JPH06260458A - ウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法 - Google Patents
ウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法Info
- Publication number
- JPH06260458A JPH06260458A JP5043693A JP4369393A JPH06260458A JP H06260458 A JPH06260458 A JP H06260458A JP 5043693 A JP5043693 A JP 5043693A JP 4369393 A JP4369393 A JP 4369393A JP H06260458 A JPH06260458 A JP H06260458A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- positioning
- wafer polishing
- wafer
- polishing plate
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハの汚染やプレート製造コストの上昇
を招くことなく、確実にプレートの位置決めを行うこと
のできるウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法を
提供する。 【構成】 光源１０から、プレート４の接線Ａに対して
略30度の角度で外周部４ａに平行光線Ｃを照射し、接線
Ａに対して直角な半径方向から光センサー１１によって
反射光Ｂを測定する。位置決め用溝４ｂが、光センサー
１１の前方を横切ると、光源１０からの平行光線Ｃが斜
めに照射されているため、位置決め用溝４ｂ内に影が生
じ、光センサー１１への入射光量が低下するので、位置
決め用溝４ｂの通過が検知される。
を招くことなく、確実にプレートの位置決めを行うこと
のできるウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法を
提供する。 【構成】 光源１０から、プレート４の接線Ａに対して
略30度の角度で外周部４ａに平行光線Ｃを照射し、接線
Ａに対して直角な半径方向から光センサー１１によって
反射光Ｂを測定する。位置決め用溝４ｂが、光センサー
１１の前方を横切ると、光源１０からの平行光線Ｃが斜
めに照射されているため、位置決め用溝４ｂ内に影が生
じ、光センサー１１への入射光量が低下するので、位置
決め用溝４ｂの通過が検知される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば、Ｓｉウェー
ハの片面研磨装置などに使用されるウェーハポリシュ用
プレートの位置決め方法に関する。
ハの片面研磨装置などに使用されるウェーハポリシュ用
プレートの位置決め方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程に
おけるＳｉウェーハの研磨には、ウェーハポリシュ用プ
レート（以下、「プレート」という。）に貼付けられた
Ｓｉウェーハを、研磨布が設けられた回転する研磨定盤
に押付けて研磨する片面研磨装置が用いられている。
おけるＳｉウェーハの研磨には、ウェーハポリシュ用プ
レート（以下、「プレート」という。）に貼付けられた
Ｓｉウェーハを、研磨布が設けられた回転する研磨定盤
に押付けて研磨する片面研磨装置が用いられている。
【０００３】図４は、このような、Ｓｉウェーハの片面
研磨装置の概略構成を示すもので、図において１は回転
自在に構成された研磨定盤であり、この研磨定盤上に
は、研磨布２が配設されている。また、この研磨定盤１
の上部には、図５に示すように複数枚（この例では４
枚）のＳｉウェーハ３が貼付けられたプレート４が、プ
レッシャリング５を介して加圧ヘッド６に係止されてい
る。そして、Ｓｉウェーハ３を研磨布２に押圧しつつ研
磨定盤１およびプレート４を回転させることにより、Ｓ
ｉウェーハ３の研磨を行うように構成されている。
研磨装置の概略構成を示すもので、図において１は回転
自在に構成された研磨定盤であり、この研磨定盤上に
は、研磨布２が配設されている。また、この研磨定盤１
の上部には、図５に示すように複数枚（この例では４
枚）のＳｉウェーハ３が貼付けられたプレート４が、プ
レッシャリング５を介して加圧ヘッド６に係止されてい
る。そして、Ｓｉウェーハ３を研磨布２に押圧しつつ研
磨定盤１およびプレート４を回転させることにより、Ｓ
ｉウェーハ３の研磨を行うように構成されている。
【０００４】上述したプレート４を、その円周方向（回
転方向）の定まった位置に位置決めする際、従来におい
ては、プレート４の側面に形成された溝を接触式センサ
ーにより検知する方法、および、プレート側面に印刷し
た黒色ラインあるいは加工溝に黒色セラミックスを埋め
込んで形成した黒色ラインを、光学式非接触センサーで
検知する方法が用いられている。
転方向）の定まった位置に位置決めする際、従来におい
ては、プレート４の側面に形成された溝を接触式センサ
ーにより検知する方法、および、プレート側面に印刷し
た黒色ラインあるいは加工溝に黒色セラミックスを埋め
込んで形成した黒色ラインを、光学式非接触センサーで
検知する方法が用いられている。
【０００５】しかしながら、上述した接触式センサーに
よる方法の場合、発塵が起こりウェーハを汚染するとい
う問題がある。また、確実な位置決めを行うためには、
溝を大きくしなければならないが、溝を大きくするとゴ
ミ滞留が発生し、さらにウェーハの汚染を招くという問
題がある。
よる方法の場合、発塵が起こりウェーハを汚染するとい
う問題がある。また、確実な位置決めを行うためには、
溝を大きくしなければならないが、溝を大きくするとゴ
ミ滞留が発生し、さらにウェーハの汚染を招くという問
題がある。
【０００６】一方、非接触式センサー検知の場合は、プ
レートが、強アルカリ、希弗酸（ポリッシュ加工、洗浄
作業などの際）に晒されるため、プレート側面に印刷し
た黒線ラインが薄くなり位置決めが困難になるという問
題があり、また、このような問題を避けるために黒色セ
ラミックスを埋め込んで黒色ラインを形成すると、プレ
ート製造コストが上昇してしまうという問題があった。
レートが、強アルカリ、希弗酸（ポリッシュ加工、洗浄
作業などの際）に晒されるため、プレート側面に印刷し
た黒線ラインが薄くなり位置決めが困難になるという問
題があり、また、このような問題を避けるために黒色セ
ラミックスを埋め込んで黒色ラインを形成すると、プレ
ート製造コストが上昇してしまうという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の方法では、確実に位置決めを行おうとすると、ウェー
ハの汚染やプレート製造コストの上昇を招く等の問題が
あった。
の方法では、確実に位置決めを行おうとすると、ウェー
ハの汚染やプレート製造コストの上昇を招く等の問題が
あった。
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、ウェーハの汚染やプレート製造コストの
上昇を招くことなく、確実にプレートの位置決めを行う
ことのできるＳｉウェーハポリシュ用プレートの位置決
め方法を提供することを目的とする。
されたもので、ウェーハの汚染やプレート製造コストの
上昇を招くことなく、確実にプレートの位置決めを行う
ことのできるＳｉウェーハポリシュ用プレートの位置決
め方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のプレートの位置
決め方法は、複数枚のウェーハが配置されるウェーハポ
リシュ用プレートの円周方向位置を位置決めするにあた
り、前記ウェーハポリシュ用プレートの外周部に予め位
置決め用溝を配設しておき、前記ウェーハポリシュ用プ
レートを円周方向に回転させつつ、該ウェーハポリシュ
用プレートの外周部に、斜めに光ビームを照射し、前記
外周部からの反射光を測定して前記位置決め用溝によっ
て形成された影を検出し、この影の位置によって前記ウ
ェーハポリシュ用プレートの円周方向の位置決めを行う
ことを特徴とする。
決め方法は、複数枚のウェーハが配置されるウェーハポ
リシュ用プレートの円周方向位置を位置決めするにあた
り、前記ウェーハポリシュ用プレートの外周部に予め位
置決め用溝を配設しておき、前記ウェーハポリシュ用プ
レートを円周方向に回転させつつ、該ウェーハポリシュ
用プレートの外周部に、斜めに光ビームを照射し、前記
外周部からの反射光を測定して前記位置決め用溝によっ
て形成された影を検出し、この影の位置によって前記ウ
ェーハポリシュ用プレートの円周方向の位置決めを行う
ことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成の本発明のウェーハポリシュ用プレー
トの位置決め方法では、プレート外周に予め位置決め用
溝を配設しておき、プレート外周に、斜めに光ビームを
照射する。これによって、位置決め用溝内に影が形成さ
れ反射光を測定することによって、位置決め用溝を検知
することができる。
トの位置決め方法では、プレート外周に予め位置決め用
溝を配設しておき、プレート外周に、斜めに光ビームを
照射する。これによって、位置決め用溝内に影が形成さ
れ反射光を測定することによって、位置決め用溝を検知
することができる。
【００１１】なお、本発明においては、光ビームの照射
角は、プレートの接線方向に対して25〜35度の角度が好
ましい。この照射角を、25度未満あるいは、35度を超え
る角度とすると、位置決め用溝内に影が発生し難くなっ
たり、コントラストを大きくとれなくなってしまうため
である。
角は、プレートの接線方向に対して25〜35度の角度が好
ましい。この照射角を、25度未満あるいは、35度を超え
る角度とすると、位置決め用溝内に影が発生し難くなっ
たり、コントラストを大きくとれなくなってしまうため
である。
【００１２】また、位置決め用溝は、プレート外周に縦
にスリット状の切り込みを設けること等によって形成す
る。また、その寸法は深さは0.3 mm〜0.5 mm、幅は約 1
mm程度とすることが好ましい。この位置決め用溝が大き
過ぎるとゴミ滞留が発生しやすく、溝が小さ過ぎると位
置検出の確実性が低下する。
にスリット状の切り込みを設けること等によって形成す
る。また、その寸法は深さは0.3 mm〜0.5 mm、幅は約 1
mm程度とすることが好ましい。この位置決め用溝が大き
過ぎるとゴミ滞留が発生しやすく、溝が小さ過ぎると位
置検出の確実性が低下する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例方法を説明する
ための図であり、図２はこの方法に用いるプレートの構
成を示す斜視図、図３はプレートの位置決め用溝部Ｘを
拡大して示す図である。
ための図であり、図２はこの方法に用いるプレートの構
成を示す斜視図、図３はプレートの位置決め用溝部Ｘを
拡大して示す図である。
【００１５】図２および図３に示すように、プレート４
は円板状に形成されており、その外周部４ａには、縦方
向にスリット状の切り込みを入れるようにして形成され
た位置決め用溝４ｂが設けられている。本実施例では、
プレート４は８インチのＳｉウェーハを4 枚保持可能と
されており、その大きさはφ576mm ×20mmである。この
場合、各Ｓｉウェーハは、プレート４の外周から5mm 程
度内側に配置される。また、位置決め用溝４ｂは、深さ
0.4 mm、幅 1mmとされており、エッヂがＲ状に形成され
ている。
は円板状に形成されており、その外周部４ａには、縦方
向にスリット状の切り込みを入れるようにして形成され
た位置決め用溝４ｂが設けられている。本実施例では、
プレート４は８インチのＳｉウェーハを4 枚保持可能と
されており、その大きさはφ576mm ×20mmである。この
場合、各Ｓｉウェーハは、プレート４の外周から5mm 程
度内側に配置される。また、位置決め用溝４ｂは、深さ
0.4 mm、幅 1mmとされており、エッヂがＲ状に形成され
ている。
【００１６】このように構成されたプレート４は、図５
に示したように、８インチウェーハが4 枚均等に貼付け
られ、図４に示した片面研磨装置等に配置される。な
お、この場合、加圧ヘッドによる加工圧は、400 ｇ／ｃ
ｍ2 程度であり、プレッシャリングは外径φ466 、内径
φ266 、幅100 mm程度とされる。
に示したように、８インチウェーハが4 枚均等に貼付け
られ、図４に示した片面研磨装置等に配置される。な
お、この場合、加圧ヘッドによる加工圧は、400 ｇ／ｃ
ｍ2 程度であり、プレッシャリングは外径φ466 、内径
φ266 、幅100 mm程度とされる。
【００１７】上記構成のプレート４を用いて、本実施例
では、次のようにして位置決めを行う。
では、次のようにして位置決めを行う。
【００１８】すなわち、図１に示すように、前工程より
搬送されてくるプレート４は、モーターにより駆動され
るタンテーブル（図示せず）上に配置され、中心Ｏを回
転軸として図中矢印θで示すように回転される。
搬送されてくるプレート４は、モーターにより駆動され
るタンテーブル（図示せず）上に配置され、中心Ｏを回
転軸として図中矢印θで示すように回転される。
【００１９】また、光源１０から、プレート４の接線Ａ
に対して略30度の角度で外周部４ａに平行光線Ｃを照射
し、接線Ａに対して直角な半径方向から光センサー１１
によって反射光Ｂを測定する。
に対して略30度の角度で外周部４ａに平行光線Ｃを照射
し、接線Ａに対して直角な半径方向から光センサー１１
によって反射光Ｂを測定する。
【００２０】この時、通常時は、プレート４の外周部４
ａからの反射光Ｂが光センサー１１に入射し、位置決め
用溝４ｂが、光センサー１１の前方を横切ると、光源１
０からの平行光線Ｃが斜めに照射されているため、位置
決め用溝４ｂ内に影が生じ、光センサー１１への入射光
量が低下する。したがって、光センサー１１の出力信号
の変化から位置決め用溝４ｂの通過を検知することがで
きる。
ａからの反射光Ｂが光センサー１１に入射し、位置決め
用溝４ｂが、光センサー１１の前方を横切ると、光源１
０からの平行光線Ｃが斜めに照射されているため、位置
決め用溝４ｂ内に影が生じ、光センサー１１への入射光
量が低下する。したがって、光センサー１１の出力信号
の変化から位置決め用溝４ｂの通過を検知することがで
きる。
【００２１】この時、プレート４の回転を停止させるこ
とにより、位置決め用溝４ｂが光センサー１１の前方に
位置する方向にプレート４の回転方向位置を位置決めす
ることができる。
とにより、位置決め用溝４ｂが光センサー１１の前方に
位置する方向にプレート４の回転方向位置を位置決めす
ることができる。
【００２２】以上のように、本実施例では、非接触でプ
レート４の位置決めを行うことができるので、発塵がな
く、ウェーハが汚染されることを防止することができ
る。また、コントラストが大きくとれるため、比較的小
さな位置決め用溝４ｂを設けるだけで長期間に亘り確実
に位置決めを行うことができ、プレート製造コストの上
昇を招くこともない。
レート４の位置決めを行うことができるので、発塵がな
く、ウェーハが汚染されることを防止することができ
る。また、コントラストが大きくとれるため、比較的小
さな位置決め用溝４ｂを設けるだけで長期間に亘り確実
に位置決めを行うことができ、プレート製造コストの上
昇を招くこともない。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ウ
ェーハの汚染やプレート製造コストの上昇を招くことな
く、確実にプレートの位置決めを行うことができる。
ェーハの汚染やプレート製造コストの上昇を招くことな
く、確実にプレートの位置決めを行うことができる。
【図１】本発明の一実施例のウェーハポリシュ用プレー
トの位置決め方法を説明するための図。
トの位置決め方法を説明するための図。
【図２】本発明の一実施例に用いるウェーハポリシュ用
プレートの構成を示す図。
プレートの構成を示す図。
【図３】図２のウェーハポリシュ用プレートの位置決め
用溝部を拡大して示す図。
用溝部を拡大して示す図。
【図４】Ｓｉウェーハの片面研磨装置の構成を示す図。
【図５】Ｓｉウェーハが貼付けられたプレートを示す
図。
図。
４……プレート、４ａ……プレートの外周部、４ｂ……
位置決め用溝、１０……光源、１１……光センサー、Ａ
……プレートの接線、Ｂ……反射光、Ｃ……平行光線。
位置決め用溝、１０……光源、１１……光センサー、Ａ
……プレートの接線、Ｂ……反射光、Ｃ……平行光線。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数枚のウェーハが配置されるウェーハ
ポリシュ用プレートの円周方向位置を位置決めするにあ
たり、 前記ウェーハポリシュ用プレートの外周部に予め位置決
め用溝を配設しておき、前記ウェーハポリシュ用プレー
トを円周方向に回転させつつ、該ウェーハポリシュ用プ
レートの外周部に、斜めに光ビームを照射し、前記外周
部からの反射光を測定して前記位置決め用溝によって形
成された影を検出し、この影の位置によって前記ウェー
ハポリシュ用プレートの円周方向の位置決めを行うこと
を特徴とするウェーハポリシュ用プレートの位置決め方
法。 - 【請求項２】 ウェーハポリシュ用プレートの外周部
に、接線に対して25〜35度の角度で光ビームを照射する
ことを特徴とする請求項１記載のウェーハポリシュ用プ
レートの位置決め方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043693A JPH06260458A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043693A JPH06260458A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260458A true JPH06260458A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12670918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5043693A Withdrawn JPH06260458A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ウェーハポリシュ用プレートの位置決め方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260458A (ja) |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP5043693A patent/JPH06260458A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |