JPH0626936A - 赤外線熱画像装置における観測温度範囲変更方法およびその装置 - Google Patents
赤外線熱画像装置における観測温度範囲変更方法およびその装置Info
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- JPH0626936A JPH0626936A JP20456892A JP20456892A JPH0626936A JP H0626936 A JPH0626936 A JP H0626936A JP 20456892 A JP20456892 A JP 20456892A JP 20456892 A JP20456892 A JP 20456892A JP H0626936 A JPH0626936 A JP H0626936A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 対象物が高温の場合,赤外線エネルギ−が飽
和する時には観測温度範囲を変更する方法と装置。 【構成】 赤外線センサをマトリックス状に配列した二
次元センサを用い,測定する対象物の観測温度範囲を変
更する基準温度を定め,この基準温度に対応する基準温
度デ−タを初期設定し,二次元センサで感知し,プロセ
ッサからの対象物の温度デ−タが,基準温度デ−タより
大か小かを判定し,この判定結果により観測温度範囲を
上昇あるいは下降する方向の制御信号をそれぞれ出力
し,この制御信号を蓄積時間制御部に印加して,二次元
センサの出力のゲ−ト時間を制御することにより,観測
温度範囲を変更可能とする方法。 【効果】 正確な温度測定ができるとともに,従来のよ
うに光学減衰フィルタ等を使用する必要がない。
和する時には観測温度範囲を変更する方法と装置。 【構成】 赤外線センサをマトリックス状に配列した二
次元センサを用い,測定する対象物の観測温度範囲を変
更する基準温度を定め,この基準温度に対応する基準温
度デ−タを初期設定し,二次元センサで感知し,プロセ
ッサからの対象物の温度デ−タが,基準温度デ−タより
大か小かを判定し,この判定結果により観測温度範囲を
上昇あるいは下降する方向の制御信号をそれぞれ出力
し,この制御信号を蓄積時間制御部に印加して,二次元
センサの出力のゲ−ト時間を制御することにより,観測
温度範囲を変更可能とする方法。 【効果】 正確な温度測定ができるとともに,従来のよ
うに光学減衰フィルタ等を使用する必要がない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は,二次元センサを用い
た赤外線熱画像装置に関し,特に,対象物が高温となり
赤外線エネルギ−が飽和するような場合に観測温度範囲
を変えることの出来る方法およびその装置に関するもの
である。
た赤外線熱画像装置に関し,特に,対象物が高温となり
赤外線エネルギ−が飽和するような場合に観測温度範囲
を変えることの出来る方法およびその装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】一般に,対象物から放射される赤外線を
感知する赤外線センサを内蔵した赤外線カメラがあり,
この赤外線カメラにより対象物を撮像して,この熱画像
を監視用として観察したりあるいは異常温度を測定する
ための赤外線熱画像装置がある。このような装置に使用
されている赤外線センサとしては,光起電力形のインジ
ウム・アンチモン(InSb),光導電形の水銀カドミ
ニウム・テルル(HgCdTe)等の素子が用いられて
いる。ところが,近年,これらの素子をマトリックス状
に配列した感度の良い二次元センサが普及し始めてい
る。一方,プランクの放射公式からも明らかであるよう
に,絶対零度以上の対象物は,すべて赤外線を放射して
いるとともに,対象物の温度が高くなればなるほど放射
される赤外線エネルギ−が多くなる。従って,測定され
るべき対象物の温度範囲が大である場合には,それだけ
観測温度範囲は広く設定されなければならない。しか
し,対象物から放射される赤外線エネルギ−は,絶対温
度の4乗に比例するため,高温の対象物ほど放射される
赤外線エネルギ−が増大し,観測温度範囲を越える場合
には,赤外線エネルギ−が飽和してしまい正確な温度測
定が出来ないという問題があった。そこで,従来は,対
象物の温度が観測温度範囲を越える場合には,赤外線エ
ネルギ−を減衰させるための光学減衰フィルタや光学絞
りを赤外線カメラに取り付けて,赤外線エネルギ−を減
衰させ,実質的に観測温度範囲を拡大して測定されてい
た。
感知する赤外線センサを内蔵した赤外線カメラがあり,
この赤外線カメラにより対象物を撮像して,この熱画像
を監視用として観察したりあるいは異常温度を測定する
ための赤外線熱画像装置がある。このような装置に使用
されている赤外線センサとしては,光起電力形のインジ
ウム・アンチモン(InSb),光導電形の水銀カドミ
ニウム・テルル(HgCdTe)等の素子が用いられて
いる。ところが,近年,これらの素子をマトリックス状
に配列した感度の良い二次元センサが普及し始めてい
る。一方,プランクの放射公式からも明らかであるよう
に,絶対零度以上の対象物は,すべて赤外線を放射して
いるとともに,対象物の温度が高くなればなるほど放射
される赤外線エネルギ−が多くなる。従って,測定され
るべき対象物の温度範囲が大である場合には,それだけ
観測温度範囲は広く設定されなければならない。しか
し,対象物から放射される赤外線エネルギ−は,絶対温
度の4乗に比例するため,高温の対象物ほど放射される
赤外線エネルギ−が増大し,観測温度範囲を越える場合
には,赤外線エネルギ−が飽和してしまい正確な温度測
定が出来ないという問題があった。そこで,従来は,対
象物の温度が観測温度範囲を越える場合には,赤外線エ
ネルギ−を減衰させるための光学減衰フィルタや光学絞
りを赤外線カメラに取り付けて,赤外線エネルギ−を減
衰させ,実質的に観測温度範囲を拡大して測定されてい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら,赤外
線カメラにこのような他の部品を取り付けることによ
り,赤外線カメラが大型化してしまい,設置場所によっ
ては構造上の問題となる場合も多い。その上,これらの
部品は高価であるという問題もあった。さらに,光学減
衰フィルタや光学絞り等を通して入射される赤外線エネ
ルギ−を測定する場合は,これに伴う測定誤差,温度ド
リフト等が発生する。そのため補正回路が必要であり,
回路構成がそれだけ複雑であった。又,赤外線カメラに
装着された光学減衰フィルタや光学絞りは,それ自身の
持つ温度により赤外線が放射されている。この放射され
た赤外線は,対象物を測定する際の測定誤差となり,そ
れだけ赤外線カメラの感度が悪くなる等の問題があっ
た。特に,光学減衰フィルタを用いる場合には,各光学
減衰フィルタ毎に温度補正する必要があり,このため,
補正テ−ブルが光学減衰フィルタの数だけ作成されてお
り,これを切り換えて使用しているため,大変な時間と
手間がかかる等の問題があった。
線カメラにこのような他の部品を取り付けることによ
り,赤外線カメラが大型化してしまい,設置場所によっ
ては構造上の問題となる場合も多い。その上,これらの
部品は高価であるという問題もあった。さらに,光学減
衰フィルタや光学絞り等を通して入射される赤外線エネ
ルギ−を測定する場合は,これに伴う測定誤差,温度ド
リフト等が発生する。そのため補正回路が必要であり,
回路構成がそれだけ複雑であった。又,赤外線カメラに
装着された光学減衰フィルタや光学絞りは,それ自身の
持つ温度により赤外線が放射されている。この放射され
た赤外線は,対象物を測定する際の測定誤差となり,そ
れだけ赤外線カメラの感度が悪くなる等の問題があっ
た。特に,光学減衰フィルタを用いる場合には,各光学
減衰フィルタ毎に温度補正する必要があり,このため,
補正テ−ブルが光学減衰フィルタの数だけ作成されてお
り,これを切り換えて使用しているため,大変な時間と
手間がかかる等の問題があった。
【0005】
【問題点を解決するための手段】この発明は,赤外線セ
ンサをマトリックス状に配列して二次元センサを形成
し,この二次元センサにより測定する対象物の観測温度
範囲を変更するための基準温度を定め,この基準温度に
対応する基準温度デ−タを初期設定し,二次元センサで
感知し,プロセッサからの対象物の温度デ−タが,基準
温度デ−タより大であるか小であるかを判定し,この温
度デ−タが基準温度デ−タより大か小かによりそれぞれ
観測温度範囲を上昇する方向の制御信号あるい下降する
方向の制御信号をそれぞれ出力し,この制御信号を二次
元センサの出力を制御する蓄積時間制御部に印加して二
次元センサの出力のゲ−ト時間を制御することにより,
観測温度範囲を変更可能としたものである。
ンサをマトリックス状に配列して二次元センサを形成
し,この二次元センサにより測定する対象物の観測温度
範囲を変更するための基準温度を定め,この基準温度に
対応する基準温度デ−タを初期設定し,二次元センサで
感知し,プロセッサからの対象物の温度デ−タが,基準
温度デ−タより大であるか小であるかを判定し,この温
度デ−タが基準温度デ−タより大か小かによりそれぞれ
観測温度範囲を上昇する方向の制御信号あるい下降する
方向の制御信号をそれぞれ出力し,この制御信号を二次
元センサの出力を制御する蓄積時間制御部に印加して二
次元センサの出力のゲ−ト時間を制御することにより,
観測温度範囲を変更可能としたものである。
【0006】
【作用】二次元センサにより測定する対象物の観測温度
範囲を変更するための基準温度を定め,この基準温度に
対応する基準温度デ−タが初期設定されて判定部に入力
されるとともに,二次元センサで感知し,プロセッサか
らの対象物の温度デ−タがこの基準温度デ−タより大で
あるか小であるかを判定部において判定される。蓄積時
間指示部においては,対象物の温度デ−タが基準温度デ
−タより大か小かにより,それぞれ観測温度範囲を上昇
する方向の制御信号あるい下降する方向の制御信号をそ
れぞれ出力し,この判定結果に基づいて出力した制御信
号は,二次元センサの出力を制御する蓄積時間制御部に
印加されて二次元センサの出力のゲ−ト時間を制御する
ことにより,観測温度範囲が変更される。
範囲を変更するための基準温度を定め,この基準温度に
対応する基準温度デ−タが初期設定されて判定部に入力
されるとともに,二次元センサで感知し,プロセッサか
らの対象物の温度デ−タがこの基準温度デ−タより大で
あるか小であるかを判定部において判定される。蓄積時
間指示部においては,対象物の温度デ−タが基準温度デ
−タより大か小かにより,それぞれ観測温度範囲を上昇
する方向の制御信号あるい下降する方向の制御信号をそ
れぞれ出力し,この判定結果に基づいて出力した制御信
号は,二次元センサの出力を制御する蓄積時間制御部に
印加されて二次元センサの出力のゲ−ト時間を制御する
ことにより,観測温度範囲が変更される。
【0007】
【発明の実施例1】この発明の実施例を,図1〜図4に
基づいて詳細に説明する。図1はこの発明の実施例を示
す構成図,図2は二次元センサ3と蓄積時間制御部12
とを示す要部回路図,図3はタイムチャ−ト図,図4は
温度と赤外線エネルギ−との関係を示す図である。
基づいて詳細に説明する。図1はこの発明の実施例を示
す構成図,図2は二次元センサ3と蓄積時間制御部12
とを示す要部回路図,図3はタイムチャ−ト図,図4は
温度と赤外線エネルギ−との関係を示す図である。
【0008】図1〜図2において,1は赤外線カメラ
で,対象物2の赤外線を感知する赤外線センサとして二
次元センサ3が内蔵されている。この実施例では,赤外
線センサとしてInSbが採用されており,この赤外線
センサがX−Y軸方向にマトリックス状に配列されて二
次元センサ3が構成されている。4は赤外線カメラ1か
らの画像信号出力を画像処理するプロセッサで,画像信
号出力はD/A変換部5でアナログ画像信号に変換され
た後,モニタ装置6に表示される。
で,対象物2の赤外線を感知する赤外線センサとして二
次元センサ3が内蔵されている。この実施例では,赤外
線センサとしてInSbが採用されており,この赤外線
センサがX−Y軸方向にマトリックス状に配列されて二
次元センサ3が構成されている。4は赤外線カメラ1か
らの画像信号出力を画像処理するプロセッサで,画像信
号出力はD/A変換部5でアナログ画像信号に変換され
た後,モニタ装置6に表示される。
【0009】7は判定部で,観測温度範囲を変更するた
めの基準となる基準温度デ−タと測定された対象物2の
温度デ−タとを比較する比較器8と基準温度デ−タ以上
の画素数をカウントする画素カウンタ9,1フレ−ム内
の温度デ−タの最大値を検出する最大値検出部10とに
より構成されており,初期設定した基準温度デ−タを基
準にして,対象物2の温度デ−タの大小が判定される。
11は蓄積時間指示部で,対象物2の温度デ−タの判定
結果に基づいて観測温度範囲を上昇する方向に変更すべ
きかあるいは下降する方向に1/2あるいは1/4等と
変更すべき値が設定されている蓄積時間の指示部11a
と蓄積時間決定部13とにより二次元センサ3の出力の
ゲ−ト時間を制御するための制御信号Rが出力される。
12は蓄積時間制御部で,蓄積時間タイミング部14,
二次元センサ3を構成する各赤外線センサ毎に接続され
ているキャパシタ15,このキャパシタ15の電荷を充
放電させてに二次元センサ3のゲ−ト時間を制御するた
めの制御信号R(R1 ,R2 ・・・のいずれかが選択さ
れる。以下,代表してRと記す)が入力する制御信号入
力端子16とにより構成されており,これらのキャパシ
タ15への電荷の蓄積時間Tを可変にすることにより,
二次元センサの動作時間(ゲ−ト時間)を制御して,観
測温度範囲が選択される。
めの基準となる基準温度デ−タと測定された対象物2の
温度デ−タとを比較する比較器8と基準温度デ−タ以上
の画素数をカウントする画素カウンタ9,1フレ−ム内
の温度デ−タの最大値を検出する最大値検出部10とに
より構成されており,初期設定した基準温度デ−タを基
準にして,対象物2の温度デ−タの大小が判定される。
11は蓄積時間指示部で,対象物2の温度デ−タの判定
結果に基づいて観測温度範囲を上昇する方向に変更すべ
きかあるいは下降する方向に1/2あるいは1/4等と
変更すべき値が設定されている蓄積時間の指示部11a
と蓄積時間決定部13とにより二次元センサ3の出力の
ゲ−ト時間を制御するための制御信号Rが出力される。
12は蓄積時間制御部で,蓄積時間タイミング部14,
二次元センサ3を構成する各赤外線センサ毎に接続され
ているキャパシタ15,このキャパシタ15の電荷を充
放電させてに二次元センサ3のゲ−ト時間を制御するた
めの制御信号R(R1 ,R2 ・・・のいずれかが選択さ
れる。以下,代表してRと記す)が入力する制御信号入
力端子16とにより構成されており,これらのキャパシ
タ15への電荷の蓄積時間Tを可変にすることにより,
二次元センサの動作時間(ゲ−ト時間)を制御して,観
測温度範囲が選択される。
【0010】蓄積時間タイミング部14は,読み出され
た1フレ−ム分の温度デ−タのタイミングをとるもの
で,赤外線熱画像装置の各箇所を制御するタイミング部
17と共用してもよい。18は選択切り換え部で,操作
キ−ボ−ド19からの指示により観測温度範囲の自動・
手動操作が選択的に切り換えられ,通常は,自動操作が
選択されており,自動操作のみを行う場合には,必ずし
も必要ではない。
た1フレ−ム分の温度デ−タのタイミングをとるもの
で,赤外線熱画像装置の各箇所を制御するタイミング部
17と共用してもよい。18は選択切り換え部で,操作
キ−ボ−ド19からの指示により観測温度範囲の自動・
手動操作が選択的に切り換えられ,通常は,自動操作が
選択されており,自動操作のみを行う場合には,必ずし
も必要ではない。
【0011】次に,作用動作について説明する。まず,
観測温度範囲を自動的に切り換える場合について説明す
る。ここで,対象物2を撮像する赤外線カメラ1の観測
温度範囲は,図4に示す曲線Bで測定されていると仮定
する。二次元センサ3で得られた対象物2の熱画像信号
は,A/D変換器(図示せず)によりデジタル信号に変
換された後,プロセッサ4に入力し,ここで画像処理さ
れる。この画像処理された画像信号は,D/A変換部5
においてモニタ装置6に表示するためのブランキング等
の各種の映像処理がなされ,モニタ装置6に熱画像とし
て表示される。一方,プロセッサ4で画像処理された画
像信号の一部は,比較器8に入力される。この実施例で
は,比較器8には,二次元センサ3により観測すること
の出来る対象物2の観測温度範囲の最大値が基準温度と
定められ,この温度に対応する基準温度デ−タが初期設
定されている。なお,基準温度としては,観測温度範囲
を変更するための基準温度となるものであるから,観測
温度範囲の最大値あるいは最小値,その他対象物2の任
意の箇所を設定して,その箇所の温度を基準温度と設定
してもよい。
観測温度範囲を自動的に切り換える場合について説明す
る。ここで,対象物2を撮像する赤外線カメラ1の観測
温度範囲は,図4に示す曲線Bで測定されていると仮定
する。二次元センサ3で得られた対象物2の熱画像信号
は,A/D変換器(図示せず)によりデジタル信号に変
換された後,プロセッサ4に入力し,ここで画像処理さ
れる。この画像処理された画像信号は,D/A変換部5
においてモニタ装置6に表示するためのブランキング等
の各種の映像処理がなされ,モニタ装置6に熱画像とし
て表示される。一方,プロセッサ4で画像処理された画
像信号の一部は,比較器8に入力される。この実施例で
は,比較器8には,二次元センサ3により観測すること
の出来る対象物2の観測温度範囲の最大値が基準温度と
定められ,この温度に対応する基準温度デ−タが初期設
定されている。なお,基準温度としては,観測温度範囲
を変更するための基準温度となるものであるから,観測
温度範囲の最大値あるいは最小値,その他対象物2の任
意の箇所を設定して,その箇所の温度を基準温度と設定
してもよい。
【0012】そこで,比較器8においては,基準温度デ
−タとプロセッサ4から入力した対象物2の温度デ−タ
とが比較され,基準温度デ−タより大の場合には,対象
物2の温度デ−タは飽和していることになる。この場合
には,温度デ−タはすべてハイレベル信号となってい
る。このように,基準温度デ−タより大きい温度デ−タ
は,観測温度範囲を上昇する方向のデ−タとして認定さ
れ,画素カウンタ9に入力し,ハイレベルの画素数がカ
ウントされる。すべての画素がハイレベルの場合には,
蓄積時間指示部11から観測温度範囲を上昇する方向へ
変更するよう指示するための制御信号Rが出力される。
なお,この場合には,最大値検出器10へは,温度デ−
タが入力することはない。
−タとプロセッサ4から入力した対象物2の温度デ−タ
とが比較され,基準温度デ−タより大の場合には,対象
物2の温度デ−タは飽和していることになる。この場合
には,温度デ−タはすべてハイレベル信号となってい
る。このように,基準温度デ−タより大きい温度デ−タ
は,観測温度範囲を上昇する方向のデ−タとして認定さ
れ,画素カウンタ9に入力し,ハイレベルの画素数がカ
ウントされる。すべての画素がハイレベルの場合には,
蓄積時間指示部11から観測温度範囲を上昇する方向へ
変更するよう指示するための制御信号Rが出力される。
なお,この場合には,最大値検出器10へは,温度デ−
タが入力することはない。
【0013】又,この実施例では,蓄積時間指示部11
からは,オ−ルハイレベルの場合に制御信号Rが出力す
るように設定されているが,これに限定されることな
く,図3に示すように,ハイレベルの画素数がある所定
数に達すると,制御信号Rが出力するように,蓄積時間
指示部11にそれぞれ所定画素数を基準値として設定し
ておき,画素数がこの基準値を越えれば制御信号Rが出
力するように設定しても良い。又,特に観察したい画像
の所定箇所やあるいは中心部分だけの画素部分がハイレ
ベルになると制御信号Rが出力するように蓄積時間指示
部11に基準値を設定することもできる。
からは,オ−ルハイレベルの場合に制御信号Rが出力す
るように設定されているが,これに限定されることな
く,図3に示すように,ハイレベルの画素数がある所定
数に達すると,制御信号Rが出力するように,蓄積時間
指示部11にそれぞれ所定画素数を基準値として設定し
ておき,画素数がこの基準値を越えれば制御信号Rが出
力するように設定しても良い。又,特に観察したい画像
の所定箇所やあるいは中心部分だけの画素部分がハイレ
ベルになると制御信号Rが出力するように蓄積時間指示
部11に基準値を設定することもできる。
【0014】図3に示すように,キャパシタ15の最大
蓄積時間をT0 とするともに,今,蓄積時間指示部11
においては,制御信号Rとしては,1/2の蓄積時間T
1 の周期の制御信号R1 が出力しているとする。この蓄
積時間指示部11にはアップダウンカウンタ等の蓄積時
間決定部13が備えられており,図3に示すように,画
素カウンタ9から入力したハイレベルの画素数により,
蓄積時間Tを1/2にするかあるいは1/4にする等あ
らかじめ設定されている。そこで,画素カウンタ9でカ
ウントされた画素数により,1/2の蓄積時間T1 から
1/4の蓄積時間T2 へ等と変更され,蓄積時間T1 ,
T2 ・・・が決定される。即ち,制御信号Rのデュ−テ
ィ−ファクタ−が決定され,それにより制御信号R1 .
R2 ・・・の何れかが決定されて,上昇する方向,即
ち,曲線Bから曲線Cへと観測温度範囲が上昇する方向
に変更される。なお,対象物2が高温である場合には,
その温度デ−タによっては,観測温度範囲をさらに曲線
Dまで変更される場合がある。これは蓄積時間決定部1
3において決定される。
蓄積時間をT0 とするともに,今,蓄積時間指示部11
においては,制御信号Rとしては,1/2の蓄積時間T
1 の周期の制御信号R1 が出力しているとする。この蓄
積時間指示部11にはアップダウンカウンタ等の蓄積時
間決定部13が備えられており,図3に示すように,画
素カウンタ9から入力したハイレベルの画素数により,
蓄積時間Tを1/2にするかあるいは1/4にする等あ
らかじめ設定されている。そこで,画素カウンタ9でカ
ウントされた画素数により,1/2の蓄積時間T1 から
1/4の蓄積時間T2 へ等と変更され,蓄積時間T1 ,
T2 ・・・が決定される。即ち,制御信号Rのデュ−テ
ィ−ファクタ−が決定され,それにより制御信号R1 .
R2 ・・・の何れかが決定されて,上昇する方向,即
ち,曲線Bから曲線Cへと観測温度範囲が上昇する方向
に変更される。なお,対象物2が高温である場合には,
その温度デ−タによっては,観測温度範囲をさらに曲線
Dまで変更される場合がある。これは蓄積時間決定部1
3において決定される。
【0015】このようにして決定された制御信号,例え
ば,制御信号R2 は,蓄積時間制御部12に入力する。
この蓄積時間制御部12には,蓄積時間タイミング部1
4が設けられており,制御信号R2 のタイミングがカウ
ントされて,蓄積時間指示部11からの制御信号R2 の
タイミングを合わせて出力するように構成されている。
そこで,制御信号R2 が制御入力端子16に入力する
と,制御信号R2 がロ−レベルの時は,キャパシタ15
に蓄積されていた電荷が放電され,ハイレベルになると
キャパシタ15には電荷が時間T2 の間蓄積される。こ
のように,1フレ−ム時間毎にキャパシタ15の電荷が
呼び出され,蓄積時間指示部11で決定されたいずれか
の制御信号R1 ,R2 ・・・によりキャパシタ15への
蓄積時間T1 ,T2 ・・・が制御されている。このこと
は,実質的には,二次元センサ3の出力のゲ−ト時間が
制御信号Rにより制御されることになり,例えば,キャ
パシタ15が1/2の蓄積時間T1 で制御されている場
合には,即ち,制御信号R1 で制御されている場合に
は,赤外線エネルギ−を1/2に減衰する光学減衰フィ
ルタを装着したのと同様になり,観測温度範囲は曲線B
から曲線Cへと上昇する方向に選択される。
ば,制御信号R2 は,蓄積時間制御部12に入力する。
この蓄積時間制御部12には,蓄積時間タイミング部1
4が設けられており,制御信号R2 のタイミングがカウ
ントされて,蓄積時間指示部11からの制御信号R2 の
タイミングを合わせて出力するように構成されている。
そこで,制御信号R2 が制御入力端子16に入力する
と,制御信号R2 がロ−レベルの時は,キャパシタ15
に蓄積されていた電荷が放電され,ハイレベルになると
キャパシタ15には電荷が時間T2 の間蓄積される。こ
のように,1フレ−ム時間毎にキャパシタ15の電荷が
呼び出され,蓄積時間指示部11で決定されたいずれか
の制御信号R1 ,R2 ・・・によりキャパシタ15への
蓄積時間T1 ,T2 ・・・が制御されている。このこと
は,実質的には,二次元センサ3の出力のゲ−ト時間が
制御信号Rにより制御されることになり,例えば,キャ
パシタ15が1/2の蓄積時間T1 で制御されている場
合には,即ち,制御信号R1 で制御されている場合に
は,赤外線エネルギ−を1/2に減衰する光学減衰フィ
ルタを装着したのと同様になり,観測温度範囲は曲線B
から曲線Cへと上昇する方向に選択される。
【0016】次に,比較器8において,基準温度デ−タ
とプロセッサ4から入力した対象物2の温度デ−タとが
比較された結果,温度デ−タが基準温度デ−タより小の
場合には,対象物2の温度デ−タは飽和していないかあ
るいは観測温度範囲より小の場合である。そこで,この
場合には,1フレ−ム分の画像信号の最大値が最大値検
出部10で検出され,この最大値が蓄積時間指示部11
に入力され,上記のように,上昇する方向の手順と同様
にして観測温度範囲を下げる方向の制御信号Rが出力さ
れる。
とプロセッサ4から入力した対象物2の温度デ−タとが
比較された結果,温度デ−タが基準温度デ−タより小の
場合には,対象物2の温度デ−タは飽和していないかあ
るいは観測温度範囲より小の場合である。そこで,この
場合には,1フレ−ム分の画像信号の最大値が最大値検
出部10で検出され,この最大値が蓄積時間指示部11
に入力され,上記のように,上昇する方向の手順と同様
にして観測温度範囲を下げる方向の制御信号Rが出力さ
れる。
【0017】
【発明の実施例2】この発明の第2の実施例として,観
測温度範囲を手動で切り換える場合について,図1に基
づいて詳細に説明する。選択切り換え部18は,通常は
自動操作が選択されているが,操作キ−ボ−ド19の切
り換えスイッチ(図示せず)が押圧されるたびに切り換
え信号が自動・手動入力端子A/Mに入力して自動→手
動→自動と順次状態が遷移するように構成されていると
ともに,自動・手動切り換えスイッチおよび蓄積時間T
の入力スイッチ(図示せず)が設けられており,手動操
作の時,制御信号Rの蓄積時間Tがオペレ−タ−のキ−
操作により入力される。20はキ−判定部で,自動・手
動操作の判定および蓄積時間Tの判定がおこなわれる。
測温度範囲を手動で切り換える場合について,図1に基
づいて詳細に説明する。選択切り換え部18は,通常は
自動操作が選択されているが,操作キ−ボ−ド19の切
り換えスイッチ(図示せず)が押圧されるたびに切り換
え信号が自動・手動入力端子A/Mに入力して自動→手
動→自動と順次状態が遷移するように構成されていると
ともに,自動・手動切り換えスイッチおよび蓄積時間T
の入力スイッチ(図示せず)が設けられており,手動操
作の時,制御信号Rの蓄積時間Tがオペレ−タ−のキ−
操作により入力される。20はキ−判定部で,自動・手
動操作の判定および蓄積時間Tの判定がおこなわれる。
【0018】このように構成されているので,通常の自
動操作の時は,蓄積時間の指示部11aからデ−タが選
択されている。そこで,手動操作に切り換える場合に
は,操作キ−ボ−ド19で手動切り換え操作されると,
手動操作信号がキ−判定部20に入力し,ここで手動操
作であるとの判定がなされると,切り換え信号が選択切
り換え部18に入力して,手動操作に切り換わる。さら
に,操作キ−ボ−ド19から選択された蓄積時間Tがキ
−判定部20に入力され,観測温度範囲を上昇する方向
か下降する方向か判定され,その結果は選択切り換え部
18を介して,蓄積時間決定部13で蓄積時間Tが決定
され,上記第1の実施例と同様にして,観測温度範囲が
曲線A,B,Cへと上昇する方向かあるい下降する方向
かへ変更される。
動操作の時は,蓄積時間の指示部11aからデ−タが選
択されている。そこで,手動操作に切り換える場合に
は,操作キ−ボ−ド19で手動切り換え操作されると,
手動操作信号がキ−判定部20に入力し,ここで手動操
作であるとの判定がなされると,切り換え信号が選択切
り換え部18に入力して,手動操作に切り換わる。さら
に,操作キ−ボ−ド19から選択された蓄積時間Tがキ
−判定部20に入力され,観測温度範囲を上昇する方向
か下降する方向か判定され,その結果は選択切り換え部
18を介して,蓄積時間決定部13で蓄積時間Tが決定
され,上記第1の実施例と同様にして,観測温度範囲が
曲線A,B,Cへと上昇する方向かあるい下降する方向
かへ変更される。
【0019】
【発明の実施例3】この発明の第3の実施例として,観
測温度範囲を手動で切り換える場合について,図5に基
づいて詳細に説明する。選択切り換え部18は,上記第
2の実施例と同様に,第1図に示す判定部7と蓄積時間
の指示部11aとの間に設けられており,通常は自動操
作が選択されているが,操作キ−ボ−ド19の切り換え
スイッチ(図示せず)が押圧されるたびに切り換え信号
が自動・手動入力端子A/Mに入力して自動→手動→自
動と順次状態が遷移するように構成されているととも
に,手動操作の時および自動操作の時に,それぞれ上昇
する方向のデ−タが入力する端子1A,1B,および下
降する方向のデ−タが入力する端子2A,2Bが設けら
れている。操作キ−ボ−ド19には,自動・手動切り換
えスイッチ,観測温度範囲をそれぞれ上昇させるスイッ
チおよび下降させるスイッチとの3種のスイッチが設け
られている。20はキ−判定部で,上記3種のスイッチ
の判定および蓄積時間Tの判定が行われる。
測温度範囲を手動で切り換える場合について,図5に基
づいて詳細に説明する。選択切り換え部18は,上記第
2の実施例と同様に,第1図に示す判定部7と蓄積時間
の指示部11aとの間に設けられており,通常は自動操
作が選択されているが,操作キ−ボ−ド19の切り換え
スイッチ(図示せず)が押圧されるたびに切り換え信号
が自動・手動入力端子A/Mに入力して自動→手動→自
動と順次状態が遷移するように構成されているととも
に,手動操作の時および自動操作の時に,それぞれ上昇
する方向のデ−タが入力する端子1A,1B,および下
降する方向のデ−タが入力する端子2A,2Bが設けら
れている。操作キ−ボ−ド19には,自動・手動切り換
えスイッチ,観測温度範囲をそれぞれ上昇させるスイッ
チおよび下降させるスイッチとの3種のスイッチが設け
られている。20はキ−判定部で,上記3種のスイッチ
の判定および蓄積時間Tの判定が行われる。
【0020】次に,作用動作について説明する。通常
は,自動操作であるから,操作キ−ボ−ド19からは端
子A/Mを介して自動操作信号が選択切り換え部18に
入力しているとともに,判定部7の画素カウンタ9およ
び最大値検出部10からデ−タが選択され,出力端1
Y,2Yから蓄積時間制御部11に入力されており,以
下の動作は上記実施例1と同様である。
は,自動操作であるから,操作キ−ボ−ド19からは端
子A/Mを介して自動操作信号が選択切り換え部18に
入力しているとともに,判定部7の画素カウンタ9およ
び最大値検出部10からデ−タが選択され,出力端1
Y,2Yから蓄積時間制御部11に入力されており,以
下の動作は上記実施例1と同様である。
【0021】そこで,手動で観測温度範囲を切り換える
場合には,オペレ−タ(図示せず)が操作キ−ボ−ド1
9の切り換えスイッチを操作すると,手動切り換え信号
はキ−判定部20に入力し,ここで手動操作であるとの
判定がなされ,選択切り換え部18では,手動側が選択
される。選択切り換え部18で手動操作が選択される
と,キ−判定部20から上昇する方向あるいは下降する
方向のデ−タが選択され,このデ−タは蓄積時間指示部
11に入力され,上記第2の実施例と同様にして観測温
度範囲が変更される。
場合には,オペレ−タ(図示せず)が操作キ−ボ−ド1
9の切り換えスイッチを操作すると,手動切り換え信号
はキ−判定部20に入力し,ここで手動操作であるとの
判定がなされ,選択切り換え部18では,手動側が選択
される。選択切り換え部18で手動操作が選択される
と,キ−判定部20から上昇する方向あるいは下降する
方向のデ−タが選択され,このデ−タは蓄積時間指示部
11に入力され,上記第2の実施例と同様にして観測温
度範囲が変更される。
【0022】
【発明の効果】この発明は,赤外線センサをマトリック
ス状に配列して二次元センサを形成し,この二次元セン
サにより測定する対象物の観測温度範囲を変更するため
の基準温度を定め,この基準温度に対応する基準温度デ
−タを初期設定し,二次元センサで感知し,プロセッサ
からの対象物の温度デ−タが,基準温度デ−タより大で
あるか小であるかを判定し,この温度デ−タが基準温度
デ−タより大か小かによりそれぞれ観測温度範囲を上昇
する方向の制御信号あるい下降する方向の制御信号をそ
れぞれ出力し,この制御信号を二次元センサの出力を制
御する蓄積時間制御部に印加して二次元センサの出力の
ゲ−ト時間を制御することにより,観測温度範囲を変更
可能としたので,対象物の温度デ−タに従って,観測温
度範囲を変更することが出来るので,従来のように赤外
線エネルギ−が飽和することもなくなり正確な温度測定
ができるとともに,感度も損なわれることもない。又,
従来のように,光学減衰フィルタ等の部品を用いる必要
がないので,これらの部品の着脱にともなう繁雑さが無
く,その上,経済的であるとともに,これらの部品を装
着することによる問題も解決される。
ス状に配列して二次元センサを形成し,この二次元セン
サにより測定する対象物の観測温度範囲を変更するため
の基準温度を定め,この基準温度に対応する基準温度デ
−タを初期設定し,二次元センサで感知し,プロセッサ
からの対象物の温度デ−タが,基準温度デ−タより大で
あるか小であるかを判定し,この温度デ−タが基準温度
デ−タより大か小かによりそれぞれ観測温度範囲を上昇
する方向の制御信号あるい下降する方向の制御信号をそ
れぞれ出力し,この制御信号を二次元センサの出力を制
御する蓄積時間制御部に印加して二次元センサの出力の
ゲ−ト時間を制御することにより,観測温度範囲を変更
可能としたので,対象物の温度デ−タに従って,観測温
度範囲を変更することが出来るので,従来のように赤外
線エネルギ−が飽和することもなくなり正確な温度測定
ができるとともに,感度も損なわれることもない。又,
従来のように,光学減衰フィルタ等の部品を用いる必要
がないので,これらの部品の着脱にともなう繁雑さが無
く,その上,経済的であるとともに,これらの部品を装
着することによる問題も解決される。
【0023】又,蓄積時間指示部に手動・自動操作を切
り換えるための選択切り換え部を設けるとともに,手動
操作時には,操作キ−ボ−ドから所望の蓄積時間を選定
して制御信号を決定して,手動操作により観測温度範囲
を変更可能としたので,オペレ−タの観察のもとに手動
で蓄積時間を設定して観測温度範囲を変更出来る。従っ
て,対象物の背景にヒ−タ−等の不要な熱源があるよう
な時には,これを無視することができ,より正確に温度
測定が出来る。
り換えるための選択切り換え部を設けるとともに,手動
操作時には,操作キ−ボ−ドから所望の蓄積時間を選定
して制御信号を決定して,手動操作により観測温度範囲
を変更可能としたので,オペレ−タの観察のもとに手動
で蓄積時間を設定して観測温度範囲を変更出来る。従っ
て,対象物の背景にヒ−タ−等の不要な熱源があるよう
な時には,これを無視することができ,より正確に温度
測定が出来る。
【図1】この発明の実施例を示す構成図である。
【図2】この発明の実施例を示す要部回路図である。
【図3】タイムチャ−ト図である。
【図4】温度と赤外線エネルギ−との関係を示すグラフ
である。
である。
【図5】この発明の第2に実施例を示す要部構成図であ
る。
る。
1 赤外線カメラ 2 対象物 3 二次元センサ 4 プロセッサ 7 判定部 11 蓄積時間指示部 12 蓄積時間制御部 15 キャパシタ 16 制御信号入力端子 18 選択切り換え部 19 操作キ−ボ−ド 20 キ−判定部
Claims (3)
- 【請求項1】 対象物から放射される赤外線を感知する
赤外線センサからの画像信号を,プロセッサにより画像
処理して熱画像を出力する赤外線熱画像装置において,
前記赤外線センサをマトリックス状に配列して二次元セ
ンサを形成し,この二次元センサにより測定する前記対
象物の観測温度範囲を変更するための基準温度を定め,
この基準温度に対応する基準温度デ−タを初期設定し,
前記二次元センサで感知し,前記プロセッサからの前記
対象物の温度デ−タが前記基準温度デ−タより大である
か小であるかを判定し,前記温度デ−タが前記基準温度
デ−タより大か小かにより,それぞれ前記観測温度範囲
を上昇する方向の制御信号あるい下降する方向の制御信
号をそれぞれ出力し,この判定結果に基づいて出力され
た制御信号を,前記二次元センサの出力を制御する蓄積
時間制御部に印加して前記二次元センサの出力のゲ−ト
時間を制御することにより,前記二次元センサの観測温
度範囲を変更可能としたことを特徴とする赤外線熱画像
装置における観測温度範囲変更方法。 - 【請求項2】 対象物から放射される赤外線を感知する
赤外線センサからの画像信号を,プロセッサにより画像
処理して熱画像を出力する赤外線熱画像装置において,
前記赤外線センサをマトリックス状に配列してなる二次
元センサを内蔵した赤外線カメラと,前記二次元センサ
により測定する前記対象物の観測温度範囲を変更するた
めの基準温度に対応する基準温度デ−タが初期設定さ
れ,前記プロセッサからの前記対象物の温度デ−タが,
前記基準温度デ−タより大か小かを判定するとともに,
この基準温度デ−タより大の時はその画素数をカウント
し,前記基準温度デ−タより小の時は1フレ−ム内の温
度デ−タの最大値を求める判定部と,この判定結果に基
づいて,前記二次元センサの前記観測温度範囲を上昇す
る方向あるいは下降する方向に指示するとともに,その
観測温度範囲を選択するための前記制御信号を発生する
蓄積時間指示部と,前記二次元センサの出力のゲ−ト時
間を前記制御信号により制御して前記観測温度範囲を選
択する蓄積時間制御部と,を備え,前記対象物の温度デ
−タが前記観測温度範囲をこえた時,前記制御信号によ
り前記二次元センサの出力のゲ−ト時間を制御して前記
観測温度範囲を選択することを特徴とする赤外線熱画像
装置における観測温度範囲変更装置。 - 【請求項3】 蓄積時間指示部に手動・自動操作を切り
換えるための選択切り換え部を設けるとともに,手動操
作時には,操作キ−ボ−ドから所望の蓄積時間を選定し
て制御信号を決定することにより,手動操作により観測
温度範囲を変更可能としたこと,を特徴とする請求項2
に記載の赤外線熱画像装置における観測温度範囲変更装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20456892A JPH0626936A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 赤外線熱画像装置における観測温度範囲変更方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20456892A JPH0626936A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 赤外線熱画像装置における観測温度範囲変更方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0626936A true JPH0626936A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16492628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20456892A Pending JPH0626936A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 赤外線熱画像装置における観測温度範囲変更方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0626936A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11144162A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Nohmi Bosai Ltd | 撮像装置および監視装置 |
JP2011106885A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | NEC Avio赤外線テクノロジー株式会社 | サーモグラフィー装置、画像処理方法、及びプログラム |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP20456892A patent/JPH0626936A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11144162A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Nohmi Bosai Ltd | 撮像装置および監視装置 |
JP2011106885A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | NEC Avio赤外線テクノロジー株式会社 | サーモグラフィー装置、画像処理方法、及びプログラム |
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