JPH06260859A - 電子回路の出力における電力を検出するためのデバイス - Google Patents

電子回路の出力における電力を検出するためのデバイス

Info

Publication number
JPH06260859A
JPH06260859A JP5306614A JP30661493A JPH06260859A JP H06260859 A JPH06260859 A JP H06260859A JP 5306614 A JP5306614 A JP 5306614A JP 30661493 A JP30661493 A JP 30661493A JP H06260859 A JPH06260859 A JP H06260859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
transistor
network
electronic circuit
matching network
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5306614A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerard Pataut
ジエラール・パトー
Stefan Dietsche
シユテフアン・デイートシエ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THOMSON C S F SEMIKONDEYUKUTAALE SUPESHIFUITSUKU
Teledyne e2v Semiconductors SAS
Original Assignee
THOMSON C S F SEMIKONDEYUKUTAALE SUPESHIFUITSUKU
Thomson SCF Semiconducteurs Specifiques
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THOMSON C S F SEMIKONDEYUKUTAALE SUPESHIFUITSUKU, Thomson SCF Semiconducteurs Specifiques filed Critical THOMSON C S F SEMIKONDEYUKUTAALE SUPESHIFUITSUKU
Publication of JPH06260859A publication Critical patent/JPH06260859A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/10Arrangements for measuring electric power or power factor by using square-law characteristics of circuit elements, e.g. diodes, to measure power absorbed by loads of known impedance

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、出力に供給される電力の検出を必
要とする電子回路のサーボ制御に関する。 【構成】 デバイスは本質的に、回路出力のアースGと
整合ネットワーク11、12との間に装着されたバイア
ス電圧Vdsゼロの電界効果トランジスタ13からなる。
該トランジスタは、コンデンサ又はダイオードのように
挙動する。トランジスタとネットワークとの間に接続さ
れた低域フィルタ14、15、16は検出用電圧Vdet
を供給する。マイクロ波回路に使用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも1つの電界
効果トランジスタと1つの整合ネットワークとを出力に
有する電力増幅器のような電子回路の出力電力検出用デ
バイスに関する。
【0002】
【従来の技術】出力での整合ネットワークとは、回路の
電気特性を改善又は整合させるためのネットワークを意
味する。整合ネットワークは、例えばインピーダンス整
合ネットワークであってもよいし、又は規格に規定され
ているように第二調波で短絡せねばならないか若しくは
第三調波で開路状態になければならない増幅器(例えば
F級増幅器)の出力若しくは周波数発生器での調波除去
(rejection)ネットワークであってもよい。
一般に、電子回路が、仕様にマッチするために、本質的
に抵抗器と誘導子とコンデンサとからなるネットワーク
を出力に持たないことは非常に稀である。
【0003】本発明のデバイスは、マイクロ波範囲(1
〜数十GHZ)の用途のために設計されたが、それより
も低周波数で作動する回路に適用することもできる。
【0004】
【発明が解決しようする課題】このデバイスの目的は、
回路の出力端子に存在する電力を検出することである。
検出信号は、例えば休止状態であった電気信号を起動さ
せるか又はトランジスタの給電をサーボ制御するか又は
アラーム信号を発生させるために使用し得る。
【0005】電力検出機能はよく知られており、安定化
電流又は電圧供給への応用は非常に普及している。その
原理を図1に示す。入力端子“i”と出力端子“o”と
の間に供給される電流の変調を可能とする増幅器のよう
な電子回路1を含むアセンブリでは、この電流Iは、高
抵抗2の端子で生成される電圧によって検出される。電
流Iの検出用電圧Vdetは実際にはダイオード3のアノ
ードで得られる。検出出力での高抵抗5は測定装置のイ
ンピーダンスを整合させる。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のデバイスでは、
電力検出は、少なくとも1つの誘導子と1つのコンデン
サとを含む整合ネットワークと一体化された電界効果ト
ランジスタを介して行われる。このトランジスタは2つ
の仕様に適合する。即ち、ゲートは接地され、且つトラ
ンジスタはバイアスされていない。その結果、トランジ
スタは回路で電流を検出すればコンデンサのように挙動
し、検出しなければダイオードのように挙動する。電界
効果コンデンサは、その等価キャパシタンスによって整
合ネットワークに関与する。
【0007】本発明は特に、マイクロ波の範囲で作動す
る電子回路の出力における電力を検出するためのデバイ
スであって、出力とアースとの間に整合デバイスを含
み、整合ネットワークに組み込まれ且つ前記ネットワー
クとアースとの間に装着されるデバイスに関する。
【0008】
【実施例】添付図面を参照して以下の例示的な実施例の
説明を読めば本発明が更によく理解されるであろう。
【0009】本発明のデバイスは、ある程度の量の電力
が流れる任意の回路に適用し得る。しかしながら、本発
明をより明確に説明するために、明確な仕様に基づいて
作動する前述の増幅器の例、例えば周波数除去フィルタ
を出力に備えるべきであると仕様で規定されているF級
増幅器に基づいて説明する。
【0010】図2はこのような増幅器を示す。この増幅
器は、電界効果トランジスタ6によって簡単に記号で表
される。信号はそのゲート“i”で入力され、増幅され
た信号は出力“o”で、場合によっては結合コンデンサ
10を通じてトランジスタのドレインで収集される。ゲ
ートバイアス電圧Vgs及びドレインバイアス電圧Vds
減結合回路はその誘導子7、8で示され、9のような補
助回路は、周波数フィルタ又はインピーダンス整合フィ
ルタとして作動し得る。
【0011】この増幅器について規定された仕様に適合
するために、増幅器は更に、調波除去ネットワークを出
力に有する。この調波除去ネットワークは少なくとも1
つの誘導子11と1つのコンデンサ12とを有する。通
常このネットワークは、本発明の範囲外ではあるが、接
地されており、それによって、基本周波数での結合の設
定及び増幅器の出力に存在する第二調波又はそれ以上の
高調波の選択が可能となる。例えば前記ネットワークは
第二調波では短絡するが、第三調波では開路状態であ
る。
【0012】しかしながら本発明によれば、この調波除
去ネットワーク11+12は、ゲートGが接地され、ソ
ースSとドレインDとが短絡した電界効果トランジスタ
13と直列に接続されている。従って、このトランジス
タ13はドレイン−ソースバイアス電圧がゼロのトラン
ジスタであり、バイアスされていない。
【0013】増幅器の出力“o”に供給される電力は、
抵抗器14、15とコンデンサ16とによって形成され
る低域フィルタを介して検出される。この低域フィルタ
は、除去ネットワークのコンデンサ12とトランジスタ
13との間に接続され、且つ増幅器の出力“o”の電力
検出用信号Vdetを出力に供給する。
【0014】除去ネットワークによって濾波される調波
に関しては、ドレイン−ソース電圧Vdsゼロのバイアス
された電界効果トランジスタ13は、図3に示す如く本
質的にコンデンサのように挙動する。図3は、“コール
ド”トランジスタと呼ばれるトランジスタ、即ちソース
電極とドレイン電極とが短絡しているためにVdsがゼロ
のトランジスタの電気図を示す。このようなトランジス
タの等価図は、本質的にCgdと並列なコンデンサCgs
あり、等価回路図を完成するためにCgdに入力寄生(p
arasitic)コンデンサCpeを加える必要があ
る。従って、n>2の高調波の場合、調波周波数除去ネ
ットワークは、誘導子11、及びコンデンサ12と“コ
ールド”トランジスタ13のコンデンサとの合計(Cgs
+Cgd+Cpe)に等しい等価コンデンサCeqからなる。
【0015】除去ネットワーク11+12によって濾波
されない基本周波数での信号の場合、図4に示す非線形
図をトランジスタ13について考慮せねばならない。
【0016】基本周波数での信号のごく一部分は、除去
フィルタ11+12を通過する。出力“o”に供給され
る電力に比例する電流を与えるには、トランジスタ13
に加えられる基本周波数信号の振幅がこのように低いだ
けで十分である。この検出電流は図4では電流Idg,I
gsの合計で表されている。これらの電流は図3の等価図
には存在しない。抵抗器14、15のネットワークによ
って、出力“o”に存在する電力に比例する電圧Vdet
に変換される電力検出用電流を与えるのは本質的に
dg,Igsである。
【0017】除去ネットワーク11+12は、基本周波
数での損失を検査し且つ調波除去を設定するために使用
し得る。検出ネットワーク14+15+16は低域フィ
ルタである。このネットワークはマイクロ波範囲では影
響を与えない。同様に検出器たるトランジスタ13は出
力から分離される。トランジスタは作動中、妨害をほと
んど発生せず、且つ検出器としては出力“o”で得られ
る電力の僅かな損失しか引き起こさない。
【0018】基本周波数の他に少なくとも一つの調波を
有する増幅器の例を参照して本発明を説明した。同一の
電力検出用デバイスが、混合器、発振器等のような他の
電子機能に使用し得ることは当業者には自明である。
【0019】調波除去ネットワークに組み込まれる本発
明の検出用デバイスを、基本周波数との調波率(har
monic ratio)を持たない濾波ネットワーク
に組み込み得ることも明白である。
【0020】最後に、少なくとも検出用デバイスの素子
は必ずしも図示する如き集中型素子である必要はなく、
分散型素子であってもよい。
【0021】本発明のデバイスは、単一のネットワーク
に除去及び検出の機能を含み且つマイクロ波技術の製造
段階に完全に適合し得るという利点を有する。
【0022】当該デバイスは素子の数が少なく、このこ
とは、これらの素子が出力でほとんど損失を引き起こさ
ず、ネットワーク11+12によって設定される検出ネ
ットワークと出力との結合が弱いことを意味している。
従って制御システムが増幅器であれ、発振器であれ、そ
の動作を妨害しない。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術の電力検出の略図である。
【図2】本発明の電力検出用デバイスを示す図である。
【図3】非バイアス化トランジスタの等価電気回路図で
ある。
【図4】電界効果トランジスタの非線形電気回路図であ
る。
【符号の説明】
6、13 電界効果トランジスタ 7、8、11 誘導子 10、12、16 コンデンサ 14、15 抵抗

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクロ波の範囲で作動する電子回路の
    出力における電力を検出するためのデバイスであって、
    出力とアースとの間に整合デバイスを含み、整合ネット
    ワークに組み込まれ且つ前記ネットワークとアースとの
    間に装着されることを特徴とするデバイス。
  2. 【請求項2】 整合ネットワークが除去デバイスであり
    且つ少なくとも1つの誘導子と1つのコンデンサとを含
    んでいる請求項1に記載のデバイス。
  3. 【請求項3】 ドレイン/ソースバイアスがゼロであり
    アースにゲートを有し短絡されたドレイン及びソースを
    有し、且つ整合ネットワークに接続された検出用電界効
    果トランジスタを備え、更に、検出用トランジスタと整
    合ネットワークとの共通点に接続され、且つ電子回路の
    出力に供給される電流に比例する検出用電圧を出力に供
    給する低域フィルタを備えている請求項2に記載のデバ
    イス。
  4. 【請求項4】 整合ネットワークの素子の値が、検出用
    デバイスと電子回路の出力との結合の設定を可能とする
    請求項3に記載のデバイス。
JP5306614A 1992-12-11 1993-12-07 電子回路の出力における電力を検出するためのデバイス Pending JPH06260859A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9214950 1992-12-11
FR9214950A FR2699285B1 (fr) 1992-12-11 1992-12-11 Dispositif de détection de puissance sur la sortie d'un circuit électronique.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06260859A true JPH06260859A (ja) 1994-09-16

Family

ID=9436484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5306614A Pending JPH06260859A (ja) 1992-12-11 1993-12-07 電子回路の出力における電力を検出するためのデバイス

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5418449A (ja)
EP (1) EP0601926A1 (ja)
JP (1) JPH06260859A (ja)
FR (1) FR2699285B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000312122A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Fujitsu Quantum Devices Ltd 高周波入力整合回路装置及び高周波出力整合回路装置及び、半導体集積回路
DE60032232T2 (de) * 2000-08-24 2007-09-20 Sony Deutschland Gmbh FET-Transistor mit Leistungsdetektor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143330A (en) * 1976-12-09 1979-03-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Detector circuit
US4431965A (en) * 1981-04-16 1984-02-14 The Narda Microwave Corporation Microwave radiation monitor
US4647848A (en) * 1984-03-05 1987-03-03 Tektronix, Inc. Broadband RF power detector using FET
US4794325A (en) * 1985-05-29 1988-12-27 Wavetek Corporation Calibrated power detector
DE4132257A1 (de) * 1991-09-27 1993-04-01 Burkhard Prof Dr Ing Schiek Leistungsdetektor zur anwendung in der hochfrequenztechnik

Also Published As

Publication number Publication date
FR2699285B1 (fr) 1995-01-06
FR2699285A1 (fr) 1994-06-17
EP0601926A1 (fr) 1994-06-15
US5418449A (en) 1995-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6452372B1 (en) Duet jfet rf oscillator-detector for flow cytometer
KR910009088B1 (ko) 온도 안정 rf 검출기
US5079454A (en) Temperature compensated FET power detector
KR950022036A (ko) 동기 비디오 검출기용 제어발진기
US4193046A (en) Piezo-electric oscillators with automatic gain control
JP3361582B2 (ja) 交流信号処理回路を具える装置
JPH06260859A (ja) 電子回路の出力における電力を検出するためのデバイス
US6486683B1 (en) Variable reactance position detector
US7528672B2 (en) Oscillator arrangement having increased EMI robustness
US20040017273A1 (en) Tuning circuit
JP2002022785A (ja) インピーダンス検出回路及びインピーダンス検出方法
JPH0158893B2 (ja)
JP3179838B2 (ja) ノイズ検出回路
US6556050B2 (en) High speed signal window detection
US5459417A (en) Apparatus for detecting DC content of an AC waveform
WO1999037019A1 (en) Detector circuit
US4437069A (en) Low noise tuned amplifier
US7535303B1 (en) Active LC filter damping circuit with galvanic isolation
EP1153279B1 (en) Solid state rf oscillator-detector for flow cytometer
JPS62216506A (ja) 周波数弁別器
JPH02130431A (ja) 焦電型赤外線センサ
US20040140843A1 (en) Integrator circuit
JPS6046884B2 (ja) バランストミキサ
JP2656875B2 (ja) 中間周波信号形成回路
TW395083B (en) Variable gain amplifier