JPH06273111A - 走査型探針顕微鏡及びそれを用いた加工装置 - Google Patents
走査型探針顕微鏡及びそれを用いた加工装置Info
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- JPH06273111A JPH06273111A JP8395193A JP8395193A JPH06273111A JP H06273111 A JPH06273111 A JP H06273111A JP 8395193 A JP8395193 A JP 8395193A JP 8395193 A JP8395193 A JP 8395193A JP H06273111 A JPH06273111 A JP H06273111A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓ／Ｎ比を改善し高い分解能を有する静電駆
動型走査型トンネル顕微鏡を提供する。 【構成】 梁状構造体２０５に形成された、静電駆動用
電極２０４とトンネル電流を検知するための電極配線２
０８との間に、接地レベルのシールド用電極２０６が形
成されていることを特徴とする走査型トンネル顕微鏡。
動型走査型トンネル顕微鏡を提供する。 【構成】 梁状構造体２０５に形成された、静電駆動用
電極２０４とトンネル電流を検知するための電極配線２
０８との間に、接地レベルのシールド用電極２０６が形
成されていることを特徴とする走査型トンネル顕微鏡。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は走査型トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ）や走査型電界放射顕微鏡等の走査型探針顕微
鏡あるいはそれらを用いた加工装置に関するものであ
る。
（ＳＴＭ）や走査型電界放射顕微鏡等の走査型探針顕微
鏡あるいはそれらを用いた加工装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、導体の表面原子の電子構造を直接
観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭと略
す）がジー・ビーニッヒらにより開発（フェルベティカ
フィジィカ アクタ，５５，７２６（１９８２）．）
されて以来、先端の尖った探針を走査する事により様々
な情報を得る走査型探針顕微鏡（以下、ＳＰＭと略す）
装置や、更に基板に電気的、化学的あるいは物理的作用
を及ぼす事を目的としたＳＰＭを応用した微細加工技術
の研究開発が行われている。更に、半導体加工技術やマ
イクロメカニクス技術により、例えば薄膜で形成した梁
の上に探針を作製したコンパクトなＳＰＭ装置などが開
発されている。
観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭと略
す）がジー・ビーニッヒらにより開発（フェルベティカ
フィジィカ アクタ，５５，７２６（１９８２）．）
されて以来、先端の尖った探針を走査する事により様々
な情報を得る走査型探針顕微鏡（以下、ＳＰＭと略す）
装置や、更に基板に電気的、化学的あるいは物理的作用
を及ぼす事を目的としたＳＰＭを応用した微細加工技術
の研究開発が行われている。更に、半導体加工技術やマ
イクロメカニクス技術により、例えば薄膜で形成した梁
の上に探針を作製したコンパクトなＳＰＭ装置などが開
発されている。
【０００３】この梁の駆動方法としては、例えば、梁を
圧電バイモルフ構造とした圧電型や、梁自体あるいは梁
に形成された電極と基板上に形成された対向電極とに電
圧を印加することにより静電引力を働かせて梁を変位さ
せる静電型とがあり、静電型は構成が簡単である特徴を
有する。
圧電バイモルフ構造とした圧電型や、梁自体あるいは梁
に形成された電極と基板上に形成された対向電極とに電
圧を印加することにより静電引力を働かせて梁を変位さ
せる静電型とがあり、静電型は構成が簡単である特徴を
有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の静電駆動型ＳＴ
Ｍ装置を一例に、本発明が解決しようとする課題につい
て説明する。一般にＳＴＭ測定方法としては、探針と試
料とに流れるトンネル電流を一定に保った状態で試料表
面を面内方向（ＸＹ方向）で走査する事による走査面に
垂直な方向（Ｚ方向）の変位を検知する電流一定モード
と、探針と試料との距離を一定に保った状態で試料表面
をＸＹ走査する事によるトンネル電流値の変化を検知す
る距離一定モードがある。前者は、１×１０-9アンペア
程度以下の小さなトンネル電流値を一定に保つように、
探針先端部と試料表面との距離を梁・対向電極間の印加
電圧によりフィードバック制御するものである。この様
な小さな電流値を検出する際、梁・対向電極間の印加電
圧の変動がノイズの発生源となり、Ｓ／Ｎ比が低下し、
分解能が低下するという問題があった。
Ｍ装置を一例に、本発明が解決しようとする課題につい
て説明する。一般にＳＴＭ測定方法としては、探針と試
料とに流れるトンネル電流を一定に保った状態で試料表
面を面内方向（ＸＹ方向）で走査する事による走査面に
垂直な方向（Ｚ方向）の変位を検知する電流一定モード
と、探針と試料との距離を一定に保った状態で試料表面
をＸＹ走査する事によるトンネル電流値の変化を検知す
る距離一定モードがある。前者は、１×１０-9アンペア
程度以下の小さなトンネル電流値を一定に保つように、
探針先端部と試料表面との距離を梁・対向電極間の印加
電圧によりフィードバック制御するものである。この様
な小さな電流値を検出する際、梁・対向電極間の印加電
圧の変動がノイズの発生源となり、Ｓ／Ｎ比が低下し、
分解能が低下するという問題があった。
【０００５】本発明は、上記従来技術が有する問題点に
鑑み、対向電極との間に電圧を印加して静電力により梁
を変位させる静電駆動方式の走査型探針顕微鏡におい
て、トンネル電流を検出する際のノイズを低減し、分解
能を向上することを目的とする。
鑑み、対向電極との間に電圧を印加して静電力により梁
を変位させる静電駆動方式の走査型探針顕微鏡におい
て、トンネル電流を検出する際のノイズを低減し、分解
能を向上することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために成された本発明は、梁状構造体に設けられた
探針を試料表面に接近させて走査すると共に、その梁状
構造体自体あるいはそれに形成された静電駆動用電極と
対向電極との間に静電力を働かせ、その梁状構造体を走
査面に垂直な方向に変位させ得る静電駆動方式の走査型
探針顕微鏡において、前記梁状構造体が、前記探針と試
料間に流れる電流を検知するための電極配線に対するシ
ールド用電極を有することを特徴とする走査型探針顕微
鏡であり、更には上記走査型探針顕微鏡の構成を、試料
表面の特性を変化させることに用いた加工装置である。
するために成された本発明は、梁状構造体に設けられた
探針を試料表面に接近させて走査すると共に、その梁状
構造体自体あるいはそれに形成された静電駆動用電極と
対向電極との間に静電力を働かせ、その梁状構造体を走
査面に垂直な方向に変位させ得る静電駆動方式の走査型
探針顕微鏡において、前記梁状構造体が、前記探針と試
料間に流れる電流を検知するための電極配線に対するシ
ールド用電極を有することを特徴とする走査型探針顕微
鏡であり、更には上記走査型探針顕微鏡の構成を、試料
表面の特性を変化させることに用いた加工装置である。
【０００７】本発明において、前記シールド用電極は梁
状構造体自体あるいはそれに形成された静電駆動用電極
を利用することができるが、好ましくは、静電駆動用電
極とトンネル電流を検知するための電極配線との間に形
成され、更に好ましくは、電極配線を包囲するように形
成される。
状構造体自体あるいはそれに形成された静電駆動用電極
を利用することができるが、好ましくは、静電駆動用電
極とトンネル電流を検知するための電極配線との間に形
成され、更に好ましくは、電極配線を包囲するように形
成される。
【０００８】本発明に係る梁状構造体を、それに設けら
れた探針と試料とに流れる微小電流を一定に保った状態
で静電駆動する場合、例えば、梁状構造体あるいはそれ
に形成された静電駆動用電極と、梁を支持する基板に形
成された対向電極との間に電圧を印加する。この印加電
圧は試料表面の凹凸や導電性の違い等により変動する
が、その際に、前記シールド用電極を一定電位、好まし
くは接地レベルとすることにより、前記梁状構造体に設
けられた探針と試料との間に流れる微小電流の検出にお
いて、上記印加電圧の変動によるノイズが、探針に接続
されている電極配線に乗るのを防止するように作用す
る。これにより、探針・試料間の微小電流を検出する際
のＳ／Ｎ比を従来法よりも改善することが可能となり、
試料表面の凹凸等にかかわらず分解能等の性能が向上す
る。
れた探針と試料とに流れる微小電流を一定に保った状態
で静電駆動する場合、例えば、梁状構造体あるいはそれ
に形成された静電駆動用電極と、梁を支持する基板に形
成された対向電極との間に電圧を印加する。この印加電
圧は試料表面の凹凸や導電性の違い等により変動する
が、その際に、前記シールド用電極を一定電位、好まし
くは接地レベルとすることにより、前記梁状構造体に設
けられた探針と試料との間に流れる微小電流の検出にお
いて、上記印加電圧の変動によるノイズが、探針に接続
されている電極配線に乗るのを防止するように作用す
る。これにより、探針・試料間の微小電流を検出する際
のＳ／Ｎ比を従来法よりも改善することが可能となり、
試料表面の凹凸等にかかわらず分解能等の性能が向上す
る。
【０００９】また、本発明において前記探針が設けられ
た梁状構造物を複数設けた装置においては、同時に複数
箇所の観察が可能となり、更に複数の顕微鏡を一つの装
置とした複合顕微鏡では、例えばＳＴＭ測定したあるい
は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定した同一試料の同一領
域を、ＳＴＭモード及びＡＦＭモードで観察することに
より、表面形状と導電性分布との両方の情報を混同する
ことなく調べることができる。
た梁状構造物を複数設けた装置においては、同時に複数
箇所の観察が可能となり、更に複数の顕微鏡を一つの装
置とした複合顕微鏡では、例えばＳＴＭ測定したあるい
は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定した同一試料の同一領
域を、ＳＴＭモード及びＡＦＭモードで観察することに
より、表面形状と導電性分布との両方の情報を混同する
ことなく調べることができる。
【００１０】また、本発明の走査型探針顕微鏡構成を有
する加工装置では、試料表面への選択堆積あるいはエッ
チングなどの加工により、試料表面の導電性等の特性を
変化させる場合において、より精度良く有効に作用する
ものである。
する加工装置では、試料表面への選択堆積あるいはエッ
チングなどの加工により、試料表面の導電性等の特性を
変化させる場合において、より精度良く有効に作用する
ものである。
【００１１】
【実施例】以下、実施例を示し本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１２】実施例１ 本発明を静電駆動型ＳＴＭ装置に適用した例を、図１を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００１３】図１は本実施例で作製したＳＴＭ装置と試
料とを模式的に示した断面図である。図中、１０１は絶
縁性基板、１０２は対向電極、１０３は絶縁性の支持
体、１０４は片持ち梁に形成した電極であり、本実施例
においては静電駆動用電極とシールド用電極を兼ねてい
る。１０５は絶縁性の片持ち梁、１０６はトンネル電流
用電極配線、１０７は先端の尖った導電性の探針、１０
８は空間、１０９は導電性試料、１１０は静電駆動ユニ
ット、１１１はトンネル電流検出ユニット、１１２はユ
ニット１１１で得られたトンネル電流を一定に保つ様に
制御信号を静電駆動ユニット１１０へ送る制御ユニット
である。
料とを模式的に示した断面図である。図中、１０１は絶
縁性基板、１０２は対向電極、１０３は絶縁性の支持
体、１０４は片持ち梁に形成した電極であり、本実施例
においては静電駆動用電極とシールド用電極を兼ねてい
る。１０５は絶縁性の片持ち梁、１０６はトンネル電流
用電極配線、１０７は先端の尖った導電性の探針、１０
８は空間、１０９は導電性試料、１１０は静電駆動ユニ
ット、１１１はトンネル電流検出ユニット、１１２はユ
ニット１１１で得られたトンネル電流を一定に保つ様に
制御信号を静電駆動ユニット１１０へ送る制御ユニット
である。
【００１４】試料１０９の表面観察では、先ず、電極１
０４側を接地レベルとして対向電極１０２と電極１０４
とにバイアスＶBを印加して片持ち梁を対向電極側へ若
干変位させた状態で、ユニット１１１で検出される電流
が１０ｐＡとなる様に、図１の装置を試料１０９表面へ
接近させた。次に、対向電極１０２と電極１０４とに電
圧ΔＶを印加する事によりトンネル電流を一定に保ちな
がら、即ち、探針の先端と試料表面との距離を一定に保
ちながら、試料表面をＸＹ走査した。この電圧ΔＶの値
をＺ軸変位に換算し、走査したＸＹ軸にプロットする事
により、試料表面の凹凸とするＳＴＭ像とした。
０４側を接地レベルとして対向電極１０２と電極１０４
とにバイアスＶBを印加して片持ち梁を対向電極側へ若
干変位させた状態で、ユニット１１１で検出される電流
が１０ｐＡとなる様に、図１の装置を試料１０９表面へ
接近させた。次に、対向電極１０２と電極１０４とに電
圧ΔＶを印加する事によりトンネル電流を一定に保ちな
がら、即ち、探針の先端と試料表面との距離を一定に保
ちながら、試料表面をＸＹ走査した。この電圧ΔＶの値
をＺ軸変位に換算し、走査したＸＹ軸にプロットする事
により、試料表面の凹凸とするＳＴＭ像とした。
【００１５】ここで、上記本発明によるＳＴＭ像と、対
向電極１０２側を接地レベルとして片持ち梁上の電極１
０４に電圧ΔＶを印加して測定した場合のＳＴＭ像とで
は、本発明によるＳＴＭ像の方が高い分解能が得られ
た。これは、従来法が、ΔＶの変動に伴うノイズがトン
ネル電流にのってしまいＳ／Ｎ比が悪かったのに対し
て、本発明においては、接地レベルの電極１０４がトン
ネル電流の電極配線１０６に対するシールド用電極を兼
ねることによるものである。
向電極１０２側を接地レベルとして片持ち梁上の電極１
０４に電圧ΔＶを印加して測定した場合のＳＴＭ像とで
は、本発明によるＳＴＭ像の方が高い分解能が得られ
た。これは、従来法が、ΔＶの変動に伴うノイズがトン
ネル電流にのってしまいＳ／Ｎ比が悪かったのに対し
て、本発明においては、接地レベルの電極１０４がトン
ネル電流の電極配線１０６に対するシールド用電極を兼
ねることによるものである。
【００１６】実施例２ 梁状構造体に静電駆動用電極とは別のシールド用電極を
有する例について説明する。図２は本実施例で作製した
静電駆動型ＳＴＭ装置と試料とを模式的に示した断面図
である。図中、２０１は絶縁性基板、２０２は対向電
極、２０３は絶縁性の支持体、２０４は片持ち梁に形成
した静電駆動用電極、２０５は絶縁性の片持ち梁、２０
６はシールド用電極、２０７は絶縁膜、２０８はトンネ
ル電流用電極配線、２０９は先端の尖った導電性の探
針、２１０は空間、２１１は導電性試料、２１２は静電
駆動ユニット、２１３はトンネル電流検出ユニット、２
１４はユニット２１３で得られたトンネル電流を一定に
保つ様に制御信号を静電駆動ユニット２１２へ送る制御
ユニットである。
有する例について説明する。図２は本実施例で作製した
静電駆動型ＳＴＭ装置と試料とを模式的に示した断面図
である。図中、２０１は絶縁性基板、２０２は対向電
極、２０３は絶縁性の支持体、２０４は片持ち梁に形成
した静電駆動用電極、２０５は絶縁性の片持ち梁、２０
６はシールド用電極、２０７は絶縁膜、２０８はトンネ
ル電流用電極配線、２０９は先端の尖った導電性の探
針、２１０は空間、２１１は導電性試料、２１２は静電
駆動ユニット、２１３はトンネル電流検出ユニット、２
１４はユニット２１３で得られたトンネル電流を一定に
保つ様に制御信号を静電駆動ユニット２１２へ送る制御
ユニットである。
【００１７】実施例１と同様に、ユニット２１３で検出
される電流が１０ｐＡとなる様に対向電極２０２と静電
駆動用電極２０４とにＶB＋ΔＶを印加して片持ち梁を
変位させながら試料２１１表面をＸＹ走査することでＳ
ＴＭ像を観測した。尚、シールド用電極２０６は接地レ
ベルとしている。本装置は、シールド用電極２０６の無
い従来の静電駆動型ＳＴＭよりも、ノイズの少ない良好
なＳＴＭ像が得られた。
される電流が１０ｐＡとなる様に対向電極２０２と静電
駆動用電極２０４とにＶB＋ΔＶを印加して片持ち梁を
変位させながら試料２１１表面をＸＹ走査することでＳ
ＴＭ像を観測した。尚、シールド用電極２０６は接地レ
ベルとしている。本装置は、シールド用電極２０６の無
い従来の静電駆動型ＳＴＭよりも、ノイズの少ない良好
なＳＴＭ像が得られた。
【００１８】ここで本発明の応用例を図３及び図４に示
す。これらの図において、図２と同一符号のものは同様
な部材を示しており、図３（ａ）は全体の構成を示した
模式図であり、図３（ｂ）は片持ち梁部のＡ−Ａ断面図
の一例である。図４は片持ち梁の探針方向からの斜視図
を模式的に示したものであり、図４（ａ）は図３（ｂ）
の構成に相当している。
す。これらの図において、図２と同一符号のものは同様
な部材を示しており、図３（ａ）は全体の構成を示した
模式図であり、図３（ｂ）は片持ち梁部のＡ−Ａ断面図
の一例である。図４は片持ち梁の探針方向からの斜視図
を模式的に示したものであり、図４（ａ）は図３（ｂ）
の構成に相当している。
【００１９】図４（ａ）〜（ｃ）に示す構成は、いずれ
も基本的にはシールド用電極２０６がトンネル電流用電
極配線２０８を取り囲む様に構成されていることを特徴
としている。これらの内では、図４（ｃ）の構成が最も
Ｓ／Ｎ比が良好であり、分解能が高かった。
も基本的にはシールド用電極２０６がトンネル電流用電
極配線２０８を取り囲む様に構成されていることを特徴
としている。これらの内では、図４（ｃ）の構成が最も
Ｓ／Ｎ比が良好であり、分解能が高かった。
【００２０】実施例３ 実施例２で説明した本発明の静電駆動型ＳＴＭ装置を、
ＳＴＭ／ＡＦＭ装置として使用した例を説明する。装置
は実施例２と同様に図２に示した構成で良い。但し、２
１２は片持ち梁駆動機能と静電容量検出機能とを有する
ユニットである。この様な装置は、実施例２に示した測
定法によりＳＴＭとして使用可能であると共に、試料表
面に弱い力で探針を接触させてＸＹ走査し、その時の探
針の変位を片持ち梁上の電極２０４と対向電極２０２と
の静電容量の変化から検出する事により、ＡＦＭとして
使用することも可能である。例えば、ＳＴＭモードで観
測した試料表面の同一領域を、次にＡＦＭモードで観測
することにより、電気的に観測した表面状態（導電性分
布を含む）と、物理的な表面状態との両方の情報を混同
することなく調べることが可能となるため、試料表面の
状態を正確に得ることが可能である。
ＳＴＭ／ＡＦＭ装置として使用した例を説明する。装置
は実施例２と同様に図２に示した構成で良い。但し、２
１２は片持ち梁駆動機能と静電容量検出機能とを有する
ユニットである。この様な装置は、実施例２に示した測
定法によりＳＴＭとして使用可能であると共に、試料表
面に弱い力で探針を接触させてＸＹ走査し、その時の探
針の変位を片持ち梁上の電極２０４と対向電極２０２と
の静電容量の変化から検出する事により、ＡＦＭとして
使用することも可能である。例えば、ＳＴＭモードで観
測した試料表面の同一領域を、次にＡＦＭモードで観測
することにより、電気的に観測した表面状態（導電性分
布を含む）と、物理的な表面状態との両方の情報を混同
することなく調べることが可能となるため、試料表面の
状態を正確に得ることが可能である。
【００２１】実施例４ 本実施例では、探針が設けられた片持ち梁を複数個有す
る本発明のマルチＳＴＭ装置について説明する。
る本発明のマルチＳＴＭ装置について説明する。
【００２２】本実施例のマルチＳＴＭ装置は基本的に
は、実施例２と同様に図２に示したＳＴＭ構成を同一基
板内に複数個形成して構成される。基板としてシリコン
ウエハーを用い、半導体プロセス技術とマイクロメカニ
クス技術とで作製することにより、容易に、かつ、ばら
つき無く複数個のＳＴＭ構成を形成可能である。また、
それらを駆動／制御するＩＣ回路をも同一基板内に作り
込む事も可能である。即ち、同時に複数のＳＴＭ観察が
可能となる。複数の片持ち梁あるいは探針の配置につい
ては、直線状以外にも、マトリクス状など２次元配列す
ることが容易である。また、実施例３と同様にＳＴＭ／
ＡＦＭ複合機をマルチ化して用いることも可能である。
は、実施例２と同様に図２に示したＳＴＭ構成を同一基
板内に複数個形成して構成される。基板としてシリコン
ウエハーを用い、半導体プロセス技術とマイクロメカニ
クス技術とで作製することにより、容易に、かつ、ばら
つき無く複数個のＳＴＭ構成を形成可能である。また、
それらを駆動／制御するＩＣ回路をも同一基板内に作り
込む事も可能である。即ち、同時に複数のＳＴＭ観察が
可能となる。複数の片持ち梁あるいは探針の配置につい
ては、直線状以外にも、マトリクス状など２次元配列す
ることが容易である。また、実施例３と同様にＳＴＭ／
ＡＦＭ複合機をマルチ化して用いることも可能である。
【００２３】実施例５ 実施例２で示した静電駆動型ＳＴＭ装置（図２参照）
と、試料として金（Ａｕ）を表面に堆積したシリコンウ
エハーとを、真空排気したチャンバー内に配置し、チャ
ンバー内の真空度が約１×１０-4Ｔｏｒｒとなるように
６フッ化タングステン（ＷＦ6）ガスを導入した。この
状態で試料表面のＳＴＭ観察を行なったところ、探針の
走査領域に対応して、ＷがＡｕ表面に堆積した。この様
なＳＴＭ構成による試料表面への選択堆積あるいはエッ
チング等の加工にもシールド用電極を具備する本発明の
装置は加工精度において非常に有効であった。
と、試料として金（Ａｕ）を表面に堆積したシリコンウ
エハーとを、真空排気したチャンバー内に配置し、チャ
ンバー内の真空度が約１×１０-4Ｔｏｒｒとなるように
６フッ化タングステン（ＷＦ6）ガスを導入した。この
状態で試料表面のＳＴＭ観察を行なったところ、探針の
走査領域に対応して、ＷがＡｕ表面に堆積した。この様
なＳＴＭ構成による試料表面への選択堆積あるいはエッ
チング等の加工にもシールド用電極を具備する本発明の
装置は加工精度において非常に有効であった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は以下の効
果を奏する。
果を奏する。
【００２５】（１）シールド用電極を設けた本発明の走
査型探針顕微鏡は、探針と試料との間に流れるトンネル
電流を検出する際に、静電駆動用電極と対向電極間に印
加される電圧の変動によるノイズが探針に接続されてい
る電極配線に乗るのを防止でき、Ｓ／Ｎ比の改善が図ら
れ、試料表面の凹凸状態等にかかわらず高い分解能を確
保することができる。
査型探針顕微鏡は、探針と試料との間に流れるトンネル
電流を検出する際に、静電駆動用電極と対向電極間に印
加される電圧の変動によるノイズが探針に接続されてい
る電極配線に乗るのを防止でき、Ｓ／Ｎ比の改善が図ら
れ、試料表面の凹凸状態等にかかわらず高い分解能を確
保することができる。
【００２６】（２）本発明の走査型探針顕微鏡の構成を
有する加工装置では、試料表面への加工精度の向上が図
られた。
有する加工装置では、試料表面への加工精度の向上が図
られた。
【図１】本発明の静電駆動型ＳＴＭの一実施例を示す概
念図である。
念図である。
【図２】本発明の他の静電駆動型ＳＴＭの概念図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の静電駆動型ＳＴＭの概念図であ
る。
る。
【図４】本発明の他の静電駆動型ＳＴＭの片持ち梁の概
念図である。
念図である。
１０１ 絶縁性基板 １０２ 対向電極 １０３ 絶縁性の支持体 １０４ 片持ち梁に形成した電極 １０５ 絶縁性の片持ち梁 １０６ トンネル電流用電極配線 １０７ 先端の尖った導電性の探針 １０８ 空間 １０９ 試料 １１０ 静電駆動ユニット １１１ トンネル電流検出ユニット １１２ 制御ユニット ２０１ 絶縁性基板 ２０２ 対向電極 ２０３ 絶縁性の支持体 ２０４ 静電駆動用電極 ２０５ 絶縁性の片持ち梁 ２０６ シールド用電極 ２０７ 絶縁膜 ２０８ トンネル電流用電極配線 ２０９ 導電性の探針 ２１０ 空間 ２１１ 試料 ２１２ 静電駆動ユニット ２１３ トンネル電流検出ユニット ２１４ 制御ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳沢 芳浩 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 島田 康弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 梁状構造体に設けられた探針を試料表面
に接近させて走査すると共に、その梁状構造体自体ある
いはそれに形成された静電駆動用電極と対向電極との間
に静電力を働かせ、その梁状構造体を走査面に垂直な方
向に変位させ得る静電駆動方式の走査型探針顕微鏡にお
いて、前記梁状構造体が、前記探針と試料間に流れる電
流を検知するための電極配線に対するシールド用電極を
有することを特徴とする走査型探針顕微鏡。 - 【請求項２】 前記シールド用電極が、前記静電駆動用
電極を兼ねることを特徴とする請求項１に記載の走査型
探針顕微鏡。 - 【請求項３】 前記シールド用電極が、前記静電駆動用
電極と前記電極配線との間に形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の走査型探針顕微鏡。 - 【請求項４】 前記シールド用電極が、前記電極配線を
包囲するように形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の走査型顕微鏡。 - 【請求項５】 前記シールド用電極が、接地レベルの電
極であることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載
の走査型探針顕微鏡。 - 【請求項６】 前記梁状構造物を複数個有することを特
徴とする請求項１〜５いずれかに記載の走査型探針顕微
鏡。 - 【請求項７】 請求項１〜６いずれかに記載の顕微鏡の
うち、すくなくとも２種類の顕微鏡を一つの装置とした
複合顕微鏡。 - 【請求項８】 請求項１〜７いずれかに記載の走査型探
針顕微鏡構成を、試料表面の特性を変化させることに用
いた加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8395193A JPH06273111A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 走査型探針顕微鏡及びそれを用いた加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8395193A JPH06273111A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 走査型探針顕微鏡及びそれを用いた加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06273111A true JPH06273111A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13816899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8395193A Withdrawn JPH06273111A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 走査型探針顕微鏡及びそれを用いた加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06273111A (ja) |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP8395193A patent/JPH06273111A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |