JPH06255255A - 低吸収性材料を用いる記録可能型光学素子 - Google Patents

低吸収性材料を用いる記録可能型光学素子

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JPH06255255A
JPH06255255A JP6000443A JP44394A JPH06255255A JP H06255255 A JPH06255255 A JP H06255255A JP 6000443 A JP6000443 A JP 6000443A JP 44394 A JP44394 A JP 44394A JP H06255255 A JPH06255255 A JP H06255255A
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recording
substrate
layer
sputtering
film
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Yuan-Sheng Tyan
チャン ユアン−シェンク
Pranab K Raychaudhuri
ケイ ライチュードゥーディ プラナブ
Kee-Chuan Pan
パン キー−チュアン
George R Olin
アール オリン ジョージ
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Eastman Kodak Co
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＣＤ規格に適合するために高い反射率，記録
感度及びコントラストを有する記録素子を提供する。 【構成】 記録可能な光学素子は、基板１０と、この基
板１０の表面上の記録層１２及び光反射層１４とを有し
ている。記録層１２は、式Ｍa Ｃb Ｈc Ｘd Ｏeで設定
される材料を有する。ここに、ＭはＳｂもしくはＴｅ又
はＳｂ及びＴｅの合金であり、Ｃは炭素であり、Ｈは水
素であり、ＸはＳｉもしくはＧｅ又はこれらの結合であ
り、そしてＯは酸素である。また、ａは１０から４５で
あり、ｂは４０以下であり、ｃは４０以下であり、ｄは
１０から４０であり、ｅは２０以下、好適には１０以下
である。更にａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、そしてａ／
ｄ＜３である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に記録可能型のコン
パクトディスクに有用な光学的記録素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の形式の光学的記録材料が知られて
いる。多くの材料では、その動作モードにおいて、非記
録領域が高吸収性を有し、またしばしばピットと呼ばれ
る記録された領域が高反射性を有することが必要であ
る。高反射性のピットは、記録材料を除去し、通常では
下側の反射基材を露出させることによって形成される。
【０００３】現在のところ普及している光学的記録素子
の形態の１つは、ディスク又はＣＤである。デジタル情
報は、上述の光学的記録材料とは正反対の他の反射性下
地における低反射性マークもしくはピットの形態で記録
される。このフォーマットでは、光学的情報は、大抵は
読出専用メモリもしくはＲＯＭの形態をとる。光学的情
報は、通常ではリアルタイムにて記録されるのではな
く、寧ろプレスモールドによって形成される。代表的な
工程において、光学的記録基板が先ず、再生されるべき
デジタル情報を含むマスターでプレスモールドされる。
このプレスモールドされた基板はそれから、反射層そし
て付帯的な保護層で被覆される。変形もしくはピットを
有するこれらの領域において、その反射率は、そのよう
な変形がない領域よりも低くなっている。
【０００４】リアルタイムにて記録される場合には、読
出中の通常のＣＤに倣った記録を行う光学的記録素子を
形成することが望ましい。この態様では、情報はそのＣ
Ｄに付加され、またＣＤは、通常のＣＤプレーヤで用い
られ得る。
【０００５】最近開示されたこの種の形式のシステムの
１つは、「フォトＣＤ」と呼ばれるものである。このシ
ステムでは、通常の写真フィルムが先ず、通常の方法で
処理される。そして、そのフィルムから得られた画像は
デジタル化され、このデジタル情報は、光学的記録材料
上にＣＤ読出可能な形態で記録される。画像はそれか
ら、通常のＣＤ形式のプレーヤで通常のテレビジョンに
再生される。ＣＤは、典型的なロール状の市販フィルム
よりも、デジタル化された画像数量に対してかなり大き
い容量を有しているので、ユーザにおいて、既に部分的
に記録されたＣＤに更に画像を付加する傾向があること
が予想される。かくして記録可能であり、ＣＤに適合す
る光学的記録材料に対する要求が高まっている。
【０００６】通常のモールドプレスされたＣＤ素子に倣
った記録可能型素子を形成するための１つの方法では、
その上に記録放射線を吸収するダイ層と反射層とを順次
有しおり、透光性があり、熱変形可能な基材を形成す
る。記録ビームによる基材を介しての記録層の露光によ
り、記録層表面に隣接する熱変形可能な基材の表面が変
形される程度までその記録層を加熱する。この種の材料
は、米国特許第４，９４０，６１８号，欧州特許出願０
３５３３９３号及びカナダ国特許２，００５，５２０号
に開示されている。
【０００７】これらの引用例に開示された種類の商業的
に有用な材料には、厳しい要求基準がある。それらの要
求基準の１つは、光安定性である。フォトＣＤは消費材
であるから、それは、過酷な環境条件に耐え得る必要が
ある。画像が先ず、フォトＣＤに記録され、その後その
画像がフォトＣＤプレーヤにて再生されるまでの間に、
ＣＤは、例えば強烈な太陽光線に曝され得る。記録層
は、このような使用条件のもとで高い光安定性が必要で
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の米国特許及び欧
州特許出願において、記録層のための好適なダイは、イ
ンドジカルボシアニンである。しかしながら、この形式
のダイでは、所望の光安定性が得られず、実際、数日間
強烈な太陽光線に曝されただけで、使用不能になるまで
劣化してしまう。これらの出願はまた、フタロシアニン
・ダイを開示しており、このフタロシアニン・ダイは、
そのダイの芳香族環の１つのｂ位置において第３ブチル
置換基を有している。同様に上述のカナダ国特許出願
は、多数のフタロシアニン・ダイを開示している。しか
しながら、これらのフタロシアニン・ダイは、優れた安
定性を備えているものの、製造が困難であり、また高価
である。
【０００９】例えば、カナダ国特許出願に係るフタロシ
アニン・ダイは、完成した環の成分を先ず製造すること
によって形成されるが、その成分は、必要な置換基を有
していて、金属誘導体を含む混合物と温度的に反応し、
環を閉環させる。これは、費用のかかる処理であり、収
率が低く、そして非反応性成分から所望のダイを分離す
るには困難な処理によって特徴付けられる。大量生産さ
れた消費材においては、記録層ダイのコストは重要な事
項である。
【００１０】能動素子としてダイを用いない記録層が報
告されている。アサノ等（Ｙ．アサノ，Ｈ．ヤマザキ及
びＡ．モリナカ、Jap.J.Appl. 物理第２２巻４８０頁、
１９８３年）は、期待された低い熱伝導性及び高い光学
的吸収率に基づいて、光学的記録のための金属含有プラ
ズマ重合化フィルムの使用を記述した。彼らは、Ｔｅ
（テルル）含有及びＢｉ（ビスマス）含有双方のプラズ
マ重合された二硫化炭素フィルムが適合し得ることを見
出した。しかしながら、これらの材料は、約９０％程の
金属成分を含有している。光学的な密度が高く、そして
ＣＤ規格によって要求される７０％の反射率を得ること
は困難である。彼らはまた、アルミニウム反射材上に４
０％のＴｅを含んでいるＴｅ含有のプラズマ重合された
スチレン使用のフィルムを使って、相変化型の記録を開
示した。この場合でも、かかる構成では、ＣＤ規格に合
う反射率及びコントラスト要求基準を満足するができな
い。更に、このプラズマ重合処理は煩雑であり、それ
は、基板ばかりでなくターゲットを被覆し、製造に適さ
なくする程である。
【００１１】本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、ＣＤ規格に適合し得る高い
反射率，記録感度及びコントラストを有する記録素子を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る低吸収性材料を用いる記録可能型光学
素子は、基板と、この基板の表面上の記録層及び光反射
層とを有し、記録層が、式Ｍa Ｃb Ｈc Ｘd Ｏe によっ
て与えられるという改良がなされた記録可能型素子によ
って達成される。ここで、ＭはＳｂ（アンチモン）もし
くはＴｅ（テルル）又はＳｂ及びＴｅの合金であり、Ｃ
は炭素であり、Ｈは水素であり、ＸはＳｉ（ケイ素）も
しくはＧｅ（ゲルマニウム）又はこれらの結合であり、
そしてＯは酸素である。また、ａは１０から４５、好ま
しくは１５から３５であり、ｂは４０以下、好ましくは
１０から３０であり、ｃは４０以下、好ましくは１５か
ら３５であり、ｄは１０から４０、好ましくは１５から
２５であり、ｅは２０以下、好ましくは１０以下であ
り、更にａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、そしてａ／ｄ＜
３である。
【００１３】
【実施例】本発明による光学素子が図１及び図２に示さ
れており、少なくとも３つの層を含んでいる。基板１０
は、その上に光学的記録層１２及び反射層１４を有して
いる。保護層が更に設けられ得るが、それは、この発明
の実施にあたっては必要がないため、説明を省略するも
のとする。
【００１４】図１において、基板は透光性であり、記録
層１２を照射する光は、基板１０を通過する。図２にお
いて、基板は非透光性であり、光は、直接記録層１２を
照射する。
【００１５】基板を介して（図１）、又は直接（図２）
記録層１２上に合焦された書込レーザで記録層１２をマ
ークすることによって記録が行われる。合焦したレーザ
ビームは、実質的に室温以上の温度まで記録層を加熱
し、媒体の変化を起こさせる。好ましい変化において、
その層における金属成分の集塊を含み、又は気泡（バブ
ル），空隙もしくはピット等の形態で媒体パッケージの
変形を順に生じさせるガスを形成するための材料の分離
を含んでいる。基板材料の幾分かの分離がまた、もたら
される。いずれにしても、これらの変化の部分的又は全
部の組合せにより、その後、合焦した読出レーザビーム
によって読み取られるマークを形成する。かくして、読
出レーザ光に対して比較的高反射率の下地おける比較的
低反射率のマークにより記録が構成される。
【００１６】本発明の好適な実施例は、図１に示される
ような書込可能なコンパクトディスク（ＣＤ）のもので
ある。この書込及び読取レーザは、レーザダイオード形
式のものであり、７７０及び８３０ｎｍの間の赤外領域
で動作する。
【００１７】コンパクトディスクの構造と同様に、光学
的記録及び再生処理の更に完全な説明については、「光
学的記録」；アラン・ビー・マーチャント（１９９０）
を参照されたい。
【００１８】基板 図１において、基板は、表面処理が施され又は施されて
いない光学的に透光性の合成樹脂により形成される。図
２において、基板は、書込／読出レーザ光に対して非透
光性である。図１の実施例に対する好適な合成樹脂は、
ポリカーボネート及びポリアクリレートである。この基
板は、レーザ・トラッキングのためのガイド溝を含み得
る。
【００１９】反射層 この反射層は、光学的記録材料として通常用いられるい
ずれかの金属とすることができる。有用な金属が、真空
蒸着もしくはスパッタされ、そして金，銀，アルミニウ
ム及びそれらの銅合金を含み得る。金は、好適な反射層
材料である。
【００２０】記録層もしくはフィルム 本発明は、式Ｍa Ｃb Ｈc Ｘd Ｏe によって設定される
記録層を用いる。ここに、ＭはＳｂ（アンチモン）もし
くはＴｅ（テルル）又はＳｂ及びＴｅの合金であり、Ｃ
は炭素であり、Ｈは水素であり、ＸはＳｉ（ケイ素）も
しくはＧｅ（ゲルマニウム）又はこれらの結合であり、
そしてＯは酸素である。また、ａは１０から４５、好ま
しくは１５から３５であり、ｂは４０以下、好ましくは
１０から３０であり、ｃは４０以下、好ましくは１５か
ら３５であり、ｄは１０から４０、好ましくは１５から
２５であり、ｅは２０以下、好ましくは１０以下であ
り、更にａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、そしてａ／ｄ＜
３である。
【００２１】ｋ≦０．１０×（ｎ−１） ここで、ｎは、光学的屈折率の実部である。ｋ及びｎ
は、この種の技術ではよく理解された項である。ｎ及び
ｋは、ジェームズ・ディー・ランバート氏の「光学的薄
フィルム」；マクローヒル出版社の６頁及び７頁に示さ
れるように、複層構造の屈折率を測定することによって
決定される。ｎ及びｋを算出するための別の方法とし
て、ディー・イー・アスプンス氏の「固体の光学的定数
ハンドブック」（１９８５）の第５章を参照されたい。
サーメットの金属部分は、主にｋ値を与える。所望の低
いｋ値を得るためには、ＳｂもしくはＴｅ等の金属成分
の含有量が低いことが必要である。全体の金属含有量
は、約４５原子パーセント以下とすべきである。
【００２２】所望の光学的特性を得るために、広い範囲
から金属の選定が行われ得る。ＳｂもしくはＴｅが選定
された場合には、優れた記録性能を得ることができる。
反射層は、熱伝導性が良く、記録感度を減少するための
ヒートシンクのような挙動を呈するので、記録層自体の
熱伝導性を減少させることが最良である。更に、書込処
理は、最も好ましくは媒体パッケージの変形の結果生じ
るので、そのような変形処理を妨げるよりも寧ろ助長し
得る記録層を有することが最良である。本発明によれ
ば、記録処理中のレーザ加熱によってガスを分解し及び
生成し得るＣ，Ｈ，Ｆ（フッ素），Ｃｌ（塩素），Ｎ
（窒素）及びＯ等の多量の成分を含む記録層を用いるこ
とにより、２つの特徴とも実現することができる。特
に、Ｃ及びＨが最も有効であることを見出した。しばし
ば、フィルムの成形加工の際に又はその後、同様に酸化
の結果物として酸素が検出される。
【００２３】より好適な処理及び不純物制御を行うため
に従来の蒸着技術を使用して記録層を製造することが望
ましい。Ｃ及びＨを含む材料は、スパッタリング又は蒸
着と組み合わせたプラズマ重合処理によって作製され
る。かかる処理において、比較的に高濃度のＣx Ｈy ガ
スがプラズマ下で用いられ、そのガスは、気相状態で重
合され、そして基板上に蒸着される。同時に金属がその
基板上にスパッタリング又は蒸着されるならば、そのと
き金属並びにＣ及びＨの双方を含む材料が得られる。こ
のような方法には、プラズマ重合被覆技術が煩雑である
という問題がある。結果的に生じる重合されたフィルム
は、基板上に蒸着されるばかりか、ターゲットを含む真
空チャンバ内の他の場所にも蒸着される。結果的には、
蒸着処理は安定性がなくなり、ある場合には蒸着率が連
続的に低下し、結局、蒸着処理が損なわれる。
【００２４】本発明によれば、炭化水素の存在下でＳｉ
がスパッタリングされる場合、大量のＣ及びＨが、Ｓｉ
と伴にフィルムに混入されるということが判明した。こ
の混入は、プラズマ重合処理、そしてそれ故にターゲッ
ト・ポイゾニングが殆ど生じない極めて低濃度の炭化水
素不純物の状態で起こる。Ｓｉ原子が基板に到達する
と、ダングリング・ボンドがＣ及びＨ原子、そしてＣ−
Ｈを引きつけ、そうすることによって、更なるＳｉ原子
がそれらの上に堆積されるとき、そのＣ及びＨ原子に捕
獲されるものと考えられる。いずれにしても、炭化水素
の存在下でのＳｉの蒸着が、大量のＣ及びＨを含むフィ
ルムを形成するために極めて有効な方法であるというこ
とは事実である。炭化水素の存在下でのＳｉの蒸着の
際、スパッタリング又は蒸着によって金属成分が誘導さ
れるならば、本発明に係るフィルムが形成され得る。選
択的に、Ｓｉの代わりにＧｅを用いることが可能であ
る。有効なフィルム部材は、少なくとも５原子パーセン
トのＳｉもしくはＧｅ又はＳｉ及びＧｅの組合せ、及び
４５原子パーセント以下のＳｂ、Ｔｅ又は両者の組合せ
のような金属成分を含むことが可能である。
【００２５】記録層の成形加工の好適な方法は、ＤＣス
パッタリング法である。好適なターゲットは、金属及び
ＳｉもしくはＧｅの双方を含む。２つの成分の間で相状
態図に混和性がなくとも、例えば粉末冶金技術によって
かかるターゲットを形成することができる。選択的に、
一方が金属を含み、他方がＳｉもしくはＧｅを含んでい
る２つのスパッタリング・ターゲットが使用される場合
には、共働スパッタリング法を用いることができる。雰
囲気には、Ａｒ（アルゴン）もしくはＫｒ（クリプト
ン）のようなスパッタガス、及びＨ2 、Ｃx Ｈy 、
Ｏ2 、Ｎ2 、ＮＨ3 等やそれらの混合のような「反応性
分子」の気相源を含む。
【００２６】例 例１ 薄フィルム層は、共働スパッタリング法（co-spu
ttering ）を使用してポリカーボネート基板上に蒸着さ
れる。２つのＤＣスパッタリング・ガン（直径２イン
チ）が使用されたが、一方はＳｂターゲットのものであ
り、他方はＳｉターゲットのものである。スパッタリン
グ出力は、Ｓｂターゲットに対しては１１ワットであ
り、Ｓｉターゲットに対しては７５ワットであった。ス
パッタリング圧力は、Ａｒの３０ＳＣＣＭ及びＣＨ4 の
２．２８ＳＣＣＭの流量にて、３．８ｍＴｏｒｒ（換算
すると、５０５．４ｍＰａ）であった。２分間のスパッ
タリング時間の後、６２ｎｍの薄フィルムが得られた。
光学的分析の結果、２．５４５のｎ値と０．０６８のｋ
値が示された。
【００２７】１７００オングストロームの厚さのフィル
ムが、ポリカーボネート基板上に同一条件下で成形加工
された。金の反射層が、真空蒸着によって作製され、次
に有機ラッカー保護層が形成された。波長８３０ｎｍの
書込レーザ，波長７８０ｎｍの読出レーザ及び０．５５
ＮＡ（開口数）の対物レンズを備えたダイナミック・テ
スタを使用して５．６ｍ／ｓ（ＣＤ読出速度の４倍）の
中間線形速度にて記録試験が行われた。第２高調波の最
小記録出力は、１８．５ｍＷとなるように設定され、読
出ＣＮＲは６２ｄＢで、反射率は７０％であり、Ｉ11／
Ｉtop は０．８６で、またＩ3 ／Ｉtop は０．３５であ
った。
【００２８】同様な条件下で成形加工された代表的なサ
ンプルは、ラザフォード後方散乱法を使用して分析さ
れ、またＳｂ；２０％，Ｓｉ；１８％，Ｃ；２０％，
Ｈ；３０％及びＯ；１０％の組成であると決定された。
酸素は、表面酸化物及びスパッタリングガスの酸素に起
因するものであると考えられた。
【００２９】例２ 次の同一条件下で、共働スパッタリ
ング法を使用して一連の層が作製された。ＣＨ4 流量
２．２８ＳＴＤｃｃ／ｍｉｎ、Ａｒ流量３０ＳＴＤｃｃ
／ｍｉｎ、スパッタリング圧力３．７ｍＴｏｒｒ（換算
すると、４９２．１ｍＰａ）であった。
【００３０】但し、Ｓｂ及びＳｉターゲットに対する出
力は変化した。結果的に、フィルムの光学的特性は、次
の表に示されるように変化した。この試験は、これらの
フィルムの調和性（tunability）を実証している。
【００３１】
【表１】 例３ フィルムの調和性はまた、「合金」ターゲットを
使用して実証される。このターゲットは加熱によって形
成され、５０原子パーセントのＳｂと５０原子パーセン
トのＳｉにより構成される。ターゲットに対するスパッ
タリング出力は７５ワットに固定され、またＡｒ圧力及
び流量は、２ｍＴｏｒｒ（換算すると、２６６ｍＰａ）
及び３０ＳＴＤｃｃ／ｍｉｎに維持された。ＣＨ4 の流
量は変化され、また結果的に形成されるフィルムの光学
的特性は、次の表で与えられるように測定された。
【００３２】
【表２】 例４ 薄フィルムは、共働スパッタリング法を使用して
ポリカーボネート基板上に蒸着された。２つのＤＣスパ
ッタリング・ガン（直径２インチ）が使用されるが、一
方はＳｂターゲットのものであり、他方はＳｉターゲッ
トのものであった。スパッタリング出力は、Ｓｂターゲ
ットに対しては９ワットであり、Ｓｉターゲットに対し
ては１００ワットであった。スパッタリング圧力は、
９．５ｍＴｏｒｒ（換算すると、１２６３．５ｍＰａ）
であったが、それはＡｒ２５％及びＨ2 ７５％により構
成される。６．３分間のスパッタリング時間の後、１２
１ｎｍの薄フィルムが得られた。光学的検討により、
３．２５のｎ値と０．１２のｋ値が示された。そのフィ
ルム上に金の反射フィルムが蒸着された。反射率は、７
１．４％であることが測定された。
【００３３】例５ 次の同一条件下で、共働スパッタリ
ング法を使用して一連の薄フィルムが作製された。Ｓｉ
ターゲットに対する出力１００ワット，Ｈ2 流量３０Ｓ
ＴＤｃｃ／ｍｉｎ、Ａｒ流量１０ＳＴＤｃｃ／ｍｉｎ、
スパッタリング圧力９．５ｍＴｏｒｒ（換算すると、１
２６３．５ｍＰａ）であった。Ｓｂターゲットに対する
出力は変化された。結果的に、フィルムの光学的特性
は、次の表に示されるように変化した。この試験は、反
応性ガスとしてのＨ2 を用いてフィルムの調和性を実証
している。
【００３４】
【表３】 例６ ２つのスパッタリング・ガンが使用されるが、一
方はＳｉターゲットのものであり、他方はＧｅ４０−Ｔ
ｅ６０ターゲットのものである。出力は、各ターゲット
に対して４０ワットであった。圧力は、２０ＳＣＣＭの
Ａｒ及び６ＳＣＣＭのＣＨ4 の流量にて、５．５７ｍＴ
ｏｒｒ（換算すると、７４０．８１ｍＰａ）であった。
ほぼ１６００オングストロームのフィルムが、ポリカー
ボネート・ディスク基板上に蒸着された。そして、金の
反射層がスパッタ蒸着され、有機ラッカー保護層がスピ
ンコーティングされた。
【００３５】２．８ｍ／ｓの速度にて波長７８８ｎｍの
書込及び読出レーザを使用して記録試験が行われた。第
２高調波の最小での記録出力は、７ｍＷであった。反射
率は６８．５％であり、Ｉ11／Ｉtop は０．６５であっ
た。記録層はラザフォード後方散乱によって分析され、
その組成は、Ｔｅ；３０％，Ｇｅ；２０％，Ｓｉ；４
％，Ｏ；９％，Ｃ；１５％及びＨ；２２％であった。
【００３６】例７ Ｇｅ４０−Ｔｅ６０スパッタリング
・ターゲットが用いられた。出力は４０ワットであっ
た。２０ＳＣＣＭのＡｒ及び２０ＳＣＣＭのＣＨ4 のそ
れぞれ流量にて、圧力は、４．６４ｍＴｏｒｒ（換算す
ると、６１７．１２ｍＰａ）であった。ポリカーボネー
ト・ディスク基板上に、ほぼ１８００オングストローム
のフィルムが蒸着された。そして、金の反射層が、スパ
ッタ蒸着され、有機ラッカー保護層がスピンコーティン
グされた。
【００３７】２．８ｍ／ｓの速度にて波長７８８ｎｍの
書込及び読出レーザを使用して記録試験が行われた。第
２高調波の最小での記録出力は、７ｍＷであった。反射
率は７５％であり、Ｉ11／Ｉtop は０．６４であった。
記録層はラザフォード後方散乱法によって分析され、そ
の組成は、Ｔｅ；３１％，Ｇｅ；２１％，Ｏ；１％，
Ｃ；２２％及びＨ；２５％であった。
【００３８】例８ 薄フィルムは、ＣＨ4 の雰囲気にお
いて、Ｔｅ及びＧｅを共働スパッタリングすることによ
ってポリカーボネート・ディスク基板上に蒸着された。
ターゲット出力は、Ｔｅ及びＧｅに対してそれぞれ１０
及び５０ワットであり、流量は、合計圧力８．７１ｍＴ
ｏｒｒ（換算すると、１１５８．４３ｍＰａ）にて、Ａ
ｒ及びＣＨ4 に対してそれぞれ２０及び７．５ＳＣＣＭ
であった。ほぼ５８８オングストロームの厚さのフィル
ムが蒸着された。そして、金の反射層がスパッタ蒸着さ
れ、有機ラッカー保護層がスピンコーティングされた。
【００３９】上述した各例と同様に、記録試験が行われ
た。第２高調波の最小での記録出力は、９．５ｍＷであ
った。反射率は６７．２％であり、Ｉ11／Ｉtop は６３
％であった。
【００４０】同様に作製された記録層の組成は、ラザフ
ォード後方散乱法によって分析され、Ｔｅ−１７，Ｇｅ
−２０，Ｃ−２０，Ｈ−３１及びＯ−１２原子パーセン
トであった。
【００４１】例９ 薄フィルムは、ＣＨ4 の雰囲気にお
いて、Ｔｅ及びＧｅを共働スパッタリングすることによ
ってポリカーボネート・ディスク基板上に蒸着された。
ターゲット出力は、Ｔｅ及びＧｅに対してそれぞれ７及
び５０ワットであり、その流量は、合計圧力８．７８ｍ
Ｔｏｒｒ（換算すると、１１６７．７４ｍＰａ）にて、
Ａｒ及びＣＨ4 に対してそれぞれ２０及び７．５ＳＣＣ
Ｍであった。フィルムが蒸着され、金の反射層がスパッ
タ蒸着され、有機ラッカー保護層がスピンコーティング
された。
【００４２】上述した各例と同様に、記録試験が行われ
た。第２高調波の最小での記録出力は、１１ｍＷであっ
た。反射率は７４．８％であり、Ｉ11／Ｉtop は７７％
であった。
【００４３】例１０ 薄フィルムは、ＣＨ4 の雰囲気に
おいて、Ｔｅ及びＧｅを共働スパッタリングすることに
よってポリカーボネート・ディスク基板上に蒸着され
た。ターゲット出力は、Ｔｅ及びＧｅに対してそれぞれ
１２及び５０ワットであり、その流量は、合計圧力８．
７６ｍＴｏｒｒ（換算すると、１１６５．０８ｍＰａ）
にて、Ａｒ及びＣＨ4 に対してそれぞれ２０及び７．５
ＳＣＣＭであった。フィルムが蒸着され、金の反射層が
スパッタ蒸着され、有機ラッカー保護層がスピンコーテ
ィングされた。
【００４４】上述した各例と同様に、記録試験が行われ
た。第２高調波の最小での記録出力は、１５ｍＷであっ
た。反射率は７７．３％であり、Ｉ11／Ｉtop は８０％
であった。
【００４５】例１１ 薄フィルムは、ＣＨ4 の雰囲気に
おいて、Ｔｅ及びＧｅを共働スパッタリングすることに
よってポリカーボネート・ディスク基板上に蒸着され
た。ターゲット出力は、Ｔｅ及びＧｅに対してそれぞれ
１４及び５０ワットであり、その流量は、合計圧力８．
７６ｍＴｏｒｒ（換算すると、１１６５．０８ｍＰａ）
にて、Ａｒ及びＣＨ4 に対してそれぞれ２０及び７．５
ＳＣＣＭであった。フィルムが蒸着され、金の反射層が
スパッタ蒸着され、有機ラッカー保護層がスピンコーテ
ィングされた。
【００４６】上述した各例と同様に、記録試験が行われ
た。第２高調波の最小での記録出力は、１２．５ｍＷで
あった。反射率は７３．１％であり、Ｉ11／Ｉtop は７
２％であった。
【００４７】例１２ 薄フィルムは、ＣＨ4 の雰囲気に
おいてＴｅ，Ｓｂ及びＧｅを共働スパッタリングするこ
とによってポリカーボネート・ディスク基板上に蒸着さ
れた。ターゲット出力は、Ｔｅ、Ｓｂ及びＧｅに対して
それぞれ１０、１０及び５０ワットであり、その流量
は、合計圧力８．８７ｍＴｏｒｒ（換算すると、１１７
９．７１ｍＰａ）にて、Ａｒ及びＣＨ4 に対してそれぞ
れ２０及び７．５ＳＣＣＭであった。フィルムが蒸着さ
れ、金の反射層がスパッタ蒸着され、有機ラッカー保護
層がスピンコーティングされた。
【００４８】上述した各例と同様に、記録試験が行われ
た。第２高調波の最小での記録出力は、９ｍＷであっ
た。反射率は７４．７％であり、Ｉ11／Ｉtop は６６％
であった。
【００４９】本発明は、その特定の好適実施例を特に参
照して詳細に記述された。しかしながら、本発明思想及
びその範囲内で変更及び変形が有効に行なわれ得るもの
である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、特
に記録可能なコンパクトディスクに対して、その要求基
準に適合し得る高い反射率を実現し、更に記録感度及び
コントラストを向上することができる等の利点を有して
いる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による素子の外縁部における概略断面図
である。
【図２】本発明による他の素子の概略断面図である。
【符号の説明】
１０ 基板 １２ 記録層 １４ 反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キー−チュアン パン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ピッツ フォードロック ドライブ 19 (72)発明者 ジョージ アール オリン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ウェブ スター ノースブルック ウェイ 665

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、この基板の表面上の記録層及び
    光反射層とを有する記録可能な光学素子であって、 記録層は、式Ｍa Ｃb Ｈc Ｘd Ｏe によって設定される
    材料を含み、 ここで、ＭはＳｂもしくはＴｅ又はＳｂ及びＴｅの合金
    であり、Ｃは炭素であり、Ｈは水素であり、ＸはＳｉも
    しくはＧｅ又はこれらの結合であり、そしてＯは酸素で
    あり、また、ａは１０から４５であり、ｂは４０以下で
    あり、ｃは４０以下であり、ｄは１０から４０であり、
    ｅは２０以下、好ましくは１０以下であり、更にａ＋ｂ
    ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００であることを特徴とする低吸収材
    料を用いる記録可能な光学素子。
JP6000443A 1993-01-08 1994-01-07 低吸収性材料を用いる記録可能型光学素子 Pending JPH06255255A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

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US200193A 1993-01-08 1993-01-08
US12180193A 1993-09-15 1993-09-15
US121801 1993-09-15
US002001 1993-09-15

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EP0605891A3 (en) 1996-08-07

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