synchronous DRAM control unit 204
Executes a service for an access request to the synchronous DRAM and a refresh request. The synchronous DRAM control unit is provided with a power-down control register. The power-down mode is a power-saving mode only for a specific area, the power-down mode is canceled, and the refresh request is invalidated. Is possible. I /
The O control unit 205 executes a service for an access request to the I / O space.

【0027】第3図は、通常のリフレッシュ実行のタイ
ミングチャ−トを示したもので、0クロックめにリフレ
ッシュ制御ユニット202が信号REFREQをL(ロ
−)レベルとすることで、リフレッシュ要求を発行す
る。ア−ビタ−203はこれを受け、シンクロナスDR
AM制御ユニットがリフレッシュ要求受付可能状態にな
っていることを確認し、優先順位の高いリクエストがな
いことを判断し、1クロック目に信号REFACKをL
(ロ−)にしてリフレッシュ・リクエストが認められた
ことを示す。リフレッシュ制御ユニット202は、2ク
ロック目でリフレッシュ・リクエストが認められたこと
を認識し、リフレッシュ・リクエストをネゲ−トする
(信号REFREQをH(ハイ)レベルにする)。
FIG. 3 shows a timing chart of a normal refresh execution. When the refresh control unit 202 sets the signal REFREQ to the L (low) level at the 0th clock, a refresh request is issued. I do. The arbiter 203 receives this, and receives the synchronous DR.
After confirming that the AM control unit is in a state in which the refresh request can be accepted, it is determined that there is no request having a high priority, and the signal REFACK is set to L at the first clock.
(B) indicates that the refresh request has been accepted. The refresh control unit 202 recognizes that the refresh request has been acknowledged at the second clock, and negates the refresh request (sets the signal REFREQ to H (high) level).

【0028】一方、シンクロナスDRAM制御ユニット
は、REFACKをL(ロ−)レベルであることを検出
してシンクロナスDRAMに対してリフレッシュコマン
ドを発行するが、この場合には、内部のパワ−ダウン制
御レジスタがパワ−ダウンモ−ドになっていないため、
信号CS0と信号CS1をともにL(ロ−)レベルに
し、信号RAS及びCASをL(ロ−)レベル、信号W
EをH(ハイ)レベルにすることで、全領域(本実施例
では2バンク構成となっている。)をリフレッシュする
ようコマンドを発行する。本実施例では、2バンク分に
同時リフレッシュコマンドを発行するようになっていい
るが、分割リフレッシュを行うよう構成してもかまわな
い。バンク0、バンク1にそれぞれ対応するクロックイ
ネ−ブル信号CKE0、CKE1は常に、H(ハイ)レ
ベルに固定されている。
On the other hand, the synchronous DRAM control unit detects that REFACK is at the L (low) level and issues a refresh command to the synchronous DRAM. In this case, the internal power down is performed. Since the control register is not in the power down mode,
The signals CS0 and CS1 are both set to L (low) level, the signals RAS and CAS are set to L (low) level, and the signal W
By setting E to H (high) level, a command is issued to refresh the entire area (in this embodiment, a two-bank configuration). In the present embodiment, the simultaneous refresh command is issued for two banks, but a configuration may be employed in which a divided refresh is performed. The clock enable signals CKE0 and CKE1 corresponding to the banks 0 and 1, respectively, are always fixed at H (high) level.

【0029】第4図はバンク0の領域のみパワ−ダウン
モ−ドにし、パワ−ダウンモ−ド中であるため、リフレ
ッシュ要求を無効化している様子を示している。まず、
0クロック目で信号RAS、CAS、CS0、CKE0
をL(ロ−)レベルとすることで、セルフリフレッシュ
状態でパワ−ダウンモ−ドにする。バンク1に対するク
ロックイネ−ブル信号CKE1は、常にH(ハイ)に固
定されている。ここで、セルフリフレッシュ状態とは、
外部からリフレッシュ・コマンドを与えることなく内部
でリフレッシュを実行する状態をいう。
FIG. 4 shows a state in which only the area of the bank 0 is in the power down mode and the refresh request is invalidated since the power down mode is being performed. First,
At the 0th clock, the signals RAS, CAS, CS0, CKE0
Is set to the L (low) level, whereby the power down mode is set in the self-refresh state. The clock enable signal CKE1 for the bank 1 is always fixed at H (high). Here, the self-refresh state is
This refers to a state in which refresh is internally performed without giving a refresh command from the outside.

【0030】2クロック目では、リフレッシュ制御ユニ
ットがリフレッシュ要求を発行し、3クロック目でア−
ビタ−はこれを認めるが、シンクロナスDRAM制御ユ
ニットは、内部のパワ−ダウン制御レジスタがパワ−ダ
ウンモ−ドであるため、リフレッシュコマンドの発行は
行わない。第4図中には示されていないが、6クロック
目でパワ−ダウン制御レジスタにCPUからパワ−ダウ
ンモ−ドを解除するようにライト(書き込み)が行われ
たために、信号CKE0をH(ハイ)レベルにしてパワ
−ダウンモ−ドから解除するようコマンドを発行する。
At the second clock, the refresh control unit issues a refresh request, and at the third clock,
The bitter acknowledges this, but the synchronous DRAM control unit does not issue a refresh command because the internal power-down control register is in the power-down mode. Although not shown in FIG. 4, the signal CKE0 is set to H (high) because the CPU has written to the power-down control register at the sixth clock so as to release the power-down mode. ) Set the level and issue a command to release from the power down mode.

【0031】以上のように、バンク0の領域にはパワ−
ダウンモ−ド対応とし、バンク1の領域にはリフレッシ
ュを行わないようにしているので、CKE信号に接続さ
れる負荷容量が小さくでき、またバンク1の領域はパワ
−ダウンモ−ドにしなくても消費電力の削減が可能とな
る。尚、バンク1については、メモリ内容が保証されな
いこととなるが、使用する前にクリアすれば何ら問題は
生じない。
As described above, the power in the area of bank 0 is
Since the refresh operation is not performed in the bank 1 area in response to the down mode, the load capacity connected to the CKE signal can be reduced, and the bank 1 area can be consumed without the power down mode. Power can be reduced. It should be noted that the memory contents of the bank 1 are not guaranteed, but no problem occurs if the bank 1 is cleared before use.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように本願発明によれば、
一部のシンクロナスDRAMのみリフレッシュを行わ
れ、消費電力を大幅に抑えることができる。また、省電
力モ−ドであるパワ−ダウンモ−ドに近い効果達成しつ
つ、パワ−ダウンモ−ドに対応した場合に比べ、ハ−ド
ウエア量、波形品質を注意しなければならない信号の本
数を大幅に削減することができる。しかも、メモリ内容
を保持していなければならない領域についてはパワ−ダ
ウンモ−ドにできる。
As described above, according to the present invention,
Only some of the synchronous DRAMs are refreshed, and power consumption can be greatly reduced. Also, while achieving an effect close to the power down mode, which is a power saving mode, the number of signals for which attention must be paid to the amount of hardware and waveform quality as compared to the case of the power down mode is reduced. It can be significantly reduced. In addition, a power-down mode can be applied to an area where the contents of the memory must be held.

【0033】[0033]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

図1は、本願発明に係る一実施例の全体ブロック図であ
る。図2は、図1に示されたASIC107の内部ブロ
ック図である。図3は、リフレッシュ実行のタイミング
チャ−トである。図4は、他のリフレッシュ実行のタイ
ミングチャ−トである。
FIG. 1 is an overall block diagram of an embodiment according to the present invention. FIG. 2 is an internal block diagram of the ASIC 107 shown in FIG. FIG. 3 is a timing chart of the refresh execution. FIG. 4 is a timing chart of another refresh execution.

【0034】[0034]

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 CPU 102 ROM 103 スキャナインタ−フェイス 104 ホストインタ−フェイス 105 プリンタインタ−フェイス 106 画像メモリ 107 ASIC 201 CPUインタ−フェイスユニット 202 リフレッシュ制御ユニット 203 ア−ビタ− 204 シンクロナスDRAM制御ユニット 205 I/O制御ユニット 101 CPU 102 ROM 103 Scanner Interface 104 Host Interface 105 Printer Interface 106 Image Memory 107 ASIC 201 CPU Interface Unit 202 Refresh Control Unit 203 Arbiter 204 Synchronous DRAM Control Unit 205 I / O Control unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 智樹 東京都大田区中馬込1丁目3番6号株式 会社リコー内 (56)参考文献 特開 平1−260690(JP,A) 特開 平1−201890(JP,A) 特開 平6−255184(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 1/32 G06F 12/00 - 12/06 G11C 7/00 G06T 1/60 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Tomoki Ishii 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Ricoh Co., Ltd. (56) References JP-A-1-260690 (JP, A) JP-A-1 -201890 (JP, A) JP-A-6-255184 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G06F 1/32 G06F 12/00-12/06 G11C 7/00 G06T 1/60

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 画像データを記憶するための記憶手段と
して複数のシンクロナスDRAMを用いるメモリシステ
ムにおいて、前記複数のシンクロナスDRAMの内、一
のシンクロナスDRAMのクロックイネーブル端子の
入力をハイレベルに固定してパワーダウンモードの設定
を不可能とするとともに、クロックイネーブル端子の入
力がハイレベルに固定されていない他のシンクロナスD
RAMがパワーダウンモードに設定されている時、前記
一部のシンクロナスDRAMに対するリフレッシュ要求
を無効化してメモリ内容保持のためのリフレッシュ周期
確保を補償しないようにしたことを特徴とするメモリシ
ステム。
In a memory system using a plurality of synchronous DRAMs as storage means for storing image data, one of said plurality of synchronous DRAMs is provided .
Setting the power-down mode by fixing the input of the clock enable terminal of the synchronous DRAM parts to the high level
And disable the clock enable pin.
Other synchronous D whose power is not fixed to high level
When the RAM is set to the power down mode,
Refresh request for some synchronous DRAMs
Refresh cycle to maintain memory contents by invalidating
A memory system characterized in that the reservation is not compensated .
【請求項2】 画像データを記憶するための記憶手段と
して複数のシンクロナスDRAMを用いるとともに、前
記複数のシンクロナスDRAMの内、一部のシンクロナ
スDRAMのクロックイネーブル端子の入力をハイレベ
ルに固定してパワーダウンモードの設定を不可能とし、
クロックイネーブル端子の入力がハイレベルに固定され
ていない他のシンクロナスDRAMがパワーダウンモー
ドに設定されている時、前記一部のシンクロナスDRA
Mに対するリフレッシュ要求を無効化してメモリ内容保
持のためのリフレッシュ周期確保を補償しないようにし
てメモリシステムを構成し、前記メモリシステムはプリ
ンタインターフェースを介してプリンタと接続されるこ
とを特徴とする画像形成システム。
Wherein with use of a plurality of synchronous DRAM as storage means for storing image data, before
Among the plurality of synchronous DRAMs, the input of the clock enable terminal of some of the synchronous DRAMs is fixed at a high level to disable the setting of the power down mode,
The clock enable pin input is fixed at high level.
Other synchronous DRAM is not in power down mode.
When set to the mode, some of the synchronous DRA
Invalidate the refresh request for M
An image forming system, wherein a memory system is configured so as not to compensate for ensuring a refresh cycle for holding, and the memory system is connected to a printer via a printer interface.
【請求項3】 前記画像デ−タはスキャナ装置から提供
される画像情報に基づくものであることを特徴とする請
求項2記載の画像形成システム。
3. The image forming system according to claim 2, wherein said image data is based on image information provided from a scanner device.
【請求項4】 前記画像デ−タはホスト装置から提供
される画像情報に基づくものであることを特徴とする請
求項2記載の画像形成システム。
4. The image forming system according to claim 2, wherein said image data is based on image information provided from a host device.
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