JPH06271521A - ビシクロヘプタン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ビシクロヘプタン誘導体及びその製造方法Info
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- JPH06271521A JPH06271521A JP8007693A JP8007693A JPH06271521A JP H06271521 A JPH06271521 A JP H06271521A JP 8007693 A JP8007693 A JP 8007693A JP 8007693 A JP8007693 A JP 8007693A JP H06271521 A JPH06271521 A JP H06271521A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 トロンボキサンＡ２受容体拮抗薬であるＳ−
１４５２の中間体である（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３
−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］
ヘプタン−２−カルボン酸を製造するための原料を提供
する。 【構成】 ラセミ体の（エンド、エンド）３−アミノカ
ルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−
２−カルボン酸またはその塩に光学活性なエチルベンジ
ルアミンを作用させることにより得られる（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３
−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−
５−エン−２−カルボン酸及びその塩を中間体の原料と
して使用する。
１４５２の中間体である（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３
−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］
ヘプタン−２−カルボン酸を製造するための原料を提供
する。 【構成】 ラセミ体の（エンド、エンド）３−アミノカ
ルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−
２−カルボン酸またはその塩に光学活性なエチルベンジ
ルアミンを作用させることにより得られる（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３
−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−
５−エン−２−カルボン酸及びその塩を中間体の原料と
して使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トロンボキサンＡ２受
容体拮抗作用を持つ医薬品の中間体として有用な（１
Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４
Ｓ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸及びその塩、ならびに
それらの製造方法に関する。
容体拮抗作用を持つ医薬品の中間体として有用な（１
Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４
Ｓ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸及びその塩、ならびに
それらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明により製造される（１Ｓ，２Ｒ，
３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３−ア
ミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−
エン−２−カルボン酸及びその塩は新規な化合物であ
る。
３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３−ア
ミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−
エン−２−カルボン酸及びその塩は新規な化合物であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明により製造され
る（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−
ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボ
ン酸及びその塩は、トロンボキサンＡ２受容体拮抗薬で
あるＳ−１４５２の中間体である（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，
４Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，
２，１］ヘプタン−２−カルボン酸を製造するための原
料として有用な新規化合物である。
る（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−
ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボ
ン酸及びその塩は、トロンボキサンＡ２受容体拮抗薬で
あるＳ−１４５２の中間体である（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，
４Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，
２，１］ヘプタン−２−カルボン酸を製造するための原
料として有用な新規化合物である。
【０００４】従来知られている（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４
Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，
２，１］ヘプタン−２−カルボン酸の製造方法として
は、ノルボルネンジカルボン酸無水物を、（Ｒ）マンデ
ル酸ベンジルのリチウムアルコラートを用いて不斉エス
テル化を行った後、水素化、異性化、アミド化、加水分
解、ホフマン分解した後、フェニルスルホニルクロライ
ドによりスルホンアミド化する下記の方法が知られてい
る。
Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，
２，１］ヘプタン−２−カルボン酸の製造方法として
は、ノルボルネンジカルボン酸無水物を、（Ｒ）マンデ
ル酸ベンジルのリチウムアルコラートを用いて不斉エス
テル化を行った後、水素化、異性化、アミド化、加水分
解、ホフマン分解した後、フェニルスルホニルクロライ
ドによりスルホンアミド化する下記の方法が知られてい
る。
【０００５】（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５６，２１２
２，１９９１ ）
２，１９９１ ）
【０００６】
【化１】 しかし、この方法は、高価な（Ｒ）マンデル酸ベンジル
のリチウムアルコラートを最初の工程で使用するため、
その原単位が大きくなるという問題がある。
のリチウムアルコラートを最初の工程で使用するため、
その原単位が大きくなるという問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる課
題を解決すべく研究を重ねた結果、（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ
［２，２，１］ヘプタン−２−カルボン酸の製造中間体
となり得る（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカル
ボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２
−カルボン酸が、対応するラセミ体を（−）エチルベン
ジルアミンを分割剤として光学分割することにより得ら
れることを見出だした。
題を解決すべく研究を重ねた結果、（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ
［２，２，１］ヘプタン−２−カルボン酸の製造中間体
となり得る（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカル
ボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２
−カルボン酸が、対応するラセミ体を（−）エチルベン
ジルアミンを分割剤として光学分割することにより得ら
れることを見出だした。
【０００８】本発明により製造される（１Ｓ，２Ｒ，３
Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，
１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸は例えば下記に
示すようにホフマン分解、フェニルスルホニル化、エス
テル化、異性化、水素化した後、エステル加水分解を行
うことにより高収率で、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３
−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］
ヘプタン−２−カルボン酸に導くことができる。
Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，
１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸は例えば下記に
示すようにホフマン分解、フェニルスルホニル化、エス
テル化、異性化、水素化した後、エステル加水分解を行
うことにより高収率で、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３
−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］
ヘプタン−２−カルボン酸に導くことができる。
【０００９】
【化２】 次に本発明の実施態様について詳しく説明する。
【００１０】本発明の化合物である（１Ｓ，２Ｒ，３
Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，
１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸及びその塩は対
応するラセミ体の（エンド、エンド）３−アミノカルボ
ニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−
カルボン酸またはその塩に光学活性なエチルベンジルア
ミンを作用させ、光学分割することにより製造すること
ができる。ラセミ体の（エンド、エンド）３−アミノカ
ルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−
２−カルボン酸またはその塩は既知物質であるノルボル
ネンジカルボン酸無水物をアンモニア水と反応させ、所
望により酸性にするか、または所望によりアルカリ金属
水酸化物により塩基性にすることにより製造することが
できる。
Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，
１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸及びその塩は対
応するラセミ体の（エンド、エンド）３−アミノカルボ
ニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−
カルボン酸またはその塩に光学活性なエチルベンジルア
ミンを作用させ、光学分割することにより製造すること
ができる。ラセミ体の（エンド、エンド）３−アミノカ
ルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−
２−カルボン酸またはその塩は既知物質であるノルボル
ネンジカルボン酸無水物をアンモニア水と反応させ、所
望により酸性にするか、または所望によりアルカリ金属
水酸化物により塩基性にすることにより製造することが
できる。
【００１１】光学分割剤であるエチルベンジルアミンは
（−）体を用いた場合には、３−アミノカルボニル−ビ
シクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン
酸の（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）体が得られ、（＋）体
を用いた場合には、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）体が得
られる。
（−）体を用いた場合には、３−アミノカルボニル−ビ
シクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン
酸の（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）体が得られ、（＋）体
を用いた場合には、（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）体が得
られる。
【００１２】エチルベンジルアミンと（エンド、エン
ド）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸またはその塩のモル比
は特に限定されないが、０．４〜１当量使用するのが、
効率良くかつ高純度で分割するために好ましい。
ド）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸またはその塩のモル比
は特に限定されないが、０．４〜１当量使用するのが、
効率良くかつ高純度で分割するために好ましい。
【００１３】本発明の目的のために使用する溶媒として
は、メタノール、エタノールなどの低級アルコール、ア
セトン、メチルエチルケトンなどの低級ケトン類、およ
び水などを例示することができるが、特に好ましい溶媒
は水である。用いる溶媒の量は、溶媒の種類、溶解温
度、晶析温度によってそれぞれ異なり、一義的に規定す
ることはできないが、通常、用いるエチルベンジルアミ
ン１モルに対して、300〜3000mlの範囲で用いられる。
晶析温度も用いる溶媒の種類、溶媒の量、溶解温度によ
って異なるが、経済的な見地から、通常−２０〜５０℃
の範囲から選ばれる。
は、メタノール、エタノールなどの低級アルコール、ア
セトン、メチルエチルケトンなどの低級ケトン類、およ
び水などを例示することができるが、特に好ましい溶媒
は水である。用いる溶媒の量は、溶媒の種類、溶解温
度、晶析温度によってそれぞれ異なり、一義的に規定す
ることはできないが、通常、用いるエチルベンジルアミ
ン１モルに対して、300〜3000mlの範囲で用いられる。
晶析温度も用いる溶媒の種類、溶媒の量、溶解温度によ
って異なるが、経済的な見地から、通常−２０〜５０℃
の範囲から選ばれる。
【００１４】本発明は例えば次のような方法で実施す
る。
る。
【００１５】原料として、ラセミ体の（エンド、エン
ド）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸のアンモニウム塩を使
用する場合は、これを水に溶解させ、０．４〜１当量の
エチルベンジルアミン及び、それと当量の鉱酸を加え
る。（あらかじめ、エチルベンジルアミンの鉱酸塩を調
整して使用しても良い。）適当な温度まで昇温して全量
を溶解させた後、冷却して過飽和となし、好ましくは種
結晶を少量接種して目的とする（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４
Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸の（−）エチルベンジ
ルアミン塩、または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３−ア
ミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−
エン−２−カルボン酸の（＋）エチルベンジルアミン塩
を析出させ、これを分離する。得られたエチルベンジル
アミン塩を塩酸、硫酸などを用いて酸性にすることによ
り、対応するカルボン酸が得られる。また、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムなどを用いて塩基性にすること
により、対応するカルボン酸のアルカリ金属塩が得られ
る。
ド）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸のアンモニウム塩を使
用する場合は、これを水に溶解させ、０．４〜１当量の
エチルベンジルアミン及び、それと当量の鉱酸を加え
る。（あらかじめ、エチルベンジルアミンの鉱酸塩を調
整して使用しても良い。）適当な温度まで昇温して全量
を溶解させた後、冷却して過飽和となし、好ましくは種
結晶を少量接種して目的とする（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４
Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘ
プト−５−エン−２−カルボン酸の（−）エチルベンジ
ルアミン塩、または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３−ア
ミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−
エン−２−カルボン酸の（＋）エチルベンジルアミン塩
を析出させ、これを分離する。得られたエチルベンジル
アミン塩を塩酸、硫酸などを用いて酸性にすることによ
り、対応するカルボン酸が得られる。また、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムなどを用いて塩基性にすること
により、対応するカルボン酸のアルカリ金属塩が得られ
る。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて具体的に説明
する。 実施例１ （エンド、エンド）３−アミノカルボニル−ビシクロ
［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸アン
モニウム7.92g (40mmol)を水に溶解させ全量が 100mlに
なるように希釈した。
する。 実施例１ （エンド、エンド）３−アミノカルボニル−ビシクロ
［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸アン
モニウム7.92g (40mmol)を水に溶解させ全量が 100mlに
なるように希釈した。
【００１７】これを45℃に加熱し、これに２Ｍ塩酸20ml
と（−）エチルベンジルアミン5.40g (40mmol)を混合
し、塩としたものを加えた。これを25℃まで冷却し、濾
過により（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボ
ニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−
カルボン酸の（−）エチルベンジルアミン塩の白色結晶
4.46gを得た。
と（−）エチルベンジルアミン5.40g (40mmol)を混合
し、塩としたものを加えた。これを25℃まで冷却し、濾
過により（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボ
ニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−
カルボン酸の（−）エチルベンジルアミン塩の白色結晶
4.46gを得た。
【００１８】［α］D ＝−９．３゜、［α］435 ＝−２
１．６゜（ｃ 0.5, メタノール） ＩＲスペクトル：３４２２cm-1、１６５４cm-1、１５３
４cm-1、７０２cm-1 この塩 3.36g (10.6mmol) に１Ｍ水酸化ナトリウム32ml
を加え、攪拌溶解した。遊離した（−）エチルベンジル
アミンをエーテルを用いて抽出除去し、（１Ｓ，２Ｒ，
３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，
２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸ナトリウム
の水溶液を得た。 参考例 実施例１で得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−ア
ミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−
エン−２−カルボン酸ナトリウムの水溶液を０℃まで冷
却し、１。５Ｍ次亜塩素酸ナトリウム 7.5mlを加え、０
℃で８分攪拌し、後に80〜85℃に加熱し８分間攪拌し
た。
１．６゜（ｃ 0.5, メタノール） ＩＲスペクトル：３４２２cm-1、１６５４cm-1、１５３
４cm-1、７０２cm-1 この塩 3.36g (10.6mmol) に１Ｍ水酸化ナトリウム32ml
を加え、攪拌溶解した。遊離した（−）エチルベンジル
アミンをエーテルを用いて抽出除去し、（１Ｓ，２Ｒ，
３Ｓ，４Ｒ）３−アミノカルボニル−ビシクロ［２，
２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸ナトリウム
の水溶液を得た。 参考例 実施例１で得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−ア
ミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−
エン−２−カルボン酸ナトリウムの水溶液を０℃まで冷
却し、１。５Ｍ次亜塩素酸ナトリウム 7.5mlを加え、０
℃で８分攪拌し、後に80〜85℃に加熱し８分間攪拌し
た。
【００１９】次にこの溶液を０℃まで冷却し、塩化ベン
ゼンスルホニル 1.87g(10.6mmol)とジオキサン 1.3mlを
加え、２時間攪拌した。反応終了後、濃塩酸により溶液
をコンゴーレッド酸性にし、ジクロルメタンで抽出し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスルホニル
アミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２
−カルボン酸 2.25g(8.7mmol) を得た。
ゼンスルホニル 1.87g(10.6mmol)とジオキサン 1.3mlを
加え、２時間攪拌した。反応終了後、濃塩酸により溶液
をコンゴーレッド酸性にし、ジクロルメタンで抽出し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去することによ
り（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスルホニル
アミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２
−カルボン酸 2.25g(8.7mmol) を得た。
【００２０】［α］D ＝＋９．２゜（ｃ 0.5, メタノー
ル） 得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスル
ホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エ
ン−２−カルボン酸 2.19g(7.5mmol）に乾燥メタノール
15mlとオキシ塩化リン 0.38gを加え、３時間加熱還流し
た。
ル） 得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスル
ホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エ
ン−２−カルボン酸 2.19g(7.5mmol）に乾燥メタノール
15mlとオキシ塩化リン 0.38gを加え、３時間加熱還流し
た。
【００２１】反応終了後、メタノールを減圧留去した後
水15mlを加え、濾過により、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４
Ｒ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，
２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸メチル 2.0
8g（6.8mmol)を得た。
水15mlを加え、濾過により、（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４
Ｒ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，
２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸メチル 2.0
8g（6.8mmol)を得た。
【００２２】［α］D ＝−１８．３゜（ｃ 0.5, メタノ
ール）、ｅ．ｅ．８８％（ＨＰＬＣ）融点１１２〜１１
６℃ これをメタノール 11ml で再結晶し光学的にほぼ純粋な
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスルホニルア
ミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−
カルボン酸メチル 1.36g(4.4mmol) を得た。
ール）、ｅ．ｅ．８８％（ＨＰＬＣ）融点１１２〜１１
６℃ これをメタノール 11ml で再結晶し光学的にほぼ純粋な
（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスルホニルア
ミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−
カルボン酸メチル 1.36g(4.4mmol) を得た。
【００２３】［α］D ＝−２０．５゜（ｃ 0.5, メタノ
ール）、ｅ．ｅ．＞９９％（ＨＰＬＣ）融点１２１〜１
２２℃ 得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスル
ホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エ
ン−２−カルボン酸メチル 614mgを乾燥メタノール100m
l と金属ナトリウム460mg から調整したナトリウムメチ
ラート溶液に加え、室温で２４時間攪拌した。
ール）、ｅ．ｅ．＞９９％（ＨＰＬＣ）融点１２１〜１
２２℃ 得られた（１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスル
ホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エ
ン−２−カルボン酸メチル 614mgを乾燥メタノール100m
l と金属ナトリウム460mg から調整したナトリウムメチ
ラート溶液に加え、室温で２４時間攪拌した。
【００２４】メタノールを減圧留去後、３Ｍ塩酸でコン
ゴーレッド酸性にし、ジクロルメタンで抽出し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去することにより（１
Ｓ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスルホニルアミノ
−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カル
ボン酸メチル 580mg(1.9mmol) を得た。
ゴーレッド酸性にし、ジクロルメタンで抽出し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去することにより（１
Ｓ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｒ）３−フェニルスルホニルアミノ
−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カル
ボン酸メチル 580mg(1.9mmol) を得た。
【００２５】ＨＰＬＣ分析による２Ｓ／２Ｒ比は90／10
であった。
であった。
【００２６】次いでこれをメタノール 6mlに溶解し、Pd
／Ｃ 50mgを加えて、室温、常圧にて水素還元した。反
応終了後濾過し、母液からメタノールを留去した後、２
−プロパノールを用いて再結晶し、（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ
［２，２，１］ヘプタン−２−カルボン酸メチルを得
た。
／Ｃ 50mgを加えて、室温、常圧にて水素還元した。反
応終了後濾過し、母液からメタノールを留去した後、２
−プロパノールを用いて再結晶し、（１Ｒ，２Ｓ，３
Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスルホニルアミノ−ビシクロ
［２，２，１］ヘプタン−２−カルボン酸メチルを得
た。
【００２７】［α］D ＝＋１６．４゜、［α］435 ＝＋
２７．１゜（ｃ 0.5, メタノール） ２Ｓ／２Ｒ＝ 100／0 、ｅ．ｅ．１００％ 得られた（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスル
ホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２−
カルボン酸メチルを水酸化ナトリウム水溶液により加水
分解し、文献公知（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５６，２１
２２，１９９１）の（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３−フ
ェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプ
タン−２−カルボン酸を得た。
２７．１゜（ｃ 0.5, メタノール） ２Ｓ／２Ｒ＝ 100／0 、ｅ．ｅ．１００％ 得られた（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３−フェニルスル
ホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２−
カルボン酸メチルを水酸化ナトリウム水溶液により加水
分解し、文献公知（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５６，２１
２２，１９９１）の（１Ｒ，２Ｓ，３Ｓ，４Ｓ）３−フ
ェニルスルホニルアミノ−ビシクロ［２，２，１］ヘプ
タン−２−カルボン酸を得た。
【００２８】 ［α］D ＝＋７．７゜（ｃ 0.2, メタノール）
【００２９】
【発明の効果】この発明は、トロンボキサンＡ２受容体
拮抗作用を持つ医薬品の中間体として有用な（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３
−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−
５−エン−２−カルボン酸及びその塩、ならびにそれら
の製造方法を提供する。
拮抗作用を持つ医薬品の中間体として有用な（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３
−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−
５−エン−２−カルボン酸及びその塩、ならびにそれら
の製造方法を提供する。
Claims (2)
- 【請求項１】 （１Ｓ，２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１
Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３−アミノカルボニル−ビシク
ロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸及
びその塩。 - 【請求項２】 ラセミ体の（エンド、エンド）３−アミ
ノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エ
ン−２−カルボン酸またはその塩に光学活性なエチルベ
ンジルアミンを作用させることを特徴とする（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｓ，４Ｒ）または（１Ｒ，２Ｓ，３Ｒ，４Ｓ）３
−アミノカルボニル−ビシクロ［２，２，１］ヘプト−
５−エン−２−カルボン酸またはその塩の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08007693A JP3426640B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | ビシクロヘプタン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08007693A JP3426640B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | ビシクロヘプタン誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06271521A true JPH06271521A (ja) | 1994-09-27 |
| JP3426640B2 JP3426640B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=13708127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08007693A Expired - Fee Related JP3426640B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | ビシクロヘプタン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3426640B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069074A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-08 | Kuraray Co Ltd | 光学活性ｅｎｄｏ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP08007693A patent/JP3426640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002069074A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-08 | Kuraray Co Ltd | 光学活性ｅｎｄｏ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−カルボン酸の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3426640B2 (ja) | 2003-07-14 |
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