JPH06267491A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH06267491A JPH06267491A JP5075288A JP7528893A JPH06267491A JP H06267491 A JPH06267491 A JP H06267491A JP 5075288 A JP5075288 A JP 5075288A JP 7528893 A JP7528893 A JP 7528893A JP H06267491 A JPH06267491 A JP H06267491A
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- Japan
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- faraday
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Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラグファラデーからの反射ビームによる汚
れが箱体の内面に蓄積し難くなるようにする 【構成】 フラグファラデー５を囲むファラデー箱３の
内面に複数の突起４を設ける。イオンビーム１の照射に
よりフラグファラデー５で反射した反射ビーム７は、突
起４のフラグファラデー５側の面４ａに衝突し、汚れは
この面４ａに集中する。突起４のサプレッサ電極２側の
面４ｂは反射ビーム７の影となり、この面４ｂに汚れが
蓄積することはなく、反射ビーム７の電荷が捕集され
る。 【効果】 汚れの蓄積しない面を確保できるので、ビー
ム電流を安定して正確に測定することができ、ビーム電
流の測定誤差を最小にすることができる。
れが箱体の内面に蓄積し難くなるようにする 【構成】 フラグファラデー５を囲むファラデー箱３の
内面に複数の突起４を設ける。イオンビーム１の照射に
よりフラグファラデー５で反射した反射ビーム７は、突
起４のフラグファラデー５側の面４ａに衝突し、汚れは
この面４ａに集中する。突起４のサプレッサ電極２側の
面４ｂは反射ビーム７の影となり、この面４ｂに汚れが
蓄積することはなく、反射ビーム７の電荷が捕集され
る。 【効果】 汚れの蓄積しない面を確保できるので、ビー
ム電流を安定して正確に測定することができ、ビーム電
流の測定誤差を最小にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ターゲットにイオンビ
ームを照射するイオン注入装置に関し、特に、照射前に
ビーム電流を測定するためのフラグファラデーとファラ
デー箱とを有するイオン注入装置に関する。
ームを照射するイオン注入装置に関し、特に、照射前に
ビーム電流を測定するためのフラグファラデーとファラ
デー箱とを有するイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のイオン注入装置におけるフ
ァラデー系の概要を示す断面図であり、イオン源から発
生したイオンビーム１が、サプレッサ電極２を通過し、
プラテン６上のターゲッ９に照射される。そして、イオ
ンビーム１をターゲット９に照射する前に、ビーム電流
やビームの波形を整えるため、フラグファラデー５に一
旦照射している。
ァラデー系の概要を示す断面図であり、イオン源から発
生したイオンビーム１が、サプレッサ電極２を通過し、
プラテン６上のターゲッ９に照射される。そして、イオ
ンビーム１をターゲット９に照射する前に、ビーム電流
やビームの波形を整えるため、フラグファラデー５に一
旦照射している。
【０００３】このとき、正電荷を持つイオンビーム１の
大部分は、フラグファラデー５に衝突することによりフ
ラグファラデー５に電荷を与え、ビーム電流測定部１１
によりビーム電流としてカウントされる。ところが、一
部のイオンビーム１は、フラグファラデー５で反射し散
乱してしまう。この反射ビーム７を捕集し、ビーム電流
測定部１１により正確なビーム電流値を測定するため、
フラグファラデー５を囲むようにファラデー箱３が設け
られている。なお、８はチャンバーである。
大部分は、フラグファラデー５に衝突することによりフ
ラグファラデー５に電荷を与え、ビーム電流測定部１１
によりビーム電流としてカウントされる。ところが、一
部のイオンビーム１は、フラグファラデー５で反射し散
乱してしまう。この反射ビーム７を捕集し、ビーム電流
測定部１１により正確なビーム電流値を測定するため、
フラグファラデー５を囲むようにファラデー箱３が設け
られている。なお、８はチャンバーである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、フラグファラデー５で反射した反射ビーム７を捕集
するためのファラデー箱３の内面が平面であったため、
反射ビーム７を捕集していくにつれて、その内面にイオ
ンガス（例えばＢ、Ｐ、Ａｓ等）による汚れが蓄積し易
かった。
は、フラグファラデー５で反射した反射ビーム７を捕集
するためのファラデー箱３の内面が平面であったため、
反射ビーム７を捕集していくにつれて、その内面にイオ
ンガス（例えばＢ、Ｐ、Ａｓ等）による汚れが蓄積し易
かった。
【０００５】そして、ファラデー箱３の内面に汚れが蓄
積していくと、遂には、内面の全面に絶縁膜が形成さ
れ、反射ビーム７の持つ電荷が帯電してしまい、ビーム
電流測定部１１によりビーム電流としてカウントできな
くなる。さらに、次に来る反射ビーム７を反発すること
により、反射ビーム７をファラデー箱３で完全に捕集す
ることが困難になる。このように、ファラデー箱３の内
面における汚れの蓄積によって、正確なビーム電流の測
定ができなくなるという問題があった。
積していくと、遂には、内面の全面に絶縁膜が形成さ
れ、反射ビーム７の持つ電荷が帯電してしまい、ビーム
電流測定部１１によりビーム電流としてカウントできな
くなる。さらに、次に来る反射ビーム７を反発すること
により、反射ビーム７をファラデー箱３で完全に捕集す
ることが困難になる。このように、ファラデー箱３の内
面における汚れの蓄積によって、正確なビーム電流の測
定ができなくなるという問題があった。
【０００６】そこで本発明は、フラグファラデーからの
反射ビームによる汚れが箱体の内面に蓄積し難くなるよ
うにしたイオン注入装置を提供することを目的とする。
反射ビームによる汚れが箱体の内面に蓄積し難くなるよ
うにしたイオン注入装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、イオン源から発生したイオンビームをフ
ラグファラデーに衝突させ、少なくともフラグファラデ
ーからの反射ビームを前記フラグファラデーを収容する
箱体で捕集することによりビーム電流を測定するビーム
電流測定手段を備えたイオン注入装置において、前記箱
体の内面に、前記フラグファラデーに対して直接対向す
る面と前記フラグファラデーに対して直接対向しない面
とを有する突起を設けたものである。
に、本発明は、イオン源から発生したイオンビームをフ
ラグファラデーに衝突させ、少なくともフラグファラデ
ーからの反射ビームを前記フラグファラデーを収容する
箱体で捕集することによりビーム電流を測定するビーム
電流測定手段を備えたイオン注入装置において、前記箱
体の内面に、前記フラグファラデーに対して直接対向す
る面と前記フラグファラデーに対して直接対向しない面
とを有する突起を設けたものである。
【０００８】また、本発明は、イオン源から発生したイ
オンビームをフラグファラデーに衝突させ、少なくとも
フラグファラデーからの反射ビームを前記フラグファラ
デーを収容する箱体で捕集することによりビーム電流を
測定するビーム電流測定手段を備えたイオン注入装置に
おいて、前記箱体の内面に、この箱体の内面の一部を前
記フラグファラデーからの直接反射ビームに対して遮蔽
する遮蔽手段を設けたものである。
オンビームをフラグファラデーに衝突させ、少なくとも
フラグファラデーからの反射ビームを前記フラグファラ
デーを収容する箱体で捕集することによりビーム電流を
測定するビーム電流測定手段を備えたイオン注入装置に
おいて、前記箱体の内面に、この箱体の内面の一部を前
記フラグファラデーからの直接反射ビームに対して遮蔽
する遮蔽手段を設けたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、従来は平面であった箱体の内
面に突起を設けることにより、突起のフラグファラデー
側の面は反射ビームの照射を受けて従来どおり汚れる
が、突起のフラグファラデーとは反対側の面は反射ビー
ムの照射の影となるため、汚れが蓄積することはない。
汚れが蓄積しないので、反射ビームの電荷が帯電するこ
とはなく、反射ビームをもれなく捕集し、ビーム電流を
正確にカウントすることができる。
面に突起を設けることにより、突起のフラグファラデー
側の面は反射ビームの照射を受けて従来どおり汚れる
が、突起のフラグファラデーとは反対側の面は反射ビー
ムの照射の影となるため、汚れが蓄積することはない。
汚れが蓄積しないので、反射ビームの電荷が帯電するこ
とはなく、反射ビームをもれなく捕集し、ビーム電流を
正確にカウントすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図１は実施例におけるファラデー系の概要を示す
断面図である。なお、前記従来例と同一の構成部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。
する。図１は実施例におけるファラデー系の概要を示す
断面図である。なお、前記従来例と同一の構成部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１１】本実施例においては、ファラデー箱３の内
面に複数の突起４が設けられている。これら突起４は、
フラグファラデー５に対して反対側に少し傾斜するよう
に形成され、フラグファラデー５に対して直接対向する
面４ａと直接対向しない面４ｂとを有している。そし
て、複数の突起４によって、ファラデー箱３の内面の一
部１０は、フラグファラデー５からの直接の反射ビーム
７に対して遮蔽されている。
面に複数の突起４が設けられている。これら突起４は、
フラグファラデー５に対して反対側に少し傾斜するよう
に形成され、フラグファラデー５に対して直接対向する
面４ａと直接対向しない面４ｂとを有している。そし
て、複数の突起４によって、ファラデー箱３の内面の一
部１０は、フラグファラデー５からの直接の反射ビーム
７に対して遮蔽されている。
【００１２】上記のように構成された本実施例によれ
ば、フラグファラデー５からの速度の大きい反射ビーム
７は、突起４のフラグファラデー５側の面４ａにのみ衝
突し、汚れもこの面４ａに集中するので、突起４のサプ
レッサ電極２側の面４ｂには、汚れが蓄積することはな
い。突起４への衝突によって速度が弱められた反射ビー
ム７は、突起４のサプレッサ電極２側の面４ｂで捕集さ
れる。従って、いつまでも、反射ビーム７の電荷を捕集
することができ、ビーム電流測定部１１によりビーム電
流を安定して測定することができる。
ば、フラグファラデー５からの速度の大きい反射ビーム
７は、突起４のフラグファラデー５側の面４ａにのみ衝
突し、汚れもこの面４ａに集中するので、突起４のサプ
レッサ電極２側の面４ｂには、汚れが蓄積することはな
い。突起４への衝突によって速度が弱められた反射ビー
ム７は、突起４のサプレッサ電極２側の面４ｂで捕集さ
れる。従って、いつまでも、反射ビーム７の電荷を捕集
することができ、ビーム電流測定部１１によりビーム電
流を安定して測定することができる。
【００１３】また、ファラデー箱３の内面の一部１０
は、突起４によってフラグファラデー５からの直接の反
射ビーム７に対して影となり、遮蔽されるので、この部
分１０も汚れが少なくなり、突起４で反射された反射ビ
ーム７は、ファラデー箱３自体によっても安定して捕集
される。
は、突起４によってフラグファラデー５からの直接の反
射ビーム７に対して影となり、遮蔽されるので、この部
分１０も汚れが少なくなり、突起４で反射された反射ビ
ーム７は、ファラデー箱３自体によっても安定して捕集
される。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フラグファラデーからの反射ビームによる箱体の内面の
汚れを一部分に集中させ、汚れの蓄積しない面を確保す
ることができるので、ビーム電流を安定して正確に測定
することができ、ビーム電流の測定誤差を最小にするこ
とができる。
フラグファラデーからの反射ビームによる箱体の内面の
汚れを一部分に集中させ、汚れの蓄積しない面を確保す
ることができるので、ビーム電流を安定して正確に測定
することができ、ビーム電流の測定誤差を最小にするこ
とができる。
【図１】本発明によるイオン注入装置の実施例における
ファラデー系の概要を示す断面図である。
ファラデー系の概要を示す断面図である。
【図２】従来のイオン注入装置におけるファラデー系の
概要を示す断面図である。
概要を示す断面図である。
１ イオンビーム ２ サプレッサ電極 ３ ファラデー箱 ４ 突起 ４ａ、４ｂ 突起の面 ５ フラグファラデー ６ プラテン ７ 反射ビーム ８ チャンバー ９ ターゲット １０ 突起により遮蔽された部分 １１ ビーム電流測定部
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン源から発生したイオンビームをフ
ラグファラデーに衝突させ、少なくともフラグファラデ
ーからの反射ビームを前記フラグファラデーを収容する
箱体で捕集することによりビーム電流を測定するビーム
電流測定手段を備えたイオン注入装置において、 前記箱体の内面に、前記フラグファラデーに対して直接
対向する面と前記フラグファラデーに対して直接対向し
ない面とを有する突起を設けたことを特徴とするイオン
注入装置。 - 【請求項２】 イオン源から発生したイオンビームをフ
ラグファラデーに衝突させ、少なくともフラグファラデ
ーからの反射ビームを前記フラグファラデーを収容する
箱体で捕集することによりビーム電流を測定するビーム
電流測定手段を備えたイオン注入装置において、 前記箱体の内面に、この箱体の内面の一部を前記フラグ
ファラデーからの直接反射ビームに対して遮蔽する遮蔽
手段を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5075288A JPH06267491A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5075288A JPH06267491A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267491A true JPH06267491A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13571902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5075288A Withdrawn JPH06267491A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267491A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100677046B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2007-02-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온 주입 장치 |
| JP2008060549A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-03-13 | Applied Materials Inc | イオン打ち込み装置用ビームストップ |
| CN106469635A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-03-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 离子注入装置 |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP5075288A patent/JPH06267491A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100677046B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2007-02-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온 주입 장치 |
| JP2008060549A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-03-13 | Applied Materials Inc | イオン打ち込み装置用ビームストップ |
| CN106469635A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-03-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 离子注入装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |