JPH0625843A - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び薄膜形成装置Info
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- JPH0625843A JPH0625843A JP18004192A JP18004192A JPH0625843A JP H0625843 A JPH0625843 A JP H0625843A JP 18004192 A JP18004192 A JP 18004192A JP 18004192 A JP18004192 A JP 18004192A JP H0625843 A JPH0625843 A JP H0625843A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、膜質や均一性に優れた薄膜を得るこ
とを目的とする。 【構成】スパッタリングを行なう薄膜形成室１と、この
薄膜形成室１にＡｒガスを供給するためのスパッタリン
グガス供給部６ａと、ラジカル形成室７に水素ガスを供
給するためのラジカル原料ガス供給部６ｂと、水素ガス
をラジカル化して薄膜形成室１に水素ラジカルを供給す
るためのラジカル形成室７と、薄膜形成室１内のガスを
排気するためのガス排気部４とを備えていることを特徴
とする薄膜形成装置。
とを目的とする。 【構成】スパッタリングを行なう薄膜形成室１と、この
薄膜形成室１にＡｒガスを供給するためのスパッタリン
グガス供給部６ａと、ラジカル形成室７に水素ガスを供
給するためのラジカル原料ガス供給部６ｂと、水素ガス
をラジカル化して薄膜形成室１に水素ラジカルを供給す
るためのラジカル形成室７と、薄膜形成室１内のガスを
排気するためのガス排気部４とを備えていることを特徴
とする薄膜形成装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法を用
いた薄膜の形成方法及びそれに用いる薄膜形成装置に関
する。
いた薄膜の形成方法及びそれに用いる薄膜形成装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路の進展に伴って、
テバイスの微細化や高集積化が要求され、その実現のた
めにスパッタリングによる薄膜の成膜法が注目されてい
る。
テバイスの微細化や高集積化が要求され、その実現のた
めにスパッタリングによる薄膜の成膜法が注目されてい
る。
【０００３】スパッタリングには、タ―ゲット側の電極
に直流電圧を印加するＤＣスパッタリングや、タ―ゲッ
ト側の電極に高周波電圧（通常は１３．５６ＭＨｚの電
圧）交流を印加するＲＦスパッタリングなどがある。ま
た、均一なスパッタリングを行なうために、プラズマの
領域を磁界により限定するようにした、いわゆる、マグ
ネトロンスパッタリング装置という磁石を備えたスパッ
タリング装置もある。このようなスパッタリング装置に
おいては、良好な膜質を得るために、不純物、例えば、
大気中の窒素、酸素などの影響を抑える目的で、収容室
と膜形成室との間にバッファ―室を備えたロ―ドロック
方式のスパッタリング装置が開発されている。しかしな
がら、このような装置を用いても、不純物、特に、反応
性に富んでいる酸素と薄膜材料との反応の抑制が不十分
であったので、良質な薄膜を得るのが困難であった。
に直流電圧を印加するＤＣスパッタリングや、タ―ゲッ
ト側の電極に高周波電圧（通常は１３．５６ＭＨｚの電
圧）交流を印加するＲＦスパッタリングなどがある。ま
た、均一なスパッタリングを行なうために、プラズマの
領域を磁界により限定するようにした、いわゆる、マグ
ネトロンスパッタリング装置という磁石を備えたスパッ
タリング装置もある。このようなスパッタリング装置に
おいては、良好な膜質を得るために、不純物、例えば、
大気中の窒素、酸素などの影響を抑える目的で、収容室
と膜形成室との間にバッファ―室を備えたロ―ドロック
方式のスパッタリング装置が開発されている。しかしな
がら、このような装置を用いても、不純物、特に、反応
性に富んでいる酸素と薄膜材料との反応の抑制が不十分
であったので、良質な薄膜を得るのが困難であった。
【０００４】また、最近、Ａｒガス等のスパッタリング
ガスとチタン等の反応性ガスとを混合し、スパッタリン
グと同時に反応性ガスを分解して、タ−ゲット材料の原
子と反応性ガスを反応させながら成膜を行なう、いわゆ
る、反応性スパッタリングが注目されている。これは通
常のスパッタリングでは形成が困難な利用価値の高い化
合物薄膜、例えば、バリアメタルとしてのＴｉＮ薄膜
や、太陽電池，液晶表示装置等の電極材料としてのＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）薄膜などを容易に形成できるか
らである。
ガスとチタン等の反応性ガスとを混合し、スパッタリン
グと同時に反応性ガスを分解して、タ−ゲット材料の原
子と反応性ガスを反応させながら成膜を行なう、いわゆ
る、反応性スパッタリングが注目されている。これは通
常のスパッタリングでは形成が困難な利用価値の高い化
合物薄膜、例えば、バリアメタルとしてのＴｉＮ薄膜
や、太陽電池，液晶表示装置等の電極材料としてのＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）薄膜などを容易に形成できるか
らである。
【０００５】しかしながら、反応性ガスの分解は、タ−
ゲットにおける放電により行なわれるので、スパッタ膜
中の応性ガスの混入量は、放電電流やタ−ゲットの状態
に大きく依存する。
ゲットにおける放電により行なわれるので、スパッタ膜
中の応性ガスの混入量は、放電電流やタ−ゲットの状態
に大きく依存する。
【０００６】即ち、反応性ガスを安定・一様に分解する
のが困難になり、膜質が均一な薄膜が得られないという
問題があった。
のが困難になり、膜質が均一な薄膜が得られないという
問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のス
パッタリングによる薄膜の成膜においては、不純物と薄
膜材料との反応で膜質が劣化するという問題があった。
また、反応性スパッタリングにおいては、安定・一様な
反応ガスの分解が難しかったので、膜質が均一な薄膜が
得られないという問題があった。
パッタリングによる薄膜の成膜においては、不純物と薄
膜材料との反応で膜質が劣化するという問題があった。
また、反応性スパッタリングにおいては、安定・一様な
反応ガスの分解が難しかったので、膜質が均一な薄膜が
得られないという問題があった。
【０００８】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、高品質な薄膜を得るこ
とができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供するこ
とにある。
ので、その目的とするところは、高品質な薄膜を得るこ
とができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、不純物
を除去するためのラジカルや、薄膜材料となるラジカル
を薄膜形成室に供給することにある。
を除去するためのラジカルや、薄膜材料となるラジカル
を薄膜形成室に供給することにある。
【００１０】即ち、上記の目的を達成するために、本発
明の薄膜形成方法は、スパッタリングを行なう薄膜形成
室の不純物を除去するためのラジカル又は薄膜材料とな
るラジカルの少くとも一方のラジカルを生成する工程
と、このラジカルとスパッタリングガスとを前記薄膜形
成室に供給し、スパッタリングを行なう工程とを備えて
いることを特徴とする。
明の薄膜形成方法は、スパッタリングを行なう薄膜形成
室の不純物を除去するためのラジカル又は薄膜材料とな
るラジカルの少くとも一方のラジカルを生成する工程
と、このラジカルとスパッタリングガスとを前記薄膜形
成室に供給し、スパッタリングを行なう工程とを備えて
いることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の薄膜形成装置は、スパッタ
リングを行なう薄膜形成室と、この薄膜形成室にスパッ
タリングガスを供給するためのスパッタリングガス供給
部と、前記薄膜形成室の不純物を除去するためのラジカ
ル又は薄膜材料となるラジカルの少くとも一方のラジカ
ルを生成し、このラジカルを前記薄膜形成室に供給する
ラジカル形成室と、前記薄膜形成室内のガスを排気する
ためのガス排気部とを備えていることを特徴とする。
リングを行なう薄膜形成室と、この薄膜形成室にスパッ
タリングガスを供給するためのスパッタリングガス供給
部と、前記薄膜形成室の不純物を除去するためのラジカ
ル又は薄膜材料となるラジカルの少くとも一方のラジカ
ルを生成し、このラジカルを前記薄膜形成室に供給する
ラジカル形成室と、前記薄膜形成室内のガスを排気する
ためのガス排気部とを備えていることを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明の薄膜形成方法では、薄膜形成室にラジ
カルを供給しているので、例えば、ラジカルとして、前
記薄膜形成室内の除去したい不純物と反応を起こし易い
ものを選べば、不純物とラジカルとの反応ガスが生成さ
れるため、これを薄膜形成室から除去することで、不純
物の影響を無くすことができる。また、ラジカルとし
て、反応性スパッタリングのために用いる分解された反
応性ガスを用いれば、安定した量の反応性ガスを薄膜形
成室内に供給できる。
カルを供給しているので、例えば、ラジカルとして、前
記薄膜形成室内の除去したい不純物と反応を起こし易い
ものを選べば、不純物とラジカルとの反応ガスが生成さ
れるため、これを薄膜形成室から除去することで、不純
物の影響を無くすことができる。また、ラジカルとし
て、反応性スパッタリングのために用いる分解された反
応性ガスを用いれば、安定した量の反応性ガスを薄膜形
成室内に供給できる。
【００１３】即ち、薄膜形成室内で反応性ガスの分解を
行なった場合には、タ−ゲット等の影響で、安定・一様
な反応性ガスの分解が困難になるが、本発明の場合に
は、そのような影響がないので、安定・一様な反応性ガ
スの分解が行なえ、この結果、安定した量の分解された
反応性ガスを薄膜形成室に供給できるので膜質が均一な
薄膜を形成できる。
行なった場合には、タ−ゲット等の影響で、安定・一様
な反応性ガスの分解が困難になるが、本発明の場合に
は、そのような影響がないので、安定・一様な反応性ガ
スの分解が行なえ、この結果、安定した量の分解された
反応性ガスを薄膜形成室に供給できるので膜質が均一な
薄膜を形成できる。
【００１４】また、本発明の薄膜形成装置では、ラジカ
ル形成室でラジカルを形成するので、従来のように薄膜
形成室でラジカルを形成する際に生じるタ−ゲット等の
影響を受けない。したがって、安定した量のラジカルを
薄膜形成室に供給できるので、膜質が均一な薄膜を形成
できる。
ル形成室でラジカルを形成するので、従来のように薄膜
形成室でラジカルを形成する際に生じるタ−ゲット等の
影響を受けない。したがって、安定した量のラジカルを
薄膜形成室に供給できるので、膜質が均一な薄膜を形成
できる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
る。
【００１６】図１には本発明の一実施例に係るスパッタ
リング装置の概略構成を示す模式図が示されている。
リング装置の概略構成を示す模式図が示されている。
【００１７】この薄膜形成装置は、大きく分けて、薄膜
形成室１と、ガス排気部４と、ガス供給部６と、ラジカ
ル形成室７とからなる。
形成室１と、ガス排気部４と、ガス供給部６と、ラジカ
ル形成室７とからなる。
【００１８】薄膜形成室１内の上部には、基板３を搭載
するための支持台２が設けられている。一方、薄膜形成
室１内の下部には、基板３と対向したタ−ゲット８、並
びに基板３を加熱するための赤外線ヒ−タ等からなる加
熱器５が設置されている。
するための支持台２が設けられている。一方、薄膜形成
室１内の下部には、基板３と対向したタ−ゲット８、並
びに基板３を加熱するための赤外線ヒ−タ等からなる加
熱器５が設置されている。
【００１９】ガス排気部４は、真空ポンプからなり、反
応室１内のガスを排気する。
応室１内のガスを排気する。
【００２０】ガス供給部６は、タ−ゲット８をスパッタ
するためのガス（スパッタリングガス）であるＡｒガス
を供給するガス供給部６ａと、ラジカルとなる原料ガス
を供給するラジカル原料ガス供給部６ｂとからなる。
するためのガス（スパッタリングガス）であるＡｒガス
を供給するガス供給部６ａと、ラジカルとなる原料ガス
を供給するラジカル原料ガス供給部６ｂとからなる。
【００２１】ラジカル形成室７は、ラジカル原料ガス供
給部６ｂからの原料ガスをラジカル化するための室で、
ラジカル化は、マイクロ波発生装置９により発生したマ
イクロ波を用いてを行なう。
給部６ｂからの原料ガスをラジカル化するための室で、
ラジカル化は、マイクロ波発生装置９により発生したマ
イクロ波を用いてを行なう。
【００２２】次に上記構成の薄膜形成装置を用いたＭｏ
薄膜の形成方法を説明する。
薄膜の形成方法を説明する。
【００２３】先ず、シリコン基板３を薄膜形成室１に支
持台２に搭載し、続いて、ガス排気部４により薄膜形成
室１内のガスを排気し、薄膜形成室１内の圧力を１×１
０-4Ｐａ程度に減圧する。
持台２に搭載し、続いて、ガス排気部４により薄膜形成
室１内のガスを排気し、薄膜形成室１内の圧力を１×１
０-4Ｐａ程度に減圧する。
【００２４】次にシリコン基板３を加熱器５により１０
０℃程度に加熱した後、ガス供給部６ａから流量１００
０ＳＣＣＭ，０．１ＴｏｒｒのＡｒガスを薄膜形成室１
に供給する。そしてラジカル原料ガス供給部６ｂから流
量１０ＳＣＣＭの水素ガスを薄膜形成室１に供給する。
このとき、水素ガスはラジカル形成室７を通過する際に
マイクロ波によりラジカル化されるため、薄膜形成室１
内には水素ラジカルが導入されることになる。
０℃程度に加熱した後、ガス供給部６ａから流量１００
０ＳＣＣＭ，０．１ＴｏｒｒのＡｒガスを薄膜形成室１
に供給する。そしてラジカル原料ガス供給部６ｂから流
量１０ＳＣＣＭの水素ガスを薄膜形成室１に供給する。
このとき、水素ガスはラジカル形成室７を通過する際に
マイクロ波によりラジカル化されるため、薄膜形成室１
内には水素ラジカルが導入されることになる。
【００２５】次にＭｏからなるタ−ゲット８に４００Ｖ
の電圧を印加して、スパッタリングを行ない、Ｍｏ薄膜
をシリコン基板３上に形成する。
の電圧を印加して、スパッタリングを行ない、Ｍｏ薄膜
をシリコン基板３上に形成する。
【００２６】なお、以上の工程ではガス排気部４により
薄膜形成室１内の圧力を所定のレベルに保っている。
薄膜形成室１内の圧力を所定のレベルに保っている。
【００２７】このようなＭｏ薄膜の形成方法では、薄膜
形成室１内の不純物、例えば、酸素は水素ラジカルと反
応を起こし（還元）、Ｈ2 Ｏとなってガス排気部４によ
り排気されるため、薄膜形成室１内の不純物を低減化で
きる。この結果、反応性に富んだ不純物によるＭｏ薄膜
の劣化、つまり、酸素によるＭｏ薄膜の酸化による抵抗
率の増大や、疎膜構造の発生を防止できるため、良質な
Ｍｏ薄膜を得ることができる。
形成室１内の不純物、例えば、酸素は水素ラジカルと反
応を起こし（還元）、Ｈ2 Ｏとなってガス排気部４によ
り排気されるため、薄膜形成室１内の不純物を低減化で
きる。この結果、反応性に富んだ不純物によるＭｏ薄膜
の劣化、つまり、酸素によるＭｏ薄膜の酸化による抵抗
率の増大や、疎膜構造の発生を防止できるため、良質な
Ｍｏ薄膜を得ることができる。
【００２８】かくして本実施例によれば、上述したよう
な薄膜形成室１が大気に晒される様な薄膜形成装置（バ
ッチ式薄膜形成装置）においても、残留酸素ガス等の不
純物による影響を除去でき、もって良質なＭｏ薄膜を得
ることができる。
な薄膜形成室１が大気に晒される様な薄膜形成装置（バ
ッチ式薄膜形成装置）においても、残留酸素ガス等の不
純物による影響を除去でき、もって良質なＭｏ薄膜を得
ることができる。
【００２９】なお、本実施例ではラジカルの原料ガスと
して水素ガスを用いたが、水素を含むガスなら他のガス
でも良い。また、Ａｒガスの圧力及び流量，基板温度等
の成膜条件は、形成しようとする薄膜の膜厚や膜質によ
り適宜決めれば良い。
して水素ガスを用いたが、水素を含むガスなら他のガス
でも良い。また、Ａｒガスの圧力及び流量，基板温度等
の成膜条件は、形成しようとする薄膜の膜厚や膜質によ
り適宜決めれば良い。
【００３０】次に本発明の他の実施例について説明す
る。これは上述した薄膜形成装置を用いたＴｉＮ薄膜の
形成方法に関する。
る。これは上述した薄膜形成装置を用いたＴｉＮ薄膜の
形成方法に関する。
【００３１】まず、先の実施例と同様にシリコン基板３
を薄膜形成室１内に収容した後、ガス排気部４により薄
膜形成室１内の圧力を１×１０-4Ｐａ程度に減圧する。
を薄膜形成室１内に収容した後、ガス排気部４により薄
膜形成室１内の圧力を１×１０-4Ｐａ程度に減圧する。
【００３２】次にシリコン基板３を加熱器５により１０
０℃程度に加熱し、次いでガス供給部６ａから流量１０
００ＳＣＣＭ，０．１ＴｏｒｒのＡｒガスを、ガス供給
部６ｂから流量２０ＳＣＣＭの窒素ガスを薄膜形成室１
に供給する。このとき、窒素ガスは、ラジカル形成室７
内でマイクロ波により分解されるため、薄膜形成室１内
には窒素ラジカルが導入されることになる。
０℃程度に加熱し、次いでガス供給部６ａから流量１０
００ＳＣＣＭ，０．１ＴｏｒｒのＡｒガスを、ガス供給
部６ｂから流量２０ＳＣＣＭの窒素ガスを薄膜形成室１
に供給する。このとき、窒素ガスは、ラジカル形成室７
内でマイクロ波により分解されるため、薄膜形成室１内
には窒素ラジカルが導入されることになる。
【００３３】次にＴｉからなるタ−ゲット８に４００Ｖ
の電圧を印加して、反応性スパッタリングを行ない、Ｔ
ｉＮ薄膜をシリコン基板３上に形成する。
の電圧を印加して、反応性スパッタリングを行ない、Ｔ
ｉＮ薄膜をシリコン基板３上に形成する。
【００３４】なお、以上の工程ではガス排気部４により
薄膜形成室１内の圧力を所定のレベルに保っている。
薄膜形成室１内の圧力を所定のレベルに保っている。
【００３５】このようなＴｉＮ薄膜の形成方法では、ラ
ジカル形成室７内で窒素ガスの分解を行なっているの
で、放電電流やタ−ゲットの影響が無くなり、一様・安
定な窒素ラジカルの分解を行なえる。この結果、薄膜形
成室１に安定した量の窒素ラジカルを供給できるので、
膜質が均一なＴｉＮ薄膜をシリコン基板３上に形成でき
る。
ジカル形成室７内で窒素ガスの分解を行なっているの
で、放電電流やタ−ゲットの影響が無くなり、一様・安
定な窒素ラジカルの分解を行なえる。この結果、薄膜形
成室１に安定した量の窒素ラジカルを供給できるので、
膜質が均一なＴｉＮ薄膜をシリコン基板３上に形成でき
る。
【００３６】かくして本実施例によれば、窒素ラジカル
の生成を容易に制御できるので、一様な窒素ラジカルを
薄膜形成室１に供給でき、もって、膜質が均一なＴｉＮ
薄膜を容易に形成できるようになる。
の生成を容易に制御できるので、一様な窒素ラジカルを
薄膜形成室１に供給でき、もって、膜質が均一なＴｉＮ
薄膜を容易に形成できるようになる。
【００３７】なお、窒素ラジカルの他に、水素ラジカル
を薄膜形成室１に供給すれば、先の実施例と同様に酸素
等の不純物を除去できるため、より高品質のＴｉＮ薄膜
を形成できるようになる。
を薄膜形成室１に供給すれば、先の実施例と同様に酸素
等の不純物を除去できるため、より高品質のＴｉＮ薄膜
を形成できるようになる。
【００３８】次に本発明の更に別の実施例について説明
する。図１の薄膜形成装置を用いたＩＴＯ薄膜の形成方
法に関する。
する。図１の薄膜形成装置を用いたＩＴＯ薄膜の形成方
法に関する。
【００３９】最初、先の実施例と同様にシリコン基板３
を薄膜形成室１内に収容する。次いで薄膜形成室１内の
ガスをガス排気部４により排気し、１×１０-4Ｐａ程度
まで減圧する。
を薄膜形成室１内に収容する。次いで薄膜形成室１内の
ガスをガス排気部４により排気し、１×１０-4Ｐａ程度
まで減圧する。
【００４０】次に加熱器５を用いて約１００℃にシリコ
ン基板３を加熱した後、ガス供給部６ａから流量１００
０ＳＣＣＭ，０．１ＴｏｒｒのＡｒガスを、ラジカル原
料ガス供給部６ｂから流量１０ＳＣＣＭの酸素ガスを薄
膜形成室１に供給する。このとき、酸素ガスは、ラジカ
ル形成室７内でラジカル化されるため、薄膜形成室１内
には酸素ラジカルが導入されることになる。
ン基板３を加熱した後、ガス供給部６ａから流量１００
０ＳＣＣＭ，０．１ＴｏｒｒのＡｒガスを、ラジカル原
料ガス供給部６ｂから流量１０ＳＣＣＭの酸素ガスを薄
膜形成室１に供給する。このとき、酸素ガスは、ラジカ
ル形成室７内でラジカル化されるため、薄膜形成室１内
には酸素ラジカルが導入されることになる。
【００４１】次にＩＴＯからなるタ−ゲット８に４００
Ｖの電圧を印加して、反応性スパッタリングを行ない、
ＩＴＯ薄膜をシリコン基板３上に形成する。
Ｖの電圧を印加して、反応性スパッタリングを行ない、
ＩＴＯ薄膜をシリコン基板３上に形成する。
【００４２】なお、以上の工程ではガス排気部４により
薄膜形成室１内の圧力を所定のレベルに保っている。
薄膜形成室１内の圧力を所定のレベルに保っている。
【００４３】以上述べた方法によれば、酸素ガスの分解
はラジカル形成室７内で行われるので、タ−ゲットの影
響を受けずに窒素ラジカルを生成できる。したがって、
薄膜形成室１に安定した量の酸素ラジカルを供給できる
ので、膜質が均一なＩＴＯ薄膜をシリコン基板３上に形
成できる。
はラジカル形成室７内で行われるので、タ−ゲットの影
響を受けずに窒素ラジカルを生成できる。したがって、
薄膜形成室１に安定した量の酸素ラジカルを供給できる
ので、膜質が均一なＩＴＯ薄膜をシリコン基板３上に形
成できる。
【００４４】かくして本実施例によれば、安定した量の
窒素ラジカルを薄膜形成室１に供給でき、もって膜質が
均一なＩＴＯ薄膜を容易に形成できる。なお、この場合
も、窒素ラジカルの他に、不純物を除去するためのラジ
カルを薄膜形成室１に供給すれば、より高品質のＩＴＯ
薄膜を形成できる。
窒素ラジカルを薄膜形成室１に供給でき、もって膜質が
均一なＩＴＯ薄膜を容易に形成できる。なお、この場合
も、窒素ラジカルの他に、不純物を除去するためのラジ
カルを薄膜形成室１に供給すれば、より高品質のＩＴＯ
薄膜を形成できる。
【００４５】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、上記実施例では、スパッタリ
ングガスとしてＡｒガスを用いたが、他の不活性ガス、
例えば、Ｈｅガス，Ｋｒガス，Ｘｅガスを用いても良
い。
るものではない。例えば、上記実施例では、スパッタリ
ングガスとしてＡｒガスを用いたが、他の不活性ガス、
例えば、Ｈｅガス，Ｋｒガス，Ｘｅガスを用いても良
い。
【００４６】また、薄膜形成室に供給するラジカルは、
上述した水素ラジカル，窒素ラジカル，酸素ラジカルに
限らず、除去した不純物や形成したい薄膜に応じて適宜
選べば良い。
上述した水素ラジカル，窒素ラジカル，酸素ラジカルに
限らず、除去した不純物や形成したい薄膜に応じて適宜
選べば良い。
【００４７】また、上記実施例では、タ−ゲット材料と
してＭｏ，Ｔｉ，ＩＴＯを用いた場合について説明した
が、本発明は、タ−ゲット材料としてＣｒ，Ｗ，Ｎｉ，
Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属や、これら金属の合金の場合
にも適用できる。
してＭｏ，Ｔｉ，ＩＴＯを用いた場合について説明した
が、本発明は、タ−ゲット材料としてＣｒ，Ｗ，Ｎｉ，
Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属や、これら金属の合金の場合
にも適用できる。
【００４８】また、上記実施例では、マイクロ波発生装
置を用いてラジカルを生成したが、他の装置、例えば、
電圧が１３．５６ＭＨｚのＲＦ波発生装置を用いてラジ
カルの生成を行なっても良い。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
置を用いてラジカルを生成したが、他の装置、例えば、
電圧が１３．５６ＭＨｚのＲＦ波発生装置を用いてラジ
カルの生成を行なっても良い。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００４９】また、上記実施例では、放電によるスパッ
タリングについて説明したが、本発明は、電子ビ−ムや
光を利用したスパッタリンにも適用できる。
タリングについて説明したが、本発明は、電子ビ−ムや
光を利用したスパッタリンにも適用できる。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、薄
膜形成室内の不純物の除去をできるので良質な薄膜を得
ることができる。また、薄膜形成室内に反応性ガスとな
るラジカルを安定して供給できるので、膜質が均一な薄
膜を得ることができる。
膜形成室内の不純物の除去をできるので良質な薄膜を得
ることができる。また、薄膜形成室内に反応性ガスとな
るラジカルを安定して供給できるので、膜質が均一な薄
膜を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る薄膜形成装置の概略構
成を示す模式図。
成を示す模式図。
１…薄膜形成室、２…支持台、３…基板、４…ガス排気
部、５…加熱器、６…ガス供給部、６ａ…スパッタリン
グガス供給部、６ｂ…ラジカル原料ガス供給部、７…ラ
ジカル形成室、８…タ−ゲット、９…マイクロ波発生装
置。
部、５…加熱器、６…ガス供給部、６ａ…スパッタリン
グガス供給部、６ｂ…ラジカル原料ガス供給部、７…ラ
ジカル形成室、８…タ−ゲット、９…マイクロ波発生装
置。
Claims (2)
- 【請求項１】スパッタリングを行なう薄膜形成室の不純
物を除去するためのラジカル又は薄膜材料となるラジカ
ルの少くとも一方のラジカルを生成する工程と、 このラジカルとスパッタリングガスとを前記薄膜形成室
に供給し、スパッタリングを行なう工程と、 を具備してなることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】スパッタリングを行なう薄膜形成室と、 この薄膜形成室にスパッタリングガスを供給するための
スパッタリングガス供給部と、 前記薄膜形成室の不純物を除去するためのラジカル又は
薄膜材料となるラジカルの少くとも一方のラジカルを生
成し、このラジカルを前記薄膜形成室に供給するラジカ
ル形成室と、 前記薄膜形成室内のガスを排気するためのガス排気部と
を具備してなることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18004192A JPH0625843A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18004192A JPH0625843A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0625843A true JPH0625843A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16076452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18004192A Pending JPH0625843A (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006152419A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置とこの成膜装置を含む複合型配線膜形成装置および薄膜製造方法 |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP18004192A patent/JPH0625843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006152419A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置とこの成膜装置を含む複合型配線膜形成装置および薄膜製造方法 |
| JP4637556B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2011-02-23 | 株式会社アルバック | 成膜装置とこの成膜装置を含む複合型配線膜形成装置および薄膜製造方法 |
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